JPH09186002A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
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- JPH09186002A JPH09186002A JP34273295A JP34273295A JPH09186002A JP H09186002 A JPH09186002 A JP H09186002A JP 34273295 A JP34273295 A JP 34273295A JP 34273295 A JP34273295 A JP 34273295A JP H09186002 A JPH09186002 A JP H09186002A
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- Japan
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- thermistor
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- wiring
- oxide
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタにおいて、共晶ハンダ或いは高温
ハンダによる配線処理によって電極面積が減少すること
を防止する。 【解決手段】 サーミスタの電極は、サーミスタ素子１
に設けた特性が異なる素子電極２とカバー電極３との２
層構造になっている。下層の素子電極２により電極面積
を確保してサーミスタの電気的特性を維持し、上層のカ
バー電極３により配線と素子電極２との電気的接続を確
保する。
ハンダによる配線処理によって電極面積が減少すること
を防止する。 【解決手段】 サーミスタの電極は、サーミスタ素子１
に設けた特性が異なる素子電極２とカバー電極３との２
層構造になっている。下層の素子電極２により電極面積
を確保してサーミスタの電気的特性を維持し、上層のカ
バー電極３により配線と素子電極２との電気的接続を確
保する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温ハンダ（融点
が３０９℃付近）を用いて、サーミスタ素子両面に配線
処理が施されるサーミスタに関する。
が３０９℃付近）を用いて、サーミスタ素子両面に配線
処理が施されるサーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーミスタはサーミスタ素子両面
に素子電極が取付けられており、素子電極は、貴金属ペ
ーストを用いて素子両面に膜状に形成されていた。
に素子電極が取付けられており、素子電極は、貴金属ペ
ーストを用いて素子両面に膜状に形成されていた。
【０００３】ところで、この種のサーミスタにおいて、
高温ハンダを使用して素子電極にリード線を取付ける際
に、素子電極は高温下に曝されるため、素子電極をなす
貴金属ペーストの一部がハンダ側に拡散されてしまい、
結果として素子電極の電極面積が減少して電極の抵抗値
が異常に大きくなってしまい、サーミスタの電気的特性
が悪化したり、また電極面積が減少してハンダ付けの面
積が実質的に減少し、ハンダ付け強度が劣化する等の不
具合が生じていた。
高温ハンダを使用して素子電極にリード線を取付ける際
に、素子電極は高温下に曝されるため、素子電極をなす
貴金属ペーストの一部がハンダ側に拡散されてしまい、
結果として素子電極の電極面積が減少して電極の抵抗値
が異常に大きくなってしまい、サーミスタの電気的特性
が悪化したり、また電極面積が減少してハンダ付けの面
積が実質的に減少し、ハンダ付け強度が劣化する等の不
具合が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した課題を解決す
るため、従来ではサーミスタ素子の表面に貴金属ペース
トを２回塗布する等の方法により、膜厚の厚い素子電極
をサーミスタ素子の表面に形成し、これにより貴金属の
一部がハンダ側に拡散されたとしても、素子電極の電極
面積を一定に確保するようにしていた。
るため、従来ではサーミスタ素子の表面に貴金属ペース
トを２回塗布する等の方法により、膜厚の厚い素子電極
をサーミスタ素子の表面に形成し、これにより貴金属の
一部がハンダ側に拡散されたとしても、素子電極の電極
面積を一定に確保するようにしていた。
【０００５】しかしながら素子電極の膜厚が厚くなった
としても、素子電極自身が高温ハンダに拡散され易い貴
金属であるため、貴金属がハンダ側に拡散する量を考慮
に入れて一定の電極面積を確保する必要があり、このこ
とを考慮に入れてハンダ付け作業を行なうこととなるた
め、ハンダ付け温度，時間等の管理が難しく、実際の製
造には不向きなものであった。
としても、素子電極自身が高温ハンダに拡散され易い貴
金属であるため、貴金属がハンダ側に拡散する量を考慮
に入れて一定の電極面積を確保する必要があり、このこ
とを考慮に入れてハンダ付け作業を行なうこととなるた
め、ハンダ付け温度，時間等の管理が難しく、実際の製
造には不向きなものであった。
【０００６】また貴金属ペーストを２回塗布する必要が
あるため、電極材料費がサーミスタの価格を高騰させて
しまうという問題があった。
あるため、電極材料費がサーミスタの価格を高騰させて
しまうという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、共晶ハンダ或いは高温ハ
ンダによる配線処理を施しても、必要な電極面積を確保
できるサーミスタを提供することにある。
ンダによる配線処理を施しても、必要な電極面積を確保
できるサーミスタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るサーミスタは、サーミスタ素子の電極
にハンダ付けによる配線処理が施されるサーミスタであ
って、電極は、特性が異なる素子電極とカバー電極との
２層構造からなり、素子電極は、少なくとも低抵抗値の
酸化物からなり、サーミスタ素子に積層して膜状に形成
され、電極面積を確保してサーミスタの電気的特性を維
持するものであり、カバー電極は、前記素子電極を被覆
して膜状に形成され、配線がハンダ付けされて該配線と
前記素子電極との電気的接続を確保するものである。
め、本発明に係るサーミスタは、サーミスタ素子の電極
にハンダ付けによる配線処理が施されるサーミスタであ
って、電極は、特性が異なる素子電極とカバー電極との
２層構造からなり、素子電極は、少なくとも低抵抗値の
酸化物からなり、サーミスタ素子に積層して膜状に形成
され、電極面積を確保してサーミスタの電気的特性を維
持するものであり、カバー電極は、前記素子電極を被覆
して膜状に形成され、配線がハンダ付けされて該配線と
前記素子電極との電気的接続を確保するものである。
【０００９】また前記素子電極は、低抵抗値の酸化物と
ガラスフリットを含むペーストで形成されたものであ
る。
ガラスフリットを含むペーストで形成されたものであ
る。
【００１０】また前記酸化物は、ＲｕＯ2である。
【００１１】また前記酸化物は、ＲｕＯ2と貴金属との
組合せからなるものである。
組合せからなるものである。
【００１２】また前記カバー電極は、貴金属とガラスフ
リットとを含むペーストで形成されたものである。
リットとを含むペーストで形成されたものである。
【００１３】また前記貴金属は、少なくともＡｕ，Ａ
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｐｔ／Ａｕの一成分を含むものであ
る。
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｐｔ／Ａｕの一成分を含むものであ
る。
【００１４】サーミスタに設けた電極は、特性が異なる
素子電極とカバー電極との２層構造からなっている。下
層の素子電極により電極面積を確保してサーミスタの電
気的特性を維持させ、上層のカバー電極により配線と素
子電極との電気的接続を確保させる。
素子電極とカバー電極との２層構造からなっている。下
層の素子電極により電極面積を確保してサーミスタの電
気的特性を維持させ、上層のカバー電極により配線と素
子電極との電気的接続を確保させる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図により説明す
る。図１〜図３は、本発明の実施形態に係るサーミスタ
を示す断面図である。
る。図１〜図３は、本発明の実施形態に係るサーミスタ
を示す断面図である。
【００１６】図において本発明に係るサーミスタは、サ
ーミスタ素子１の電極にハンダ付けによる配線処理が施
されるサーミスタであって、電極は、特性が異なる素子
電極２とカバー電極３との２層構造からなっている。
ーミスタ素子１の電極にハンダ付けによる配線処理が施
されるサーミスタであって、電極は、特性が異なる素子
電極２とカバー電極３との２層構造からなっている。
【００１７】素子電極２は、少なくとも抵抗値の酸化物
からなり、サーミスタ素子１の表面に積層して膜状に形
成され、電極面積を確保してサーミスタの電気的特性を
維持するものである。ここに、サーミスタの電気的特性
とは、比抵抗，Ｂ定数等を含む特性をいう。比抵抗は、
単位長さ当たりの電気抵抗を意味し、またＢ定数は、２
５℃と５０℃の抵抗値の比から算出されたサーミスタ定
数を意味する。
からなり、サーミスタ素子１の表面に積層して膜状に形
成され、電極面積を確保してサーミスタの電気的特性を
維持するものである。ここに、サーミスタの電気的特性
とは、比抵抗，Ｂ定数等を含む特性をいう。比抵抗は、
単位長さ当たりの電気抵抗を意味し、またＢ定数は、２
５℃と５０℃の抵抗値の比から算出されたサーミスタ定
数を意味する。
【００１８】カバー電極３は、素子電極２を被覆して膜
状に形成され、配線がハンダ付けされて該配線と素子電
極２との電気的接続を確保するものである。ここに、配
線とは、リード線，プリント基板上にパターン形成され
た導線パターン等を含むものであり、要はサーミスタ素
子１と外部回路との間に介装されて、電源，信号の授受
等の機能を作用するものであれば、いずれのものでもよ
い。
状に形成され、配線がハンダ付けされて該配線と素子電
極２との電気的接続を確保するものである。ここに、配
線とは、リード線，プリント基板上にパターン形成され
た導線パターン等を含むものであり、要はサーミスタ素
子１と外部回路との間に介装されて、電源，信号の授受
等の機能を作用するものであれば、いずれのものでもよ
い。
【００１９】またサーミスタ素子１の形状は、ディスク
型，チップ型，角型等に成形されるが、サーミスタ素子
１の使用目的，使用場所，用途等に合わせて、サーミス
タ素子１の形状は種々変更される。
型，チップ型，角型等に成形されるが、サーミスタ素子
１の使用目的，使用場所，用途等に合わせて、サーミス
タ素子１の形状は種々変更される。
【００２０】サーミスタの電極は、低抵抗値をもつこと
が条件とされ、一般に貴金属ペーストが用いられてい
る。ところが、貴金属ペーストは、高温ハンダ（融点３
０９℃付近）を使用して高温下に曝されることにより溶
融し、ハンダ側に拡散する性質があるため、結果として
電極面積が縮小して電極の抵抗値が異常に大きくなって
しまう。
が条件とされ、一般に貴金属ペーストが用いられてい
る。ところが、貴金属ペーストは、高温ハンダ（融点３
０９℃付近）を使用して高温下に曝されることにより溶
融し、ハンダ側に拡散する性質があるため、結果として
電極面積が縮小して電極の抵抗値が異常に大きくなって
しまう。
【００２１】そこで本発明は、サーミスタの電極を機能
分割して電極面積の縮小化に対処している。すなわち、
サーミスタの電極を素子電極２とカバー電極３を積層し
た２層構造とし、素子電極２に電極面積を確保してサー
ミスタの電気的特性を維持する機能を分担させ、カバー
電極３に配線と素子電極２との電気的接続を確保する機
能を分担させている。
分割して電極面積の縮小化に対処している。すなわち、
サーミスタの電極を素子電極２とカバー電極３を積層し
た２層構造とし、素子電極２に電極面積を確保してサー
ミスタの電気的特性を維持する機能を分担させ、カバー
電極３に配線と素子電極２との電気的接続を確保する機
能を分担させている。
【００２２】上記のように各電極２，３に機能を分担さ
せるにあたっては、貴金属ペーストがハンダ側に拡散す
るという特性を考慮に入れなければならず、本発明で
は、酸化物はハンダとは馴染まず、逆にハンダをはじく
作用があることに着目し、サーミスタ素子１の表面に直
に形成される素子電極２を低抵抗値をもつ酸化物で形成
し、素子電極２を酸化物電極として構成している。
せるにあたっては、貴金属ペーストがハンダ側に拡散す
るという特性を考慮に入れなければならず、本発明で
は、酸化物はハンダとは馴染まず、逆にハンダをはじく
作用があることに着目し、サーミスタ素子１の表面に直
に形成される素子電極２を低抵抗値をもつ酸化物で形成
し、素子電極２を酸化物電極として構成している。
【００２３】本発明における素子電極２は酸化物電極で
あるため、ハンダ付けの高温下に曝されたとしても、ハ
ンダとは馴染まずにハンダをはじく作用があるため拡散
現象がなく、結果として必要な電極面積を確保できるこ
ととなり、電極面積の減少による不良発生を防止でき
る。
あるため、ハンダ付けの高温下に曝されたとしても、ハ
ンダとは馴染まずにハンダをはじく作用があるため拡散
現象がなく、結果として必要な電極面積を確保できるこ
ととなり、電極面積の減少による不良発生を防止でき
る。
【００２４】しかも素子電極２は、低抵抗値の酸化物を
選定しており、電極の抵抗値を低く抑えることができ
る。
選定しており、電極の抵抗値を低く抑えることができ
る。
【００２５】素子電極２によりサーミスタに必要な電極
面積が確保されることとなるが、素子電極２は酸化物電
極であり、ハンダをはじく作用があるため、素子電極２
と配線との電気的接続を確保する必要が生じる。
面積が確保されることとなるが、素子電極２は酸化物電
極であり、ハンダをはじく作用があるため、素子電極２
と配線との電気的接続を確保する必要が生じる。
【００２６】以上のように電極面積は素子電極２により
確保されているため、カバー電極３によって電極面積を
確保する必要はなく、カバー電極３は、素子電極２と配
線との電気的接続を確保することを重要な役割とすれば
よい。
確保されているため、カバー電極３によって電極面積を
確保する必要はなく、カバー電極３は、素子電極２と配
線との電気的接続を確保することを重要な役割とすれば
よい。
【００２７】そこで本発明は、素子電極２を被覆してカ
バー電極３を積層して形成している。ここに、カバー電
極３には、ハンダと馴染みがよい素材を用いて、素子電
極２と配線との電気的接続を確保させており、電極を２
層構造としたことによる悪影響を生じることはない。
バー電極３を積層して形成している。ここに、カバー電
極３には、ハンダと馴染みがよい素材を用いて、素子電
極２と配線との電気的接続を確保させており、電極を２
層構造としたことによる悪影響を生じることはない。
【００２８】本発明では、上述した電極の機能分担を達
成するため電極の素材を選定しており、具体的には素子
電極２は、低抵抗値の酸化物とガラスフリットを含むペ
ーストで形成しており、前記酸化物としては、Ｒｕ
Ｏ2、またはＲｕＯ2と貴金属との組合せのうちいずれか
を用いている。そして前記ペーストをサーミスタ素子１
の表面に塗布し、これを焼付け処理をすることにより、
サーミスタ素子１に素子電極２を膜状に形成している。
成するため電極の素材を選定しており、具体的には素子
電極２は、低抵抗値の酸化物とガラスフリットを含むペ
ーストで形成しており、前記酸化物としては、Ｒｕ
Ｏ2、またはＲｕＯ2と貴金属との組合せのうちいずれか
を用いている。そして前記ペーストをサーミスタ素子１
の表面に塗布し、これを焼付け処理をすることにより、
サーミスタ素子１に素子電極２を膜状に形成している。
【００２９】またカバー電極３は、貴金属とガラスフリ
ットを含むペーストで形成しており、このペーストを素
子電極２を被覆して塗布し、これを焼付け処理をするこ
とにより、素子電極２上にカバー電極３を膜状に一体に
形成している。
ットを含むペーストで形成しており、このペーストを素
子電極２を被覆して塗布し、これを焼付け処理をするこ
とにより、素子電極２上にカバー電極３を膜状に一体に
形成している。
【００３０】また貴金属としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ／
Ｐｄ，Ｐｔ／Ａｕの内少なくとも一成分を用いている。
Ｐｄ，Ｐｔ／Ａｕの内少なくとも一成分を用いている。
【００３１】次に素子電極２及びカバー電極３からなる
電極をサーミスタ素子１に設ける場合について図を用い
て説明する。
電極をサーミスタ素子１に設ける場合について図を用い
て説明する。
【００３２】図１では、サーミスタ素子１の対向する端
面に素子電極２とカバー電極３の２層構造の電極をそれ
ぞれ設けている。この構造のものでは、配線としてリー
ド線を用い、リード線を上下のカバー電極３にそれぞれ
高温ハンダ付けすることとなる。
面に素子電極２とカバー電極３の２層構造の電極をそれ
ぞれ設けている。この構造のものでは、配線としてリー
ド線を用い、リード線を上下のカバー電極３にそれぞれ
高温ハンダ付けすることとなる。
【００３３】図２及び図３は、プリント基板に表面実装
されるサーミスタの例を示すものである。
されるサーミスタの例を示すものである。
【００３４】図２では、サーミスタ素子１の左右端を取
り囲むように素子電極２とカバー電極３とを設け、サー
ミスタ素子１の上面又は下面に配置されたカバー電極３
ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂのいずれかを、プリント基板に
パターン形成された導体パターン（配線）に高温ハンダ
をもって直付けするようにしたものである。
り囲むように素子電極２とカバー電極３とを設け、サー
ミスタ素子１の上面又は下面に配置されたカバー電極３
ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂのいずれかを、プリント基板に
パターン形成された導体パターン（配線）に高温ハンダ
をもって直付けするようにしたものである。
【００３５】図２に示す例では、対をなすカバー電極３
ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂを左右対称に設けていたが、図
３は、対をなす一対のカバー電極３ａ，３ａ又は３ｂ，
３ｂがサーミスタ素子１の表面上に占める割合を異なら
せて電極を設け、サーミスタ素子１の上面又は下面に配
置されたカバー電極３ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂのいずれ
かを、プリント基板にパターン形成された導体パターン
（配線）に高温ハンダをもって直付けするようにしたも
のである。
ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂを左右対称に設けていたが、図
３は、対をなす一対のカバー電極３ａ，３ａ又は３ｂ，
３ｂがサーミスタ素子１の表面上に占める割合を異なら
せて電極を設け、サーミスタ素子１の上面又は下面に配
置されたカバー電極３ａ，３ａ又は３ｂ，３ｂのいずれ
かを、プリント基板にパターン形成された導体パターン
（配線）に高温ハンダをもって直付けするようにしたも
のである。
【００３６】（実施例）以下に本発明の実施例を示す。
【００３７】各実施例と比較例のサーミスタ素子は、ポ
リビニールアルコールをバインダーとして素子材料に添
加し、所要量を取り出して４０ｍｍ×４０ｍｍ×１２ｍ
ｍのブロックに成形後、１４００℃で５時間大気中で焼
成し、得られたブロックをスライスして厚み２００〜１
０００ミクロンのウェーハーを取り出し、まず素子電極
２をスクリーン印刷により塗布乾燥後、次にカバー電極
３を同じようにスクリーン印刷により塗布し、８５０℃
で１０分間大気中で加熱し焼き付けた後、所望の寸法に
カッテイングしてチップに成形加工したものである。な
お、比較例の電極としては、貴金属ペーストのみをスク
リーン印刷により２回塗布し、８５０℃で１０分間加熱
し焼き付けたものを用いている。
リビニールアルコールをバインダーとして素子材料に添
加し、所要量を取り出して４０ｍｍ×４０ｍｍ×１２ｍ
ｍのブロックに成形後、１４００℃で５時間大気中で焼
成し、得られたブロックをスライスして厚み２００〜１
０００ミクロンのウェーハーを取り出し、まず素子電極
２をスクリーン印刷により塗布乾燥後、次にカバー電極
３を同じようにスクリーン印刷により塗布し、８５０℃
で１０分間大気中で加熱し焼き付けた後、所望の寸法に
カッテイングしてチップに成形加工したものである。な
お、比較例の電極としては、貴金属ペーストのみをスク
リーン印刷により２回塗布し、８５０℃で１０分間加熱
し焼き付けたものを用いている。
【００３８】表１には実施例と比較例の電極材料及び電
極構造の違いを示し、表２には実施例と比較例の試験結
果（ｎ＝１０，ここにｎは資料の個数を表わす）を示し
ている。
極構造の違いを示し、表２には実施例と比較例の試験結
果（ｎ＝１０，ここにｎは資料の個数を表わす）を示し
ている。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】表１と表２から明らかなように、本発明の
ように電極を素子電極２とカバー電極３の二層構造と
し、かつ素子電極２をＲｕＯ2系電極（酸化物電極）と
して構成することにより、高温ハンダによる電極面積の
減少を抑制することができ、サーミスタの電極抵抗値の
変化を防止することができる。なお、本発明において
は、比較的ハンダが喰われが少ないといわれている共晶
ハンダによる配線処理において、ハンダによる電極面積
の減少を抑制して、サーミスタの電極抵抗値の変化を防
止できることが分かった。
ように電極を素子電極２とカバー電極３の二層構造と
し、かつ素子電極２をＲｕＯ2系電極（酸化物電極）と
して構成することにより、高温ハンダによる電極面積の
減少を抑制することができ、サーミスタの電極抵抗値の
変化を防止することができる。なお、本発明において
は、比較的ハンダが喰われが少ないといわれている共晶
ハンダによる配線処理において、ハンダによる電極面積
の減少を抑制して、サーミスタの電極抵抗値の変化を防
止できることが分かった。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、サーミス
タの電極を２層構造として、ハンダ喰われ等によりカバ
ー電極の一部が損失しても、素子電極によりそれを補う
ようにしたため、サーミスタ自身の電気的特性（比抵
抗，Ｂ定数等）の低下を防止することができ、高温ハン
ダを用いて配線処理するのに適したサーミスタを提供す
ることができる。
タの電極を２層構造として、ハンダ喰われ等によりカバ
ー電極の一部が損失しても、素子電極によりそれを補う
ようにしたため、サーミスタ自身の電気的特性（比抵
抗，Ｂ定数等）の低下を防止することができ、高温ハン
ダを用いて配線処理するのに適したサーミスタを提供す
ることができる。
【００４３】また本発明に係る機能分担した２層構造の
サーミスタの電極は、高温ハンダに限らず共晶ハンダの
場合も同じ効果を発揮することができ、ガラス封止型サ
ーミスタ（素子の両面電極面をリード線で圧着した状態
でガラス封入されたもの例えばＤＨＴ型サーミスタ）の
場合にも同様に適用することができる。
サーミスタの電極は、高温ハンダに限らず共晶ハンダの
場合も同じ効果を発揮することができ、ガラス封止型サ
ーミスタ（素子の両面電極面をリード線で圧着した状態
でガラス封入されたもの例えばＤＨＴ型サーミスタ）の
場合にも同様に適用することができる。
【００４４】さらに高温ハンダ或いは共晶ハンダを用い
ても、サーミスタの電極面積が減少することはなく、ハ
ンダ付け面積の減少を防止して必要なハンダ付け強度を
確保することができる。
ても、サーミスタの電極面積が減少することはなく、ハ
ンダ付け面積の減少を防止して必要なハンダ付け強度を
確保することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るサーミスタを示すも
のであって、配線としてのリード線を電極にハンダ付け
した構造を示す断面図である。
のであって、配線としてのリード線を電極にハンダ付け
した構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るサーミスタを示すも
のであって、表面実装タイプを示す断面図である。
のであって、表面実装タイプを示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るサーミスタを示すも
のであって、他の表面実装タイプを示す断面図である。
のであって、他の表面実装タイプを示す断面図である。
１ サーミスタ素子 ２ 素子電極 ３ カバー電極
Claims (6)
- 【請求項１】 サーミスタ素子の電極にハンダ付けによ
る配線処理が施されるサーミスタであって、 電極は、特性が異なる素子電極とカバー電極との２層構
造からなり、 素子電極は、少なくとも低抵抗値の酸化物からなり、サ
ーミスタ素子に積層して膜状に形成され、電極面積を確
保してサーミスタの電気的特性を維持するものであり、 カバー電極は、前記素子電極を被覆して膜状に形成さ
れ、配線がハンダ付けされて該配線と前記素子電極との
電気的接続を確保するものであることを特徴とするサー
ミスタ。 - 【請求項２】 前記素子電極は、低抵抗値の酸化物とガ
ラスフリットを含むペーストで形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のサーミスタ。 - 【請求項３】 前記酸化物は、ＲｕＯ2であることを特
徴とする請求項１又は２に記載のサーミスタ。 - 【請求項４】 前記酸化物は、ＲｕＯ2と貴金属との組
合せからなるものであることを特徴とする請求項１又は
２に記載のサーミスタ。 - 【請求項５】 前記カバー電極は、貴金属とガラスフリ
ットとを含むペーストで形成されたものであることを特
徴とする請求項１に記載のサーミスタ。 - 【請求項６】 前記貴金属は、少なくともＡｕ，Ａｇ，
Ａｇ／Ｐｄ，Ｐｔ／Ａｕの一成分を含むものであること
を特徴とする請求項４又は５に記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34273295A JP3661160B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34273295A JP3661160B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186002A true JPH09186002A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3661160B2 JP3661160B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=18356066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34273295A Expired - Lifetime JP3661160B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3661160B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
| JP2007141881A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Oizumi Seisakusho:Kk | サーミスタの電極構造 |
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019139162A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| CN113454736A (zh) * | 2019-02-22 | 2021-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
| TWI742227B (zh) * | 2018-01-19 | 2021-10-11 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 熱敏電阻元件及其製造方法 |
| WO2024042767A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10504638B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-12-10 | Semitec Corporation | Thermistor and device using thermistor |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34273295A patent/JP3661160B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
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| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| CN114121392A (zh) * | 2018-01-15 | 2022-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| CN111566761B (zh) * | 2018-01-15 | 2022-10-04 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| CN114121392B (zh) * | 2018-01-15 | 2024-04-19 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| TWI783108B (zh) * | 2018-01-15 | 2022-11-11 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 熱阻器元件及其製造方法 |
| CN111566761A (zh) * | 2018-01-15 | 2020-08-21 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| KR20200105834A (ko) * | 2018-01-15 | 2020-09-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 서미스터 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2019125653A (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| US11017924B2 (en) | 2018-01-15 | 2021-05-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor element and method for manufacturing same |
| WO2019139162A1 (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| EP3742459A4 (en) * | 2018-01-15 | 2021-10-27 | Mitsubishi Materials Corporation | THERMISTOR ELEMENT AND MANUFACTURING PROCESS FOR IT |
| US11107611B2 (en) * | 2018-01-17 | 2021-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor element and method for producing same |
| KR20200105819A (ko) * | 2018-01-17 | 2020-09-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 서미스터 소자 및 그 제조 방법 |
| CN111247607A (zh) * | 2018-01-17 | 2020-06-05 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| TWI742227B (zh) * | 2018-01-19 | 2021-10-11 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 熱敏電阻元件及其製造方法 |
| CN113454736A (zh) * | 2019-02-22 | 2021-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
| CN113454736B (zh) * | 2019-02-22 | 2023-02-17 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
| US11763967B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-09-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing thermistor |
| WO2024042767A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3661160B2 (ja) | 2005-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040910 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050311 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090401 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090401 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100401 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110401 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130401 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140401 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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