WO2024070439A1 - 電子素子、および電子素子の搬送体 - Google Patents

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WO2024070439A1
WO2024070439A1 PCT/JP2023/031421 JP2023031421W WO2024070439A1 WO 2024070439 A1 WO2024070439 A1 WO 2024070439A1 JP 2023031421 W JP2023031421 W JP 2023031421W WO 2024070439 A1 WO2024070439 A1 WO 2024070439A1
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WO
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convex portion
electrode
bonding layer
electronic element
main body
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PCT/JP2023/031421
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French (fr)
Inventor
英明 山路
Original Assignee
ローム株式会社
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates

Definitions

  • This disclosure relates to an electronic element and a carrier for the electronic element.
  • Patent Document 1 discloses an example of an electronic element supported by a transport member.
  • the transport member is a tape.
  • the electronic element includes electrodes. When the electronic element is supported on the transport member, the electrodes are supported by the transport member.
  • a bonding layer is provided to cover the surface of the electrodes of the electronic element disclosed in Patent Document 1.
  • the bonding layer is solder.
  • the bonding layer may be formed by melting and solidifying a conductive paste layered on the electrodes. When this method is used, the surface shape of the bonding layer becomes convex and rounded. In this case, when the electronic element is supported on the transport member, there is a risk that the electronic element will be tilted relative to the transport member. If the degree of tilt of the electronic element relative to the transport member becomes greater, this will lead to a decrease in the inspection accuracy of the electronic element.
  • An object of the present disclosure is to provide an electronic element and a carrier for the electronic element that are improved over conventional ones.
  • an object of the present disclosure is to provide an electronic element and a carrier for the electronic element that can suppress tilt of the electronic element relative to the carrier member.
  • the electronic element provided by the first aspect of the present disclosure comprises a main body, a first electrode disposed on one side of the main body in a first direction and conductive to the main body, and a first bonding layer laminated on the first electrode.
  • the first bonding layer is formed with a first convex portion and a second convex portion each protruding from the first electrode in the first direction.
  • the first convex portion and the second convex portion are separated from each other.
  • the electronic element carrier provided by the second aspect of the present disclosure includes the electronic element provided by the first aspect of the present disclosure and a carrier member.
  • the carrier member is located on the opposite side of the main body portion with respect to the first electrode in the first direction.
  • the first bonding layer is supported by the carrier member.
  • the above configuration makes it possible to suppress tilt of the electronic element relative to the transport member.
  • FIG. 1 is a bottom view of an electronic device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a bottom view of an electronic device according to a first modified example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a bottom view of an electronic device according to a second modified example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a bottom view of an electronic device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-section
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a principal plan view of a carrier for electronic devices according to one embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a bottom view of the electronic device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI in FIG. FIG.
  • FIG. 17 is a bottom view of the electronic device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line XIX-XIX in FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in FIG.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI in FIG.
  • FIG. 22 is a bottom view of the electronic device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line XXIII-XXIII in FIG.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view taken along line XXIV-XXIV in FIG.
  • FIG. 25 is a bottom view of the electronic device according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI in FIG.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII in FIG.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view taken along line XXVIII-XXVIII in FIG.
  • FIG. 29 is a bottom view of the electronic device according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view taken along line XXX-XXX in FIG.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXXI in FIG.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view taken along line XXII-XXII in FIG.
  • the electronic device A10 includes a main body 10, a first electrode 21, a second electrode 22, a passivation film 30, a first bonding layer 41, and a second bonding layer 42.
  • first direction z the normal direction of the main surface 10A of the main body 10 (described later) is referred to as the "first direction z.”
  • second direction x One direction perpendicular to the first direction z
  • third direction y The direction perpendicular to both the first direction z and the second direction x is referred to as the "third direction y.”
  • the electronic element A10 is a flip-chip mounted diode.
  • the electronic element A10 may be any of various semiconductor elements such as a transistor.
  • the electronic element A10 may be any of various chip-type passive elements such as a resistor, a capacitor, and an inductor.
  • the main body 10 is rectangular when viewed in the first direction z.
  • the main body 10 includes a semiconductor substrate containing, for example, silicon (Si), a plurality of semiconductor layers stacked on the semiconductor substrate, and a redistribution layer that is conductive to the plurality of semiconductor layers.
  • the main body 10 has a main surface 10A.
  • the main surface 10A faces one side in the first direction z.
  • the first electrode 21 is disposed on the main surface 10A of the main body 10.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the main body 10.
  • the first electrode 21 corresponds to the anode of the electronic element A10.
  • the dimension of the first electrode 21 in the second direction x is smaller than the dimension of the first electrode 21 in the third direction y.
  • the first electrode 21 contains a metal such as aluminum (Al) or copper (Cu).
  • the first electrode 21 has a first base surface 21A, a first support portion 211, and a second support portion 212.
  • the first base surface 21A faces the same side as the main surface 10A of the main body portion 10 in the first direction z.
  • the first support portion 211 and the second support portion 212 protrude from the first base surface 21A toward the first bonding layer 41.
  • the first support portion 211 and the second support portion 212 are separated from each other in the third direction y.
  • the second electrode 22 is disposed on the main surface 10A of the main body 10. Therefore, the second electrode 22 is disposed on the same side as the first electrode 21 in the first direction z of the main body 10.
  • the second electrode 22 is electrically connected to the main body 10.
  • the second electrode 22 corresponds to the cathode of the electronic element A10.
  • the second electrode 22 is spaced from the first electrode 21 in the second direction x.
  • the dimension of the second electrode 22 in the second direction x is smaller than the dimension of the second electrode 22 in the third direction y.
  • the second electrode 22 contains a metal, for example, either aluminum or copper.
  • the second electrode 22 has a second base surface 22A, a third support portion 221, and a fourth support portion 222.
  • the second base surface 22A faces the same side as the main surface 10A of the main body portion 10 in the first direction z.
  • the third support portion 221 and the fourth support portion 222 protrude from the second base surface 22A toward the second bonding layer 42.
  • the third support portion 221 and the fourth support portion 222 are separated from each other in the third direction y.
  • the passivation film 30 is laminated on the main surface 10A of the main body 10, as shown in Figures 2 to 4. As shown in Figure 1, when viewed in the first direction z, the passivation film 30 surrounds each of the first electrode 21 and the second electrode 22. The first electrode 21 and the second electrode 22 are exposed from the passivation film 30.
  • the passivation film 30 is an insulator.
  • the passivation film 30 contains, for example, silicon nitride ( Si3N4 ).
  • the first bonding layer 41 is laminated on the first electrode 21 as shown in Figs. 2 and 4.
  • the first bonding layer 41 is in contact with the first base surface 21A, the first support portion 211, and the second support portion 212 of the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 contains tin (Sn) and silver (Ag).
  • the first bonding layer 41 may contain tin and antimony (Sb).
  • the first bonding layer 41 has a first convex portion 411 and a second convex portion 412, each of which protrudes from the first electrode 21.
  • a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 2; the cross section perpendicular to the second direction x)
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other in the third direction y.
  • the first convex portion 411 overlaps the first support portion 211 of the first electrode 21.
  • the second convex portion 412 overlaps the second support portion 212 of the first electrode 21.
  • the first convex portion 411 has a first bulging surface 411A.
  • the first bulging surface 411A bulges in the first direction z.
  • the first bulging surface 411A includes a first vertex C1.
  • the first vertex C1 is the furthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the second convex portion 412 has a second bulging surface 412A.
  • the second bulging surface 412A bulges in the first direction z.
  • the second bulging surface 412A includes a second vertex C2.
  • the second vertex C2 is the furthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the distance D1 between the first vertex C1 and the second vertex C2 is greater than the maximum dimension L1 of the first convex portion 411 in the direction in which the distance D1 is set. Furthermore, the distance D1 is greater than the maximum dimension L2 of the second convex portion 412 in the direction in which the distance D1 is set.
  • the second bonding layer 42 is laminated on the second electrode 22 as shown in Figures 3 and 4.
  • the second bonding layer 42 is in contact with the second base surface 22A, the third support portion 221, and the fourth support portion 222 of the second electrode 22.
  • the second bonding layer 42 is made of the same material as the first bonding layer 41.
  • the second bonding layer 42 has a third convex portion 421 and a fourth convex portion 422, each of which protrudes from the second electrode 22.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are separated from each other.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are separated from each other in the third direction y.
  • the third convex portion 421 overlaps the third support portion 221 of the second electrode 22.
  • the fourth convex portion 422 overlaps the fourth support portion 222 of the second electrode 22.
  • the third convex portion 421 has a third bulging surface 421A.
  • the third bulging surface 421A bulges in the first direction z.
  • the third bulging surface 421A includes a third vertex C3.
  • the third vertex C3 is the furthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the fourth convex portion 422 has a fourth bulging surface 422A.
  • the fourth bulging surface 422A bulges in the first direction z.
  • the fourth bulging surface 422A includes a fourth vertex C4.
  • the fourth vertex C4 is the furthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the distance D2 between the third vertex C3 and the fourth vertex C4 is greater than the maximum dimension L3 of the third convex portion 421 in the direction in which the distance D2 is set. Furthermore, the distance D2 is greater than the maximum dimension L4 of the fourth convex portion 422 in the direction in which the distance D2 is set.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 can be formed by laminating a conductive paste, which is the material of the first bonding layer 41, on the first electrode 21 by printing or the like, and then melting and solidifying the conductive paste.
  • a conductive paste which is the material of the first bonding layer 41
  • the entire first support portion 211 and the second support portion 212 of the first electrode 21 are each covered with the conductive paste.
  • the method of forming the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 is the same as the method of forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the first electrode 21 does not have a first support portion 211 and a second support portion 212.
  • the first bonding layer 41 covers a portion of the first base surface 21A of the first electrode 21. Therefore, the first base surface 21A is exposed from the first bonding layer 41.
  • the second electrode 22 does not have a third support portion 221 and a fourth support portion 222.
  • the second bonding layer 42 covers a portion of the second base surface 22A of the second electrode 22. Therefore, the second base surface 22A is exposed from the second bonding layer 42.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 can be formed by melting and solidifying the conductive paste laminated on the first bonding layer 41, as in the case of the electronic element A10, and then removing a portion of the conductive paste with a laser or the like.
  • the method of forming the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 is the same as the method of forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the first electrode 21 does not have a first support portion 211 and a second support portion 212.
  • the first bonding layer 41 covers a portion of the first base surface 21A of the first electrode 21. Therefore, the first base surface 21A is exposed from the first bonding layer 41.
  • the first convex portion 411 of the first bonding layer 41 has a first top surface 411B and a first inclined surface 411C instead of the first bulging surface 411A.
  • the first top surface 411B faces the same side as the main surface 10A of the main body portion 10 in the first direction z.
  • the first inclined surface 411C is connected to the first top surface 411B and is inclined with respect to the first top surface 411B.
  • the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 has a second top surface 412B and a second inclined surface 412C instead of the second bulging surface 412A.
  • the second top surface 412B faces the same side as the main surface 10A in the first direction z.
  • the second inclined surface 412C is connected to the second top surface 412B and is inclined with respect to the second top surface 412B.
  • the second electrode 22 does not have a third support portion 221 and a fourth support portion 222.
  • the second bonding layer 42 covers a portion of the second base surface 22A of the second electrode 22. Therefore, the second base surface 22A is exposed from the second bonding layer 42.
  • the third convex portion 421 of the second bonding layer 42 has a third top surface 421B and a third inclined surface 421C instead of the third bulging surface 421A.
  • the third top surface 421B faces the same side as the main surface 10A of the main body portion 10 in the first direction z.
  • the third inclined surface 421C is connected to the third top surface 421B and is inclined with respect to the third top surface 421B.
  • the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 has a fourth top surface 422B and a fourth inclined surface 422C instead of the fourth bulging surface 422A.
  • the fourth top surface 422B faces the same side as the main surface 10A in the first direction z.
  • the fourth inclined surface 422C is connected to the fourth top surface 422B and is inclined with respect to the fourth top surface 422B.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 can be formed by pumping a conductive paste into a metal mold pressed against the first electrode 21, and then melting and solidifying the conductive paste in the metal mold.
  • the method of forming the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 is the same as the method of forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • carrier B a carrier for electronic elements (hereinafter referred to as "carrier B") according to one embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 11 and Fig. 12.
  • carrier B includes a plurality of electronic elements A10 and a carrier member 80.
  • carrier B is transported to various locations while being wound on a reel or the like.
  • the transport member 80 is located on the opposite side of the main body 10 of each of the electronic elements A10 with respect to the first electrode 21 and the second electrode 22 of each of the electronic elements A10.
  • the first bonding layer 41 and the second bonding layer 42 of each of the electronic elements A10 are supported by the transport member 80.
  • the transport member 80 is, for example, a tape.
  • the first vertex C1 of the first bulging surface 411A of the first convex portion 411 and the second vertex C2 of the second bulging surface 412A of the second convex portion 412 are support points of the first bonding layer 41 with respect to the transport member 80.
  • the third vertex C3 of the third bulging surface 421A of the third convex portion 421 and the fourth vertex C4 of the fourth bulging surface 422A of the fourth convex portion 422 are support points of the second bonding layer 42 with respect to the transport member 80.
  • the electronic element A10 includes a main body 10, a first electrode 21 arranged on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 is formed with a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other.
  • the dimension of the first electrode 21 in the second direction x is smaller than the dimension of the second electrode 22 in the third direction y. This makes it easier for the first electrode 21 to rotate around the second direction x than around the third direction y. In this case, the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are separated from each other in the third direction y. With this configuration, the rotation of the electronic element A10 relative to the transport member 80 can be more effectively restricted.
  • the first convex portion 411 of the first bonding layer 41 When viewed in a direction perpendicular to the first direction z, the first convex portion 411 of the first bonding layer 41 has a first bulging surface 411A that bulges in the first direction z.
  • the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 When viewed in a direction perpendicular to the first direction z, the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 has a second bulging surface 412A that bulges in the first direction z.
  • the first bulging surface 411A and the second bulging surface 412A appear when the conductive paste layered on the first electrode 21 is melted and solidified during the formation of the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the first bulging surface 411A of the first convex portion 411 includes a first vertex C1 that is the farthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the second bulging surface 412A of the second convex portion 412 includes a second vertex C2 that is the farthest from the main body portion 10 in the first direction z.
  • the distance D1 between the first vertex C1 and the second vertex C2 is greater than the maximum dimensions L1, L2 of each of the first convex portion 411 and the second convex portion 412 in the direction in which the distance D1 is set.
  • the first electrode 21 has a first support portion 211 and a second support portion 212 that each protrude toward the first bonding layer 41.
  • the first convex portion 411 overlaps the first support portion 211.
  • the second convex portion 412 overlaps the second support portion 212.
  • the first support portion 211 and the second support portion 212 of the first electrode 21 are connected to each other.
  • the first support portion 211 is located on one side in the third direction y.
  • the second support portion 212 is located on the other side in the third direction y.
  • the first support portion 211 and the second support portion 212 form a frame shape.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are connected to each other.
  • the entire first convex portion 411 overlaps the first support portion 211 of the first electrode 21.
  • the entire second convex portion 412 overlaps the second support portion 212 of the first electrode 21.
  • the first convex portion 411 includes two portions that are spaced apart from each other in the second direction x.
  • the second convex portion 412 includes two portions that are spaced apart from each other in the second direction x (see FIG. 13).
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are also spaced apart from each other in a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 14).
  • the third support portion 221 and the fourth support portion 222 of the second electrode 22 are connected to each other.
  • the third support portion 221 is located on one side in the third direction y.
  • the fourth support portion 222 is located on the other side in the third direction y.
  • the third support portion 221 and the fourth support portion 222 form a frame shape.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 are connected to each other.
  • the entire third convex portion 421 overlaps the third support portion 221 of the second electrode 22.
  • the entire fourth convex portion 422 overlaps the fourth support portion 222 of the second electrode 22.
  • the third convex portion 421 includes two portions that are spaced apart from each other in the second direction x.
  • the fourth convex portion 422 includes two portions that are spaced apart from each other in the second direction x (see FIG. 13).
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are also separated from each other in a cross section of the second bonding layer 42 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 15).
  • the aforementioned carrier B may be configured to have multiple electronic elements A20 instead of multiple electronic elements A10.
  • the electronic element A20 includes a main body 10, a first electrode 21 disposed on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 includes a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other. Therefore, according to this configuration, the electronic element A20 can also suppress the inclination of the electronic element A20 relative to the transport member 80.
  • the electronic element A20 has a configuration in common with the electronic element A10, thereby achieving the same effect as the electronic element A10.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are connected to each other. This configuration restricts the rotation of the electronic element A20 relative to the transport member 80 around a direction perpendicular to the first direction z. This makes it possible to more effectively suppress the inclination of the electronic element A20 relative to the transport member 80.
  • the first electrode 21 has a first connecting portion 213.
  • the first connecting portion 213 protrudes from the first base surface 21A of the first electrode 21 toward the first bonding layer 41.
  • the first connecting portion 213 is located between the first support portion 211 of the first electrode 21 and the second support portion 212 of the first electrode 21 in the third direction y, and connects the first support portion 211 and the second support portion 212.
  • the first connecting portion 213 extends in the third direction y.
  • a first intermediate portion 413 is formed in the first bonding layer 41.
  • the first intermediate portion 413 protrudes from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first intermediate portion 413 is located between the first convex portion 411 of the first bonding layer 41 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 in the third direction y, and connects the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the first intermediate portion 413 extends in the third direction y.
  • the first intermediate portion 413 overlaps the first connecting portion 213 of the first electrode 21.
  • the first intermediate portion 413 is spaced apart from both ends of the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 in the second direction x.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are also spaced apart from each other in a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 18).
  • the second electrode 22 has a second connecting portion 223.
  • the second connecting portion 223 protrudes from the second base surface 22A of the second electrode 22 toward the second bonding layer 42.
  • the second connecting portion 223 is located between the third support portion 221 of the second electrode 22 and the fourth support portion 222 of the second electrode 22 in the third direction y, and connects the third support portion 221 and the fourth support portion 222.
  • the second connecting portion 223 extends in the third direction y.
  • the second intermediate portion 423 overlaps the second connecting portion 223 of the second electrode 22.
  • the second intermediate portion 423 is spaced apart from both ends of the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 in the second direction x.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are also separated from each other in a cross section of the second bonding layer 42 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 21).
  • the aforementioned carrier B may be configured to have multiple electronic elements A30 instead of multiple electronic elements A10.
  • the electronic element A30 includes a main body 10, a first electrode 21 disposed on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 includes a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other. Therefore, according to this configuration, the electronic element A30 can also suppress the inclination of the electronic element A30 relative to the transport member 80.
  • the electronic element A30 has a configuration in common with the electronic element A10, thereby achieving the same effect as the electronic element A10.
  • the first bonding layer 41 has a first intermediate portion 413 formed therein, which protrudes from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first intermediate portion 413 connects the first convex portion 411 of the first bonding layer 41 to the second convex portion 412 of the first bonding layer 41.
  • the first intermediate portion 413 is spaced apart from both ends of the first convex portion 411 and the second convex portion 412 in the second direction x. With this configuration, even if the first intermediate portion 413 is formed in the first bonding layer 41, the position of the center of gravity of the first bonding layer 41 can be brought closer to the position of the center of gravity of the first electrode 21 when viewed in the first direction z. This makes it possible to more effectively suppress the inclination of the electronic element A20 relative to the transport member 80.
  • FIG. 22 An electronic device A40 according to a fourth embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 22 to 24.
  • elements that are the same as or similar to those of the electronic device A10 described above are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.
  • regions corresponding to a first coating layer 51 and a second coating layer 52, which will be described later, are shown by multiple dots.
  • the electronic element A40 differs from the electronic element A10 in the configuration of each of the first electrode 21 and the second electrode 22, and in that it further includes a first coating layer 51 and a second coating layer 52.
  • the first electrode 21 does not have a first support portion 211 or a second support portion 212.
  • the second electrode 22 does not have a third support portion 221 or a fourth support portion 222.
  • the first coating layer 51 is laminated on the first electrode 21.
  • the first coating layer 51 covers a portion of the first base surface 21A of the first electrode 21 and is in contact with the first base surface 21A.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are located on opposite sides to each other with respect to the first coating layer 51.
  • the first coating layer 51 is located between the first convex portion 411 and the second convex portion 412 in the third direction y.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are also separated from each other in a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 23).
  • the glass transition point of the first coating layer 51 is higher than the melting point of the first bonding layer 41.
  • the first coating layer 51 may or may not be conductive.
  • the first coating layer 51 is made of a material containing nickel (Ni) or polyimide, for example.
  • the first bonding layer 41 has a higher liquid repellency against the liquid phase than the first electrode 21. Furthermore, the thermal conductivity of the first coating layer 51 is higher than that of the first bonding layer 41.
  • the second coating layer 52 is laminated on the second electrode 22.
  • the second coating layer 52 covers a portion of the second base surface 22A of the second electrode 22 and is in contact with the second base surface 22A.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 are located on opposite sides of each other with respect to the second coating layer 52.
  • the second coating layer 52 is located between the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 in the third direction y.
  • the material of the second coating layer 52 is the same as the material of the first coating layer 51.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are also separated from each other in a cross section of the second bonding layer 42 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 24).
  • the aforementioned carrier B may be configured to have multiple electronic elements A40 instead of multiple electronic elements A10.
  • the electronic element A40 includes a main body 10, a first electrode 21 disposed on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 includes a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other. Therefore, according to this configuration, the electronic element A40 can also suppress the inclination of the electronic element A40 relative to the transport member 80.
  • the electronic element A40 has a configuration in common with the electronic element A10, thereby achieving the same effect as the electronic element A10.
  • the electronic element A40 further includes a first coating layer 51 laminated on the first electrode 21.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are located on opposite sides of each other with respect to the first coating layer 51.
  • This configuration makes it possible to more accurately set the lamination position of the conductive paste relative to the first electrode 21 when forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412, and also to suppress the spreading of the molten conductive paste. This facilitates the formation of each of the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the glass transition point of the first coating layer 51 is higher than the melting point of the first bonding layer 41. This makes it possible to suppress softening of the first coating layer 51 even if the conductive paste melts when forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the liquid repellency of the first bonding layer 41 against the liquid phase is higher in the first coating layer 51 than in the first electrode 21.
  • This configuration can further suppress the spreading of the molten conductive paste when forming the first convex portion 411 and the second convex portion 412. This can further increase the dimensions of each of the first convex portion 411 and the second convex portion 412 in the first direction z.
  • the thermal conductivity of the first coating layer 51 is higher than that of the first bonding layer 41. This configuration can improve the heat dissipation of the electronic element A40 mounted on the wiring board.
  • the electronic element A50 differs from the previously described electronic element A20 in the configuration of each of the first electrode 21 and the second electrode 22, and in the further inclusion of a first coating layer 51 and a second coating layer 52.
  • the first electrode 21 does not have a first support portion 211 or a second support portion 212.
  • the second electrode 22 does not have a third support portion 221 or a fourth support portion 222.
  • the first coating layer 51 is laminated on the first electrode 21.
  • the first coating layer 51 covers a portion of the first base surface 21A of the first electrode 21 and is in contact with the first base surface 21A.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are located on opposite sides to each other with respect to the first coating layer 51.
  • the first coating layer 51 extends in the third direction y.
  • the first coating layer 51 is surrounded by the first convex portion 411 and the second convex portion 412.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are also spaced apart from each other in a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 26).
  • the second coating layer 52 is laminated on the second electrode 22.
  • the second coating layer 52 covers a portion of the second base surface 22A of the second electrode 22 and is in contact with the second base surface 22A.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 are located on opposite sides to each other with respect to the second coating layer 52.
  • the second coating layer 52 extends in the third direction y.
  • the second coating layer 52 is surrounded by the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are also separated from each other in a cross section of the second bonding layer 42 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 27).
  • the aforementioned carrier B may be configured to have multiple electronic elements A50 instead of multiple electronic elements A10.
  • the electronic element A50 includes a main body 10, a first electrode 21 arranged on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 is formed with a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other. Therefore, according to this configuration, the electronic element A50 can also suppress the inclination of the electronic element A50 relative to the transport member 80.
  • the electronic element A50 has a configuration common to each of the electronic elements A20 and A40, and thereby exerts the same effects as each of the electronic elements A20 and A40.
  • FIG. 29 An electronic device A60 according to a sixth embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 29 to 32.
  • elements that are the same as or similar to the electronic devices A10, A30, and A40 described above are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.
  • Figure 29 the regions corresponding to the two first coating layers 51 and the two second coating layers 52 are shown as multiple-point regions.
  • the electronic element A60 differs from the previously described electronic element A30 in the configuration of each of the first electrode 21 and the second electrode 22, and in the further inclusion of two first coating layers 51 and two second coating layers 52.
  • the first electrode 21 does not have a first support portion 211, a second support portion 212, or a first connecting portion 213.
  • the second electrode 22 does not have a third support portion 221, a fourth support portion 222, or a second connecting portion 223.
  • two first coating layers 51 are laminated on the first electrode 21.
  • the two first coating layers 51 cover a part of the first base surface 21A of the first electrode 21 and are in contact with the first base surface 21A.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 of the first bonding layer 41 are located on opposite sides of the two first coating layers 51 as viewed in the first direction z.
  • the two first coating layers 51 are separated from each other in the second direction x.
  • Each of the two first coating layers 51 extends in the third direction y.
  • the two first coating layers 51 are located between the first convex portion 411 and the second convex portion 412 in the third direction y.
  • the first intermediate portion 413 of the first bonding layer 41 is located between the two first coating layers 51 in the second direction x.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are also separated from each other in a cross section of the first bonding layer 41 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 30).
  • the two second covering layers 52 are laminated on the second electrode 22.
  • the two second covering layers 52 cover a part of the second base surface 22A of the second electrode 22 and are in contact with the second base surface 22A.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 of the second bonding layer 42 are located on opposite sides of the two second covering layers 52 as viewed in the first direction z.
  • the two second covering layers 52 are separated from each other in the second direction x.
  • Each of the two second covering layers 52 extends in the third direction y.
  • the two second covering layers 52 are located between the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 in the third direction y.
  • the second intermediate portion 423 of the second bonding layer 42 is located between the two second covering layers 52 in the second direction x.
  • the third convex portion 421 and the fourth convex portion 422 are also separated from each other in a cross section of the second bonding layer 42 that includes the first direction z as an in-plane direction (the cross section shown in FIG. 32).
  • the aforementioned carrier B may be configured to have multiple electronic elements A60 instead of multiple electronic elements A10.
  • the electronic element A60 includes a main body 10, a first electrode 21 arranged on one side of the main body 10 in the first direction z, and a first bonding layer 41 laminated on the first electrode 21.
  • the first bonding layer 41 is formed with a first convex portion 411 and a second convex portion 412 each protruding from the first electrode 21 in the first direction z.
  • the first convex portion 411 and the second convex portion 412 are separated from each other. Therefore, according to this configuration, the electronic element A60 can also suppress the inclination of the electronic element A60 relative to the transport member 80.
  • the electronic element A60 has a configuration common to each of the electronic elements A30 and A40, and thereby exerts the same effects as each of the electronic elements A30 and A40.
  • Appendix 1 A main body portion, a first electrode disposed on one side of the main body in a first direction and electrically connected to the main body; A first bonding layer laminated on the first electrode, the first bonding layer is formed with a first convex portion and a second convex portion each protruding from the first electrode in the first direction; An electronic element, wherein the first convex portion and the second convex portion are separated from each other in a cross section of the first bonding layer that includes the first direction as an in-plane direction. Appendix 2. 2.
  • the electronic element of claim 1 wherein a dimension of the first electrode in a second direction perpendicular to the first direction is smaller than a dimension of the first electrode in a third direction perpendicular to the first direction and the second direction.
  • Appendix 3. 3. The electronic element according to claim 2, wherein the first convex portion and the second convex portion are separated from each other in the third direction.
  • Appendix 4. the first bonding layer has an intermediate portion protruding from the first electrode in the first direction; 4.
  • Appendix 5. 5.
  • the electronic element according to claim 4 wherein the intermediate portion is spaced apart from both ends of the first convex portion in the third direction. Appendix 6. 6.
  • Appendix 7. 2. The electronic element according to claim 1, wherein the first convex portion and the second convex portion are connected to each other.
  • Appendix 8. When viewed in a direction perpendicular to the first direction, the first convex portion has a first bulging surface that bulges in the first direction, 8.
  • the first bulging surface includes a first apex that is farthest from the main body portion in the first direction; the second bulging surface includes a second apex that is farthest from the main body portion in the first direction, 9.
  • the first electrode has a first support portion and a second support portion each protruding toward the first bonding layer; When viewed in the first direction, the first protrusion overlaps the first support portion, 9.
  • Appendix 11. Further comprising a coating layer laminated on the first electrode, The electronic element according to claim 8, wherein, when viewed in the first direction, the first convex portion and the second convex portion are located on opposite sides of the covering layer.
  • Appendix 12. 12. The electronic device according to claim 11, wherein the glass transition point of the covering layer is higher than the melting point of the first bonding layer.
  • Appendix 13 13.
  • Appendix 14. 14 The electronic device according to claim 13, wherein the covering layer has a higher thermal conductivity than the first bonding layer.
  • Appendix 15 a second electrode disposed on the same side of the main body as the first electrode in the first direction, conductive to the main body, and spaced apart from the first electrode in a direction perpendicular to the first direction; A second bonding layer laminated on the second electrode, the second bonding layer is formed with a third convex portion and a fourth convex portion each protruding from the second electrode in the first direction; 8. The electronic element according to claim 1, wherein in a cross section of the second bonding layer that includes the first direction as an in-plane direction, the third convex portion and the fourth convex portion are separated from each other.
  • Appendix 16 An electronic device according to any one of claims 1 to 7; A conveying member, the conveying member is located on an opposite side of the main body portion with respect to the first electrode in the first direction, The first bonding layer is supported by the transport member.

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Abstract

電子素子は、本体部と、前記本体部の第１方向の一方側に配置された第１電極と、前記第１電極に積層された第１接合層とを備える。前記第１接合層には、各々が前記第１電極から前記第１方向に突出する第１凸部および第２凸部が形成されている。前記第１方向を面内方向に含む、前記第１接合層の断面において、前記第１凸部および前記第２凸部は、互いに離れている。

Description

電子素子、および電子素子の搬送体
　本開示は、電子素子と、当該電子素子の搬送体とに関する。
　特許文献１には、搬送部材に支持された電子素子の一例が開示されている。搬送部材は、テープである。当該電子素子は、電極を備える。搬送部材に電子素子を支持する際、電極が当該搬送部材に支持される。
　特許文献１に開示されている電子素子の電極に対して、当該電極の表面を覆う接合層を設ける場合がある。接合層は、ハンダである。接合層は、電極に積層された導電性ペーストを溶融・固化させることにより形成することがある。この形成方法を採用した場合、接合層の表面形状が、凸状の丸みを帯びたものとなる。この場合、搬送部材に電子素子を支持する際、搬送部材に対して電子素子が傾斜するおそれがある。搬送部材に対する電子素子の傾斜の度合いがより大きくなると、当該電子素子の検査精度の低下を招くこととなる。
国際公開第２０２０／２６２０８６号
　本開示は、従来よりも改良が施された、電子素子および電子素子の搬送体を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、搬送部材に対する電子素子の傾きを抑制することが可能な電子素子、および当該電子素子の搬送体を提供することを一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される電子素子は、本体部と、前記本体部の第１方向の一方側に配置され、かつ前記本体部に導通する第１電極と、前記第１電極に積層された第１接合層と、備える。前記第１接合層には、各々が前記第１電極から前記第１方向に突出する第１凸部および第２凸部が形成されている。前記第１方向を面内方向に含む前記第１接合層の断面において、前記第１凸部および前記第２凸部は、互いに離れている。
　本開示の第２の側面によって提供される電子素子の搬送体は、本開示の第１の側面によって提供される電子素子と、搬送部材と、を備える。前記搬送部材は、前記第１方向において前記第１電極を基準として前記本体部とは反対側に位置している。前記第１接合層は、前記搬送部材に支持されている。
　上記構成によれば、搬送部材に対する電子素子の傾きを抑制することが可能となる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる電子素子の底面図である。 図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる電子素子の底面図である。 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図８のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、本開示の一実施形態にかかる電子素子の搬送体の主要平面図である。 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、本開示の第２実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図１３のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、図１３のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１７は、本開示の第３実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、図１７のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２０は、図１７のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。 図２１は、図１７のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図２２は、本開示の第４実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２４は、図２２のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２５は、本開示の第５実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図２６は、図２５のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図２７は、図２５のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図２８は、図２５のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２９は、本開示の第６実施形態にかかる電子素子の底面図である。 図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図３１は、図２９のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図３２は、図２９のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
　本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
　第１実施形態：
　図１～図４に基づき、本開示の第１実施形態にかかる電子素子Ａ１０について説明する。電子素子Ａ１０は、本体部１０、第１電極２１、第２電極２２、パッシベーション膜３０、第１接合層４１および第２接合層４２を備える。
　電子素子Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する本体部１０の主面１０Ａの法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する１つの方向を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘの双方に対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。
　電子素子Ａ１０は、フリップチップ実装型のダイオードである。この他、電子素子Ａ１０は、トランジスタなどの各種半導体素子でもよい。さらに電子素子Ａ１０は、抵抗器、コンデンサおよびインダクタなどのチップ型の各種受動素子でもよい。
　本体部１０は、図１に示すように、第１方向ｚに視て矩形状である。本体部１０は、たとえばケイ素（Ｓｉ）を含有する半導体基板と、当該半導体基板に積層された複数の半導体層と、当該複数の半導体層に導通する再配線層とを含む。図２～図４に示すように、本体部１０は、主面１０Ａを有する。主面１０Ａは、第１方向ｚの一方側を向く。
　図２および図４に示すように、第１電極２１は、本体部１０の主面１０Ａに配置されている。第１電極２１は、本体部１０に導通している。第１電極２１は、電子素子Ａ１０のアノードに相当する。図１に示すように、第２方向ｘにおける第１電極２１の寸法は、第３方向ｙにおける第１電極２１の寸法よりも小さい。第１電極２１は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）のいずれかの金属を含有する。
　図１および図２に示すように、第１電極２１は、第１基面２１Ａ、第１支持部２１１および第２支持部２１２を有する。第１基面２１Ａは、第１方向ｚにおいて本体部１０の主面１０Ａと同じ側を向く。第１支持部２１１および第２支持部２１２は、第１基面２１Ａから第１接合層４１に向けて突出している。第１支持部２１１および第２支持部２１２は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。
　図３および図４に示すように、第２電極２２は、本体部１０の主面１０Ａに配置されている。したがって、第２電極２２は、本体部１０の第１方向ｚにおいて第１電極２１と同じ側に配置されている。第２電極２２は、本体部１０に導通している。第２電極２２は、電子素子Ａ１０のカソードに相当する。図１に示すように、第２電極２２は、第１電極２１から第２方向ｘに離れている。図１に示すように、第２方向ｘにおいて第２電極２２の寸法は、第３方向ｙにおける第２電極２２の寸法よりも小さい。第２電極２２は、たとえばアルミニウムおよび銅のいずれかの金属を含有する。
　図１および図３に示すように、第２電極２２は、第２基面２２Ａ、第３支持部２２１および第４支持部２２２を有する。第２基面２２Ａは、第１方向ｚにおいて本体部１０の主面１０Ａと同じ側を向く。第３支持部２２１および第４支持部２２２は、第２基面２２Ａから第２接合層４２に向けて突出している。第３支持部２２１および第４支持部２２２は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。
　パッシベーション膜３０は、図２～図４に示すように、本体部１０の主面１０Ａに積層されている。図１に示すように、第１方向ｚに視て、パッシベーション膜３０は、第１電極２１および第２電極２２の各々を囲んでいる。第１電極２１および第２電極２２は、パッシベーション膜３０から露出している。パッシベーション膜３０は、絶縁体である。パッシベーション膜３０は、たとえば窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を含有する。
　第１接合層４１は、図２および図４に示すように、第１電極２１に積層されている。第１接合層４１は、第１電極２１の第１基面２１Ａ、第１支持部２１１および第２支持部２１２に接している。第１接合層４１は、錫（Ｓｎ）および銀（Ａｇ）を含有する。この他、第１接合層４１は、錫およびアンチモン（Ｓｂ）を含有する場合でもよい。
　図２に示すように、第１接合層４１には、各々が第１電極２１から突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図２が示す断面；第２方向ｘに直交する断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。図１に示すように、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第３方向ｙにおいて互いに分断されている。
　図１に示すように、第１方向ｚに視て、第１凸部４１１は、第１電極２１の第１支持部２１１に重なっている。第１方向ｚに視て、第２凸部４１２は、第１電極２１の第２支持部２１２に重なっている。
　図２に示すように、第１凸部４１１は、第１膨出面４１１Ａを有する。第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第１膨出面４１１Ａは、第１方向ｚに膨出している。第１膨出面４１１Ａは、第１頂点Ｃ１を含む。第１頂点Ｃ１は、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れている。
　図２に示すように、第２凸部４１２は、第２膨出面４１２Ａを有する。第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第２膨出面４１２Ａは、第１方向ｚに膨出している。第２膨出面４１２Ａは、第２頂点Ｃ２を含む。第２頂点Ｃ２は、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れている。
　図２に示すように、第１頂点Ｃ１と第２頂点Ｃ２との間隔Ｄ１は、間隔Ｄ１が設定される方向における第１凸部４１１の最大寸法Ｌ１よりも大きい。さらに間隔Ｄ１は、間隔Ｄ１が設定される方向における第２凸部４１２の最大寸法Ｌ２よりも大きい。
　第２接合層４２は、図３および図４に示すように、第２電極２２に積層されている。第２接合層４２は、第２電極２２の第２基面２２Ａ、第３支持部２２１および第４支持部２２２に接している。第２接合層４２は、第１接合層４１と同一の材料からなる。
　図３に示すように、第２接合層４２には、各々が第２電極２２から突出する第３凸部４２１および第４凸部４２２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図３が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。図１に示すように、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、第３方向ｙにおいて互いに分断されている。
　図１に示すように、第１方向ｚに視て、第３凸部４２１は、第２電極２２の第３支持部２２１に重なっている。第１方向ｚに視て、第４凸部４２２は、第２電極２２の第４支持部２２２に重なっている。
　図３に示すように、第３凸部４２１は、第３膨出面４２１Ａを有する。第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第３膨出面４２１Ａは、第１方向ｚに膨出している。第３膨出面４２１Ａは、第３頂点Ｃ３を含む。第３頂点Ｃ３は、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れている。
　図３に示すように、第４凸部４２２は、第４膨出面４２２Ａを有する。第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第４膨出面４２２Ａは、第１方向ｚに膨出している。第４膨出面４２２Ａは、第４頂点Ｃ４を含む。第４頂点Ｃ４は、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れている。
　図３に示すように、第３頂点Ｃ３と第４頂点Ｃ４との間隔Ｄ２は、間隔Ｄ２が設定される方向における第３凸部４２１の最大寸法Ｌ３よりも大きい。さらに間隔Ｄ２は、間隔Ｄ２が設定される方向における第４凸部４２２の最大寸法Ｌ４よりも大きい。
　第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第１接合層４１の材料となる導電性ペーストを印刷などにより第１電極２１に積層させた後、当該導電性ペーストを溶融および固化させることにより形成することができる。導電性ペーストを第１電極２１に積層させる際、第１電極２１の第１支持部２１１および第２支持部２１２の各々の全体が当該導電性ペーストにより覆われるようにする。第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２の形成手法は、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成手法と同様である。
　第１変形例：
　次に、図５～図７に基づき、電子素子Ａ１０の第１変形例である電子素子Ａ１１について説明する。
　図５および図６に示すように、第１電極２１は、第１支持部２１１および第２支持部２１２を有しない。第１接合層４１は、第１電極２１の第１基面２１Ａの一部を覆っている。したがって、第１基面２１Ａは、第１接合層４１から露出している。
　図５および図７に示すように、第２電極２２は、第３支持部２２１および第４支持部２２２を有しない。第２接合層４２は、第２電極２２の第２基面２２Ａの一部を覆っている。したがって、第２基面２２Ａは、第２接合層４２から露出している。
　第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、電子素子Ａ１０の場合と同様に第１接合層４１に積層された導電性ペーストを溶融・固化させた後、当該導電性ペーストの一部をレーザなどで除去することにより形成することができる。第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２の形成手法は、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成手法と同様である。
　第２変形例：
　次に、図８～図１０に基づき、電子素子Ａ１０の第２変形例である電子素子Ａ１２について説明する。
　図８および図９に示すように、第１電極２１は、第１支持部２１１および第２支持部２１２を有しない。第１接合層４１は、第１電極２１の第１基面２１Ａの一部を覆っている。したがって、第１基面２１Ａは、第１接合層４１から露出している。
　図９に示すように、第１接合層４１の第１凸部４１１は、第１膨出面４１１Ａに替えて第１頂面４１１Ｂおよび第１傾斜面４１１Ｃを有する。第１頂面４１１Ｂは、第１方向ｚにおいて本体部１０の主面１０Ａと同じ側を向く。第１傾斜面４１１Ｃは、第１頂面４１１Ｂにつながり、かつ第１頂面４１１Ｂに対して傾斜している。図９に示すように、第１接合層４１の第２凸部４１２は、第２膨出面４１２Ａに替えて第２頂面４１２Ｂおよび第２傾斜面４１２Ｃを有する。第２頂面４１２Ｂは、第１方向ｚにおいて主面１０Ａと同じ側を向く。第２傾斜面４１２Ｃは、第２頂面４１２Ｂにつながり、かつ第２頂面４１２Ｂに対して傾斜している。
　図８および図１０に示すように、第２電極２２は、第３支持部２２１および第４支持部２２２を有しない。第２接合層４２は、第２電極２２の第２基面２２Ａの一部を覆っている。したがって、第２基面２２Ａは、第２接合層４２から露出している。
　図１０に示すように、第２接合層４２の第３凸部４２１は、第３膨出面４２１Ａに替えて第３頂面４２１Ｂおよび第３傾斜面４２１Ｃを有する。第３頂面４２１Ｂは、第１方向ｚにおいて本体部１０の主面１０Ａと同じ側を向く。第３傾斜面４２１Ｃは、第３頂面４２１Ｂにつながり、かつ第３頂面４２１Ｂに対して傾斜している。図１０に示すように、第２接合層４２の第４凸部４２２は、第４膨出面４２２Ａに替えて第４頂面４２２Ｂおよび第４傾斜面４２２Ｃを有する。第４頂面４２２Ｂは、第１方向ｚにおいて主面１０Ａと同じ側を向く。第４傾斜面４２２Ｃは、第４頂面４２２Ｂにつながり、かつ第４頂面４２２Ｂに対して傾斜している。
　第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第１電極２１に押し当てた金型の中に導電性ペーストを圧送させた後、当該金型の中で当該導電性ペーストを溶融および固化させることにより形成することができる。第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２の形成手法は、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成手法と同様である。
　電子素子の搬送体：
　次に、図１１および図１２に基づき、本開示の一実施形態にかかる電子素子の搬送体（以下「搬送体Ｂ」と呼ぶ。）について説明する。図１１に示すように、搬送体Ｂは、複数の電子素子Ａ１０、および搬送部材８０を備える。一般的に搬送体Ｂは、リールなどに巻き取られた状態で各所に搬送される。
　図１２に示すように、搬送部材８０は、複数の電子素子Ａ１０の各々の第１電極２１および第２電極２２を基準として、複数の電子素子Ａ１０の各々の本体部１０とは反対側に位置する。複数の電子素子Ａ１０の各々の第１接合層４１および第２接合層４２は、搬送部材８０に支持されている。搬送部材８０は、たとえばテープである。図１２に示すように、第１接合層４１においては、第１凸部４１１の第１膨出面４１１Ａの第１頂点Ｃ１と、第２凸部４１２の第２膨出面４１２Ａの第２頂点Ｃ２とが、搬送部材８０に対する第１接合層４１の支持点となる。第２接合層４２においては、第３凸部４２１の第３膨出面４２１Ａの第３頂点Ｃ３と、第４凸部４２２の第４膨出面４２２Ａの第４頂点Ｃ４とが、搬送部材８０に対する第２接合層４２の支持点となる。
　次に、電子素子Ａ１０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ１０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。本構成をとることにより、搬送体Ｂにおいては、第１凸部４１１および第２凸部４１２を搬送部材８０に支持させることができる（図１２参照）。これにより、第１方向ｚと、第１凸部４１１および第２凸部４１２が互いに離れる方向との双方向に対して直交する方向（電子素子Ａ１０においては第２方向ｘ方向）の回りにおける、搬送部材８０に対する電子素子Ａ１０の回転が規制される。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ１０においては、搬送部材８０に対する電子素子Ａ１０の傾きを抑制することが可能となる。
　第２方向ｘにおける第１電極２１の寸法は、第３方向ｙにおける第２電極２２の寸法よりも小さい。これにより、第１電極２１には、第３方向ｙの回りよりも第２方向ｘの回りの方が回転しやすくなる。この場合において、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第３方向ｙにおいて互いに分断されている。本構成をとることにより、搬送部材８０に対する電子素子Ａ１０の回転をより効果的に規制できる。
　第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第１接合層４１の第１凸部４１１は、第１方向ｚに膨出する第１膨出面４１１Ａを有する。第１方向ｚに対して直交する方向に視て、第１接合層４１の第２凸部４１２は、第１方向ｚに膨出する第２膨出面４１２Ａを有する。第１膨出面４１１Ａおよび第２膨出面４１２Ａは、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成の際、第１電極２１に積層された導電性ペーストを溶融・固化させることにより現れる。
　第１凸部４１１の第１膨出面４１１Ａは、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れた第１頂点Ｃ１を含む。第２凸部４１２の第２膨出面４１２Ａは、第１方向ｚにおいて本体部１０から最も離れた第２頂点Ｃ２を含む。第１頂点Ｃ１と第２頂点Ｃ２との間隔Ｄ１は、間隔Ｄ１が設定される方向における第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の最大寸法Ｌ１，Ｌ２よりも大きい。本構成をとることにより、搬送部材８０に対する支持点となる第１頂点Ｃ１と第２頂点Ｃ２との間隔Ｄ１をより長く設定することができる。これにより、搬送部材８０に対する電子素子Ａ１０の回転をさらに効果的に規制できる。
　第１電極２１は、各々が第１接合層４１に向けて突出する第１支持部２１１および第２支持部２１２を有する。第１方向ｚに視て、第１凸部４１１は、第１支持部２１１に重なっている。第１方向ｚに視て、第２凸部４１２は、第２支持部２１２に重なっている。本構成をとることにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の第１方向ｚの寸法をより拡大できる。
　第２実施形態：
　図１３～図１６に基づき、本開示の第２実施形態にかかる電子素子Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した電子素子Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　電子素子Ａ２０においては、第１電極２１、第２電極２２、第１接合層４１および第２接合層４２の構成が、電子素子Ａ１０の当該構成と異なる。
　図１３に示すように、第１電極２１の第１支持部２１１および第２支持部２１２は、互いにつながっている。第１支持部２１１は、第３方向ｙの一方側に位置する。第２支持部２１２は、第３方向ｙの他方側に位置する。第１方向ｚに視て、第１支持部２１１および第２支持部２１２は、枠状をなしている。
　図１３に示すように、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いにつながっている。第１方向ｚに視て、第１凸部４１１の全体は、第１電極２１の第１支持部２１１に重なっている。第１方向ｚに視て、第２凸部４１２の全体は、第１電極２１の第２支持部２１２に重なっている。図１６に示すように、第１凸部４１１は、第２方向ｘにおいて互いに離れた２つの部分を含む。第２凸部４１２も同様に、第２方向ｘにおいて互いに離れた２つの部分を含む（図１３参照）。
　電子素子Ａ２０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図１４が示す断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。
　図１３に示すように、第２電極２２の第３支持部２２１および第４支持部２２２は、互いにつながっている。第３支持部２２１は、第３方向ｙの一方側に位置する。第４支持部２２２は、第３方向ｙの他方側に位置する。第１方向ｚに視て、第３支持部２２１および第４支持部２２２は、枠状をなしている。
　図１３に示すように、第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いにつながっている。第１方向ｚに視て、第３凸部４２１の全体は、第２電極２２の第３支持部２２１に重なっている。第１方向ｚに視て、第４凸部４２２の全体は、第２電極２２の第４支持部２２２に重なっている。図１６に示すように、第３凸部４２１は、第２方向ｘにおいて互いに離れた２つの部分を含む。第４凸部４２２も同様に、第２方向ｘにおいて互いに離れた２つの部分を含む（図１３参照）。
　電子素子Ａ２０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図１５が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。
　先述した搬送体Ｂにおいては、複数の電子素子Ａ１０に替えて、複数の電子素子Ａ２０を具備する構成でもよい。
　次に、電子素子Ａ２０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ２０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ２０においても、搬送部材８０に対する電子素子Ａ２０の傾きを抑制することが可能となる。さらに電子素子Ａ２０においては、電子素子Ａ１０と共通する構成を具備することにより、電子素子Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　電子素子Ａ２０においては、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いにつながっている。本構成をとることにより、第１方向ｚに対して直交する方向の回りにおける、搬送部材８０に対する電子素子Ａ２０の回転が規制される。これにより、搬送部材８０に対する電子素子Ａ２０の傾きをより効果的に抑制できる。
　第３実施形態：
　図１７～図２１に基づき、本開示の第３実施形態にかかる電子素子Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した電子素子Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　電子素子Ａ３０においては、第１電極２１、第２電極２２、第１接合層４１および第２接合層４２の各々の構成が、電子素子Ａ１０の当該構成と異なる。
　図１７、図１９および図２０に示すように、第１電極２１は、第１連結部２１３を有する。第１連結部２１３は、第１電極２１の第１基面２１Ａから第１接合層４１に向けて突出している。第１連結部２１３は、第３方向ｙにおいて第１電極２１の第１支持部２１１と、第１電極２１の第２支持部２１２との間に位置し、かつ第１支持部２１１と第２支持部２１２とを連結している。第１連結部２１３は、第３方向ｙに延びている。
　図１７、図１９および図２０に示すように、第１接合層４１には、第１中間部４１３が形成されている。第１中間部４１３は、第１電極２１から第１方向ｚに突出している。第１中間部４１３は、第３方向ｙにおいて第１接合層４１の第１凸部４１１と、第１接合層４１の第２凸部４１２との間に位置し、かつ第１凸部４１１と第２凸部４１２とを連結している。第１中間部４１３は、第３方向ｙに延びている。
　図１７に示すように、第１方向ｚに視て、第１中間部４１３は、第１電極２１の第１連結部２１３に重なっている。第１中間部４１３は、第２方向ｘにおける第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の両端から離れている。
　電子素子Ａ３０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図１８が示す断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。
　図１７に示すように、第２電極２２は、第２連結部２２３を有する。第２連結部２２３は、第２電極２２の第２基面２２Ａから第２接合層４２に向けて突出している。第２連結部２２３は、第３方向ｙにおいて第２電極２２の第３支持部２２１と、第２電極２２の第４支持部２２２との間に位置し、かつ第３支持部２２１と第４支持部２２２とを連結している。第２連結部２２３は、第３方向ｙに延びている。
　図１７に示すように、第２接合層４２には、第２中間部４２３が形成されている。第２中間部４２３は、第２電極２２から第１方向ｚに突出している。第２中間部４２３は、第３方向ｙにおいて第２接合層４２の第３凸部４２１と、第２接合層４２の第４凸部４２２との間に位置し、かつ第３凸部４２１と第４凸部４２２とを連結している。第２中間部４２３は、第３方向ｙに延びている。
　図１７に示すように、第１方向ｚに視て、第２中間部４２３は、第２電極２２の第２連結部２２３に重なっている。第２中間部４２３は、第２方向ｘにおける第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２の各々の両端から離れている。
　電子素子Ａ３０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図２１が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。
　先述した搬送体Ｂにおいては、複数の電子素子Ａ１０に替えて、複数の電子素子Ａ３０を具備する構成でもよい。
　次に、電子素子Ａ３０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ３０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ３０においても、搬送部材８０に対する電子素子Ａ３０の傾きを抑制することが可能となる。さらに電子素子Ａ３０においては、電子素子Ａ１０と共通する構成を具備することにより、電子素子Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　電子素子Ａ３０においては、第１接合層４１には、第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１中間部４１３が形成されている。第１中間部４１３は、第１接合層４１の第１凸部４１１と、第１接合層４１の第２凸部４１２とを連結している。本構成をとることにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２を搬送部材８０に支持させることを可能としつつ、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成に伴う第１接合層４１の体積の減少を抑制できる。
　第１中間部４１３は、第２方向ｘにおける第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の両端から離れている。本構成をとることにより、第１接合層４１に第１中間部４１３が形成された場合であっても、第１方向ｚに視て、第１接合層４１の重心の位置を、第１電極２１の重心の位置により近づけることができる。これにより、搬送部材８０に対する電子素子Ａ２０の傾きをより効果的に抑制できる。
　第４実施形態：
　図２２～図２４に基づき、本開示の第４実施形態にかかる電子素子Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した電子素子Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで図２２では、後述する第１被覆層５１および第２被覆層５２の各々に相当する領域を、複数点の領域で示している。
　電子素子Ａ４０においては、第１電極２１および第２電極２２の各々の構成と、第１被覆層５１および第２被覆層５２をさらに備えることとが、電子素子Ａ１０の場合と異なる。
　図２２および図２３に示すように、第１電極２１は、第１支持部２１１および第２支持部２１２を有しない。図２２および図２４に示すように、第２電極２２は、第３支持部２２１および第４支持部２２２を有しない。
　図２３に示すように、第１被覆層５１は、第１電極２１に積層されている。第１被覆層５１は、第１電極２１の第１基面２１Ａの一部を覆い、かつ第１基面２１Ａに接している。図２２に示すように、第１方向ｚに視て、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第１被覆層５１を基準として互いに反対側に位置する。第１被覆層５１は、第３方向ｙにおいて第１凸部４１１と第２凸部４１２との間に位置する。
　電子素子Ａ４０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図２３が示す断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。
　第１被覆層５１のガラス転移点は、第１接合層４１の融点よりも高い。第１被覆層５１の導電性の有無は問わない。第１被覆層５１は、たとえばニッケル（Ｎｉ）またはポリイミドを含有する材料からなる。第１接合層４１の液相に対する撥液性は、第１電極２１よりも第１被覆層５１の方が高い。さらに、第１被覆層５１の熱伝導率は、第１接合層４１の熱伝導率よりも高い。
　図２４に示すように、第２被覆層５２は、第２電極２２に積層されている。第２被覆層５２は、第２電極２２の第２基面２２Ａの一部を覆い、かつ第２基面２２Ａに接している。図２２に示すように、第１方向ｚに視て、第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２は、第２被覆層５２を基準として互いに反対側に位置する。第２被覆層５２は、第３方向ｙにおいて第３凸部４２１と第４凸部４２２との間に位置する。第２被覆層５２の材料は、第１被覆層５１の材料と同一である。
　電子素子Ａ４０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図２４が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。
　先述した搬送体Ｂにおいては、複数の電子素子Ａ１０に替えて、複数の電子素子Ａ４０を具備する構成でもよい。
　次に、電子素子Ａ４０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ４０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ４０においても、搬送部材８０に対する電子素子Ａ４０の傾きを抑制することが可能となる。さらに電子素子Ａ４０においては、電子素子Ａ１０と共通する構成を具備することにより、電子素子Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　電子素子Ａ４０は、第１電極２１に積層された第１被覆層５１をさらに備える。第１方向ｚに視て、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第１被覆層５１を基準として互いに反対側に位置する。本構成をとることにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成の際、第１電極２１に対する導電性ペーストの積層位置をより正確に設定できるとともに、溶融した当該導電性ペーストの濡れ拡がりを抑制することができる。これにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の形成を促進させることができる。
　第１被覆層５１のガラス転移点は、第１接合層４１の融点よりも高い。これにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成の際、導電性ペーストが溶融した場合であっても第１被覆層５１の軟化を抑制できる。
　第１接合層４１の液相に対する撥液性は、第１電極２１よりも第１被覆層５１の方が高い。本構成をとることにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の形成の際、溶融した導電性ペーストの濡れ拡がりをさらに抑制することができる。これにより、第１凸部４１１および第２凸部４１２の各々の第１方向ｚの寸法をより拡大できる。
　第１被覆層５１の熱伝導率は、第１接合層４１の熱伝導率よりも高い。本構成をとることにより、配線基板に実装された電子素子Ａ４０の放熱性を向上させることができる。
　第５実施形態：
　図２５～図２８に基づき、本開示の第５実施形態にかかる電子素子Ａ５０について説明する。これらの図において、先述した電子素子Ａ１０および電子素子Ａ４０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで図２５では、第１被覆層５１および第２被覆層５２の各々に相当する領域を、複数点の領域で示している。
　電子素子Ａ５０においては、第１電極２１および第２電極２２の各々の構成と、第１被覆層５１および第２被覆層５２をさらに備えることとが、先述した電子素子Ａ２０の場合と異なる。
　図２５、図２６および図２８に示すように、第１電極２１は、第１支持部２１１および第２支持部２１２を有しない。図２５、図２７および図２８に示すように、第２電極２２は、第３支持部２２１および第４支持部２２２を有しない。
　図２６および図２８に示すように、第１被覆層５１は、第１電極２１に積層されている。第１被覆層５１は、第１電極２１の第１基面２１Ａの一部を覆い、かつ第１基面２１Ａに接している。図２５に示すように、第１方向ｚに視て、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、第１被覆層５１を基準として互いに反対側に位置する。第１被覆層５１は、第３方向ｙに延びている。第１被覆層５１は、第１凸部４１１および第２凸部４１２に囲まれている。
　電子素子Ａ５０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図２６が示す断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。
　図２７および図２８に示すように、第２被覆層５２は、第２電極２２に積層されている。第２被覆層５２は、第２電極２２の第２基面２２Ａの一部を覆い、かつ第２基面２２Ａに接している。図２５に示すように、第１方向ｚに視て、第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２は、第２被覆層５２を基準として互いに反対側に位置する。第２被覆層５２は、第３方向ｙに延びている。第２被覆層５２は、第３凸部４２１および第４凸部４２２に囲まれている。
　電子素子Ａ５０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図２７が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。
　先述した搬送体Ｂにおいては、複数の電子素子Ａ１０に替えて、複数の電子素子Ａ５０を具備する構成でもよい。
　次に、電子素子Ａ５０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ５０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ５０においても、搬送部材８０に対する電子素子Ａ５０の傾きを抑制することが可能となる。さらに電子素子Ａ５０においては、電子素子Ａ２０および電子素子Ａ４０の各々と共通する構成を具備することにより、電子素子Ａ２０および電子素子Ａ４０の各々と同等の作用効果を奏する。
　第６実施形態：
　図２９～図３２に基づき、本開示の第６実施形態にかかる電子素子Ａ６０について説明する。これらの図において、先述した電子素子Ａ１０、電子素子Ａ３０および電子素子Ａ４０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで図２９では、２つの第１被覆層５１、および２つの第２被覆層５２の各々に相当する領域を、複数点の領域で示している。
　電子素子Ａ６０においては、第１電極２１および第２電極２２の各々の構成と、２つの第１被覆層５１、および２つの第２被覆層５２をさらに備えることとが、先述した電子素子Ａ３０の場合と異なる。
　図２９～図３１に示すように、第１電極２１は、第１支持部２１１、第２支持部２１２および第１連結部２１３を有しない。図２９および図３２に示すように、第２電極２２は、第３支持部２２１、第４支持部２２２および第２連結部２２３を有しない。
　図３０および図３１に示すように、２つの第１被覆層５１は、第１電極２１に積層されている。２つの第１被覆層５１は、第１電極２１の第１基面２１Ａの一部を覆い、かつ第１基面２１Ａに接している。図２９に示すように、第１方向ｚに視て、第１接合層４１の第１凸部４１１および第２凸部４１２は、２つの第１被覆層５１を基準として互いに反対側に位置する。２つの第１被覆層５１は、第２方向ｘにおいて互いに離れている。２つの第１被覆層５１の各々は、第３方向ｙに延びている。２つの第１被覆層５１は、第３方向ｙにおいて第１凸部４１１と第２凸部４１２との間に位置する。第１接合層４１の第１中間部４１３は、第２方向ｘにおいて２つの第１被覆層５１の間に位置する。
　電子素子Ａ６０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面（図３０が示す断面）において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。
　図３２に示すように、２つの第２被覆層５２は、第２電極２２に積層されている。２つの第２被覆層５２は、第２電極２２の第２基面２２Ａの一部を覆い、かつ第２基面２２Ａに接している。図２９に示すように、第１方向ｚに視て、第２接合層４２の第３凸部４２１および第４凸部４２２は、２つの第２被覆層５２を基準として互いに反対側に位置する。２つの第２被覆層５２は、第２方向ｘにおいて互いに離れている。２つの第２被覆層５２の各々は、第３方向ｙに延びている。２つの第２被覆層５２は、第３方向ｙにおいて第３凸部４２１と第４凸部４２２との間に位置する。第２接合層４２の第２中間部４２３は、第２方向ｘにおいて２つの第２被覆層５２の間に位置する。
　電子素子Ａ６０においても、第１方向ｚを面内方向に含む第２接合層４２の断面（図３２が示す断面）において、第３凸部４２１および第４凸部４２２は、互いに離れている。
　先述した搬送体Ｂにおいては、複数の電子素子Ａ１０に替えて、複数の電子素子Ａ６０を具備する構成でもよい。
　次に、電子素子Ａ６０の作用効果について説明する。
　電子素子Ａ６０は、本体部１０と、本体部１０の第１方向ｚの一方側に配置された第１電極２１と、第１電極２１に積層された第１接合層４１とを備える。第１接合層４１には、各々が第１電極２１から第１方向ｚに突出する第１凸部４１１および第２凸部４１２が形成されている。第１方向ｚを面内方向に含む第１接合層４１の断面において、第１凸部４１１および第２凸部４１２は、互いに離れている。したがって、本構成によれば、電子素子Ａ６０においても、搬送部材８０に対する電子素子Ａ６０の傾きを抑制することが可能となる。さらに電子素子Ａ６０においては、電子素子Ａ３０および電子素子Ａ４０の各々と共通する構成を具備することにより、電子素子Ａ３０および電子素子Ａ４０の各々と同等の作用効果を奏する。
　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　本体部と、
　前記本体部の第１方向の一方側に配置され、かつ前記本体部に導通する第１電極と、
　前記第１電極に積層された第１接合層と、備え、
　前記第１接合層には、各々が前記第１電極から前記第１方向に突出する第１凸部および第２凸部が形成されており、
　前記第１方向を面内方向に含む前記第１接合層の断面において、前記第１凸部および前記第２凸部は、互いに離れている、電子素子。
　付記２．
　前記第１方向に対して直交する第２方向における前記第１電極の寸法は、前記第１方向および前記第２方向に対して直交する第３方向における前記第１電極の寸法よりも小さい、付記１に記載の電子素子。
　付記３．
　前記第１凸部および前記第２凸部は、前記第３方向において互いに分断されている、付記２に記載の電子素子。
　付記４．
　前記第１接合層には、前記第１電極から前記第１方向に突出する中間部が形成されており、
　前記中間部は、前記第１凸部および前記第２凸部を連結している、付記３に記載の電子素子。
　付記５．
　前記中間部は、前記第３方向における前記第１凸部の両端から離れている、付記４に記載の電子素子。
　付記６．
　前記中間部は、前記第３方向における前記第２凸部の両端から離れている、付記５に記載の電子素子。
　付記７．
　前記第１凸部および前記第２凸部は、互いにつながっている、付記１に記載の電子素子。
　付記８．
　前記第１方向に対して直交する方向に視て、前記第１凸部は、前記第１方向に膨出する第１膨出面を有し、
　前記第１方向に対して直交する方向に視て、前記第２凸部は、前記第１方向に膨出する第２膨出面を有する、付記１ないし７のいずれかに記載の電子素子。
　付記９．
　前記第１膨出面は、前記第１方向において前記本体部から最も離れた第１頂点を含み、
　前記第２膨出面は、前記第１方向において前記本体部から最も離れた第２頂点を含み、
　前記第１頂点と前記第２頂点との間隔は、前記間隔が設定される方向における前記第１凸部および前記第２凸部の各々の最大寸法よりも大きい、付記８に記載の電子素子。
　付記１０．
　前記第１電極は、各々が前記第１接合層に向けて突出する第１支持部および第２支持部を有し、
　前記第１方向に視て、前記第１凸部は、前記第１支持部に重なっており、
　前記第１方向に視て、前記第２凸部は、前記第２支持部に重なっている、付記８に記載の電子素子。
　付記１１．
　前記第１電極に積層された被覆層をさらに備え、
　前記第１方向に視て、前記第１凸部および前記第２凸部は、前記被覆層を基準として互いに反対側に位置する、付記８に記載の電子素子。
　付記１２．
　前記被覆層のガラス転移点は、前記第１接合層の融点よりも高い、付記１１に記載の電子素子。
　付記１３．
　前記第１接合層の液相に対する撥液性は、前記第１電極よりも前記被覆層の方が高い、付記１２に記載の電子素子。
　付記１４．
　前記被覆層の熱伝導率は、前記第１接合層の熱伝導率よりも高い、付記１３に記載の電子素子。
　付記１５．
　前記本体部の前記第１方向において前記第１電極と同じ側に配置され、かつ前記本体部に導通するとともに、前記第１方向に対して直交する方向に前記第１電極から離れた第２電極と、
　前記第２電極に積層された第２接合層と、備え、
　前記第２接合層には、各々が前記第２電極から前記第１方向に突出する第３凸部および第４凸部が形成されており、
　前記第１方向を面内方向に含む前記第２接合層の断面において、前記第３凸部および前記第４凸部は、互いに離れている、付記１ないし７のいずれかに記載の電子素子。
　付記１６．
　付記１ないし７のいずれかに記載の電子素子と、
　搬送部材と、を備え、
　前記搬送部材は、前記第１方向において前記第１電極を基準として前記本体部とは反対側に位置しており、
　前記第１接合層は、前記搬送部材に支持されている、電子素子の搬送体。
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６０：電子素子
Ｂ：搬送体　　　　１０：本体部
１０Ａ：主面　　　　２１：第１電極
２１１：第１支持部　　　　２１２：第２支持部
２１３：第１連結部　　　　２２：第２電極
２２１：第３支持部　　　　２２２：第４支持部
２２３：第２連結部　　　　３０：パッシベーション膜
４１：第１接合層　　　　４１１：第１凸部
４１１Ａ：第１膨出面　　　　４１１Ｂ：第１頂面
４１１Ｃ：第１傾斜面　　　　４１２：第２凸部
４１２Ａ：第２膨出面　　　　４１２Ｂ：第２頂面
４１２Ｃ：第２傾斜面　　　　４１３：第１中間部
４２：第２接合層　　　　４２１：第３凸部
４２１Ａ：第３膨出面　　　　４２１Ｂ：第３頂面
４２１Ｃ：第３傾斜面　　　　４２２：第４凸部
４２２Ａ：第４膨出面　　　　４２２Ｂ：第４頂面
４２２Ｃ：第４傾斜面　　　　４２３：第２中間部
５１：第１被覆層　　　　５２：第２被覆層
ｚ：第１方向　　　　ｘ：第２方向　　　　ｙ：第３方向

Claims (16)

  1. 　本体部と、
    　前記本体部の第１方向の一方側に配置され、かつ前記本体部に導通する第１電極と、
    　前記第１電極に積層された第１接合層と、備え、
    　前記第１接合層には、各々が前記第１電極から前記第１方向に突出する第１凸部および第２凸部が形成されており、
    　前記第１方向を面内方向に含む前記第１接合層の断面において、前記第１凸部および前記第２凸部は、互いに離れている、電子素子。
  2. 　前記第１方向に対して直交する第２方向における前記第１電極の寸法は、前記第１方向および前記第２方向に対して直交する第３方向における前記第１電極の寸法よりも小さい、請求項１に記載の電子素子。
  3. 　前記第１凸部および前記第２凸部は、前記第３方向において互いに分断されている、請求項２に記載の電子素子。
  4. 　前記第１接合層には、前記第１電極から前記第１方向に突出する中間部が形成されており、
    　前記中間部は、前記第１凸部および前記第２凸部を連結している、請求項３に記載の電子素子。
  5. 　前記中間部は、前記第３方向における前記第１凸部の両端から離れている、請求項４に記載の電子素子。
  6. 　前記中間部は、前記第３方向における前記第２凸部の両端から離れている、請求項５に記載の電子素子。
  7. 　前記第１凸部および前記第２凸部は、互いにつながっている、請求項１に記載の電子素子。
  8. 　前記第１方向に対して直交する方向に視て、前記第１凸部は、前記第１方向に膨出する第１膨出面を有し、
    　前記第１方向に対して直交する方向に視て、前記第２凸部は、前記第１方向に膨出する第２膨出面を有する、請求項１ないし７のいずれかに記載の電子素子。
  9. 　前記第１膨出面は、前記第１方向において前記本体部から最も離れた第１頂点を含み、
    　前記第２膨出面は、前記第１方向において前記本体部から最も離れた第２頂点を含み、
    　前記第１頂点と前記第２頂点との間隔は、前記間隔が設定される方向における前記第１凸部および前記第２凸部の各々の最大寸法よりも大きい、請求項８に記載の電子素子。
  10. 　前記第１電極は、各々が前記第１接合層に向けて突出する第１支持部および第２支持部を有し、
    　前記第１方向に視て、前記第１凸部は、前記第１支持部に重なっており、
    　前記第１方向に視て、前記第２凸部は、前記第２支持部に重なっている、請求項８に記載の電子素子。
  11. 　前記第１電極に積層された被覆層をさらに備え、
    　前記第１方向に視て、前記第１凸部および前記第２凸部は、前記被覆層を基準として互いに反対側に位置する、請求項８に記載の電子素子。
  12. 　前記被覆層のガラス転移点は、前記第１接合層の融点よりも高い、請求項１１に記載の電子素子。
  13. 　前記第１接合層の液相に対する撥液性は、前記第１電極よりも前記被覆層の方が高い、請求項１２に記載の電子素子。
  14. 　前記被覆層の熱伝導率は、前記第１接合層の熱伝導率よりも高い、請求項１３に記載の電子素子。
  15. 　前記本体部の前記第１方向において前記第１電極と同じ側に配置され、かつ前記本体部に導通するとともに、前記第１方向に対して直交する方向に前記第１電極から離れた第２電極と、
    　前記第２電極に積層された第２接合層と、備え、
    　前記第２接合層には、各々が前記第２電極から前記第１方向に突出する第３凸部および第４凸部が形成されており、
    　前記第１方向を面内方向に含む前記第２接合層の断面において、前記第３凸部および前記第４凸部は、互いに離れている、請求項１ないし７のいずれかに記載の電子素子。
  16. 　請求項１ないし７のいずれかに記載の電子素子と、
    　搬送部材と、を備え、
    　前記搬送部材は、前記第１方向において前記第１電極を基準として前記本体部とは反対側に位置しており、
    　前記第１接合層は、前記搬送部材に支持されている、電子素子の搬送体。
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