JPH11251526A - 抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法 - Google Patents
抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法Info
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- JPH11251526A JPH11251526A JP4952198A JP4952198A JPH11251526A JP H11251526 A JPH11251526 A JP H11251526A JP 4952198 A JP4952198 A JP 4952198A JP 4952198 A JP4952198 A JP 4952198A JP H11251526 A JPH11251526 A JP H11251526A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化タンタル薄膜抵抗と薄膜コンデンサより
成る抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 薄膜コンデンサ素子８を構成する高誘電
体材料としてチタン酸ストロンチウムを使用し、薄膜コ
ンデンサ素子８を構成する上部電極４材料および抵抗素
子６材料として窒化タンタルを使用した抵抗−コンデン
サ複合基板およびその製造方法。
成る抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 薄膜コンデンサ素子８を構成する高誘電
体材料としてチタン酸ストロンチウムを使用し、薄膜コ
ンデンサ素子８を構成する上部電極４材料および抵抗素
子６材料として窒化タンタルを使用した抵抗−コンデン
サ複合基板およびその製造方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、抵抗−コンデン
サ複合基板およびその製造方法に関し、特に、高誘電体
材料および抵抗材料を基板に積層して構成した抵抗−コ
ンデンサ複合基板およびその製造方法に関する。
サ複合基板およびその製造方法に関し、特に、高誘電体
材料および抵抗材料を基板に積層して構成した抵抗−コ
ンデンサ複合基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高誘電体材料および抵抗材料を基板に積
層して薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデ
ンサ複合基板を製造する場合、抵抗材料としてはＮｉ−
Ｃｒ合金の如き比較的低温度において成膜することがで
きる材料を使用して製造していた。ここで、Ｎｉ−Ｃｒ
合金は標準組成はＣｒを２０％を含むものであり、この
他にＦｅおよびＭｎを添加したものより成る。
層して薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデ
ンサ複合基板を製造する場合、抵抗材料としてはＮｉ−
Ｃｒ合金の如き比較的低温度において成膜することがで
きる材料を使用して製造していた。ここで、Ｎｉ−Ｃｒ
合金は標準組成はＣｒを２０％を含むものであり、この
他にＦｅおよびＭｎを添加したものより成る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上の通り
の薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデンサ
複合基板を製造するに際して、Ｎｉ−Ｃｒ合金と比較し
て抵抗温度係数の小さい窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）を抵
抗材料としてＮｉ−Ｃｒ合金の代わりに使用したいとい
う要請がある。しかし、窒化タンタルは成膜温度が高い
ものであり、窒化タンタルを成膜して抵抗薄膜を形成し
ようとすると、抵抗−コンデンサ複合基板を構成する他
の構成材料に熱的損傷を与えると共に、窒化タンタル薄
膜抵抗体が接触する構成材料に窒化タンタルが拡散する
という問題が生起し、結局、窒化タンタルを抵抗−薄膜
コンデンサ複合基板の抵抗材料として適用することがで
きない。
の薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデンサ
複合基板を製造するに際して、Ｎｉ−Ｃｒ合金と比較し
て抵抗温度係数の小さい窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）を抵
抗材料としてＮｉ−Ｃｒ合金の代わりに使用したいとい
う要請がある。しかし、窒化タンタルは成膜温度が高い
ものであり、窒化タンタルを成膜して抵抗薄膜を形成し
ようとすると、抵抗−コンデンサ複合基板を構成する他
の構成材料に熱的損傷を与えると共に、窒化タンタル薄
膜抵抗体が接触する構成材料に窒化タンタルが拡散する
という問題が生起し、結局、窒化タンタルを抵抗−薄膜
コンデンサ複合基板の抵抗材料として適用することがで
きない。
【０００４】この発明は、上述の問題を解消した窒化タ
ンタル薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデ
ンサ複合基板およびその製造方法を提供するものであ
る。
ンタル薄膜抵抗と薄膜コンデンサより成る抵抗−コンデ
ンサ複合基板およびその製造方法を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１：薄膜コンデン
サ素子を構成する高誘電体材料としてチタン酸ストロン
チウムを使用し、薄膜コンデンサ素子を構成する上部電
極材料および抵抗素子材料として窒化タンタルを使用し
た抵抗−コンデンサ複合基板を構成した。そして、請求
項２：請求項１に記載される抵抗コンデンサ複合基板に
おいて、基板を構成する絶縁材料として酸化アルミニウ
ムを使用し、薄膜コンデンサ素子を構成する下部電極材
料としてパラジウムを使用し、酸化アルミニウム基板１
表面とパラジウム下部電極との間に接着層としてチタン
（Ｔｉ）薄膜を介在させ、金薄膜より成る信号線５を具
備する抵抗−コンデンサ複合基板を構成した。
サ素子を構成する高誘電体材料としてチタン酸ストロン
チウムを使用し、薄膜コンデンサ素子を構成する上部電
極材料および抵抗素子材料として窒化タンタルを使用し
た抵抗−コンデンサ複合基板を構成した。そして、請求
項２：請求項１に記載される抵抗コンデンサ複合基板に
おいて、基板を構成する絶縁材料として酸化アルミニウ
ムを使用し、薄膜コンデンサ素子を構成する下部電極材
料としてパラジウムを使用し、酸化アルミニウム基板１
表面とパラジウム下部電極との間に接着層としてチタン
（Ｔｉ）薄膜を介在させ、金薄膜より成る信号線５を具
備する抵抗−コンデンサ複合基板を構成した。
【０００６】また、請求項３：請求項２に記載される抵
抗−コンデンサ複合基板において、金薄膜より成る信号
線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極４との間にＮ
ｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜を介在させた抵抗−コンデン
サ複合基板を構成した。ここで、請求項４：絶縁材料基
板１を準備し、絶縁材料基板１の表面全面に下部電極薄
膜２をスパッタリング法により形成し、成膜された下部
電極薄膜を薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２とし
て必要とされるところおよび面積を残存してエッチング
により除去し、下部電極薄膜２を含めて絶縁材料基板１
の表面全面に薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料薄
膜をスパッタリング法により成膜し、高誘電体材料薄膜
の内の薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２表面の高
誘電体薄膜として必要とされるところを残存してエッチ
ングにより除去し、残存せしめられた高誘電体材料薄膜
を含め絶縁材料基板１の表面全面に、薄膜コンデンサ素
子８の上部電極および抵抗素子を構成する材料である窒
化タンタル薄膜と、信号線５を構成する材料である金薄
膜をこの順に成膜し、窒化タンタル薄膜および金薄膜の
層それぞれの一部をエッチングを適用して除去し、上部
電極４、７、信号線５、抵抗素子６を加工形成する抵抗
−コンデンサ複合基板の製造方法を構成した。
抗−コンデンサ複合基板において、金薄膜より成る信号
線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極４との間にＮ
ｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜を介在させた抵抗−コンデン
サ複合基板を構成した。ここで、請求項４：絶縁材料基
板１を準備し、絶縁材料基板１の表面全面に下部電極薄
膜２をスパッタリング法により形成し、成膜された下部
電極薄膜を薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２とし
て必要とされるところおよび面積を残存してエッチング
により除去し、下部電極薄膜２を含めて絶縁材料基板１
の表面全面に薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料薄
膜をスパッタリング法により成膜し、高誘電体材料薄膜
の内の薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２表面の高
誘電体薄膜として必要とされるところを残存してエッチ
ングにより除去し、残存せしめられた高誘電体材料薄膜
を含め絶縁材料基板１の表面全面に、薄膜コンデンサ素
子８の上部電極および抵抗素子を構成する材料である窒
化タンタル薄膜と、信号線５を構成する材料である金薄
膜をこの順に成膜し、窒化タンタル薄膜および金薄膜の
層それぞれの一部をエッチングを適用して除去し、上部
電極４、７、信号線５、抵抗素子６を加工形成する抵抗
−コンデンサ複合基板の製造方法を構成した。
【０００７】そして、請求項５：請求項４に記載される
抵抗−コンデンサ複合基板の製造方法において、酸化ア
ルミニウム基板１表面とパラジウム下部電極との間に接
着層としてチタン（Ｔｉ）薄膜を介在させ、金薄膜より
成る信号線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極４と
の間にＮｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜を介在させる抵抗−
コンデンサ複合基板の製造方法を構成した。
抵抗−コンデンサ複合基板の製造方法において、酸化ア
ルミニウム基板１表面とパラジウム下部電極との間に接
着層としてチタン（Ｔｉ）薄膜を介在させ、金薄膜より
成る信号線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極４と
の間にＮｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜を介在させる抵抗−
コンデンサ複合基板の製造方法を構成した。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１を参
照して説明する。図１において、１は酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）より成る高融点の絶縁材料基板である。
酸化アルミニウムは工業的に製造する他にコランダム、
ルビー、サファイアとして産出され、融点は２０００℃
以上の高融点の絶縁材料である。
照して説明する。図１において、１は酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）より成る高融点の絶縁材料基板である。
酸化アルミニウムは工業的に製造する他にコランダム、
ルビー、サファイアとして産出され、融点は２０００℃
以上の高融点の絶縁材料である。
【０００９】２は薄膜コンデンサの一方の電極を構成す
るパラジウム（Ｐｄ）薄膜より成る下部電極である。パ
ラジウムの融点は１５５５℃である。この場合、酸化ア
ルミニウム基板１表面とパラジウム下部電極との間には
接着層としてチタン（Ｔｉ）薄膜が２１が形成される。
３は薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料であるチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）薄膜を示す。
るパラジウム（Ｐｄ）薄膜より成る下部電極である。パ
ラジウムの融点は１５５５℃である。この場合、酸化ア
ルミニウム基板１表面とパラジウム下部電極との間には
接着層としてチタン（Ｔｉ）薄膜が２１が形成される。
３は薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料であるチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）薄膜を示す。
【００１０】４は薄膜コンデンサの他方の電極を構成す
る窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜より成る上部電極であ
る。５は金薄膜（Ａｕ）より成る信号線である。金薄膜
より成る信号線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極
４の間には接着層としてＮｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜が
形成される。
る窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜より成る上部電極であ
る。５は金薄膜（Ａｕ）より成る信号線である。金薄膜
より成る信号線５と窒化タンタル薄膜より成る上部電極
４の間には接着層としてＮｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜が
形成される。
【００１１】ここで、下部電極２を一方の電極とし、上
部電極４を他方の電極として両電極の間に高誘電体材料
薄膜３を介在させることにより薄膜コンデンサ素子８が
構成される。６は窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）より成る抵
抗素子である。この抵抗素子６はその一部を薄膜コンデ
ンサ素子８の下部電極２に積層接続し、金薄膜：Ａｕよ
り成る信号線７により外部に引き出されている。この信
号線７と窒化タンタル薄膜より成る抵抗素子６の間に
も、信号線５の場合と同様に、接着層としてＮｉ−Ｃｒ
合金より成る薄膜が形成されている。
部電極４を他方の電極として両電極の間に高誘電体材料
薄膜３を介在させることにより薄膜コンデンサ素子８が
構成される。６は窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）より成る抵
抗素子である。この抵抗素子６はその一部を薄膜コンデ
ンサ素子８の下部電極２に積層接続し、金薄膜：Ａｕよ
り成る信号線７により外部に引き出されている。この信
号線７と窒化タンタル薄膜より成る抵抗素子６の間に
も、信号線５の場合と同様に、接着層としてＮｉ−Ｃｒ
合金より成る薄膜が形成されている。
【００１２】以上の通りにして、薄膜コンデンサ素子８
と抵抗素子６は下部電極２において相互に直列接続して
抵抗−コンデンサ複合基板が構成される。次に、抵抗−
コンデンサ複合基板の製造方法を具体的に説明する。 工程 高融点の絶縁材料基板１を準備する。この基板
１を構成する絶縁材料としては酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）を採用することができる。酸化アルミニウム原
材料は工業的に製造する他にコランダム、ルビー、サフ
ァイアとして産出され、融点は２０００℃以上の高融点
を示す。
と抵抗素子６は下部電極２において相互に直列接続して
抵抗−コンデンサ複合基板が構成される。次に、抵抗−
コンデンサ複合基板の製造方法を具体的に説明する。 工程 高融点の絶縁材料基板１を準備する。この基板
１を構成する絶縁材料としては酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）を採用することができる。酸化アルミニウム原
材料は工業的に製造する他にコランダム、ルビー、サフ
ァイアとして産出され、融点は２０００℃以上の高融点
を示す。
【００１３】工程 絶縁材料基板１の表面全面に高融
点導電材料より成る下部電極薄膜２をスパッタリング法
により形成する。この場合、絶縁材料基板１の表面全面
に、先ず、接着層をスパッタリング法により成膜し、こ
のチタンの薄膜の表面に下部電極薄膜２をスパッタリン
グ法により成膜する。接着層成膜の材料としてはチタン
を採用し、下部電極薄膜の成膜の材料としてはパラジウ
ム（Ｐｄ）を採用することができる。パラジウムの融点
は１５５５℃である。
点導電材料より成る下部電極薄膜２をスパッタリング法
により形成する。この場合、絶縁材料基板１の表面全面
に、先ず、接着層をスパッタリング法により成膜し、こ
のチタンの薄膜の表面に下部電極薄膜２をスパッタリン
グ法により成膜する。接着層成膜の材料としてはチタン
を採用し、下部電極薄膜の成膜の材料としてはパラジウ
ム（Ｐｄ）を採用することができる。パラジウムの融点
は１５５５℃である。
【００１４】工程 工程において成膜されたパラジ
ウム薄膜は、薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２と
して必要とされるところおよび面積を残してエッチング
により除去される。 工程 下部電極薄膜２を含めて絶縁材料基板１の表面
全面に薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料であるチ
タン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）薄膜をスパッタ
リング法により成膜する。
ウム薄膜は、薄膜コンデンサ素子８の下部電極薄膜２と
して必要とされるところおよび面積を残してエッチング
により除去される。 工程 下部電極薄膜２を含めて絶縁材料基板１の表面
全面に薄膜コンデンサを構成する高誘電体材料であるチ
タン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）薄膜をスパッタ
リング法により成膜する。
【００１５】工程 工程において成膜されたチタン
酸ストロンチウム薄膜は、薄膜コンデンサ素子８の下部
電極薄膜２表面の高誘電体薄膜として必要とされるとこ
ろを残してエッチングにより除去される。この場合、下
部電極薄膜２表面の一部は高誘電体薄膜を除去して露出
せしめる。 工程 工程において残存せしめられたチタン酸スト
ロンチウム薄膜および露出せしめられた下部電極薄膜２
表面の一部を含めて絶縁材料基板１の表面全面に、薄膜
コンデンサ素子８の上部電極および抵抗素子を構成する
材料として窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜を、接着層を
構成する材料としてＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を、信号線５を
構成する材料として金薄膜（Ａｕ）をこの順に成膜す
る。
酸ストロンチウム薄膜は、薄膜コンデンサ素子８の下部
電極薄膜２表面の高誘電体薄膜として必要とされるとこ
ろを残してエッチングにより除去される。この場合、下
部電極薄膜２表面の一部は高誘電体薄膜を除去して露出
せしめる。 工程 工程において残存せしめられたチタン酸スト
ロンチウム薄膜および露出せしめられた下部電極薄膜２
表面の一部を含めて絶縁材料基板１の表面全面に、薄膜
コンデンサ素子８の上部電極および抵抗素子を構成する
材料として窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜を、接着層を
構成する材料としてＮｉ−Ｃｒ合金薄膜を、信号線５を
構成する材料として金薄膜（Ａｕ）をこの順に成膜す
る。
【００１６】なお、窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）薄膜を成
膜するに際して、形成される薄膜の分子配列を整列させ
るに絶縁材料基板１側を高温状態に保持する必要がある
が、この高温スパッタリングに対応して酸化アルミニウ
ム基板１表面とパラジウム下部電極との間には接着層と
してチタン（Ｔｉ）薄膜を形成する。そして、Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金より成る薄膜は、金薄膜より成る信号線５と窒化
タンタル薄膜より成る上部電極４の間の接着層として形
成されるものである。
膜するに際して、形成される薄膜の分子配列を整列させ
るに絶縁材料基板１側を高温状態に保持する必要がある
が、この高温スパッタリングに対応して酸化アルミニウ
ム基板１表面とパラジウム下部電極との間には接着層と
してチタン（Ｔｉ）薄膜を形成する。そして、Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金より成る薄膜は、金薄膜より成る信号線５と窒化
タンタル薄膜より成る上部電極４の間の接着層として形
成されるものである。
【００１７】工程 工程において成膜された窒化タ
ンタル薄膜、Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜、および金薄膜の３層
それぞれの一部をウェトエッチング或いはイオンエッチ
ングの如きドライエッチングを適用して除去し、上部電
極４、信号線５、抵抗素子６および信号線７を加工形成
する。即ち、図１（ｂ）を参照するに、薄膜コンデンサ
素子８の信号線５を形成する領域と、抵抗素子６および
信号線７を形成する領域を除いて以上の３層を除去す
る。
ンタル薄膜、Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜、および金薄膜の３層
それぞれの一部をウェトエッチング或いはイオンエッチ
ングの如きドライエッチングを適用して除去し、上部電
極４、信号線５、抵抗素子６および信号線７を加工形成
する。即ち、図１（ｂ）を参照するに、薄膜コンデンサ
素子８の信号線５を形成する領域と、抵抗素子６および
信号線７を形成する領域を除いて以上の３層を除去す
る。
【００１８】以上の工程ないし工程により、薄膜コ
ンデンサ素子８と抵抗素子６は下部電極２において相互
に直列接続して抵抗−コンデンサ複合基板が構成され
る。
ンデンサ素子８と抵抗素子６は下部電極２において相互
に直列接続して抵抗−コンデンサ複合基板が構成され
る。
【００１９】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明に依れ
ば、抵抗−コンデンサ複合基板の構成材料を上述した通
りに選択組み合わせることにより、抵抗体としてスパッ
タリング温度は高いが抵抗温度係数の小さい窒化タンタ
ルを使用した抵抗−コンデンサ複合基板を構成すること
ができる。
ば、抵抗−コンデンサ複合基板の構成材料を上述した通
りに選択組み合わせることにより、抵抗体としてスパッ
タリング温度は高いが抵抗温度係数の小さい窒化タンタ
ルを使用した抵抗−コンデンサ複合基板を構成すること
ができる。
【図１】実施例を説明する図。
１ 絶縁材料基板 ２ 下部電極 ３ 高誘電体材料薄膜 ４ 上部電極 ５ 信号線 ６ 抵抗素子 ７ 信号線 ８ 薄膜コンデンサ素子
Claims (5)
- 【請求項１】 薄膜コンデンサ素子を構成する高誘電体
材料としてチタン酸ストロンチウムを使用し、 薄膜コンデンサ素子を構成する上部電極材料および抵抗
素子材料として窒化タンタルを使用したことを特徴とす
る抵抗−コンデンサ複合基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載される抵抗−コンデンサ
複合基板において、 基板を構成する絶縁材料として酸化アルミニウムを使用
し、 薄膜コンデンサ素子を構成する下部電極材料としてパラ
ジウムを使用し、 酸化アルミニウム基板表面とパラジウム下部電極との間
に接着層としてチタン薄膜を介在させ、 金薄膜より成る信号線を具備することを特徴とする抵抗
−コンデンサ複合基板。 - 【請求項３】 請求項２に記載される抵抗−コンデンサ
複合基板において、金薄膜より成る信号線と窒化タンタ
ル薄膜より成る上部電極４との間にＮｉ−Ｃｒ合金より
成る薄膜を介在させたことを特徴とする抵抗−コンデン
サ複合基板。 - 【請求項４】 絶縁材料基板を準備し、 絶縁材料基板１の表面全面に下部電極薄膜をスパッタリ
ング法により形成し、 成膜された下部電極薄膜を薄膜コンデンサ素子の下部電
極薄膜として必要とされるところおよび面積を残存して
エッチングにより除去し、 下部電極薄膜を含めて絶縁材料基板の表面全面に薄膜コ
ンデンサを構成する高誘電体材料薄膜をスパッタリング
法により成膜し、 高誘電体材料薄膜の内の薄膜コンデンサ素子の下部電極
薄膜表面の高誘電体薄膜として必要とされるところを残
存してエッチングにより除去し、 残存せしめられた高誘電体材料薄膜を含めて絶縁材料基
板の表面全面に、薄膜コンデンサ素子の上部電極および
抵抗素子を構成する材料である窒化タンタル薄膜と、信
号線を構成する材料である金薄膜をこの順に成膜し、 窒化タンタル薄膜および金薄膜の層それぞれの一部をエ
ッチングを適用して除去し、上部電極、信号線、抵抗素
子を加工形成することを特徴とする抵抗−コンデンサ複
合基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載される抵抗−コンデンサ
複合基板の製造方法において、 酸化アルミニウム基板表面とパラジウム下部電極との間
に接着層としてチタン薄膜を介在させ、 金薄膜より成る信号線と窒化タンタル薄膜より成る上部
電極との間にＮｉ−Ｃｒ合金より成る薄膜を介在させる
ことを特徴とする抵抗−コンデンサ複合基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4952198A JPH11251526A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4952198A JPH11251526A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251526A true JPH11251526A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12833453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4952198A Pending JPH11251526A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 抵抗−コンデンサ複合基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036645A1 (ja) * | 2003-10-14 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | トランジスタ集積回路装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-02 JP JP4952198A patent/JPH11251526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036645A1 (ja) * | 2003-10-14 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | トランジスタ集積回路装置及びその製造方法 |
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