JPS5981548A - 厚膜型ガス検知素子 - Google Patents
厚膜型ガス検知素子Info
- Publication number
- JPS5981548A JPS5981548A JP19215682A JP19215682A JPS5981548A JP S5981548 A JPS5981548 A JP S5981548A JP 19215682 A JP19215682 A JP 19215682A JP 19215682 A JP19215682 A JP 19215682A JP S5981548 A JPS5981548 A JP S5981548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- oxide semiconductor
- thick film
- metal oxide
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚膜型ガス検知素子、特にガスの吸着によシ
抵抗値が変化する金属酸化物半導体を用いた半導体式ガ
ス検知素子に関する。
抵抗値が変化する金属酸化物半導体を用いた半導体式ガ
ス検知素子に関する。
従来、厚膜型ガス検知素子は第１図（ａ）の正面図、第
１図（ｂ）の平面図に示すように、金属酸化物半導体層
３をあらかじめ電極２を付与した絶縁基板１ ゝ上に厚
膜印刷して得らｔでいた。しかし、前記金属酸化物半導
体層３の焼結度と、感度との両方を満足させるととは困
難であった。例えば、酸化第２錫を主成分とする金属酸
化物半導体では、完全に焼結させるには１３００ ’Ｃ
以上の高温が必要であるが、このようにして完全に焼結
させたものは、組織がＭ密であるためにガスの通気性が
悪く、充分か感度が得られていなかった。従って、充分
な感度を得るために、４００’Ｃ〜９００’Ｃで焼成し
ていた。ところが、このような焼成温度では、焼結が不
充分なためポーラスな組織となシ、感度は向上するが、
一方、絶縁基板との密着性が悪く、絶縁基板から剥離し
やすく、ガス検知素子としての信頼性に乏しかった。
１図（ｂ）の平面図に示すように、金属酸化物半導体層
３をあらかじめ電極２を付与した絶縁基板１ ゝ上に厚
膜印刷して得らｔでいた。しかし、前記金属酸化物半導
体層３の焼結度と、感度との両方を満足させるととは困
難であった。例えば、酸化第２錫を主成分とする金属酸
化物半導体では、完全に焼結させるには１３００ ’Ｃ
以上の高温が必要であるが、このようにして完全に焼結
させたものは、組織がＭ密であるためにガスの通気性が
悪く、充分か感度が得られていなかった。従って、充分
な感度を得るために、４００’Ｃ〜９００’Ｃで焼成し
ていた。ところが、このような焼成温度では、焼結が不
充分なためポーラスな組織となシ、感度は向上するが、
一方、絶縁基板との密着性が悪く、絶縁基板から剥離し
やすく、ガス検知素子としての信頼性に乏しかった。
本発明の目的は、金属酸化物半導体層の絶縁基板との密
着性を向上させ、しかも感度が良好な厚膜型ガス検知素
子を扶供′することにある。
着性を向上させ、しかも感度が良好な厚膜型ガス検知素
子を扶供′することにある。
本発明によると、絶Ｒ基板と、該基板上に相対して設け
られた電極と、前記基板上に前記両電極間を接続するよ
うに設けられた原模型の金属酸化物半導体層とよシ構成
された厚膜型ガス検知素子において、前記半導体層の上
面及びその周囲に多孔質膜が被着形成されていることを
特徴とする厚膜型ガス検知素子がイυられる。
られた電極と、前記基板上に前記両電極間を接続するよ
うに設けられた原模型の金属酸化物半導体層とよシ構成
された厚膜型ガス検知素子において、前記半導体層の上
面及びその周囲に多孔質膜が被着形成されていることを
特徴とする厚膜型ガス検知素子がイυられる。
以下本発明を実施例によシ図面を参照して説明する。第
２図（ａ） 、 （ｂ）は、それぞれ本発明の一実施例
の正面図および平面図を示している。第２図（ａ）。
２図（ａ） 、 （ｂ）は、それぞれ本発明の一実施例
の正面図および平面図を示している。第２図（ａ）。
（１））を参照すると、本発明の実施例は酸化第２錫を
主成分とする金属酸化物半導体層４をあらかじめ電極２
を伺与した絶縁基板１上に厚膜印刷法により形成し、５
００°Ｃ〜９００°Ｃで焼成する。次に、そ（ＩＤ上Ｋ
例えばＰＩ）０４０ ％、Ｂ２０３１０ ％。
主成分とする金属酸化物半導体層４をあらかじめ電極２
を伺与した絶縁基板１上に厚膜印刷法により形成し、５
００°Ｃ〜９００°Ｃで焼成する。次に、そ（ＩＤ上Ｋ
例えばＰＩ）０４０ ％、Ｂ２０３１０ ％。
Ｓ ’＋ ０２４６ Ｗ１チ、Ａ１２０３４ グ々る
組成で、転移温度が５１７°Ｃ２軟化温度が６５７℃を
示す非結晶化ガラスに、該金属酸化物半導体材料例えば
酸化第２錫を１〜２０ 多含有したガラス層５を厚さ
１０〜６０μｍに印刷形成し、ガラスの転移温度以上、
すなわち５００°Ｃ〜９００℃で焼成し−Ｃ得られる。
組成で、転移温度が５１７°Ｃ２軟化温度が６５７℃を
示す非結晶化ガラスに、該金属酸化物半導体材料例えば
酸化第２錫を１〜２０ 多含有したガラス層５を厚さ
１０〜６０μｍに印刷形成し、ガラスの転移温度以上、
すなわち５００°Ｃ〜９００℃で焼成し−Ｃ得られる。
このようにして得られたガラス層５はガスを浸透させる
程度に多孔質となっており、壕だ、ガラスに含有された
金属酸化物半導体材料が、ガス体を金属酸化物半導体層
４に浸透させることを助けるため、金属酸化物半導体層
４に対するガスの通気性を損うこと々く、金属酸化物半
導体層４の絶縁基板１に対する密着性を改善することが
できる。
程度に多孔質となっており、壕だ、ガラスに含有された
金属酸化物半導体材料が、ガス体を金属酸化物半導体層
４に浸透させることを助けるため、金属酸化物半導体層
４に対するガスの通気性を損うこと々く、金属酸化物半
導体層４の絶縁基板１に対する密着性を改善することが
できる。
本実施例においては金属酸化物半導体層４とガラス層５
とは別々に焼成したが、両者を同時焼成しても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
とは別々に焼成したが、両者を同時焼成しても同様の効
果が得られることは言うまでもない。
以上に説明したように、本発明によれば、電極を付与し
た絶縁基板上に金属酸化物半導体層を厚膜印刷法によシ
形成し該半導体層の上および周囲に、該金属酸化物半導
体を含有するガラス層を被着形成することによシ、前記
金属酸化物半導体層の絶縁基板に対する密着性を増大せ
しめるとともに、ガス検知感度を良好になし得る効果が
ある。
た絶縁基板上に金属酸化物半導体層を厚膜印刷法によシ
形成し該半導体層の上および周囲に、該金属酸化物半導
体を含有するガラス層を被着形成することによシ、前記
金属酸化物半導体層の絶縁基板に対する密着性を増大せ
しめるとともに、ガス検知感度を良好になし得る効果が
ある。
第１図（ａ）、［有］）はそれぞれ従来の厚膜型ガス検
知素子の正面図および平面図を示し、第２図（ａ） 、
（＋、））はそれぞれ本発明の実施例の正面図および
平面図を示す。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・電極、３，４
・・・・・・金属酸化物半導体層、５・・・・・・金属
酸化物半導体を含有したガラス層。 ）＋、７ （１）＞ 第 １ 図 （αン （ｂ） 第２ 閏
知素子の正面図および平面図を示し、第２図（ａ） 、
（＋、））はそれぞれ本発明の実施例の正面図および
平面図を示す。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・電極、３，４
・・・・・・金属酸化物半導体層、５・・・・・・金属
酸化物半導体を含有したガラス層。 ）＋、７ （１）＞ 第 １ 図 （αン （ｂ） 第２ 閏
Claims (2)
- （１）絶縁基板と、該基板上に相対して設けられた電、
極と、前記基板上に前記両電極間を接続するように設け
られた厚膜型の金属酸化物半導体層とよりＭ１Ｙ成され
た厚膜型ガス検知素子において、前記半導体層の上面お
よびその８囲に、多孔質膜が被着形成されていることを
特徴とする厚膜型ガス検知素子。 - （２）金属酸化物半導体層は、主成分が酸化第２錫から
なシ多孔質膜は、酸化第２錫を含有したガラス層からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の厚
膜部ガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19215682A JPS5981548A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 厚膜型ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19215682A JPS5981548A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 厚膜型ガス検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981548A true JPS5981548A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=16286623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19215682A Pending JPS5981548A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 厚膜型ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981548A (ja) |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP19215682A patent/JPS5981548A/ja active Pending
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