JP2674088B2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JP2674088B2 JP2674088B2 JP63125211A JP12521188A JP2674088B2 JP 2674088 B2 JP2674088 B2 JP 2674088B2 JP 63125211 A JP63125211 A JP 63125211A JP 12521188 A JP12521188 A JP 12521188A JP 2674088 B2 JP2674088 B2 JP 2674088B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は主にモータの回転速度、回転角の検知等に利
用される磁気センサに関するものである。
用される磁気センサに関するものである。
従来の技術 従来、この種の磁気センサは、第2図,第3図あるい
は第4図に示すような構造であった。すなわち第2図の
場合、絶縁基板1上の一部に、まず厚膜電極2を印刷・
焼成等により形成する。次にこの厚膜電極2の一部と絶
縁基板1上の一部あるいは全面にガラスグレーズ3を印
刷・焼成等により形成する。次に厚膜電極2およびガラ
スグレーズ3上にNi合金薄膜4を真空蒸着法またはスパ
ッタリング法により形成する。次にフォトエッチングに
より所望のパターンに形成後、厚膜電極のうち取り出し
電極となる電極取出部2aを除く基板上に保護膜5を形成
する。次にリードフレーム6を電極取出部2aにハンダ付
けし、電極取出部2aおよびハンダ接合部を熱硬化性樹脂
7により被覆して磁気センサとするものである。
は第4図に示すような構造であった。すなわち第2図の
場合、絶縁基板1上の一部に、まず厚膜電極2を印刷・
焼成等により形成する。次にこの厚膜電極2の一部と絶
縁基板1上の一部あるいは全面にガラスグレーズ3を印
刷・焼成等により形成する。次に厚膜電極2およびガラ
スグレーズ3上にNi合金薄膜4を真空蒸着法またはスパ
ッタリング法により形成する。次にフォトエッチングに
より所望のパターンに形成後、厚膜電極のうち取り出し
電極となる電極取出部2aを除く基板上に保護膜5を形成
する。次にリードフレーム6を電極取出部2aにハンダ付
けし、電極取出部2aおよびハンダ接合部を熱硬化性樹脂
7により被覆して磁気センサとするものである。
また第3図の場合、絶縁基板8上の一部あるいは全面
にまず表面平滑性に優れたガラスグレーズ9を印刷・焼
成等により形成する。次に絶縁基板8上で少くともガラ
スクレーズ9の一部と重なる構造の厚膜電極10を印刷・
焼成等により形成し、これらの上に第2図の例と同様
に、Ni合金薄膜11のパターン、保護膜12を形成した後、
リードフレーム13をハンダ付けし、熱硬化性樹脂14で被
覆して磁気センサとするものである。
にまず表面平滑性に優れたガラスグレーズ9を印刷・焼
成等により形成する。次に絶縁基板8上で少くともガラ
スクレーズ9の一部と重なる構造の厚膜電極10を印刷・
焼成等により形成し、これらの上に第2図の例と同様
に、Ni合金薄膜11のパターン、保護膜12を形成した後、
リードフレーム13をハンダ付けし、熱硬化性樹脂14で被
覆して磁気センサとするものである。
また、第4図の場合、絶縁基板15上に厚膜電極16とガ
ラスグレーズ17を重ならないようにそれぞれ印刷・焼成
等により形成し、これらの上に第2図の例と同様に、Ni
合金薄膜のパターン18,保護膜19を形成した後、リード
フレーム20をハンダ付けし、熱硬化性樹脂21で被覆して
磁気センサとするものである。
ラスグレーズ17を重ならないようにそれぞれ印刷・焼成
等により形成し、これらの上に第2図の例と同様に、Ni
合金薄膜のパターン18,保護膜19を形成した後、リード
フレーム20をハンダ付けし、熱硬化性樹脂21で被覆して
磁気センサとするものである。
発明が解決しようとする課題 従来の第2図に示すような構造では、厚膜電極を先に
焼成するため、ガラスグレーズはその焼成温度が厚膜電
極を劣化させないために厚膜電極の焼成温度以下に限定
されてしまい、表面平滑性に優れた高温焼成を要するガ
ラスグレーズを用いることが不可能であった。
焼成するため、ガラスグレーズはその焼成温度が厚膜電
極を劣化させないために厚膜電極の焼成温度以下に限定
されてしまい、表面平滑性に優れた高温焼成を要するガ
ラスグレーズを用いることが不可能であった。
また、第3図に示すような構造では、ガラスグレーズ
焼成後に厚膜電極を印刷・焼成するが、厚膜電極を焼成
する際に、厚膜電極ペーストの収縮等により、厚膜電極
の接合する付近のガラスグレーズにクラックが生じ、そ
の上に形成するNi合金薄膜パターンの信頼性が十分でな
かった。
焼成後に厚膜電極を印刷・焼成するが、厚膜電極を焼成
する際に、厚膜電極ペーストの収縮等により、厚膜電極
の接合する付近のガラスグレーズにクラックが生じ、そ
の上に形成するNi合金薄膜パターンの信頼性が十分でな
かった。
また、第4図に示すような構造では、薄膜パターンの
一部が絶縁基板の非グレーズ部上に形成され、この部分
の薄膜は、絶縁基板表面が平滑でないために厚膜が不均
一となり、十分な信頼性が得られなかった。
一部が絶縁基板の非グレーズ部上に形成され、この部分
の薄膜は、絶縁基板表面が平滑でないために厚膜が不均
一となり、十分な信頼性が得られなかった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、磁気
センサとして十分な特性ならびに信頼性を得ることを目
的とするものである。
センサとして十分な特性ならびに信頼性を得ることを目
的とするものである。
課題を解決するための手段 これらの問題点を解決するために、本発明は、絶縁基
板上に形成された厚膜電極と、前記絶縁基板上に前記の
厚膜電極と接合しないように形成された表面平滑性に優
れたグレーズと、このグレーズ上に形成された磁電変換
薄膜と、前記厚膜電極と前記磁電変換薄膜とを導通させ
る機能を有する電極膜とを備えたものである。
板上に形成された厚膜電極と、前記絶縁基板上に前記の
厚膜電極と接合しないように形成された表面平滑性に優
れたグレーズと、このグレーズ上に形成された磁電変換
薄膜と、前記厚膜電極と前記磁電変換薄膜とを導通させ
る機能を有する電極膜とを備えたものである。
作用 この構造により、グレーズ材料の選択の範囲が広くな
り、表面平滑性に優れたグレーズを形成することが可能
であり、磁気センサとして十分な特性を得ることができ
る。また、電極膜は磁電変換薄膜と同時に形成しないた
め、その膜厚は任意に設定できるので十分な信頼性を得
ることができる。
り、表面平滑性に優れたグレーズを形成することが可能
であり、磁気センサとして十分な特性を得ることができ
る。また、電極膜は磁電変換薄膜と同時に形成しないた
め、その膜厚は任意に設定できるので十分な信頼性を得
ることができる。
実施例 第1図は本発明の一実施例による磁気センサの断面図
である。まずアルミナ等の絶縁基板22上にAg−Pd等によ
る厚膜電極23および厚膜電極23とは接合しないグレーズ
24を印刷・焼成等により形成する。このグレーズ24およ
び厚膜電極23のそれぞれ少くとも一部を覆うようなCu等
の電極膜25をマスク蒸着等により形成し、さらにグレー
ズ24およびグレーズ24上の電極膜25上にNi合金薄膜26を
真空蒸着法またはスパッタリング法により形成する。次
にフォトエッチング法により、Ni合金薄膜26を所望のパ
ターンに形成後、厚膜電極23のうちリードフレームをハ
ンダ付けする部分23aを除いた部分および電極膜25とNi
合金薄膜26上に保護膜27を形成する。さらにリードフレ
ーム28を厚膜電極23aにハンダ付けし、ハンダ接合部を
熱硬化性樹脂29により被覆する。
である。まずアルミナ等の絶縁基板22上にAg−Pd等によ
る厚膜電極23および厚膜電極23とは接合しないグレーズ
24を印刷・焼成等により形成する。このグレーズ24およ
び厚膜電極23のそれぞれ少くとも一部を覆うようなCu等
の電極膜25をマスク蒸着等により形成し、さらにグレー
ズ24およびグレーズ24上の電極膜25上にNi合金薄膜26を
真空蒸着法またはスパッタリング法により形成する。次
にフォトエッチング法により、Ni合金薄膜26を所望のパ
ターンに形成後、厚膜電極23のうちリードフレームをハ
ンダ付けする部分23aを除いた部分および電極膜25とNi
合金薄膜26上に保護膜27を形成する。さらにリードフレ
ーム28を厚膜電極23aにハンダ付けし、ハンダ接合部を
熱硬化性樹脂29により被覆する。
なお本実施例において、絶縁基板はアルミナ等、厚膜
電極はAg−Pd等、電極膜はマスク蒸着によるCu等、磁電
変換薄膜はNi合金薄膜、また塗料は熱硬化性樹脂とした
が、同様な目的を達成できるものであれば何でもよい。
電極はAg−Pd等、電極膜はマスク蒸着によるCu等、磁電
変換薄膜はNi合金薄膜、また塗料は熱硬化性樹脂とした
が、同様な目的を達成できるものであれば何でもよい。
また、厚膜電極、電極膜およびNi合金薄膜を形成する
際の順序は問わない。
際の順序は問わない。
発明の効果 以上のように本発明によれば、グレーズと厚膜電極が
接合しないため、それぞれを最適の条件で焼成等を行い
形成することができ、また、グレーズ上に形成された電
磁変換薄膜とリードフレーム接合用の厚膜電極とを、任
意な厚みの電極膜で接合し導通させるため、磁気センサ
として十分な特性を有し、さらに信頼性を大幅に向上さ
せることができるという効果が得られる。
接合しないため、それぞれを最適の条件で焼成等を行い
形成することができ、また、グレーズ上に形成された電
磁変換薄膜とリードフレーム接合用の厚膜電極とを、任
意な厚みの電極膜で接合し導通させるため、磁気センサ
として十分な特性を有し、さらに信頼性を大幅に向上さ
せることができるという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例による磁気センサを示す断面
図、第2図,第3図および第4図はそれぞれ従来の磁気
センサを示す断面図である。 22……絶縁基板、23……厚膜電極、24……グレーズ、25
……電極膜、26……Ni合金薄膜、27……保護膜、28……
リードフレーム、29……熱硬化性樹脂。
図、第2図,第3図および第4図はそれぞれ従来の磁気
センサを示す断面図である。 22……絶縁基板、23……厚膜電極、24……グレーズ、25
……電極膜、26……Ni合金薄膜、27……保護膜、28……
リードフレーム、29……熱硬化性樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 元川 勝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−262488(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁基板上に形成された厚膜電極と、前記
絶縁基板上に前記厚膜電極と接合しないように形成され
た表面平滑性に優れたグレーズと、このグレーズ上に形
成された磁電変換薄膜と、前記厚膜電極と前記磁電変換
薄膜とを導通させる機能を有する電極膜とを備えたこと
を特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63125211A JP2674088B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63125211A JP2674088B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01293675A JPH01293675A (ja) | 1989-11-27 |
JP2674088B2 true JP2674088B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=14904628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63125211A Expired - Fee Related JP2674088B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2674088B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63125211A patent/JP2674088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01293675A (ja) | 1989-11-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |