JPS638081Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はチツプ抵抗体に係り、特に絶縁基板上
に形成される電極のストレスクラツクの発生を抑
制したチツプ抵抗体に関する。

第１図は、従来のチツプ抵抗体の断面図であ
る。図中の１はセラミツクスなどからなるチツプ
状の絶縁基体、２はその絶縁基板１の両端面から
上面の一部にかけて対向するように形成された銀
などからなる対向電極、３は一方の対向電極２の
上面から絶縁基板１の上面ならびに他方の対向電
極２の上面にかけて形成された抵抗体、４は抵抗
体３を被覆する合成樹脂などからなる保護被膜
で、それの両端部は抵抗体３を乗り越えて対向電
極２上に達している。５は対向電極２の外側を覆
うスズメツキなどからなるメツキ層で、その上端
は前記保護被膜４の端部と接している。

ところで従来のこのチツプ抵抗体では、抵抗体
３を越えて電極２上に張り出した保護被膜４とメ
ツキ層５の境界において、両方の膜の熱伸縮率な
どの特性の差異によつて歪みが生じる。そのため
保護被膜４とメツキ層５との接合部の真下にある
電極２にストレスが加わり、電極２にクラツクな
どが生じることがある。特にこのクラツクの発生
は、メツキ層５上に半田層を形成する場合に熱的
影響を受けて助長される傾向にある。さらに保護
被膜４で電極２の一部が覆われているから、その
分だけ半田ランドが狭くなり、チツプ抵抗体の半
田による取付け強度が十分でなかつた。

本考案はこのような従来技術の欠点を解消した
もので、実施例を第２図とともに説明する。

従来と同様に、絶縁基板１の両端面から上面の
一部にかけて対向するように２つの電極２，２が
形成される。そして一方の電極２の上面から絶縁
基板１の上面ならびに他方の電極２の上面にかけ
て抵抗体３が形成される訳であるが、抵抗体３の
端部は従来のものよりも若干外側に延びており、
電極２と重なり合う面積が増大している。

抵抗体３の上面に合成樹脂からなる保護被膜４
が形成されるが、その端部４ａは抵抗体３の端部
３ａまでは延びておらず、抵抗体３の端部３ａが
保護被膜４から露出した形になつている。そして
前記電極２の外側はスズメツキなどからなるメツ
キ層５で覆われ、それの上端５ａは保護被膜４か
ら露出している抵抗体３の端部３ａを覆い、保護
被膜４の端部４ａと接するところまで延びてい
る。この実施例では保護被膜とメツキ層との境界
部分と電極との間に抵抗体を介在したが、本考案
はこれに限定されることなく、抵抗体の代りに無
機質などの層を形成してもよい。

以上説明したように本考案によれば、保護被膜
とメツキ層の境界の真下には介在層が設けられて
いるため、保護被膜とメツキ層との特性の差異に
よつて歪みが生じても、そのストレスが直接電極
にかかることはない。また抵抗体などの上に形成
されるメツキ層は電極上に形成されるメツキ層に
比して粗になるため、抵抗体におよびストレスが
弱い。このようなことから電極でのストレスクラ
ツクの発生を抑制することができ、信頼性の高い
チツプ抵抗体が得られる。

さらに、抵抗体の上にもメツキ層が形成され、
それが半田ランドの一部となるため、従来のもの
よりも半田ランドが拡大でき、チツプ抵抗体の取
付強度を増大することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のチツプ抵抗体の断面図、第２図
は本考案の実施例に係るチツプ抵抗体の断面図で
ある。 １……絶縁基板、２……電極、３……抵抗体、
３ａ……抵抗体の端部、４……保護被膜、４ａ…
…保護被膜の端部、５……メツキ層、５ａ……メ
ツキ層の上端。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁基板上に所定の間隔をおいて対向電極を
   設け、一方の電極の上面から絶縁基板の上面な
   らびに他方の電極の上面にかけて抵抗体を形成
   し、その抵抗体の表面に保護被膜が、前記電極
   の表面にメツキ層がそれぞれ形成されているチ
   ツプ抵抗体において、前記保護被膜とメツキ層
   との境界部分と前記電極との間に介在層が設け
   られていることを特徴とするチツプ抵抗体。 (2) 実用新案登録請求の範囲第(1)項記載におい
   て、前記介在層が抵抗体であることを特徴とす
   るチツプ抵抗体。