JPH051956Y2 - - Google Patents

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JPH051956Y2
JPH051956Y2 JP1987135218U JP13521887U JPH051956Y2 JP H051956 Y2 JPH051956 Y2 JP H051956Y2 JP 1987135218 U JP1987135218 U JP 1987135218U JP 13521887 U JP13521887 U JP 13521887U JP H051956 Y2 JPH051956 Y2 JP H051956Y2
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discharge
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resistor
nonlinear resistor
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【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、放電間〓を形成した電極間に電圧非
直線抵抗体を接続して気密容器中に封入したサー
ジ吸収素子に係り、特に、電極の形状及び該電極
と電圧非直線抵抗体との接続形態を改善すること
により、寿命特性の向上を図つたサージ吸収素子
に関する。
[従来の技術] 従来、電子機器に加わる過渡的な異常電圧や誘
導雷等のサージから電子回路素子を保護するた
め、電圧非直線抵抗体より成るバリスタや気密容
器中に封入した放電間〓の放電現象を利用するア
レスタ等、種々のサージ吸収素子が用いられてお
り、本考案者も、既に、放電間〓を形成した電極
間に電圧非直線抵抗体を介在させて放電間〓と電
圧非直線抵抗体とを並列接続し、これを気密容器
中に封入したサージ吸収素子を提案(実願昭61−
147033号)している。
上記サージ吸収素子1は、第3図に示す如く、
一対の棒状電極3,3を略平行に対向配置して放
電間〓4を形成し、上記電極3,3の略中央部に
円板形状を有する電圧非直線抵抗体2を貫通させ
て上記放電間〓4と電圧非直線抵抗体2とを並列
接続し、これを放電ガスと共に気密容器5中に封
入して、上記電極3,3に接続された外部端子
6,6を上記気密容器5外へ導出した構造を有し
ている。
而して、上記サージ吸収素子1にクリツプ電圧
以上のサージが印加された場合、直ちに電圧非直
線抵抗体2に電流が流れてサージ吸収が開始さ
れ、この電流による電圧非直線抵抗体2の電圧降
下が放電間〓4の放電開始電圧以上になると、電
極3,3間にグロー放電を経て、アーク放電が生
成し、これによつて大電流のサージが吸収され
る。上述の如く、上記サージ吸収素子1は、バリ
スタの速応性とアレスタの大電流耐量性とを合わ
せ持つ優れたサージ吸収特性を有するものであ
る。
[考案が解決しようとする問題点] ところが、上述の構造を有するサージ吸収素子
1にあつては、サージ電流が、電圧非直線抵抗体
2の電極3,3に挟まれた部分に集中し、サージ
が繰り返し印加された場合には、電圧非直線抵抗
体2に部分的劣化を生じる恐れがある。
また、サージ吸収によるアーク放電が、電圧非
直線抵抗体2の極近傍に於いても生じるため、電
極3,3からのスパツタ物質が電圧非直線抵抗体
2の表面に付着して電極3,3間の絶縁が劣化
し、甚だしい場合には短絡に至る恐れがあり、こ
れらのことがサージ吸収素子1の寿命を低下させ
るという問題が生じる。
本考案は、上述の点に鑑み案出されたもので、
放電間〓と電圧非直線抵抗体との並列接続構造を
有するサージ吸収素子の優れたサージ吸収特性を
保持しつつ、その寿命特性を向上させたサージ吸
収素子を実現することを目的とする。
[問題を解決するための手段] 上述の目的を達成するため、本考案のサージ吸
収素子は、一対の電極を対向させて放電間〓を形
成し、上記電極間に電圧非直線抵抗体を接続し
て、上記放電間〓と電圧非直線抵抗体とを並列接
続し、これを放電ガスと共に気密容器中に封入し
たサージ吸収素子に於いて、上記電極を基部周縁
から側壁部を立ち上げたキヤツプ形状に、また上
記電圧非直線抵抗体を少なくとも一対の対向面と
該対向面を取り囲む側面を備えた形状にそれぞれ
形成し、上記各電極の側壁部内面によつて上記電
圧非直線抵抗体の側面が覆われると共に、各電極
の側壁部先端が上記電圧非直線抵抗体の側面から
所定距離はなれた空間において放電間〓を隔てて
対向するように、上記各電極の基部を上記電圧非
直線抵抗体の両対向面にそれぞれ接続し、上記電
圧非直線抵抗体の対向面間の電圧が所定の放電開
始電圧以上になつた場合に、上記放電間〓におい
て励起放電が生じるように、上記放電ガスの圧力
と上記放電間〓の間〓長との積の値をパツシエン
の法則における放電開始電圧の最小値付近に設定
すると共に、その放電電流の増大にともなつて上
記励起放電が上記各電極の側壁部外面間に転移し
て主放電を形成するように、上記各電極の側壁部
内面と電圧非直線抵抗体の側面との距離を設定し
たことを特徴とするものである。
[作用] 本考案は、上述の如き構成であり、電極の基部
が電圧非直線抵抗体の両対向面に接続されている
ので、サージ電流は電圧非直線抵抗体中を均一に
流れ、電流集中による劣化を生じることがない。
また、サージ吸収による放電は、励起放電が電
圧非直線抵抗体から所定距離はなれた電極の側壁
部先端間で開始し、しかも、電極のスパツタを伴
う主放電が側壁部外面間に於いて生成するため、
スパツタ物質が電圧非直線抵抗体の表面に付着す
ることはほとんどなくなる。
[実施例] 以下、図面に基づいて本考案の一実施例を説明
する。
図は、本考案の一実施例に係るサージ吸収素子
を示すもので、第1図は断面図、第2図は要部分
解斜視図である。図に於いてサージ吸収素子1
は、対向する両面が長円形状を有する電圧非直線
抵抗体2の両面に、それぞれ、上記抵抗体2を覆
う様に、キヤツプ形状に形成された一対の電極
3,3を被せて接続して上記電極3,3間に放電
間〓4を形成し、上記電圧非直線抵抗体2と放電
間〓4とを並列接続して、これを希ガス(He,
Ne,Ar等)や窒素ガス等の不活性ガス或いは六
弗化硫黄ガス等より適宜選定された放電ガスと共
に、ガラスバルブより成る気密容器5中に封入
し、更に、上記電極3,3に接続されたデユメツ
ト線や42−6合金より成る外部端子6,6を上記
気密容器5に固定すると共に、これを貫通させて
外部へ導出した構造と成されている。
上記電圧非直線抵抗体2は、ZnOやBaTiO3
の金属酸化物を主体として、これに少量の添加物
を加えた材料を、長径5〜6[mm]、短径2〜3
[mm]程度の長円形状の両面を対向させた厚さ1.5
〜3[mm]程度の長円板形状とし、長円の略中央
に両面を貫く貫通孔2aを穿つて、焼結させたも
のであり、その両面には電極3,3との接続性を
良好なものとするために導電性塗料より成るバリ
スタ電極7,7が形成され、更に、その側周面に
はビスマスガラスより成る保護膜8が形成されて
電極3,3間の放電による電圧非直線抵抗体2の
還元を防いでいる。尚、上記電圧非直線抵抗体2
の形状は、その両面形状が円形や多角形等、他の
形状であつても差し支えなく、要は、両面が対向
していれば良い。
また、上記電極3,3は、厚さ0.2[mm]程度の
アルミニウム板を、中央に貫通孔3a,3aを穿
つた長円形状の基部3b,3bの周縁から側壁部
3c,3cを立ち上げたキヤツプ形状にプレス加
工して形成したもので、上記側壁部3c,3cの
先端がわずかに外開きと成されている。尚、上記
電極3,3の形状も長円形状に限られることな
く、上記電圧非直線抵抗体2の形状と対応した形
状で、その内寸が上記抵抗体2の外形寸法より若
干大きいものであれば良い。
上記電圧非直線抵抗体2と電極3,3との接続
に際しては、上記抵抗体2の両面に、それぞれ導
電性接着剤層9,9を形成し、上記電極3,3の
側壁部3c,3c内面によつて電圧非直線抵抗体
2の側周面が覆われるように、上記導電性接着剤
層9,9に電極3,3の基部3b,3b内面を当
接させ、上記側壁部3c,3cの内面が電圧非直
線抵抗体2の側周面との間に所定の距離を保つ
て、上記側壁部3c,3c先端が電圧非直線抵抗
体2の側周面から所定距離はなれた空間で対向し
て放電間〓4が形成される様に配置し、この状態
で上記電圧非直線抵抗体2の貫通孔2a及び電極
3,3の貫通孔3a,3aにセラミツクピン10
を挿通させてプツシユナツト11で固定してい
る。導電性接着剤層9,9とセラミツクピン1
0、プツシユナツト11との併用により電気的及
び機械的接続性が向上する。
而して、本考案のサージ吸収素子1にクリツプ
電圧以上のサージが印加された場合、直ちに電圧
非直線抵抗体2を通してサージ電流が流れてサー
ジ吸収が開始され、このサージ電流の電流値と上
記電圧非直線抵抗体2の抵抗値との積に相当する
電圧降下が電圧非直線抵抗体2の両面間、即ち、
電極3,3間に生ずる。
次いで、上記電圧降下が所定値以上となると、
エツジ効果による電界集中によつて、電電極3,
3の側壁部3c,3c先端間の放電間〓4に励起
放電(この場合の放電はグロー放電)が生じる。
この場合、上記電極3,3の側壁部3c,3c先
端の放電面積を小さくして、サージ電流の増大に
よつてこの部分の電流密度が飽和する様に形成
し、更に、上記電極3,3の側壁部3c,3c内
面と電圧非直線抵抗体2の側周面との距離を小さ
くして、電圧非直線抵抗体2表面の消イオン効果
により上記電極3,3の側壁部3c,3c内面に
放電が生成し難く形成しておけば、上記励起放電
は、瞬時に電極3,3の側壁部3c,3c外面間
に転移して大電流を通ずる主放電(この場合の放
電はアーク放電)を形成し、これによつて大電流
のサージが吸収される。
尚、上述の如く、通常、励起放電は、エツジ効
果のある電極3,3の側壁部3c,3c先端間に
形成された放電間〓4に於いて生成するが、放電
ガス圧Pと上記放電間〓4の間〓長dとの関係
を、放電開始電圧Vsに関するパツシエンの法則
によるガス圧Pと放電間〓長dとの積(P・d
値)がVsの最小値付近となる様に設定すれば、
上記放電間〓4での放電開始がより確実となる。
また、上述した電極3,3の側壁部3c,3c内
面と電圧非直線抵抗体2の側周面との距離lは、
電極側壁部3c,3cの内面に放電を生成させな
いためには、できるだけ小さい方が良いが、小さ
すぎると電極側壁部3c,3cの外面間での放電
によるスパツタ物質が電圧非直線抵抗体2の側周
面まで飛来する恐れがあり、逆に上記距離lが大
きすぎると電極3,3の側壁部3c,3c内面へ
放電が転移する恐れがあり、適宜設定する必要が
ある。
上記d,l,P,Vsの値は、これら相互及び
放電ガスの種類、クリツプ電圧と密接に関連して
決定される。一例を挙げれば、上述した実施例に
於いて、クリツプ電圧を360[V]、Vsを410[V]
に設定し、Arを主体とした放電ガスを300
[Torr]封入した場合には、dが0.65[mm]、lが
電極側壁部3c,3cの先端側で0.4[mm]、基部
側で0.15[mm]となる。
[考案の効果] 以上詳述の如く、本考案のサージ吸収素子は、
電圧非直線抵抗体の両対向面に電極の基部が接続
されているので、サージ電流は上記抵抗体中を均
一に流れ、電流集中による部分劣化を生じること
がない。
また、サージ吸収による放電は、励起放電が電
圧非直線抵抗体の側面から所定距離はなれた電極
の側壁部先端間で開始し、しかも、電極のスパツ
タを伴う主放電が、電極の側壁部外面間に於いて
生成するため、スパツタ物質が電圧非直線抵抗体
の表面にほとんど付着せず、絶縁劣化や短絡の恐
れがなくなる。
この様に、本考案のサージ吸収素子は、電圧非
直線抵抗体の劣化及び電圧非直線抵抗体の表面に
付着するスパツタ物質に起因する寿命低下を防止
して寿命特性が向上し、サージに対する速応性と
大電流耐量性という優れたサージ吸収特性を遺憾
なく発揮し得るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、本考案の一実施例を示
し、第1図は断面図、第2図は要部分解斜視図で
あり、第3図は従来例の斜視図である。 1……サージ吸収素子、2……電圧非直線抵抗
体、3,3……電極、3b,3b……基部、3
c,3c……側壁部、4……放電間〓、5……気
密容器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一対の電極を対向させて放電間〓を形成し、上
    記電極間に電圧非直線抵抗体を接続して、上記放
    電間〓と電圧非直線抵抗体とを並列接続し、これ
    を放電ガスと共に気密容器中に封入したサージ吸
    収素子に於いて、上記電極を基部周縁から側壁部
    を立ち上げたキヤツプ形状に、また上記電圧非直
    線抵抗体を少なくとも一対の対向面と該対向面を
    取り囲む側面を備えた形状にそれぞれ形成し、上
    記各電極の側壁部内面によつて上記電圧非直線抵
    抗体の側面が覆われると共に、各電極の側壁部先
    端が上記電圧非直線抵抗体の側面から所定距離は
    なれた空間において放電間〓を隔てて対向するよ
    うに、上記各電極の基部を上記電圧非直線抵抗体
    の両対向面にそれぞれ接続し、上記電圧非直線抵
    抗体の対向面間の電圧が所定の放電開始電圧以上
    になつた場合に、上記放電間〓において励起放電
    が生じるように、上記放電ガスの圧力と上記放電
    間〓の間〓長との積の値をパツシエンの法則にお
    ける放電開始電圧の最小値付近に設定すると共
    に、その放電電流の増大にともなつて上記励起放
    電が上記各電極の側壁部外面間に転移して主放電
    を形成するように、上記各電極の側壁部内面と電
    圧非直線抵抗体の側面との距離を設定したことを
    特徴とするサージ吸収素子。
JP1987135218U 1987-09-04 1987-09-04 Expired - Lifetime JPH051956Y2 (ja)

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JPS6440238U JPS6440238U (ja) 1989-03-10
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5416646A (en) * 1977-04-23 1979-02-07 Dehn & Soehne Device for protection against overvoltage

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5416646A (en) * 1977-04-23 1979-02-07 Dehn & Soehne Device for protection against overvoltage

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