JP2016011964A - 1200℃膜抵抗体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積させ、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、前記セラミック中間層上に自立するカバーを結合するか、又は前記中間層の全面にガラスセラミックを取り付けることを特徴とする、高温センサの製造方法
【選択図】図1
Description
1. スパッタエッチングによりセラミック基板の焼成膜を除去する;
2. Al2O3薄膜2を堆積する;
3. セラミック基板1として形成された支持体2上の前記Al2O3薄膜2上に白金薄膜3を堆積する;
4. 前記Pt薄層3をフォトリソグラフィーにより構造化する;
5. 前記パッド4をカバーする;
6. Al2O3薄層7を蒸着するか又はマグネトロンスパッタリング又は溶射によりAl2O3遮断層として拡散バリア7を堆積する。端子コンタクト面4の被覆は、シャドウマスクを使用することにより妨げる。
8. ガラスセラミック10を、ガラスセラミックペースト又はガラスセラミックスラリーを使用して堆積する;
9. セラミックカバー11を設ける;
10. 応力除去ビード9をコンタクトパッド5の範囲内に堆積する;
11. 個々の抵抗センサにするため、基板領域又は複数基板をソーイングにより個別化する。
Claims (15)
- 白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積させ、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、前記セラミック中間層上に自立するカバーを結合するか、又は前記中間層の全面にガラスセラミックを取り付けることを特徴とする、高温センサの製造方法。
- ガラスセラミックを有する自立するセラミックカバーをセラミック中間層の全面に結合することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 自立するセラミックカバーを石英ガラスセラミックでセラミック中間層に結合することを特徴とする、請求項2記載の方法。
- ガラスセラミックを中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- ガラスセラミックは750℃より高くでは導電性であるか又はイオン伝導性であることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- カバーを金属でドープされたガラスセラミックで結合し、前記ガラスセラミックは中間層を越えて抵抗膜パターンのカソードにまで設けられることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 白金抵抗膜パターンを金属酸化物基板上に堆積し、前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を設ける、高温センサの製造方法において、石英ガラスセラミックを被覆として、前記セラミック中間層上に結合することを特徴とする、高温センサの製造方法。
- 抵抗膜のためのコンタクトフィールド(パッド)を中間層で覆わず、セラミック中間層を設けた後でかつカバーを結合する前に端子線を前記コンタクトフィールドに接続することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 金属酸化物基板上にコンタクトパッドと前記パッドに接続するPt抵抗膜パターンとを備えかつ前記抵抗膜パターン上にセラミック中間層を備えた高温センサチップにおいて、前記セラミック中間層の全面にガラスセラミック又は酸化物材料又は金属でドープされた酸化物材料からなるカバーが取り付けられていることを特徴とする、高温センサチップ。
- カバーはガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミック及びセラミックプレートからなることを特徴とする、請求項9記載の高温センサチップ。
- ガラスセラミックは石英ガラスセラミックであるか又は中間層を越えてカソードにまで延在することを特徴とする、請求項10記載の高温センサチップ。
- 高温センサチップは配線された膜抵抗体であることを特徴とする、請求項10又は11記載の高温センサチップ。
- 中間層により覆われていない抵抗膜のためのコンタクトパッドが、それぞれ端子線と接続されていることを特徴とする、請求項12記載の高温センサチップ。
- 電気絶縁性表面を有する金属酸化物基板と、前記表面に配置された白金測定抵抗体とからなり、電気端子と、前記白金測定抵抗体を覆うが前記電気端子を覆っていない、特にAl2O3又はMgO又はTa2O5からなるセラミック膜とを有し、その際、前記電気絶縁性中間層はガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックで被覆されていて、前記ガラスセラミックは850℃以上で高くても1メガオーム/スクエアの抵抗率を有する、特に請求項9から13までのいずれか1項記載の高温センサチップ。
- セラミックカバーをセラミック中間層に結合するガラスセラミック又は金属でドープされたガラスセラミックがカソード電位を有する、請求項9から14までのいずれか1項記載の高温センサの使用。
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