JP2015534082A - 温度プローブおよび温度プローブの製造方法 - Google Patents

温度プローブおよび温度プローブの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015534082A
JP2015534082A JP2015541054A JP2015541054A JP2015534082A JP 2015534082 A JP2015534082 A JP 2015534082A JP 2015541054 A JP2015541054 A JP 2015541054A JP 2015541054 A JP2015541054 A JP 2015541054A JP 2015534082 A JP2015534082 A JP 2015534082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
platelets
temperature probe
platelet
ntc sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015541054A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6096918B2 (ja
Inventor
ヤン イーレ,
ヤン イーレ,
ゲラルド クロイバー,
ゲラルド クロイバー,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of JP2015534082A publication Critical patent/JP2015534082A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6096918B2 publication Critical patent/JP6096918B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor

Abstract

少なくとも2つの第1のセラミック小板,これらの間に配設されている少なくとも1つの第2のセラミック小板,および2つの第3のセラミック小板を備えた温度プローブが提供される。2つのセラミック小板は、NTCセンサ素子が配設されている空隙部を備える。第2のセラミック小板と2つの第1のセラミック小板との間には、電極が配設されており、NTCセンサ素子の1つを電気的に接続している。第1のセラミック小板および第2のセラミック小板は、2つの第3のセラミック小板の間に配設されている。さらに第3のセラミック小板と第1のセラミック小板の間には、1つの電極が配設されており、NTCセンサ素子の1つと電気的に接続されている。NTCセンサ素子は、セラミック小板によって完全に包囲されており、第1,第2,第3のセラミック小板およびNTCセンサ素子は、1つのセラミック体に焼結されている。さらに温度プローブの製造方法が提供される。【選択図】 図1J

Description

本発明は温度プローブおよび温度プローブの製造方法に関する。
監視および制御のために温度を測定することは、様々なアプリケーションを用いて行われており、たとえばセラミックの高温導電体サーミスタ素子(NTC thermistor、“negative temperature coefficient thermistor”),シリコン温度センサ(たとえばいわゆるKTY温度センサ),白金温度センサ(PRTD,“platinum resistance temperature detector”),または熱電対(TC,“Thermocouple”)を用いて行われている。充分な機械的剛性のため、外部の影響に対する保護のため、および侵食性の媒体による腐食を避けるため、およびNTC材料あるいは電極におけるガス雰囲気によって温度で左右される材質変化を避けるために、一般的にセラミックセンサ素子には、ポリマーまたはガラスからなるカバーが設けられている。このようなセンサ素子(複数)の最高使用温度は、ポリマー被覆の場合は約200℃に制限されており、ガラス被覆の場合は約500℃〜700℃に制限されている。
ここに記載するセンサ素子(複数)は、しかしながら容易に非常に高い温度の測定およびまたはとりわけ侵食性の媒体における測定に連続的に使用することができる。しかしながら侵食性の媒体での使用を可能とするため、これらのセンサ素子は、しばしばプラスチックハウジングまたはステンレスハウジング内に組み入れられている。この素子への熱的接続を形成するため、追加として非常にしばしば埋込用材料(Vergussmaterialien)が用いられる。このように構築されたシステムの大きな欠点は、この追加の構造で決定される伝熱および使用される材料の小さな熱伝導によるこのシステムの応答時間の遅延である。
センサ素子のできる限り小さな抵抗許容誤差を達成するため、その製造においてこのセンサ素子をカバーする前に、この抵抗は機械加工、たとえばトリミング、グラインディングによって、あるいはガラスカバーのセンサ素子の場合には、テンパリング(Tempern)によって、再調整することができる。抵抗の再調整は、既にカバーされたセンサ(複数)ではしかしながら限定的に可能である。
本発明の少なくとも幾つかの実施形態の課題は、高い堅牢性および短い応答時間を備えた温度プローブを提供することである。さらに本発明のいくつかの実施形態での解決すべき課題は、温度プローブを製造する方法を提供することである。
これらの課題は、独立請求項に記載の物および方法によって解決される。本発明の有利な実施形態および変形実施例は、従属項および以下の記載と図から示される。
本発明の少なくとも1つの実施形態による温度プローブは、少なくとも2つの第1のセラミック小板(Keramikplattchen)を備え、これらのセラミック小板はそれぞれ1つの空隙部を備えている。これらの空隙部には、好ましくはそれぞれ1つのNTCセンサ素子が配設されている。これらの空隙部は、たとえばそれぞれ1つの空洞部であってよく、この空洞部はこのセラミック小板の1つの表面からこれと反対側にあるこのセラミック小板のの1つの表面まで達している。これらの空隙部は、それぞれ横方向で、すなわち上記の第1のセラミック小板の主伸長方向に平行な方向で、それぞれの第1のセラミック小板の材料を包囲しており、こうしてそれぞれのNTCセンサ素子が横方向でそれぞれの第1のセラミック小板の材料から包囲されている。さらにこの温度プローブは、少なくとも1つの第2のセラミック小板を備え、この第2のセラミック小板は第1のセラミック小板(複数)の間に配設されている。この第2のセラミック小板は、好ましくは2つの第1のセラミック小板の間に直に配設されており、すなわちこの2つの第1のセラミック小板の1つと第2のセラミック小板との間、およびこの第2のセラミック小板と上記のさらなる上記の2つの第1のセラミック小板と2つの第1のセラミック小板のもう1つとの間には、さらなるセラミック小板は全く配設されていない。この第2のセラミック小板と上記の2つの第1のセラミック小板との間には、それぞれ1つの電極が配設されており、これらの電極はそれぞれNTCセンサ素子(複数)の1つを電気的に接続している。
この温度プローブは、さらに2つの第3のセラミック小板を備える。上記の第1のセラミック小板(複数)および第2のセラミック小板は、この2つの第3のセラミック小板の間に配設されている。ここで好ましくは、この第1のセラミック小板(複数)と第3のセラミック小板(複数)との間には、さらなるセラミック小板は全く配設されていない。これらの第1,第2,および第3のセラミック小板は、好ましくは1つの積層体を形成する。第3のセラミック小板(複数)と第1のセラミック小板(複数)との間にはそれぞれ1つの電極が配設されており、この電極は、それぞれNTCセンサ素子(複数)の1つを電気的に接続している。第2のセラミック小板と第1のセラミック小板(複数)との間に配設された電極、および第1のセラミック小板(複数)と第3のセラミック小板(複数)との間に配設された電極は、たとえばCu,Ag,Au,Pt,MoおよびWから選択された1つ以上の材料を含んでよく、またはそれらから成っていてよい。さらにこれらの電極は、たとえばAgPdのような合金を含んでよく、または合金から成っていてよい。たとえばこれらの電極は、シルクスクリーン印刷処理を用いて塗布されていてよい。
上記のNTCセンサ素子(複数)は、好ましくはそれぞれ上記のセラミック小板によって完全に包囲される。具体的には、これらのNTCセンサ素子は、それぞれ複数の側面を備え、これらの側面はそれぞれすべてセラミック小板で囲まれている。こうしてこれらのNTCセンサ素子は、セラミック小板の内部に埋設することができる。さらに上記の第1のセラミック小板(複数),第2のセラミック小板,および第3のセラミック小板(複数)と上記のNTCセンサ素子(複数)は、1つのセラミック体に焼結される。好ましくは上記の第1のセラミック小板(複数),第2のセラミック小板,および第3のセラミック小板(複数)と上記のNTCセンサ素子(複数)は、1つの共通の焼結処理で上記のセラミック体に焼結され、ここでこれらのセラミック小板およびNTCセンサ素子は、この共通な焼結処理の前にまだ焼結されていない材料として、たとえばセラミック小板の場合にはまだ焼結されていないセラミックシートとして、またはNTCセンサ素子の場合にはまだ焼結されていないセラミックセンサ材料として、存在している。
NTCセンサ素子の利用によって本発明による温度プローブの製造コストを小さくすることができ有利である。NTCセンサ素子のさらにもう1つの利点は、たとえば熱電対または金属抵抗素子、たとえばPt素子のように、顕著に負の抵抗温度特性を有していることである。
もう1つの実施形態によれば、本発明による温度プローブは、少なくとも3つの、複数の第1のセラミック小板と複数の第2のセラミック小板とを備える。これらの少なくとも3つの第1のセラミック小板は、それぞれ1つの空隙部を有し、これらのこれらの空隙部には1つのNTCセンサ素子が配設されている。これらの第1および第2のセラミック小板(複数)は、交互に重なり合って上記の第3のセラミック小板(複数)の間に配設されている。この際各々の第2のセラミック小板は、直に2つの第1のセラミック小板の間に配設されている。さらにこれらの第2のセラミック小板(複数)と第3のセラミック小板(複数)との間には、それぞれ1つの電極がそれぞれのNTCセンサ素子の接続のために配設されている。
もう1つの実施形態によれば、本発明による温度プローブは、少なくとも2つの第4のセラミック小板を備え、上記の第1,第2,および第3のセラミック小板は、これら少なくとも2つの第4のセラミック小板の間に配設されている。好ましくはこれらの2つの第4のセラミック小板は、それぞれ上記の第1のセラミック小板に向いていない上記の第3のセラミック小板の面と直に接して配設されている。たとえばこれらの第4のセラミック小板は、上記の第3のセラミック小板と同一の形状および大きさを有し、これらの第3のセラミック小板と全面的に結合されており、この際接触している第3および第4のセラミック小板の間には、さらなる素子は全く配設されていない。これらの第4のセラミック小板は、その間に配設されたセラミック小板(複数)および上記のNTCセンサ素子(複数)と共に、上記のセラミック体に焼結される。本発明による温度プローブは、さらに加えて、さらなる第4のセラミック小板を備えてよく、ここで上記の第1のセラミック小板(複数),上記の第2のセラミック小板または上記の第2のセラミック小板(複数),上記の第3のセラミック小板(複数),および上記の第4のセラミック小板(複数)は、これらのさらなる第4のセラミック小板(複数)の間に配設されていてよい。これらのさらなる第4のセラミック小板は、好ましくは同様にその間に配設されたセラミック小板(複数)およびNTCセンサ素子(複数)と共に焼結される。これらの第4のセラミック小板によって、この温度プローブの安定性と堅牢性を高めることができる。
もう1つの実施形態によれば、NTCセンサ素子(複数)は、Y,Ca,Cr,Al,Oの元素を含むペロブスカイト構造を有する。さらにこれらのペロブスカイトをベースにしたNTCセンサ素子は、元素Snを含んでよい。
もう1つの実施形態によれば、センサ素子(複数)は、それぞれ一般化学式ABO3のペロブスカイト構造を有する1つのセラミック材料を含む。特に、高温での使用に適合した、高温安定な温度プローブとするには、このようなセラミック材料を有するNTCセンサ素子が好ましい。とりわけ好ましくは、これらのセンサ素子は、(Y1-xCax)(Cr1-yAly)O3の組成を有し、x=0.03〜0.05およびy=0.85である。
もう1つの実施形態によれば、NTCセンサ素子(複数)は、Ni,Co,Mn,Oの元素を含むスピネル構造を有する。これらのスピネル構造をベースにしたNTCセンサ素子は、さらに1つ以上の以下の元素を含んでよい。Al,Fe,Cu,Zn,Ca,Zr,Ti,Mg。
もう1つの実施形態によれば、センサ素子(複数)は、それぞれ一般化学式AB24あるいはB(A,B)O4のスピネル構造を有する1つのセラミック材料を含む。このようなセラミック材料を有するNTCセンサ素子(複数)は、特に様々な適用温度の温度プローブで有利である。1つのとりわけ好ましい実施形態によれば、これらのNTCセンサ素子は、Co3-(x+y)NixMny4の組成を有し、x=1.32およびy=1.32である。
特にこれらのセンサ素子はすべて同じ材料を含んでよい。しかしながら、少なくとも2つのセンサ素子が異なる材料を含むことも可能である。
もう1つの実施形態によれば、上記のセラミック小板は、高い熱伝導性を有するセラミックを含み、あるいは高い熱伝導性を有するセラミックから成っていてよい。たとえばこれらのセラミック小板は、HTCCタイプ(HTCC:高温同時焼成セラミック“high temperature co-fired ceramic”)を含んでよく、またはこれから成っていてよい。1つのとりわけ好ましい実施形態によれば、これらのセラミック小板は、酸化アルミニウムを含み、または酸化アルミニウムから成っている。この酸化アルミニウムは、少なくとも95%〜99.9%またはこれ以上の純度を有すると有利である。高い純度ではこの温度プローブの機械的強度および化学的耐性に関する堅牢性が増大するので有利である。特にNTCセンサ素子がペロブスカイト構造のセラミックを含む場合には、これらのセラミック小板は、HTCCタイプのセラミック、とりわけ酸化アルミニウムを含むことが好ましい。さらにスピネル構造を有するHTCCタイプのセラミックを用いることも可能である。
もう1つの実施形態によれば、セラミック小板(複数)は、ガラスセラミックを含み、またはガラスセラミックから成っている。たとえばこれらのセラミック小板は、LTCCガラスセラミック(LTCC:低温同時焼成セラミック“low emperature co-fired ceramic”)を含んでよく、たとえばLTCC−GBC(GBC:ガラス接合セラミクス“glass bonded ceramics”)を含んでよく、またはこれから成っていてよい。特にスピネル構造を有するNTCセンサ素子では、ガラスセラミックを含むセラミック小板が好ましい。好ましくはこのガラスセラミックは、その焼結温度の観点からNTCセンサ素子の焼結温度に合わせられている。
ここで記載する温度プローブは、このNTCセンサ素子の完全セラミックカプセル化(vollkeramische Kapselung)によって、侵食性の媒体において1200°までの温度でとりわけ長期間安定であり、有利である。
さらに完全セラミックカプセル化およびこれによるNTCセンサ素子への材料結合のおかげで、応答時間は極めて小さく、セラミック小板の数,厚さ,および材料により、3秒より小さく、有利には1秒より小さくなる。セラミック小板の厚さが極めて薄い場合、および/または第4のセラミック小板の数が少ない場合には、温度プローブの応答時間は、ほんの数ミリ秒にさえなり得る。
もう1つの実施形態によれば、上記のセラミック小板は10μm〜100μmの厚さを有する。もう1つのとりわけ好ましい実施形態によれば、セラミック小板は15μm〜30μmの層厚を有する。以上により温度プローブの極めて小さな応答時間を達成することができ、有利である。
もう1つの実施形態によれば、NTCセンサ素子(複数)はそれぞれ、温度プローブの全ての表面への距離が少なくとも0.2mmである。これによってこの温度プローブの充分な堅牢性を達成することができる。
もう1つの実施形態によれば、本発明による温度プローブは、セラミック体上に取り付けられた2つの接続キャップを備える。これらの接続キャップは、好ましくはそれぞれ少なくとも2つの電極と電気的に導通して接続されている。これらの接続キャップは、たとえば温度プローブの一端に取り付けられていてよく、それぞれこの温度プローブの4つの側面を部分的に覆っている。これらの接続キャップは、温度プローブの外部への電気的接続に用いられる。これらの接続キャップは、たとえば、メタライジングペーストへの浸漬処理,スパッタリング,フレーム溶射,またはプラズマ溶射を用いて製造されていてよい。
もう1つの実施形態によれば、本発明による温度プローブの抵抗は、上記の接続キャップの少なくとも1つの機械的加工によって、調整可能である。この機械的加工は、たとえばトリミングまたは研磨処理であってよい。抵抗誤差の調整のために、たとえば温度プローブの抵抗の定格温度で抵抗が測定され、同時にあるいは続いて少なくとも1つの接続キャップが、この抵抗が所望の誤差内となるまでグラインディング(abgeschliffen)される。この際1つ以上の電極への1つ以上の電気的接続が機械的に分離される。このようにして温度プローブは極めて小さい抵抗誤差で製造することができ、有利である。たとえば1%未満の誤差を達成することができ、有利には0.1%までの誤差を達成することができる。
さらに本発明は、および温度プローブの製造方法を提示する。この製造方法で製造された温度プローブは、上述の実施形態の1つ以上の特徴を備えることができる。以上および以下に記載する実施形態は、温度プローブに有効であり、およびまたこの圧力センサの製造方法にも同様に有効である。
もう1つの実施形態によれば、少なくとも2つの第1のセラミックシート,少なくとも1つの第2のセラミックシート,および少なくとも2つの第3のセラミックシートが準備される。これらのセラミックシートは、たとえばシート流し込み処理(Foliengiesprozess)またはシート引き出し処理(Folienziehprozess)を用いて、好ましくは有機バインダを利用して、製造されている。さらなる製造ステップにおいて、上記の第1のセラミックシートそれぞれに、1つの空隙部がパンチ加工される。これらの空隙部は、好ましくはそれぞれ1つの第1のセラミックシートの一方の表面から、このセラミックシート自身の反対側にあるもう一方の表面へ延伸する空洞部である。
もう1つの実施形態によれば、さらなる方法ステップにおいて、上記の第3のセラミックシートの1つの上に1つの電極が、たとえばシルクスクリーン印刷を用いて塗布される。続いてこの第3のセラミックシート上に上記の2つの第1のセラミックシートの1つが直に配設され、この際上記の第3のセラミックシートの1つに塗布された電極は、少なくとも部分的に上記の第1のセラミックシートの空隙部に配設されている。この後セラミックのセンサ材料がこの第1のシートの空隙部に塗布され、こうしてこのセラミックのセンサ材料は、上記の第3のセラミックシートの電極を少なくとも部分的に覆っている。好ましくはこの際このセラミックのセンサ材料は、シルクスクリーン印刷を用いて塗布される。これに続くステップにおいて、もう1つの電極が上記の第1のセラミックシート上にシルクスクリーン印刷を用いて、このもう1つの電極がこのセラミックのセンサ材料に接触するように塗布される。これに続いてこの第1のセラミックシート上に、上記の第2のセラミックシートが取り付けられる。
もう1つの実施形態によれば、さらなる方法ステップにおいて、上記の第2のセラミックシート上に、好ましくはシルクスクリーン印刷を用いて1つの電極が塗布される。つぎの方法ステップにおいて、もう1つの第1のセラミックシートが、この第2のセラミックシート上に塗布された電極が、このもう1つの第1のセラミックシートの空隙部内に配設されるように、この第2のセラミックシート上に取り付けられる。これに続いて再びセラミックのセンサ材料がこの空隙部に、このセラミックのセンサ材料がこの下にある電極と接続されるように、塗布される。さらなる方法ステップにおいて、この第1のセラミックシート上に、2つ目の第3のセラミックシートが取り付けられる。上記のこれらの方法ステップによって、重なって積層されたセラミックシートおよび埋め込まれたセンサ材料からなる複合体が生成される。1つのセラミックシートの、別のもう1つのセラミックシートへの配設は、たとえばラミネーションを用いて行うことができる。
もう1つの実施形態によれば、この重なって積層されたセラミックシートおよび埋め込まれたセンサ材料から生成された複合体は、押圧される。これによってより良好な材料結合を確実にすることができる。
もう1つの実施形態によれば、この重なって積層されたセラミックシートおよび埋め込まれたセンサ材料からなる複合体は、熱的な脱バインダ処理を用いて、有機成分が取り除かれる。
もう1つの実施形態によれば、この積層されたセラミックシートおよびセンサ材料からなる複合体は、共に焼結される。この際これらのセラミックシートは、上記の互いに結合されたセラミック小板となって焼結される。この焼結は、特に焼結後にNTCセンサ素子を形成するセラミックのセンサ材料が「HTCC」タイプのセラミック、たとえばペロブスカイト構造またはスピネル構造を有する場合は、好ましくは1600℃〜1700℃の温度で行われる。代替として、この焼結は、特にセラミックのセンサ材料あるいはNTCセンサ素子が「LTCC」タイプのセラミック、たとえばスピネル構造を有するセラミックを含む場合は、1200℃〜1250℃の温度で行われる。
もう1つの実施形態によれば、この焼結の後で、少なくとも2つの接続キャップがセラミック体上に取り付けられる。このためこのセラミック体は、メタライジングペーストに浸漬され、付着したメタライジングペーストは続いて焼成される。もう1つの実施形態によれば、これらの接続キャップは、スパッタリング,フレーム溶射,またはプラズマ溶射を用いて取り付けられる。これらの接続キャップの各々は、好ましくは少なくとも2つの電極に接続している。これら2つの接続キャップを用いて、上記のNTCセンサ素子が並列に接続される。これらの接続キャップは、上記のNTCセンサ素子の外部への電気的接続に用いられる。
もう1つの実施形態によれば、上記の第1のセラミックシート(複数),第2のセラミックシート,および第3のセラミックシート(複数)の他に、さらに少なくとも2つの第4のセラミックシートが準備される。第3のセラミックシート上への第1のセラミックシートの配設のステップの前に行われる方法ステップにおいて、第3のセラミックシート(複数)の1つが、第4のセラミックシート上に直に配設される。さらにもう1つの第3のセラミックシートの、もう1つの第1のセラミックシート上への配設の後に行われる方法ステップにおいて、このもう1つの第3のセラミックシート上に直にもう1つの第4のセラミックシートが配設される。続いて上記の第1,第2,第3,および第4のセラミックシートから成る複合体が、上記で説明したセラミック小板を形成しながら、焼成される。この第4のセラミックシートは、ベースシート(Grundfolien)およびトップシート(Deckfolien)として機能し、温度プローブを有利に安定化する。
上記の第3のセラミックシート(複数)の間には、少なくとも3つの、複数の第1のセラミックシートおよび少なくとも2つの、複数の第2のセラミックシートが、少なくとも3つのセンサ素子が重なって配設されるために、上記で説明したように、交互に重なり合って取り付けられてよい。
もう1つの実施形態によれば、好ましくは定格温度で、温度プローブの抵抗が測定される。続いて機械的加工によって、この温度プローブの抵抗の接続キャップの少なくとも1つが調整される。この少なくとも1つの接続キャップは、この温度プローブの抵抗が誤差値内になるまでの間加工されてよい。この接続キャップの機械的加工は、たとえばグラインディング(Schleifen)またはトリミングによって行われてよい。
ここで説明したセラミック多層技術を用いて温度プローブを製造することによって、高い機械的強度を有する、極めて小さな形状の温度プローブを製造することができる。さらに、実現された安定したNTCセンサ素子の被覆によって、媒体への長期耐性および堅牢性が良好な温度プローブが短い応答時間と共に達成される。たとえばここで記載する温度センサは、上記のセンサ素子(複数)の完全セラミックカプセル化によって、約1100℃まで、特に侵食性の媒体あるいはガスにおいても使用可能である。さらに、極めて小さな抵抗誤差を有する温度プローブを製造することができ、有利であり、この抵抗誤差は接続キャップによって調整することができる。
もう1つの実施形態によれば、複数の温度プローブが生成され、ここで上記の第1のセラミックシート(複数)にそれぞれ複数の空隙部がパンチ加工され、この第1のセラミックシートを配設した後で、上記の複数の空隙部へそれぞれセラミックセンサ材料が記の第3のセラミックシート上に投入される。焼結処理および/または脱バインダ処理の前にセラミックシートからなる複合体は、裁断処理によって個々の素子に分離される。
本温度プローブのさらなる有利点および有利な実施形態を、図1A〜6に記載した実施形態を参照して、以下に示す。
1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 1つの実施例による温度プローブの製造方法を示す図である。 もう1つの実施例による温度プローブの製造方法のさらなるステップを示す図である。 もう1つの実施例による温度プローブの断面図である。 もう1つの実施例による温度プローブの概略外観図である。 図4に示す温度プローブの概略外観の切り欠き図である。 図5に示す温度プローブの一部の拡大図である。 もう1つの実施例による温度プローブの等価回路図である。
実施例及び図において、同等の、または同等に機能する構成要素には同じ参照符号が付されている。
図示されている要素及びそれら相互の大きさの関係は、基本的に寸法通りとはなっていない。
むしろたとえば層、部品および領域などの個々の要素をより見易くするため、および/またはより理解し易くするために誇張した厚さまたは大きさの寸法で示してある。
図1A〜1Jは、1つの実施例による温度プローブ1の製造方法を示す。ここでまず、それぞれ1つの空隙部110,120を備える2つの第1のセラミックシート15,16,1つの第2のセラミックシート25,および2つの第3のセラミックシート35,36,またセラミックセンサ材料50が準備される。これらのセラミックシート15,16,25,35,36は、酸化アルミニウムを含んでいる。代替として、これらのセラミックシート15,16,25,35,36は、別の、好ましくは熱伝導の良好なセラミック材料またはガラスセラミックを含んでいる。これらのセラミックシート15,16,25,35,36は、たとえばシート流し込み処理またはシート引き出し処理を用いて製造されてよく、10μm〜100μmの厚さを有し、好ましくは15μm〜30μmの厚さを有する。
セラミックセンサ材料50は、Y,Ca,Cr,Al,Oの元素を含むペロブスカイト構造を有する。具体的には、このセラミックセンサ材料50は、(Y1-xCax)(Cr1-yAly)O3の組成を有し、x=0.03〜0.05およびy=0.85である。代替としてこのセラミックセンサ材料50は、Ni,Co,Mn,Oの元素を含むスピネル構造であってよい。このようなセラミックセンサ材料50は、Co3-(x+y)NixMny4の組成を有し、x=1.32およびy=1.32である。
図1Aに示されている第1の方法ステップにおいて、シルクスクリーン印刷処理を用いて1つの電極311が第3のセラミックシート35の1つの上に塗布される。この後第1のセラミックシート15の1つが、図1Bに示す方法ステップにおいて、このように1つの第3のセラミックシート35上に取り付けられ、電極311は、少なくとも部分的に1つの第1のセラミックシート15の空隙部110内に配設されている。図1Cに示されているさらなる方法ステップにおいて、セラミックセンサ材料50は、空隙部110に投入されており、こうしてこのセラミックセンサ材料50は電極311に接触する。続いて図1Dに示される方法ステップにおいて、再び電極211がシルクスクリーン印刷処理を用いて1つの第1のセラミックシート15上に塗布され、こうしてこの電極211は、セラミックセンサ材料50に接触する。続いて図1Eに示す方法ステップにおいて、第2のセラミックシート25が、1つの第1のセラミックシート15上に配設される。これに続く図1Fに示す方法ステップにおいて、1つの電極212が第2のセラミックシート25上に塗布される。これに続いて、空隙部120を備えるさらなる第1のセラミックシート16が、図1Gに示す方法ステップにおいて第2のセラミックシート25上に取り付けられ、こうして電極212は、少なくとも部分的に空隙部120内に配設されている。図1Hに示されている方法ステップにおいて、再びセンサ材料50が、シルクスクリーン印刷処理を用いて空隙部120の中へ投入される。図1Iに示されているさらなる方法ステップにおいて、さらなる第3のシート36が、上記のさらなる第1のセラミックシート16上に取り付けられる。続いて図1Jに示されている方法ステップにおいて、複数のセラミックシートからなる複合体が1つのセラミック体6に焼結され、ここで第1,第2,および第3のセラミックシート15,16,25,35,36は互いに結合された第1,第2,および第3のセラミック小板11,12,21,31,32に焼結される。セラミックセンサ材料50は、焼結の際にNTCセンサ素子51,52となる。
図1Dおよび1Eを参照して説明した方法ステップの代替として、既に電極211が印刷されている1つの第2のセラミックシート25を、セラミックセンサ材料50を有する上記の第1のセラミックシート15上に配設することも可能である。
さらに図2に示されているように、2つの第4のセラミックシート45,46が準備され、上記の1つの第3のセラミックシート35が、図1Aに示された方法ステップの前に行われる1つの方法ステップにおいて第4のセラミックシート45の1つの上に取付られることも可能である。これに続いて図1A〜1Iを参照して既に説明した方法ステップが行われ、上記のセラミックシート(複数)からなる複合体の共焼結が行われる前のもう1つの方法ステップにおいて、上記のさらなるセラミックシート46が上記のさらなるセラミックシート36上に取り付けられる。第4のセラミックシート45,46は、複数のセラミックシートからなる複合体のボトムシート(Grundfolie)およびトップシート(Deckfolie)を形成する。続いてこれらのセラミックシート15,16,22,35,36,45,46およびこれらのセラミックシート15,16,22,35,36,45,46に埋め込まれたセンサ材料50が共に焼結される。
この焼結はセラミック材料の選択により、「LTCC」タイプのセラミックの場合にはたとえば1100℃〜1300℃で行われ、たとえば1200℃〜1250℃で行われる。代替としてこの焼結は、「HTCC」タイプのセラミックの場合には、1600℃〜1700℃で行われる。
続いて少なくとも2つの接続キャップ71,72がメタライジングペーストへの浸漬による浸漬処理を用いてセラミック体6上に塗布され、こうしてこれらの接続キャップ71,72はそれぞれ、電極211,212,311,321の少なくとも2つと電気的に導通して接続される。代替としてこれらの接続キャップ71,72は、スパッタリング,フレーム溶射,またはプラズマ溶射を用いても取り付けることができる。
この後で、このようにして製造された温度プローブ1の抵抗が定格温度で測定される。この後機械的加工によって上記の接続キャップ71,72の少なくとも1つが温度プローブ1の抵抗に調整され、この温度プローブ1の抵抗は所定の誤差値内となるまで調整される。この接続キャップ71,72の少なくとも1つの機械的加工は、たとえばグラインディングまたはトリミングによって行われてよい。この接続キャップ71,72の少なくとも1つの機械的加工では、電極211,212,311,321への1つ以上の接続が機械的に分離される。こうして1%未満の誤差に調整することができ、有利には0.1%までの誤差に調整することができる。
図3は、もう1つの実施例による温度プローブ1の断面図を示し、この温度プローブは、たとえば図1A〜1Jを参照して説明した方法で製造することができる。この温度プローブ1は、3つの第1のセラミック小板11,12,13を備え、これらはそれぞれNTCセンサ素子51,52,53の側部を包囲している。第1のセラミック小板11,12,13の間には、それぞれ第2のセラミック小板21,22が配設されている。
図4は、1つの温度プローブ1を示し、この温度プローブは、たとえば図1A〜1Jおよび2を参照して説明した方法によって製造することができる。この温度プローブ1は、1つのセラミック体6に焼結されたセラミック小板11,12,21,31,32とこのセラミック体6に埋め込まれたNTCセンサ素子51,52、およびこのセラミック体上に取り付けられた2つの接続キャップ71,72を備える。この温度プローブ1の外部寸法は、10mm×1mm×0.45mm(長さ×幅×高さ)となっており、NTCセンサ素子51,52は、それぞれこのセラミック体6の表面に対して少なくとも0.2mmの距離を有している。
図5には、図4に示す温度プローブ1を部分的に切断した形状が示されている。ここで、複数の電極211,212,311,321はそれぞれ2つの接続キャップ71,72の1つと電気的に導通して接続されている。
図6は、図5に示す温度プローブ1の拡大断面図を示し、ここで温度プローブ1が追加的に複数の第4のセラミック小板41,42を備え、これらの第4のセラミック小板が第1のセラミック小板11,12,第2のセラミック小板21,および2つの第3のセラミック小板31,32を包囲していることが分る。これによってこの温度プローブ1のとりわけ高い安定性および堅牢性が保証され得る。
この温度プローブ1は、セラミック多層技術を用いて実現される、NTCセンサ素子51,52の完全セラミックカプセル化によって、とりわけ小さな構造体を備えており、また非常に大きな機械的強度を有している。さらにこの温度プローブ1は、非常に小さな応答時間および接続キャップ71,72の機械的加工による抵抗誤差の調整の可能性を特徴としている。
図7には、NTC1, ...NTCNで示すN個のNTCセンサ素子を有する1つの温度プローブ1の等価回路図が示されている。接続キャップ71,72の少なくとも1つを上記で説明した機械的加工することによって、抵抗の調整のために個々のNTCセンサ素子51,52,53を「遮断」することができる。
図示された実施例において記載された特徴は、他の実施例により互いに組み合わされてもよいが、このような組み合わせは図示されていない。代替としてまたは追加的に、図に示された実施例は、発明の概要に記載された実施例による他の特徴を備えてよい。
本発明は、実施例を参照した説明によってこれらの実施例に限定されているのではなく、すべての新規な特徴及び特徴のすべての組み合わせを包含する。これは具体的には請求項(複数)中の特徴のすべての組み合わせを含み、この特徴ないしこの組み合わせ自体が請求項(複数)ないし実施例中に明示されていない場合も含む。
1 : 温度プローブ
11,12,13 : 第1のセラミック小板
15,16 : 第1のセラミックシート
110,120,130 : 空隙部
21,22 : 第2のセラミック小板
25,26 : 第2のセラミックシート
211,212,311,321 : 電極
31,32 : 第3のセラミック小板
35,36 : 第3のセラミックシート
41,42 : 第4のセラミック小板
45,46 : 第4のセラミックシート
51,52,53 : NTCセンサ素子
50 : セラミックセンサ材料
6 : セラミック体
71,72 : 接続キャップ

Claims (15)

  1. 温度プローブ(1)であって、
    それぞれ1つのNTCセンサ素子(51,52)が配設されている1つの空隙部(110,120)を備えた、少なくとも2つの第1のセラミック小板(11,12)と、
    前記第1のセラミック小板(11,12)の間に配設されている少なくとも1つの第2のセラミック小板(21)であって、前記第2のセラミック小板(21)と前記2つの第1のセラミック小板(11,12)との間にそれぞれ1つの電極(211,212)が配設されており、当該電極はそれぞれ前記NTCセンサ素子(51,52)の1つと電気的に接続している少なくとも1つの第2のセラミック小板(21)と、
    2つの第3のセラミック小板(31,32)であって、前記第1のセラミック小板(11,12)および前記第2のセラミック小板(21)が当該2つの第3のセラミック小板(31,32)の間に配設されており、かつ当該第3のセラミック小板(31,32)と前記第1のセラミック小板(11,12)との間にはそれぞれ、1つの電極(311,321)が配設されており、当該電極はそれぞれ前記NTCセンサ素子(51,52)の1つと電気的に接続している2つの第3のセラミック小板(31,32)と、
    を備え、
    前記NTCセンサ素子(51,52)は、それぞれ完全にセラミック小板(11,12,21,31,32)によって包囲されており、
    前記第1のセラミック小板(11,12),前記第2のセラミック小板(21),および前記第3のセラミック小板(31,32)、および前記NTCセンサ素子(51,52)は1つのセラミック体に焼結されている、
    ことを特徴とする温度プローブ。
  2. 請求項1に記載の温度プローブにおいて、
    それぞれ1つのNTCセンサ素子(51,52,53)が配設されている1つの空隙部(110,120,130)をそれぞれ備えた、少なくとも3つの複数の第1のセラミック小板(11,12,13)と、
    複数の第2のセラミック小板(21,22)と、
    を備え、
    前記第1のセラミック小板(11,12,13)および前記第2のセラミック小板(21,22)は、交互に重なり合って前記第3のセラミック小板(31,32)の間に配設されており、
    前記第2のセラミック小板(21,22)のそれぞれは、2つの前記第1のセラミック小板(11,12,13)の間に直に配設されており、
    前記第1のセラミック小板(11,12,13)と前記第2のセラミック小板(21,22)との間にはそれぞれ、前記NTCセンサ素子(51,52,53)の接続のための1つの電極(211,212)が配設されている、
    ことを特徴とする温度プローブ。
  3. 請求項1または2に記載の温度プローブにおいて、
    少なくとも2つの第4のセラミック小板(41,42)を備え、
    前記第1のセラミック小板(11,12),前記第2のセラミック小板(21),および前記第3のセラミック小板(31,32)は、前記少なくとも2つの第4のセラミック小板(41,42)の間に配設されており、
    前記少なくとも2つの第4のセラミック小板(41,42)は、前記第1のセラミック小板(11,12),前記第2のセラミック小板(21),および前記第3のセラミック小板(31,32)、および前記NTCセンサ素子(51,52)と共にセラミック体(6)に焼結されている、
    ことを特徴とする温度プローブ。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の温度プローブにおいて、
    前記NTCセンサ素子(51,52)は、元素Y,Ca,Cr,Al,Oを含むペロブスカイト構造か、または元素Ni,Co,Mn,Oを含むスピネル構造を備えることを特徴とする温度プローブ。
  5. 請求項4に記載の温度プローブにおいて、
    前記NTCセンサ素子(51,52)は、化学式(Y1-xCax)(Cr1-yAly)O3の組成を有し、x=0.03〜0.05およびy=0.85であるペロブスカイト構造を備えることを特徴とする温度プローブ。
  6. 請求項4に記載の温度プローブにおいて、
    前記NTCセンサ素子(51,52)は、化学式CO3-(x+y)NixMny4の組成を有し、x=1.32およびy=1.32であるスピネル構造を備えることを特徴とする温度プローブ。
  7. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の温度プローブにおいて、
    前記セラミック小板(11,12,21,31,32,41,42)は、酸化アルミニウムまたはガラスセラミックを含み、あるいは酸化アルミニウムまたはガラスセラミックから成ることを特徴とする温度プローブ。
  8. 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の温度プローブにおいて、
    前記セラミック体(6)上に取り付けられた2つの接続キャップ(71,72)を備え、
    前記接続キャップはそれぞれ、少なくとも2つの電極(211,212,311,321)と電気的に導通して接続されている、
    ことを特徴とする温度プローブ。
  9. 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の温度プローブにおいて、
    前記セラミック小板(11,12,21,31,32,41,42)は、10μm〜100μmの厚さを有することを特徴とする温度プローブ。
  10. 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の温度プローブを製造するための方法であって、
    前記セラミック小板(11,12,21,31,32)が、セラミックシート(15,16,25,35,36)と共に焼結されることによって1つのセラミック体(6)として製造されることを特徴とする方法。
  11. 請求項10に記載の方法において、
    前記焼結の後で、少なくとも2つの接続キャップ(71,72)が前記セラミック体(6)に取り付けられ、当該接続キャップによって前記NTCセンサ素子(51,52)が並列に接続されることを特徴とする方法。
  12. 請求項10または11に記載の方法において、
    前記接続キャップ(71,72)は、前記セラミック体(6)のメタライジングペーストへの少なくとも部分的な浸漬,スパッタリング,フレーム溶射,またはプラズマ溶射を用いて取り付けられることを特徴とする方法。
  13. 請求項11または12に記載の方法において、前記接続キャップ(71,72)の少なくとも1つの機械的加工によって、前記温度プローブ(1)の抵抗が調整されることを特徴とする方法。
  14. 請求項13に記載の方法において、
    前記接続キャップ(71,72)の機械的加工は、グラインディングまたはトリミングによって行われることを特徴とする方法。
  15. 請求項10乃至14のいずれか1項に記載の方法において、
    前記セラミックシート(15,16,25,35,36)は、シート流し込み処理またはシート引き出し処理を用いて製造されることを特徴とする方法。
JP2015541054A 2012-11-12 2013-09-27 温度プローブおよび温度プローブの製造方法 Active JP6096918B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012110849.8 2012-11-12
DE102012110849.8A DE102012110849A1 (de) 2012-11-12 2012-11-12 Temperaturfühler und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturfühlers
PCT/EP2013/070245 WO2014072123A2 (de) 2012-11-12 2013-09-27 Temperaturfühler und verfahren zur herstellung eines temperaturfühlers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015534082A true JP2015534082A (ja) 2015-11-26
JP6096918B2 JP6096918B2 (ja) 2017-03-15

Family

ID=49513903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015541054A Active JP6096918B2 (ja) 2012-11-12 2013-09-27 温度プローブおよび温度プローブの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9958335B2 (ja)
EP (1) EP2917712B1 (ja)
JP (1) JP6096918B2 (ja)
KR (1) KR102045104B1 (ja)
CN (2) CN104769403B (ja)
DE (1) DE102012110849A1 (ja)
WO (1) WO2014072123A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016050786A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
JP2019523545A (ja) * 2016-05-10 2019-08-22 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー 多層素子及び多層素子を製造するための方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101249A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Epcos Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
DE102016207334A1 (de) * 2016-04-29 2017-11-02 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Messvorrichtung zur Bestimmung einer Temperatur sowie Batterievorrichtung
US10462567B2 (en) 2016-10-11 2019-10-29 Ford Global Technologies, Llc Responding to HVAC-induced vehicle microphone buffeting
US10446355B2 (en) * 2017-04-27 2019-10-15 Littelfuse, Inc. Hybrid device structures including negative temperature coefficient/positive temperature coefficient device
US10525921B2 (en) 2017-08-10 2020-01-07 Ford Global Technologies, Llc Monitoring windshield vibrations for vehicle collision detection
US10308225B2 (en) 2017-08-22 2019-06-04 Ford Global Technologies, Llc Accelerometer-based vehicle wiper blade monitoring
US10562449B2 (en) 2017-09-25 2020-02-18 Ford Global Technologies, Llc Accelerometer-based external sound monitoring during low speed maneuvers
US10479300B2 (en) * 2017-10-06 2019-11-19 Ford Global Technologies, Llc Monitoring of vehicle window vibrations for voice-command recognition
CN109724716B (zh) * 2018-12-29 2020-09-29 广东爱晟电子科技有限公司 多层薄膜型高灵敏性热敏感温芯片及其制作方法
DE102022126526A1 (de) 2022-10-12 2024-04-18 Tdk Electronics Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682315A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nippondenso Co Ltd サーミスタ式温度センサ
JP2009543322A (ja) * 2006-07-06 2009-12-03 エプコス アクチエンゲゼルシャフト センサ素子を備える電気コンポーネント、センサ素子をカプセル封じする方法、およびプレート構造を製造する方法
JP2012004330A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3733193C1 (de) * 1987-10-01 1988-11-24 Bosch Gmbh Robert NTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von NTC-Temperaturfuehlerelementen
US4993142A (en) * 1989-06-19 1991-02-19 Dale Electronics, Inc. Method of making a thermistor
DE4025715C1 (ja) * 1990-08-14 1992-04-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
JP3175890B2 (ja) * 1993-12-27 2001-06-11 日本碍子株式会社 温度センサ
US5887338A (en) * 1996-04-26 1999-03-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a temperature sensor with temperature-dependent resistance
JPH10142074A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Tdk Corp 抵抗型温度センサ
DE19740262C1 (de) 1997-09-12 1999-04-22 Siemens Matsushita Components Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zur Herstellung
DE10120253A1 (de) * 2000-04-25 2001-11-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
JP2002048655A (ja) * 2000-05-24 2002-02-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ及びその製造管理方法
US6498561B2 (en) * 2001-01-26 2002-12-24 Cornerstone Sensors, Inc. Thermistor and method of manufacture
WO2005075949A1 (de) * 2004-02-09 2005-08-18 Temperaturmesstechnik Geraberg Gmbh Hochtemperatursensor
JP4483508B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-16 Tdk株式会社 積層型電子部品の製造方法
US20060139144A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Labarge William J Temperature sensor, ceramic device, and method of making the same
DE102006015384A1 (de) * 2006-04-03 2007-10-04 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Temperatursensierung in einem Fluid, insbesondere ein partikelbehaftetes Abgasfluid eines Verbrennungsvorgangs in einem Kraftfahrzeugmotor
US20090148657A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Jan Ihle Injection Molded PTC-Ceramics
JP5217742B2 (ja) * 2008-07-31 2013-06-19 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
US8228160B2 (en) 2008-11-14 2012-07-24 Epcos Ag Sensor element and process for assembling a sensor element
JP5526552B2 (ja) * 2009-01-30 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属酸化物焼結体、サーミスタ素子及びサーミスタ温度センサ並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法
DE102010030769B4 (de) * 2010-06-30 2013-02-07 Preh Gmbh Temperaturfühler zur Messung einer Fahrzeuginnentemperatur
CN102052972B (zh) * 2010-11-02 2013-06-19 肇庆爱晟电子科技有限公司 快速反应ntc温度传感器及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682315A (ja) * 1992-09-01 1994-03-22 Nippondenso Co Ltd サーミスタ式温度センサ
JP2009543322A (ja) * 2006-07-06 2009-12-03 エプコス アクチエンゲゼルシャフト センサ素子を備える電気コンポーネント、センサ素子をカプセル封じする方法、およびプレート構造を製造する方法
JP2012004330A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016050786A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
JP2019523545A (ja) * 2016-05-10 2019-08-22 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー 多層素子及び多層素子を製造するための方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014072123A3 (de) 2014-07-24
CN108469312A (zh) 2018-08-31
EP2917712B1 (de) 2019-04-17
US20160299011A1 (en) 2016-10-13
CN104769403A (zh) 2015-07-08
CN104769403B (zh) 2018-03-02
KR20150081362A (ko) 2015-07-13
EP2917712A2 (de) 2015-09-16
DE102012110849A1 (de) 2014-05-15
KR102045104B1 (ko) 2019-11-14
WO2014072123A2 (de) 2014-05-15
US9958335B2 (en) 2018-05-01
JP6096918B2 (ja) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6096918B2 (ja) 温度プローブおよび温度プローブの製造方法
US10788377B2 (en) Sensor element and method for producing a sensor element
JP2016011964A (ja) 1200℃膜抵抗体
CN104769401B (zh) 温度计和用于加工温度计的方法
JP2012508870A (ja) センサ素子及びセンサ素子の製造方法
JP2022551043A (ja) センサ素子及びセンサ素子を製造する方法
JP6929126B2 (ja) 温度センサ素子
JP4907138B2 (ja) チップ型ntc素子
JP6338011B2 (ja) 基板埋め込み用ntcサーミスタおよびその製造方法
JP2011033444A (ja) 放熱型環境センサ
KR102072287B1 (ko) Ltcc(저온 동시 소성 세라믹)를 이용한 유해가스 감지센서의 제조방법
JP2017116394A (ja) 測温体
JP6929125B2 (ja) 温度センサ素子
JP5267860B2 (ja) サーミスタ素子及びその製造方法
JP7394214B2 (ja) センサ素子及びセンサ素子の製造方法
JP5440343B2 (ja) 熱センサ
WO2021065807A1 (ja) Ntcサーミスタ素子
WO2014185270A1 (ja) 電子部品
JPH10312907A (ja) サーミスタ素子とその製造方法
JPH113807A (ja) チップ型サーミスタ
JPH08186007A (ja) サーミスタ素子の製造方法
JP2013224886A (ja) 光学部材、センサ素子収納用容器およびセンサ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160622

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170125

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6096918

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250