JPH10142074A

JPH10142074A - 抵抗型温度センサ

Info

Publication number: JPH10142074A
Application number: JP31282396A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Kaihara; 伸男海原; Minoru Ogasawara; 稔小笠原; Masatada Yodogawa; 正忠淀川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1996-11-08
Filing date: 1996-11-08
Publication date: 1998-05-29

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】室温から１,０００℃〜１,３００℃程度まで
の温度範囲において、短時間で温度を検出することがで
き、且つ耐熱性，耐環境性に優れ、長時間の使用に耐え
得る抵抗型温度センサの提供。【解決手段】厚膜基体の絶縁体としてアルミナを用
い、導電体としてアルミナと同程度の小さい熱膨張係数
を有する導電性セラミックである金属珪化物を使用し、
アルミナ絶縁基体上に金属珪化物を主成分とする薄膜感
温抵抗体を印刷によって形成し、薄膜感温抵抗体が印刷
された厚膜基体を多数積層し、薄膜感温抵抗体間をアル
ミナ絶縁基体に形成されたスルーホールに埋め込まれた
金属珪化物導電体によって接続することによって感温抵
抗体回路を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、自動車排気ガスや石
油ストーブ、ガスコンロ等の高温度雰囲気の温度を検出
するための抵抗型温度センサに関わるものである。

【０００２】

【従来の技術】高温を短時間で検出する温度センサにお
いて、温度センサには耐熱，耐環境，耐熱衝撃性に優
れ、且つ熱容量が小さいことが要求される。いいかえれ
ば、温度センサに対して、感温部が高温に長時間曝され
ても化学変化が生じにくく、自動車排気ガスや燃料燃焼
ガス中に存在する硫黄酸化物等の腐食性ガスに対する十
分な耐蝕性を具備していることが要求される。

【０００３】従来、高温を検出するセンサとして熱電対
センサあるいは抵抗型温度センサが使用されているが、
応答が速く、耐熱性，耐環境性が優れているものはな
い。そのため、充分な耐熱性，耐環境性がない感温材料
を使用する場合には、その表面を耐熱性，耐環境性材料
で被覆することが行われている。

【０００４】一般に、高温を短時間で検出する用途で
は、急激な温度変化がある環境の中に温度センサを設置
して温度を検知することがあるので、温度センサは耐熱
衝撃性が優れている材料で構成する必要がある。また、
感温部の温度が環境の温度変化に短時間で追随できるた
めには、感温部の熱容量は可能な限り小さい物である必
要がある。

【０００５】これまでに、感温部材料として、タングス
テン（Ｗ），白金（Ｐｔ）等の耐熱性を有する金属ある
いは金属化合物が用いられることがあるが、タングステ
ン，白金等の耐熱金属は熱膨張係数が大きいため容器等
に熱膨張係数が小さいセラミックを使用した場合には耐
熱衝撃性の点で信頼度が低い。

【０００６】一方、感温部材料として金属に代えて金属
酸化物からなるサーミスタを使用し、サーミスタ層をセ
ラミック基体上に形成した抵抗型温度センサが実開平２
−４５６０３号公報に、また金属とセラミックの混合物
であるサーメットを使用し、サーメット層をセラミック
基体上に形成した抵抗型温度センサが特開平７−１９０
８６３号公報に記載されているが、これらは何れも１,
０００℃以上の温度における耐熱性を有していない。

【０００７】温度センサによる測定結果の温度に対する
応答性をよくするためには、感温部の熱容量を小さくす
ることにより温度追随性を確保する必要がある。そし
て、感温部の熱容量を小さくするには、感温部の形状寸
法を小さくすればよい。しかし、温度センサを自動車エ
ンジン等の過酷な環境で使用する場合には、装置動作中
の振動、衝撃に耐える機械的強度が、また、そのような
装置への温度センサを組み付けは強固なものである必要
があるため、組み付け作業工程に支障のない程度の機械
的強度が要求される。しかしながら、セラミック基体上
にサーミスタ層あるいはサーメット層を形成することに
よって構成された温度センサにおいては感温部がある程
度の大きさを要求されるセラミック基板上に形成されて
いるため、感温部全体の形状寸法の小型化には限界があ
り、したがって熱容量の低減に限界がある。このよう
に、従来技術では、室温から１,０００℃以上の高温ま
での温度範囲にわたって、短時間でその温度を検知する
ことができる温度センサはこれまでになかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本出願の発明は、室温
から１,０００℃〜１,３００℃程度までの温度範囲にお
いて、５秒以内という短時間で温度を検出することがで
き、且つ耐熱性，耐環境性に優れ、長時間の使用に耐え
得る抵抗型温度センサを提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本出願においては厚膜基体の絶縁体としてアルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）を用い、導電体としてアルミナと同程度の
小さい熱膨張係数を有する導電性セラミックである金属
珪化物を使用し、アルミナ絶縁基体上に金属珪化物を主
成分とする薄膜感温抵抗体を印刷によって形成し、薄膜
感温抵抗体が印刷された厚膜基体を多数積層し、薄膜感
温抵抗体間をアルミナ絶縁基体に形成されたスルーホー
ルに埋め込まれた金属珪化物導電体によって接続するこ
とによって感温抵抗体回路を形成する。

【００１０】使用される金属珪化物は、耐熱金属の珪化
物である珪化モリブデン（ＭｏＳｉ₂），珪化タングス
テン（ＷＳｉ₂），珪化チタン（ＴｉＳｉ₂），珪化タン
タル（ＴａＳｉ₂）の他に比較的低い温度のみで使用可
能な金属珪化物として珪化クロム（ＣｒＳｉ₂），珪化
鉄（ＦｅＳｉ₂），珪化コバルト（ＣｏＳｉ₂）が使用可
能であり、特に珪化モリブデンは絶縁基体であるアルミ
ナとの熱膨張係数が同程度であるため最も適している。

【００１１】積層構造の基体を製造する方法として、シ
ート法あるいはシルクスクリーン印刷法が用いられる
が、何れの方法でも塗料状の絶縁体材料を厚膜に成形乾
燥し、その後感温抵抗体パターン印刷する。

【００１２】

【作用】本発明の温度センサは、感温部材料が熱膨張係
数が小さい金属珪化物を主体として構成されているため
熱膨張係数の小さいアルミナを主成分とする絶縁セラミ
ック材料と組み合わせても十分な熱衝撃特性を得ること
が出来る。さらに、珪化モリブデン等の金属珪化物を主
体とする導体材料とアルミナを主成分とする絶縁セラミ
ック材料との交互の積層構造で基体を構成することによ
り、結果としてアルミナを主成分とする絶縁セラミック
材料より優れた熱衝撃特性を有する基体を実現すること
ができる。

【００１３】本発明の抵抗型温度センサの構造は積層構
造で形成される。このことにより、感温部分の厚みを周
りの素体の厚みより薄い構造にする必要がある場合に、
温度センサ素子を形成する工程で基体を形成する材料の
シートを、感温部に位置する部分を打ち抜いて積層する
ことで本発明の構造を容易に形成できるため、製造工程
の変更はほとんどない。

【００１４】

【実施例】本発明の具体的実施例を説明するに当たり、
発明全体について説明する。［基本的構造］本発明の抵抗型温度センサの構造は積層
構造に形成される。このことにより、感温部分の厚みが
周りの素体の厚みより薄い構造にする必要がある場合、
温度センサ素子を形成する工程で基体を形成する材料の
シートを、感温部に位置する部分を打ち抜いて積層する
ことで本発明の構造を容易に形成できるので、ほとんど
同じ製造工程で製造できるからである。

【００１５】本発明の素子は、二種類の材料厚膜を同一
層に配置した構造とされるが、このような構成はシート
工法により膜全体の厚み寸法のバラツキが少ない厚膜を
形成することができる。また、感温部は絶縁体厚膜上に
スクリーン印刷により感温抵抗体のパターンを印刷し、
積層された複数の感温抵抗体パターンをスルーホールに
よって相互に接続して構成された感温抵抗体回路によっ
て構成される。

【００１６】本発明の抵抗型温度センサの機能を実現す
るためには、測定信号を外部の処理回路へ伝達するため
の接続部と、抵抗型温度センサを保持取り付けるための
構造が必要であるが、本発明の抵抗型温度センサは高温
を測定することを目的としているので、当然これらの構
造は耐熱性を考慮に入れた設計仕様が必要となる。

【００１７】本発明の抵抗型温度センサは、温度センサ
素子の感温部の反対側の端部に外部接続用の端子接続部
が設けられており、この部分にニッケルメッキを施すこ
とでリード部材との接続を行うことができ、抵抗型温度
センサ素子とリード部材との電気的な接続は銀蝋による
蝋接、あるいは溶接によって接続することで耐熱性、機
械的強度を有する接続構造を実現することができる。

【００１８】本発明の抵抗型温度センサでは、抵抗型温
度センサ素子をアルミナを主成分とするセラミック管等
の耐熱性を有する管の中に挿入し、セラミックセメント
等の耐熱性を有する充填材で素子を保持固定する。この
構造にすることにより、必要な耐熱性が実現される。

【００１９】［材料］本発明の抵抗型温度センサ素子
は、温度を検出する感温部、素子を外部回路に接続する
接続部及び感温部と接続部を電気的に接続する導電部か
ら構成される。これらの感温部、導電部及び接続部はす
べてセラミックを積層構造に形成することによって構成
され、積層構造中にあって感温部を構成する抵抗材料、
導電部及び接続部を構成する導電材料は、電気回路を構
成するために適宜絶縁材料によって電気的に分離される
必要がある。そのため、本発明においては、セラミック
感温抵抗材料、セラミック導電材料及びセラミック絶縁
材料が使用される。

【００２０】絶縁材料に要求される絶縁抵抗値は、望ま
しくは１００ＭΩ以上少なくとも１ＭΩあれば十分であ
る。アルミナからなる絶縁材料は、高温度で１０¹⁰Ω・
cm程度の比抵抗を呈するから、感温部寸法を後に説明す
る本発明の代表的な寸法である幅＝１.２mm，長さ＝６m
m，層厚＝３５μｍとした場合に、３×１０¹²Ωの層間
絶縁抵抗が得られから、本発明で使用するのに適した絶
縁体材料であるといえる。

【００２１】感温抵抗部の抵抗値は、絶縁体との抵抗値
比が概ね１,０００あれば、漏れ電流値が１／１,０００
となるため実用的な精度で温度を測定することが可能で
ある。感温抵抗部の抵抗値が数十ＫΩ以上の場合には、
実用的な測定電圧において測定電流が微少であり測定精
度を維持する困難さがある。そのため、感温抵抗部の抵
抗値は数ＫΩ以下であることが望ましい。このように、
前述の本発明の代表的な感温部寸法で例えば１ＫΩの抵
抗値を実現する場合、抵抗体の比抵抗は０.３Ω・cm程
度となる。この比抵抗は、金属珪化物の１つである珪化
モリブデンの組成をアルミナに対して３０体積％以上と
することにより得ることができる。なお、所定の感温部
抵抗値を得るためには抵抗材料にアルミナやムライト等
の絶縁物を混合して抵抗値を調整することができる。

【００２２】導電部及び接続部の抵抗値は、絶縁部と同
様に抵抗値の比が概ね１,０００あれば、電圧降下が１
／１,０００となるため実用的な精度で温度を測定する
ことが可能な抵抗値例えば数Ωの抵抗を得ることができ
る。前述の本発明の代表的な感温部寸法で例えば１Ωの
抵抗値を実現するための比抵抗は３×１０^-4Ω・cm程度
となる。この比抵抗は、珪化モリブデンの組成を５０体
積％とした場合にこの比抵抗を得ることができる。ま
た、珪化モリブデンの組成が５０体積％以上であれば、
導電部及び接続部として必要な数Ω以下の抵抗値を得る
ことができる。なお、導電部の材料は感温部の抵抗体と
同じ材料で構成してもよいが、導電部の抵抗値は感温部
の抵抗値より低い方が望ましい。

【００２３】さらに、アルミナ単体だと熱衝撃性がそれ
ほど優れてはいないが、絶縁材料として用いられるアル
ミナと熱膨張係数が同程度である珪化モリブデンをアル
ミナと組み合わせて積層体を構成した場合には十分な耐
熱衝撃性を確保することができる。

【００２４】本発明で使用される主要な材料は珪化モリ
ブデンとアルミナであるが、緻密な焼結体を形成するた
めに焼成時の焼結反応を望ましい状態で制御する必要が
ある。珪化モリブデン等の金属珪化物は分解によりモリ
ブデン（Ｍｏ）等の金属成分が蒸発・揮散し、もう一方
の化合物成分であるシリコン（Ｓｉ）の酸化物であるシ
リカ（ＳｉＯ₂）が残留するため、導体材料の比抵抗が
モリブデンの蒸発揮散量によって変動する。したがっ
て、抵抗値制御には工程条件の厳密な管理が必要であ
る。

【００２５】導体材料の比抵抗制御を目的としてアルミ
ナを主成分とする絶縁物を混合するが、残留したシリカ
とアルミナによりムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）
系の化合物が生成される。原材料としてムライトを含有
させないで導体材料を構成した場合でも本発明の温度セ
ンサを形成するために工程条件の厳密な管理をすれば問
題はないが、ムライトを含有させることにより珪化モリ
ブデンの分解を抑制することができ、よりたやすく導体
材料の比抵抗を制御することができる。

【００２６】また、成分中にマグネシア（ＭｇＯ）が含
有されているとコージェライト（２ＭｇＯ・Ａｌ₂Ｏ₃・
５ＳｉＯ₂）系の化合物が生成されムライトと同様に珪
化モリブデンの分解を抑制することができ、よりたやす
く導電材料の比抵抗を制御することができる。ただし、
ムライトの含有量が概ね１５体積％、マグネシアの含有
量が概ね５重量％を越えると導体材料の焼結が阻害さ
れ、緻密な焼結体を得ることが困難となるため、ムライ
トとマグネシアの含有量には上限がある。なお、この場
合ムライトとマグネシアは共存させても、夫々単独で含
有させてもよい。

【００２７】絶縁体材料には、導体材料との強固な接着
性が必要である。したがって、導体材料に含有される絶
縁体材料と同様の組成が望ましい。シリカを含有するこ
とで接着性はさらに向上し、より好ましい素体を形成す
ることができる。但し、含有量が概ね０.５重量％を越
えると絶縁体の焼結が阻害され、焼結体の緻密化が困難
となる。

【００２８】感温抵抗部や導電部はこれらの緻密なセラ
ミックで覆われているため、環境に対して安定性を保つ
ことができる。さらに温度センサ素子を形成した後でそ
の表面にアルミナやシリカを主成分とする焼成膜を形成
することにより耐環境性を向上させることができる。こ
の焼成膜はアルミナやシリカをＣＶＤ（Chemical Vapou
r Deposition）によって生成するか、あるいは、それら
のスラリに浸漬して付着させた後焼成することによって
形成することができる。

【００２９】［材料の製造］セラミック積層体を製造す
るときに原材料に要求される性状は、乾燥性、粘性が適
当であって、厚膜の形成時にクラックや乾燥むらを生じ
ないこと、形成された表面の平滑度に問題がないこと等
である。望ましい性状を実現するために、材料の粉体特
性に応じて塗料の濃度、バインダの種類と添加量が適切
に選択される。また、積層体を形成した後、焼成工程で
焼結反応により素体を形成する必要がある場合、材料の
塗料を製造する時点で、最適な粒度分布や分散度を実現
しているのが望ましい。

【００３０】一般に、本発明に使用される金属の珪化物
のような難焼結性の材料の場合には、材料を十分微細に
粉砕することにより焼結時の活性度が高くなり、より低
い焼結温度での焼結が可能となる。ところが、最適な粒
度分布や分散度を実現するための材料の製造条件と、最
適な塗料の製造条件は、多くの場合異なっており、塗料
を製造する前に適当な粉体特性になるように材料の前処
理をしておく必要がある。

【００３１】本発明で使用される金属珪化物の場合、活
性度を高めるための微粉砕処理を空気中で行うと、金属
珪化物を構成している金属及び珪素がたやすく酸化され
てしまう。また、多くの場合前処理の条件は、塗料の製
造条件より溶媒の濃度が高く、すなわちスラリ濃度が低
いのが一般的である。したがって、前処理工程では粉砕
後に乾燥してから、所定の塗料組成になるように塗料を
構成する材料を再び調合する必要がある。

【００３２】本発明で使用される金属珪化物の場合、上
記したように前処理後の材料の取り扱いにおいて、酸化
を防止するために真空中や窒素中等非酸化性雰囲気中で
取り扱うとか、溶剤分が残留しているときは酸化による
発熱での発火が起こらないよう取り扱う等の注意が必要
である。本発明の材料の製造方法によれば、以上に記し
た問題点が解決されるとともに、工程が短縮される。

【００３３】すなわち、最適の粉砕条件で粉砕した後
で、真空脱気装置、フィルタプレス等の濃縮機で溶媒を
一部除去し、その後で不足のバインダ、可塑剤等の塗料
成分を調合し最適の性状の塗料を製造する。このことに
より、微粉砕された活性度の高い材料粉体が溶剤スラリ
として取り扱われるため、空気中での酸化や酸化による
発火などを防止することができ、乾燥工程や、酸化防止
のための保管工程を省略することができる。また、粉砕
工程でのスラリ粘度を塗料の粘度より低くすることがで
きるため、ボールミル、メディアミル等の分散装置から
材料を取り出すとき、及びメディアと分離するときに材
料を歩留まりよく回収することができる。

【００３４】［焼成条件］本発明の素子積層体は、いわ
ゆる難焼結性の金属珪化物を構成成分として含んでいる
ため、少なくとも１,２００℃望ましくは１,４００℃以
上の温度で焼成する必要がある。また、金属珪化物は２
００度程度の低温範囲でも空気中で酸化されるので、非
酸化性雰囲気で焼成する必要がある。非酸化性雰囲気は
アルゴンガス雰囲気が好ましく、窒素雰囲気は金属珪化
物を窒化する傾向があり、結果として抵抗の温度特性を
変化させるため好ましくない。

【００３５】金属珪化物は空気中でたやすく酸化される
ため、本発明の温度センサ素子の実使用条件下におい
て、金属珪化物の酸化はその性能の安定性を低下させる
ことになり、酸化を抑制する必要がある。そのために
は、焼結後の素体の密度を可能な限り高めることが望ま
しい。焼結後の素体の密度を高めるために、昇温過程の
一部、若しくは昇温過程の一部と安定部の一部を真空度
５０Ｔｏｒｒ以上、望ましくは真空度１０Ｔｏｒｒ以上
にすることにより、焼結後の素体の密度を高めることが
できる。焼成過程の一部を真空にする効果は、焼結が進
展し、結晶組織の空孔が緻密化によて閉気孔になったと
き、焼成雰囲気の真空度が高いときは、閉気孔内も真空
度が高い状態となり、その後さらに緻密化が進むと閉気
孔が消滅し、高密度化が達成される。

【００３６】なお、焼成全工程の真空度が高い場合は、
成分特にシリカの蒸発が著しく、好ましくない。また、
焼成過程で圧力を加えて焼成することは、緻密化を促進
するので好ましい。加圧焼成は、いわゆるホットプレス
焼成でもＨＩＰ（Hot Isostatic Pressing）焼成あるい
は他の何れの加圧焼成であってもよい。ただ、加圧焼成
は常圧焼成より費用がかかるので、常圧焼成によって目
的とする緻密化が達成できる場合はそれに越したことは
ない。

【００３７】１,８００℃を超える温度での焼成は、ア
ルミナを主成分とするセラミック基体の融点に近く、具
体的には、セラミック基体の一部が融解、あるいは蒸発
して消滅、若しくは金属珪化物と反応し、目的とする構
造を形成するのが困難であり、好ましくない。

【００３８】［積層体の製造］積層体を構成する厚膜層
は、所定の特性を有する材料の塗料をポリエチレンフィ
ルム上に塗布乾燥し、不要部分を除去した後、同様にし
て形成された他の特性を有する材料の厚膜層を不要部分
が除去された箇所に埋め込むことで部分的に異なる特性
を有する厚膜層を形成し、このようにして形成された厚
膜層を順次積層することによって製造される。また、所
定の特性を有する材料の塗料厚膜をポリエチレンフィル
ム上に塗布乾燥し必要な大きさに切断して組み合わせる
ことにより製造することもできる。さらに、厚み寸法の
精度が要求されない場合には、スクリーン印刷により厚
膜層を形成することもできる。

【００３９】絶縁体厚膜上への感温抵抗体パターンの印
刷は、何れの段階、すなわち、絶縁体厚膜からのポリエ
チレンフィルムの剥離後、あるいは絶縁体厚膜への導体
厚膜の埋め込み後の何れの時でもよいが、本発明の感温
素子においては、導体厚膜の一部分を感温抵抗体回路の
導電部として機能させるために感温抵抗体パターンを導
体厚膜に接続する必要があり、そのために感温抵抗体パ
ターンを導体厚膜上にまで印刷する必要がある。したが
って、感温抵抗体パターンの印刷は絶縁体厚膜への導体
厚膜の埋め込み後に行うのが望ましい。

【００４０】積層工程中に印刷工程を組み入れると装置
が複雑になるだけでなく、厚膜の積層数が増えるにした
がって印刷面の高さ位置を変更しなければならないた
め、厚膜の積層は感温抵抗体パターンの印刷が終了した
後にするのが望ましい。このようにすれば、印刷装置と
積層装置を分離することができるため、全体装置の構造
が単純になる。

【００４１】次に、本発明実施例の温度センサの構成を
図面を参照しながら説明する。図１に示されたのは、本
発明実施例の抵抗型温度センサ素子の積層構造図であ
り、図２に分解構造を、図３に使用される厚膜体のパタ
ーンを示す。図１に示された積層体は図３にＡ〜Ｇとし
てパターンが示されている長さ１００mm，幅８０mm，厚
さ３５μｍである６種類の厚膜層を上から、Ａ−Ｂ−Ａ
−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−（Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｄ−Ｅ
−Ｇ−Ｆ−Ｇ−Ｅ−Ｄ−Ｅ−Ｄ−Ｃ）−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ
−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａの順で積層されることによっ
て構成されている。なお、ここで括弧内に示された厚膜
体パターン上に印刷により感温抵抗部が構成される。な
お、図１に示されている同一層間の区切りは焼結終了後
には消滅している。

【００４２】この抵抗型温度センサ素子素体は、図２に
示されたように、上部保護部１，感温部２及び下部保護
部３が重ね合わされて構成されており、感温部２を構成
する厚膜体中最上部に配置されたパターンＤの厚膜体及
び下部保護層３を構成する厚膜体中最上部に配置された
パターンＣの厚膜層上に、図４（ａ）に示されるパター
ンＰの感温抵抗体が印刷されている。

【００４３】上部保護部１及び下部保護部３はパターン
Ａの厚膜層及びパターンＢの厚膜層が交互に１０層積層
され、各々の上下端はパターンＡの厚膜層とされてい
る。これらの上部保護部１及び下部保護部３の一部には
パターンＡの厚膜層に形成された開孔４及びパターンＢ
の厚膜層に形成された開孔５によって、開孔部６及び７
が形成されており、感温部２の感温抵抗体はこれらの開
孔部６と７の間に設けられている。

【００４４】図３に示された厚膜体パターンには、絶縁
体にスルーホールが形成されそのスルーホールに導体が
埋め込まれているものがある。すなわち、パターンＤに
はスルーホール８が、パターンＥにはスルーホール９
が、パターンＦにはスルーホール１０が、パターンＧに
はスルーホール１１が、各々形成されそれらのスルーホ
ールに導体が埋め込まれている。

【００４５】この実施例では、パターンＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇ
及びＣの厚膜体に感温抵抗体パターンが印刷されるが、
図４により感温抵抗体パターンと厚膜体パターンとの関
係を説明する。印刷される感温抵抗体パターンは図２に
示されたパターンＰの他に類似したパターンＱ及び感温
抵抗体パターンではないパターンＲ及びＳが用いられ
る。なお、図４においてスルーホールは感温抵抗体パタ
ーンの下になって見えないため、スルーホールについて
は考慮することなく説明する。（ａ）に示されたのは厚
膜体パターンＣ及びＤに感温抵抗体パターンＰが、
（ｂ）に示されたのは厚膜体パターンＥに感温抵抗体パ
ターンＱ及びパターンＲ，Ｓが、（ｃ）に示されたのは
厚膜体パターンＤに感温抵抗体パターンＱが、（ｄ）に
示されたのは厚膜体パターンＦに感温抵抗体パターンＱ
及びパターンＲ，Ｓが、（ｅ）に示されたのは厚膜体パ
ターンＧに感温抵抗体パターンＱが各々印刷されたもの
であり、これらが前に説明した順に積層される。

【００４６】これらの感温抵抗体パターン及びスルーホ
ールによって構成された感温抵抗体回路を図５に示す。
なお、この図においては感温抵抗体パターン及びスルー
ホールのみを示してあり、厚膜体は省略されている。こ
の図に示された感温抵抗体回路は２個のパターンＰの感
温抵抗体の間に１０個のパターンＱの感温抵抗体が配置
され、これらの感温抵抗体パターンＰ及びＱがスルーホ
ール８〜１１によってパターンＰ−スルーホール８−パ
ターンＱ−スルーホール９−パターンＱ−スルーホール
８−パターンＱ−スルーホール９−パターンＱ−スルー
ホール１１−パターンＱ−スルーホール１０−パターン
Ｑ−スルーホール１１−パターンＱ−スルーホール９−
パターンＱ−スルーホール８−パターンＱ−スルーホー
ル９−パターンＱ−スルーホール８−パターンＰの順で
直列に接続されている。

【００４７】本実施例の抵抗型温度センサで用いる材料
について説明する。 (1)材料の調製抵抗体材料として、粒径２μｍのＭｏＳｉ₂を４０体積
％、粒径０.４μｍのＡｌ₂Ｏ₃を６０体積％の組成と
し、これらの原材料と溶剤としてのトルエンを、アルミ
ナ磁器製ポットに投入し、分散用メディアとしてアルミ
ナボールを用いて１５時間分散し、その後分散後バイン
ダとしてエチルセルロース樹脂のトルエン４０％溶液を
加え攪拌器で混合し、抵抗体塗料を得る。

【００４８】導電体材料として、粒径２μｍのＭｏＳｉ
₂を９０体積％、粒径０.４μｍのＡｌ₂Ｏ₃を１０体積％
の組成で、溶剤としてトルエンを用い、これらの材料を
アルミナ磁器製ポットに投入し、分散用メディアとして
アルミナボールで１５時間分散した。分散後バインダと
してエチルセルロース樹脂のトルエン４０％溶液を加え
攪拌器で混合する。

【００４９】構造用導体材料として粒径２μｍのＭｏＳ
ｉ₂を９０体積％、粒径０.４μｍのＡｌ₂Ｏ₃を１０体積
％の組成で、バインダとしてメタアクリル樹脂、溶剤と
してトルエン、エタノール、可塑剤としてＢＰＢＧを用
い、これらの材料をアルミナ製磁器製ポットに投入し、
分散用メディアとしてアルミナボールで１５時間分散す
る。

【００５０】絶縁体材料として、粒径０.４μｍのＡｌ₂
Ｏ₃を９０体積％、粒径０.４μｍのムライトを１０体積
％、粒径０.４μｍのＭｇＯを３重量％、粒径０.４μｍ
のＳｉＯ₂を０.３重量％の組成とし、構造用導体材料と
同様にこれらの原材料とバインダとしてメタアクリル樹
脂、溶剤としてトルエン及びエタノール、可塑剤として
ＢＰＢＧをアルミナ磁器製ポットに投入し、分散用メデ
ィアとしてアルミナボールを用いて１５時間分散し、絶
縁体塗料を得る。

【００５１】(2)シートの製造上記工程で製造した導体塗料及び絶縁体塗料を、シート
コーターにより乾燥後の厚さが３５μｍになるようにド
クターブレードの高さを調節してでポリエチレンフィル
ム上に幅８０mmの塗布膜を成膜し、導体シート及び絶縁
体シートを得る。成膜した導体シート及び絶縁体シート
をそれぞれ積層体を製造する際のスタック寸法に合わせ
て長さ１００mmに切断する。

【００５２】(3)厚膜層の製造温度センサを構成する各厚膜層は導体と絶縁体とから構
成されている。図６に示されたのは、図３にＣで示され
た厚膜体を製造する方法である。

【００５３】（ａ）に示されたのは上記シートの製造に
おいて製造された抵抗体シートであり、ポリエチレンフ
ィルム２１上に構造用導体厚膜２２が塗布されている。
この構造用導体厚膜２２に破線で示した切り込み２３を
入れ、切り込み２３に従って構造用導体厚膜２４を残し
てその間の構造用導体厚膜を剥離することにより、
（ｂ）に示された素材を得た。

【００５４】一方、（ｃ）に示されたのは上記シートの
製造において製造された絶縁体シートであり、ポリエチ
レンフィルム２５上に絶縁体厚膜２６が塗布されてい
る。この絶縁体厚膜２６に破線で示した切り込み２７を
入れ、切り込み２７に従って絶縁体厚膜２８を残してそ
の外側の絶縁体厚膜を剥離することにより、（ｄ）に示
された素材を得る。

【００５５】次に、（ｅ）に示されたように、（ｂ）に
示された導体シートの上下を倒置し（ｄ）に示された絶
縁体シート上に積層し、０.１kg／cm²の圧力を１０秒間
加えた後、ポリエチレンフィルム２１を取り除くことに
より、（ｆ）に示された厚膜体を得る。

【００５６】図７に図６に示された工程によって得られ
た厚膜体に感温抵抗体パターンを印刷する工程を示す。
この工程においては、ポリエチレンフィルム２５上に載
置された導体厚膜２４及び絶縁体厚膜２８からなる厚膜
素体シートを（ａ）に示された印刷用基板３１上に載置
し、（ｂ）に示すようなスクリーン印刷法により絶縁体
厚膜２８上にスクリーン３２を介して感温抵抗体材料を
スクィージ３３を用いて印刷することにより感温抵抗体
薄膜３４を形成し、（ｃ）に示されたような感温抵抗体
パターンＰが形成された感温抵抗厚膜を得る。

【００５７】このように形成されたシートを、図１に示
す構造になるように積層するために、各層に相当するシ
ートを準備し、各層が図１に示す構造になるようにシー
トの種類を代えて所定の順序で積層する。具体的には、
最初に保護部３にあたるシートを準備して積層し、次に
感温部２を構成するシートを準備して積層し、最後に作
成して保護部１にあたるシートを準備して積層する。

【００５８】(4)積層体の製造所定の積層が終了した後、スタック用基板から積層体を
外し、加圧用金型に入れ、１.５kg/cm²の圧力を３００
秒間加えて加圧した。

【００５９】(5)積層体の切断所定の積層が終了した後、スタック用基板から積層体を
外し、加圧用金型に入れ、１.５kg/cm²の圧力を３００
秒間加えた。次に、両面テープを張り付けた切断用基板
に、積層体を貼り付け、幅２.４mmピッチでダイヤモン
ド刃で切断し長さ５０mm、厚さ３mmの積層体を得る。

【００６０】(6)焼結体の製造本発明の素子積層体は、いわゆる難焼結性の金属珪化物
を構成成分として含んでいるので、少なくとも１,２０
０℃望ましくは１,４００℃以上の温度で焼成する必要
がある。また、金属珪化物は２００度程度の低温範囲で
空気中で容易に酸化され、金属珪化物の酸化はその性能
の安定性を低下させることになるため、酸化を抑制する
必要がある。非酸化雰囲気で焼成する必要がある。非酸
化性雰囲気はアルゴンガス雰囲気が好ましく、窒素雰囲
気は金属珪化物を窒化する傾向があり、結果として抵抗
の温度特性を変化させ好ましくない。

【００６１】このようにして得られた抵抗型感温素子素
体を図８（ａ）に示す。自動車排ガスの温度を測定する
用途では、排ガス中の残留炭素の素子表面への付着が生
じ、付着した残留炭素で導体層間が電気的に短絡される
おそれがあるので、素子表面に表面保護層として絶縁層
を形成するのが好ましい。この表面保護層として、熱膨
張係数がアルミナを主成分とする素体と同程度の材料を
用いるのが好ましい。また、その厚さは素子の応答速度
に影響するので、できる限り薄い方がよく、具体的には
２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の厚みに形成す
る。

【００６２】ＳｉＯ₂を主成分とする膜はアルミナを主
成分とする膜より酸化抑制効果は高いが、熱膨張係数が
素体と若干異なるため、熱衝撃で膜にクラック等が生じ
やすく、できる限り薄い方がよい。そのために、ＳｉＯ
₂を主成分とする膜は２０μｍ以下、好ましくは１０μ
ｍの厚みで形成する必要がある。また、ＳｉＯ₂を主成
分とする膜は５００℃以上、好ましくは１,０００℃か
ら１,４００℃の温度範囲で空気中に数時間曝すことで
も形成できる。５００℃以下では酸化膜形成に長時間を
要し実用的でない。また、ＳｉＯ₂を主成分とする膜を
形成した後で、さらにアルミナを主成分とする膜を形成
することでさらに素子の信頼性を向上できる。これらの
膜はＣＶＤ法あるいはスラリ塗布，浸漬，印刷，転写等
で付着させた後、乾燥及び熱処理をすることによって形
成することができる。

【００６３】以上の観点から、切断後の積層体を窒化硼
素の基板に積載し、窒素ガス中において２時間６００℃
で脱バインダを行った後、アルゴンガス中において１時
間１,７５０℃で焼成した。さらに、ＨＩＰによって２,
０００気圧のアルゴンガス中で２時間１,６５０℃で焼
成後、空気中において１時間１,４００℃で表面酸化処
理を行った。このようにして表面層を形成した素子断面
模式図を図８（ｂ）及び（ｃ）に示す。これらにおい
て、（ｂ）はシリカを主成分とした保護膜４０を形成し
た例であり、（ｃ）はさらにその上にアルミナを主成分
とした保護膜３９を形成した例である。

【００６４】(7)接続端子加工表面酸化処理後、図８（ａ）に示された積層端面の導体
部分をサンドブラスト加工することにより、接続端子４
１及び４２を形成する。なお、図８（ａ）は図１を倒し
て見た斜視図である。次いで、これらの接続端子４１及
び４２にニッケル（Ｎｉ）めっき用のパラジウム（Ｐ
ｄ）触媒を印刷し、乾燥後熱処理し、ニッケル無電解メ
ッキを施す。

【００６５】(8)組立・加工ニッケル無電解メッキが施された接続端子４１及び４２
を洗浄し乾燥した後、図８（ｄ）に示されたリード部材
４３及び４４の接続部４５及び４６に抵抗型感温素子素
体の接続端子４１及び４２を狭持させそのニッケルメッ
キ部分と銀蝋により蝋付けした。

【００６６】リード部材４３及び４４が接続された抵抗
型感温素子素体を図８（ｅ）に示されたアルミナ管４７
に挿入し、図８（ｆ）に示されたようにセラミックセメ
ント４８を充填し、９０℃で０.５時間乾燥した後、１
２０℃で２時間の熱処理を行い、硬化させた。

【００６７】このようにして得られた実施例の温度セン
サ組立体の電気的特性測定結果を表１及び表２に示す。
表１に示されたのは、温度を変化させた場合の抵抗値の
変化を抵抗値そのものと常温（２５℃）と比較した場合
の変化率について示したものである。また、表２は４０
０℃の硝石融液中に浸漬することにより応答速度を測定
した結果を示したものである。さらに、図９に表１をグ
ラフ化したものを、図１０に表２をグラフ化したものを
示す。

【００６８】

【表１】

【００６９】

【表２】

【００７０】表１及び対応する図９のグラフによれば、
本発明実施例の温度センサはいずれも温度変化に対して
抵抗値が十分に大きく変化していることが明らかであ
る。

【００７１】また、表２及び対応する図１０のグラフに
よれば、本発明実施例の温度センサはいずれも十分な応
答速度をもって抵抗値が所期の値に変化していることが
明らかである。

【００７２】［実施例２］これまでに説明した実施例に
おいて用いられている金属珪化物は珪化モリブデンだけ
であるが、金属珪化物にはこの他に種々のものが知られ
ており、珪化モリブデン以外の金属珪化物も抵抗型感温
素子を構成するセラミック材料として使用可能である。
以下、珪化モリブデン以外の金属珪化物を抵抗型感温素
子を構成するセラミック材料として使用する場合につい
て説明する。

【００７３】金属珪化物としては種々のものが知られて
いるが、珪化物を構成する金属により、電気的特性、物
理的特性、化学的特性が異なっている。高温雰囲気の温
度検出の用途においては、温度検出に必要な抵抗温度特
性の他に耐熱性と耐酸化性に優れたものが最も望まし
く、本発明の場合のように最高使用温度が１,３００℃
付近である場合にはモリブデン（Ｍｏ），タングステン
（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）の珪化物が
適当であり、その中でも材料価格、製造の難易度等を総
合的に判断すると珪化モリブデンが望ましい。しかし、
珪化タングステン（ＷＳｉ₂）等の他の金属の珪化物を
用いた場合でも十分に使用に耐える抵抗型温度センサを
実現することが可能である。

【００７４】以下に抵抗材料として珪化タングステンを
使用した抵抗型温度センサの例を説明する。この抵抗型
温度センサは材料が異なる他は図１に示された実施例１
の抵抗型温度センサと同じ構成を有しているため、共通
する部分の説明は省略する。

【００７５】(1)材料の調製抵抗体材料として、粒径３μｍの珪化タングステンを４
０体積％、粒径０.４μｍのアルミナを６０体積％の組
成とし、これらの原材料とバインダとしてメタアクリル
樹脂、溶剤としてトルエン及びエタノール、可塑剤とし
てＢＰＢＧをアルミナ磁器製ポットに投入し、分散用メ
ディアとしてアルミナボールを用いて１５時間分散し、
抵抗体塗料を得る。

【００７６】絶縁体材料として、粒径０.４μｍのアル
ミナを９０体積％、粒径０.４μｍのムライトを１０体
積％、粒径０.４μｍのマグネシアを３重量％、粒径０.
４μｍのシリカを０.３重量％の組成とし、抵抗体材料
と同様にこれらの原材料とバインダとしてメタアクリル
樹脂、溶剤としてトルエン及びエタノール、可塑剤とし
てＢＰＢＧをアルミナ磁器製ポットに投入し、分散用メ
ディアとしてアルミナボールを用いて１５時間分散し、
絶縁体塗料を得る。

【００７７】(2)シートの製造上記工程で製造した抵抗体塗料及び絶縁体塗料を、シー
トコーターにより乾燥後の厚さが３５μｍになるように
ドクターブレードの高さを調節してでポリエチレンフィ
ルム上に幅８０mmの絶縁体塗料膜を成膜し、抵抗体シー
ト及び絶縁体シートを得る。成膜した抵抗体及び絶縁体
シートをそれぞれ積層体を製造する際のスタック寸法に
あわせて長さ１００mmに切断する。

【００７８】(3) 積層体の製造実施例２と同様にして厚膜層を形成し、所定の積層が終
了した後、積層体を加圧用金型に入れ、１．５Kg／cm²
の圧力を３００秒間加える。次に、幅４．８mmピッチで
切断し長さ５０mm厚さ３mmの積層体を得る。

【００７９】(4) 焼結体の製造切断後の積層体を、窒素ガス中において２時間６００℃
で脱バインダを行った後、アルゴンガス中において２時
間１,６５０℃で焼成する。さらに、ＨＩＰ法により２,
０００気圧のアルゴンガス中において２時間１,６００
℃で焼成後、空気中において１時間１,４００℃で表面
酸化処理を行う。酸化処理後、端子接続部をサンドブラ
ストする。

【００８０】(5) 組立・加工端子接続部にパラジウム触媒を印刷し、乾燥後に熱処理
した後、ニッケル無電解めっきを施した。洗浄乾燥後リ
ード部材を銀蝋で接合した素子をアルミナ管に挿入し、
セラミックセメントを充填し、乾燥後に熱処理硬化す
る。

【００８１】このようにして得られた温度センサ素子試
料の電気的特性測定結果を表３及び表４に示す。表３は
この実施例の試料の抵抗値の温度による変化を示すもの
であり、表４は４００℃の硝石融液中で測定した抵抗値
の応答速度を示すものである。

【００８２】

【表３】

【００８３】

【表４】また、図１１は表３の抵抗値の温度による変化率をグラ
フで示したものであり、図１２は表４の抵抗値の変化率
の応答速度を示すグラフである。

【００８４】表３及び対応する図１１のグラフによれ
ば、珪化タングステンを抵抗体材料に用いた実施例２の
抵抗型温度センサは温度変化に対して抵抗値が十分に大
きく変化していることが明らかである。

【００８５】また、表４及び対応する図１２のグラフに
よれば、珪化タングステンを抵抗体材料に用いた実施例
３の温度センサは充分な応答速度をもって抵抗値が所期
の値に変化していることが明らかである。

【００８６】［実施例３］以上説明したように、モリブ
デン，タングステン，チタン及びタンタルの珪化物を抵
抗材料として用いる抵抗型温度センサは１,３００℃付
近の高温でも使用可能であるが、最高使用温度が１,０
００℃付近という比較的低い温度範囲での用途では、こ
れら以外の殆どの金属珪化物が使用可能であり、特に周
期率表におけるIVＡ族元素，VＡ族元素，VIＡ族元素，V
III族元素の金属珪化物は利用可能性が高い。中でもク
ロム（Ｃｒ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）の珪化物
は材料価格、製造の容易性を総合的に判断して望ましい
材料である。

【００８７】これらの金属珪化物である珪化クロム（Ｃ
ｒＳｉ₂），珪化鉄（ＦｅＳｉ₂），珪化コバルト（Ｃｏ
Ｓｉ₂）は、珪化モリブデンや珪化タングステンのよう
な高融点金属の珪化物よりも耐熱性は劣るが、使用条件
が１,０００℃程度という比較的低い温度範囲で使用す
る場合には十分に使用可能である。そこで、耐熱性が高
いがより高価である珪化モリブデン，珪化タングステ
ン，珪化チタン，珪化タンタルに代えてより安価な珪化
クロム，珪化鉄，珪化コバルトを抵抗体材料として用い
た実施例１と同じ構造の抵抗型温度センサについて説明
する。

【００８８】(1) 材料の調製抵抗材料の組成を、試料Ａ，試料Ｂ，試料Ｃについて各
々、試料Ａ：粒径２.５μｍの珪化クロムを４０体積％、粒
径０.４μｍのアルミナを６０体積％、試料Ｂ：粒径３．４μｍの珪化鉄を４０体積％、粒径
０.４μｍのアルミナを６０体積％、試料Ｃ：粒径２μｍの珪化コバルトを４０体積％、アル
ミナを６０体積％、とし、絶縁体材料は上記実施例１と同様の組成とする。

【００８９】(2) 積層体の製造実施例１と同様に厚膜層を形成し所定の積層が終了した
後、積層体を加圧用金型に入れ、１．５Kg／cm²の圧力
を３００秒間加える。次に、幅４．８mmピッチで切断し
長さ５０mm厚さ３mmの積層体試料を得る。

【００９０】(3) 焼結体の製造切断後の積層体を、窒素ガス中において２時間６００℃
で脱バインダを行った後、アルゴンガス中で２時間１,
２５０℃で焼成する。さらに、ＨＩＰ法により１,５０
０気圧のアルゴンガス中で２時間１,２００℃で焼成
後、空気中において１時間１,１００℃で表面酸化処理
を行う。酸化処理後、端子接続部をサンドブラストす
る。

【００９１】(4) 素子の組立・加工端子接続部にパラジウム触媒を印刷し、乾燥後に熱処理
した後、ニッケル無電解めっきを施した。洗浄乾燥後リ
ード部材を銀蝋で接合した素子をアルミナ管に挿入し、
セラミックセメントを充填し、乾燥後に熱処理硬化す
る。

【００９２】以上のように製造した温度センサ素子の電
気的特性測定結果を以下の表５及び表６に示す。表５は
抵抗値の温度に依る変化を示すものであり、表６は４０
０℃の硝石融液中で測定した抵抗値の応答速度を示すも
のである。また、図１３は表５の抵抗値の温度による変
化率を示すグラフであり、図１４は表６の応答速度を抵
抗値の変化率を示すグラフである。

【００９３】

【表５】

【００９４】

【表６】

【００９５】表５及び対応する図１３のグラフによれ
ば、これらの抵抗材料を用いた抵抗型温度センサは温度
変化に対して抵抗値は十分に大きく変化していることが
明らかである。

【００９６】表６及び対応する図１４のグラフによれ
ば、これらの抵抗材料を用いた抵抗型温度センサは十分
な応答速度をもって抵抗値が所定の値に変化しているこ
とが明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の抵抗型温度センサ素子の積層構
造図。

【図２】本発明実施例の抵抗型温度センサ素子の分解構
造図。

【図３】本発明実施例の抵抗型温度センサに使用される
厚膜体のパターン。

【図４】感温抵抗体パターンと厚膜体パターンとの関係
説明図。

【図５】感温抵抗体パターン及びスルーホールによって
構成された感温抵抗体回路。

【図６】厚膜体製造方法の説明図。

【図７】厚膜体に感温抵抗体パターンを印刷する工程
図。

【図８】抵抗型感温センサ組立体の説明図。

【図９】表１の抵抗値の温度による変化率を示すグラ
フ。

【図１０】表２の抵抗値の変化率の応答速度を示すグラ
フ。

【図１１】表３の抵抗値の温度による変化率を示すグラ
フ。

【図１２】表４の抵抗値の変化率の応答速度を示すグラ
フ。

【図１３】表５の抵抗値の温度による変化率を示すグラ
フ。

【図１４】表６の応答速度を抵抗値の変化率を示すグラ
フ。

【符号の説明】

１上部保護部２感温部３下部保護部４，５開孔６，７開孔部８，９，１０，１１スルーホール２１，２５ポリエチレンフィル２２構造用導体厚膜２３，２７切り込み２４構造用導体厚膜２６，２８絶縁体厚膜３１印刷用基板３２スクリーン３３スクィージ３４感温抵抗体薄膜３９，４０保護膜４１，４２接続端子４３，４４リード部材４５，４６接続部４７アルミナ管４８セラミックセメント

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＭｏＳｉ₂等の金属珪化物を含む導体材
料で抵抗回路をアルミナを主成分とする絶縁基体上に形
成し、少なくとも一層以上の積層された構造で、少なく
とも抵抗回路が感温部とリード部とで形成され、且つ抵
抗回路が二層以上の積層構造を取る場合層間をスルーホ
ールで抵抗回路が接続されており、感温部の周辺の厚さ
が温度センサ素体の厚さより薄い形状、即ち感温部を含
む積層構造の外側上下部分の少なくとも一方が、リード
部材料、若しくは感温部材料と同一の材料と、絶縁基体
材料との少なくとも一層以上の積層構造であるか、若し
くは感温部を含む積層構造の外側上下部分の少なくとも
一方の感温部付近が、切り欠かれた形状の抵抗型温度セ
ンサ。
【請求項２】感温部の材料が、ＭｏＳｉ₂等の金属珪
化物を３０〜１００体積％、残部がアルミナを主成分と
した絶縁物で、且つその絶縁物が、ムライトを１５体積
％以下、ＭｇＯを５重量％以下含み、リード部の材料
が、ＭｏＳｉ₂等の金属珪化物を５０〜１００体積％、
残部がアルミナを主成分とした絶縁物で、且つその絶縁
物が、ムライトを１５体積％以下、ＭｇＯを５重量％以
下含み、絶縁基体の材料がアルミナを主成分とし、ムラ
イトを１５体積％以下、ＭｇＯを５重量％以下、ＳｉＯ
₂を０.５重量％以下含む積層構造である、請求項１記載
の抵抗型温度センサ。
【請求項３】感温部を含む積層構造の外側上下部分の
少なくとも一方が、リード部材料、若しくは感温部材料
と同一の材料と、絶縁基体材料との少なくとも一層以上
の積層構造である、請求項１又は請求項２記載の抵抗型
温度センサ。
【請求項４】感温部を含む積層構造の部分の外側周囲
が、リード部材料、若しくは感温部材料と同一の材料
と、絶縁基体材料との少なくとも一層以上の積層構造で
ある、請求項１，請求項２又は請求項３記載の抵抗型温
度センサ。
【請求項５】リード部の外部との電気的接続をする部
分を除いた、少なくとも感温部を含む素体の外側が、ア
ルミナを主成分、若しくはＳｉＯ₂を主成分とする少な
くとも一層の膜で覆われている請求項１，請求項２，請
求項３又は請求項４記載の抵抗型温度センサ。