JPS63136485A - セラミツクヒ−タ - Google Patents
セラミツクヒ−タInfo
- Publication number
- JPS63136485A JPS63136485A JP28339086A JP28339086A JPS63136485A JP S63136485 A JPS63136485 A JP S63136485A JP 28339086 A JP28339086 A JP 28339086A JP 28339086 A JP28339086 A JP 28339086A JP S63136485 A JPS63136485 A JP S63136485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- temperature
- electrode lead
- heat generating
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002114 biscuit porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般家庭用、電子部品用、産業機器用及び自動
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
一般に、セラミックを基体とするヒータとしてはアルミ
ナ（Ａｈ（ｈ）焼結体中にタングステン（−）やモリブ
デン（ＭＯ）を主体とする抵抗体を施したヒータが主流
である。
ナ（Ａｈ（ｈ）焼結体中にタングステン（−）やモリブ
デン（ＭＯ）を主体とする抵抗体を施したヒータが主流
である。
この様なセラミックヒータは電気絶縁性、耐薬品性およ
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下息冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ”程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下息冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ”程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
そこで、この耐熱衝撃性及び高温強度が他のセラミック
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
この様な窒化けい素質焼結体の耐熱衝撃温度差は６００
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位である
。
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位である
。
このような窒化けい素質焼結体を基体とするセラミック
ヒータはアルミナ基板と同様、一般にタングステン（−
）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体中に埋
設するものが既に提供され、またこれらタングステン（
Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）を主体とする発熱抵抗ペース
トを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し、これ
を積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−１２６
９８９号公報により提案されている。
ヒータはアルミナ基板と同様、一般にタングステン（−
）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体中に埋
設するものが既に提供され、またこれらタングステン（
Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）を主体とする発熱抵抗ペース
トを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し、これ
を積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−１２６
９８９号公報により提案されている。
しかしながら、発熱抵抗体としてタングステン（−）や
モリブデン（Ｍｏ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（匈）やモリブデン
（Ｍｏ）は窒化珪素（ＳｉＪ４）と反応してＷＳｉｚ、
Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応してＷＯ
＋、Ｍｏ０）の層を生成し易い。このように生成された
反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値の変化が生じた
り特に高砥抗ヒータの場合反応層生成界面に亀裂が生じ
易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生じる等の欠
点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用する方式につ
いては実用化に供されていないのが現状である。さらに
、タングステン（−）やモリブデン（ＭＯ）から成る発
熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（ＴＣＰ）が比較的高
く、４〜５ Ｘｌ０−’程度（０〜８００℃）である。
モリブデン（Ｍｏ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（匈）やモリブデン
（Ｍｏ）は窒化珪素（ＳｉＪ４）と反応してＷＳｉｚ、
Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応してＷＯ
＋、Ｍｏ０）の層を生成し易い。このように生成された
反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値の変化が生じた
り特に高砥抗ヒータの場合反応層生成界面に亀裂が生じ
易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生じる等の欠
点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用する方式につ
いては実用化に供されていないのが現状である。さらに
、タングステン（−）やモリブデン（ＭＯ）から成る発
熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（ＴＣＰ）が比較的高
く、４〜５ Ｘｌ０−’程度（０〜８００℃）である。
従って、既に実用化されているタングステン（Ｗ）やモ
リブデン（ＭＯ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方
式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり、電流
容量の大きいヒータの通電制御装置を必要とするなどの
欠点があった。
リブデン（ＭＯ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方
式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり、電流
容量の大きいヒータの通電制御装置を必要とするなどの
欠点があった。
そこで、本願出願人は特願昭６１−２０７２２号におい
て窒化チタン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を
窒化けい素質焼結体中に形成することにより、発熱抵抗
体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき、また抵抗温
度係数（ＴＣＲ）の比較的小さいセラミックを提供した
。この種のセラミックヒータは一般に第１図に示す如く
窒化けい素質グリーンシート１面上に発熱抵抗ペースト
２をスクリーン印刷し、それに他の窒化けい素質グリー
ンシート３を積層して一体焼成したものである。前記発
熱抵抗ペースト２により形成される発熱抵抗体は発熱部
４と、この発熱部４よりも発熱量を少なくするために低
風印刷パターン幅を大きくした電極取出リード部５と、
電極取出露出部６とから構成されている。電極取出露出
部６は前記グリーンシート１．３を一体焼成した後、研
磨して抵抗体を露出させて形成されるものであり、この
露出部６上には第２図に示す如くガラスとＮｉ粉末との
混合物からなるメタライズ層７を形成し、一方電極リー
ド線８を固定する金属キャップ９を該メタライズ層７上
に銀ロウｌＯを介して固着するようにしている。
て窒化チタン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を
窒化けい素質焼結体中に形成することにより、発熱抵抗
体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき、また抵抗温
度係数（ＴＣＲ）の比較的小さいセラミックを提供した
。この種のセラミックヒータは一般に第１図に示す如く
窒化けい素質グリーンシート１面上に発熱抵抗ペースト
２をスクリーン印刷し、それに他の窒化けい素質グリー
ンシート３を積層して一体焼成したものである。前記発
熱抵抗ペースト２により形成される発熱抵抗体は発熱部
４と、この発熱部４よりも発熱量を少なくするために低
風印刷パターン幅を大きくした電極取出リード部５と、
電極取出露出部６とから構成されている。電極取出露出
部６は前記グリーンシート１．３を一体焼成した後、研
磨して抵抗体を露出させて形成されるものであり、この
露出部６上には第２図に示す如くガラスとＮｉ粉末との
混合物からなるメタライズ層７を形成し、一方電極リー
ド線８を固定する金属キャップ９を該メタライズ層７上
に銀ロウｌＯを介して固着するようにしている。
そして、前記出願のセラミックヒータにおいては発熱部
４及び電極取出リード部５共にＴｉＮ質抵抗抵抗ペース
ト用していた。
４及び電極取出リード部５共にＴｉＮ質抵抗抵抗ペース
ト用していた。
しかしながら、上記の如き構成においては抵抗体の発熱
部４と電極取出リード部５とが同一の窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）質材料であるため、発熱部４より電極取出リード部
５のパターン幅を大きくしてリド部の抵抗値を小さくし
、その部位の発熱温度を下げようとしても、未だ充分に
その温度が下がらず、露出部６のメタライズ層７及び銀
ロウ１０による電極リード線８の金属キャップ９と窒化
けい素質焼結体の電極取出露出部６との接着強度が高温
にさらされることにより劣化する欠点がある。即ち、前
記窒化けい素質焼結体の発熱部４に相当する部位の最高
許容発熱温度は約１３００℃まで（これ以上の温度では
焼結体にクランクが生じる）であり、この温度まで昇温
させた場合の前記電極取出露出部６に相当する部位の温
度は約５００〜７００°Ｃである。これに対し電極取出
露出部６と電極リード線８の金属キャップ９とを接合す
るためのメタライズ層７及び銀ロウ１０の融点は約６０
０〜８５０℃である。また、ＴｉＮそれ自体の比抵抗は
約１０μΩ・ｃｍと高く、電極取出リード部のパターン
幅や厚みを多少変更して抵抗を下げても充分に温度を下
げることができなかった。
部４と電極取出リード部５とが同一の窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）質材料であるため、発熱部４より電極取出リード部
５のパターン幅を大きくしてリド部の抵抗値を小さくし
、その部位の発熱温度を下げようとしても、未だ充分に
その温度が下がらず、露出部６のメタライズ層７及び銀
ロウ１０による電極リード線８の金属キャップ９と窒化
けい素質焼結体の電極取出露出部６との接着強度が高温
にさらされることにより劣化する欠点がある。即ち、前
記窒化けい素質焼結体の発熱部４に相当する部位の最高
許容発熱温度は約１３００℃まで（これ以上の温度では
焼結体にクランクが生じる）であり、この温度まで昇温
させた場合の前記電極取出露出部６に相当する部位の温
度は約５００〜７００°Ｃである。これに対し電極取出
露出部６と電極リード線８の金属キャップ９とを接合す
るためのメタライズ層７及び銀ロウ１０の融点は約６０
０〜８５０℃である。また、ＴｉＮそれ自体の比抵抗は
約１０μΩ・ｃｍと高く、電極取出リード部のパターン
幅や厚みを多少変更して抵抗を下げても充分に温度を下
げることができなかった。
本発明者等は上記問題点に鑑み鋭意研究の結果、窒化け
い素質焼結体中もしくはその表面に形成する抵抗体の発
熱部を窒化チタン（ＴｉＮ）を主体とする抵抗材料で形
成し、該発熱部から前記電極取出露出部へ連結する電極
取出リード部を前記ＴｉＮ抵抗材料より抵抗値の低い材
料を使用して前記電極取出露出部に相当する部位の温度
を下げることにより前記問題点を解消した。
い素質焼結体中もしくはその表面に形成する抵抗体の発
熱部を窒化チタン（ＴｉＮ）を主体とする抵抗材料で形
成し、該発熱部から前記電極取出露出部へ連結する電極
取出リード部を前記ＴｉＮ抵抗材料より抵抗値の低い材
料を使用して前記電極取出露出部に相当する部位の温度
を下げることにより前記問題点を解消した。
本発明においては抵抗体の発熱部の経時的抵抗変化及び
断線を防止でき、且つ抵抗温度係数（ＴＣＰ）を比較的
小さくすることができると共に、電極取出露出部近傍の
発熱温度を下げて電極リード線の接続部分の強度を劣化
させることなく優れたセラミックヒータを提供すること
を目的とする。
断線を防止でき、且つ抵抗温度係数（ＴＣＰ）を比較的
小さくすることができると共に、電極取出露出部近傍の
発熱温度を下げて電極リード線の接続部分の強度を劣化
させることなく優れたセラミックヒータを提供すること
を目的とする。
第１表に示す抵抗体ペースト組成物を夫々窒化けい素質
グリーンシートｌ上の発熱部４及び電極取出リード部５
形成位置に印刷し、これに同様の窒化けい素質グリーン
シートを積層した後一体焼成した。得られた焼結体の電
極取出露出部６が存在する焼結体側面を研磨又は表面処
理することにより前記露出部６を充分側面に露出させた
後、ガラスとＮｉとの混合粉末からなるメタライズ層７
をその露出部６面上に形成し、電極リード８を有する金
属キャップ９を銀ロウ１０を介してこのメタライズ層７
上に固着させた。
グリーンシートｌ上の発熱部４及び電極取出リード部５
形成位置に印刷し、これに同様の窒化けい素質グリーン
シートを積層した後一体焼成した。得られた焼結体の電
極取出露出部６が存在する焼結体側面を研磨又は表面処
理することにより前記露出部６を充分側面に露出させた
後、ガラスとＮｉとの混合粉末からなるメタライズ層７
をその露出部６面上に形成し、電極リード８を有する金
属キャップ９を銀ロウ１０を介してこのメタライズ層７
上に固着させた。
得られた各試料は４０Ｘ５ Ｘｌ、２ｍｍの板状セラミ
ックヒータであり、まずこれら各試料の初期抵抗を測定
した後、該ヒータ先端の温度が１３００℃となるような
電圧（１００〜１２０Ｖ）を連続１００時間通電し、そ
の後の抵抗値を測定し、さらに初期抵抗との変化率を調
べた。また、この際セラミックヒータ先端の温度が１３
００℃の時の電極取出露出部６近傍の温度を調べた。こ
れらの結果を第１表に示す。
ックヒータであり、まずこれら各試料の初期抵抗を測定
した後、該ヒータ先端の温度が１３００℃となるような
電圧（１００〜１２０Ｖ）を連続１００時間通電し、そ
の後の抵抗値を測定し、さらに初期抵抗との変化率を調
べた。また、この際セラミックヒータ先端の温度が１３
００℃の時の電極取出露出部６近傍の温度を調べた。こ
れらの結果を第１表に示す。
第１表から理解されるように発熱部とリード部が同じＴ
ｉＮ質抵抗ペーストからなる従来例のものは連続通電（
１００時間）後、電極取出露出部における電極取出リー
ド部とメタライズ層との界面が剥がれて断線を生じた。
ｉＮ質抵抗ペーストからなる従来例のものは連続通電（
１００時間）後、電極取出露出部における電極取出リー
ド部とメタライズ層との界面が剥がれて断線を生じた。
これはヒータ先端が１３００℃に発熱した際の電極取出
露出部近傍の温度が６００℃にまで昇温していたため電
極取出露出部が酸化腐蝕されたためと考えられる。また
発熱部とリード部が同じタングステン（−）抵抗ペース
トからなる従来例２のものは連続通電（１００時間）途
中で、発熱部のパターンが断線した。これはヒータの一
体焼成時又は連続通電中に抵抗体であるタングステン（
−）が窒化けい素質焼結体中のＳｉ成分と反応して脆弱
なＷＳｉ２層を生成し、そのため反応層生成界面に亀裂
等が生じたためと考えられる。
露出部近傍の温度が６００℃にまで昇温していたため電
極取出露出部が酸化腐蝕されたためと考えられる。また
発熱部とリード部が同じタングステン（−）抵抗ペース
トからなる従来例２のものは連続通電（１００時間）途
中で、発熱部のパターンが断線した。これはヒータの一
体焼成時又は連続通電中に抵抗体であるタングステン（
−）が窒化けい素質焼結体中のＳｉ成分と反応して脆弱
なＷＳｉ２層を生成し、そのため反応層生成界面に亀裂
等が生じたためと考えられる。
これに対し、発熱部にＴｉＮ 質抵抗ペーストを、電極
リード部にＷＣ抵抗ペーストを使用してなる本発明のも
のは連続通電１００時間後においても抵抗の変化がな（
、かつヒータ先端が１３００℃に発熱した際の電極取出
露出部近傍の温度が１５０℃と低く、該電極取出露出部
と電極リード線の金属キャップとの固着状態に影響を及
ぼさなく良好であったことが理解される 〔比較例〕 アルミナ質焼結体からなる基板上にタングステン（讐）
からなる発熱抵抗ペーストを塗布して前記実施例１と同
様の形状の試料を得た。たの試料Ｙと前記実施例１の本
発明の試料とを夫々ヒータの先端の温度を測定しながら
電圧を変化させ、その時の温度とｔ氏抗値の相関を調べ
た。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に、また
温度を横軸として第３図に示した。この図から明らかな
ように抵抗温度係数（ＴＣＲ）がＡＩＺＯ：１− 系
（Ｘ）が４．４×ｉｏ−″であるのに対し、本発明の５
ｉＪａ−ＴｉＮ−誓Ｃ系（Ｙ）のものは１．４ Ｘｌ０
−”と小さいことが理解される。
リード部にＷＣ抵抗ペーストを使用してなる本発明のも
のは連続通電１００時間後においても抵抗の変化がな（
、かつヒータ先端が１３００℃に発熱した際の電極取出
露出部近傍の温度が１５０℃と低く、該電極取出露出部
と電極リード線の金属キャップとの固着状態に影響を及
ぼさなく良好であったことが理解される 〔比較例〕 アルミナ質焼結体からなる基板上にタングステン（讐）
からなる発熱抵抗ペーストを塗布して前記実施例１と同
様の形状の試料を得た。たの試料Ｙと前記実施例１の本
発明の試料とを夫々ヒータの先端の温度を測定しながら
電圧を変化させ、その時の温度とｔ氏抗値の相関を調べ
た。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に、また
温度を横軸として第３図に示した。この図から明らかな
ように抵抗温度係数（ＴＣＲ）がＡＩＺＯ：１− 系
（Ｘ）が４．４×ｉｏ−″であるのに対し、本発明の５
ｉＪａ−ＴｉＮ−誓Ｃ系（Ｙ）のものは１．４ Ｘｌ０
−”と小さいことが理解される。
このことは前述の如く突入電流を小さくでき、さらにヒ
ータの温度分布は外部雰囲気に影響を受けにくくなる。
ータの温度分布は外部雰囲気に影響を受けにくくなる。
なお、上記実施例１．２においては、窒化けい素質焼結
体中に発熱抵抗体を埋設したものについて述べたが、こ
れに限らず窒化けい素質焼結体表面に上記発熱抵抗体を
配設し、必要に応じてセラミック等から成る被覆層を被
着せしめることによってセラミックヒータを構成するこ
とも可能である。
体中に発熱抵抗体を埋設したものについて述べたが、こ
れに限らず窒化けい素質焼結体表面に上記発熱抵抗体を
配設し、必要に応じてセラミック等から成る被覆層を被
着せしめることによってセラミックヒータを構成するこ
とも可能である。
また、ＴｉＮでもって線状、板状に形成した発熱抵抗体
を窒化けい素質焼結体中に埋設することによってヒータ
を構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗値は比
較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量の大き
いセラミックヒータを構成することができる。
を窒化けい素質焼結体中に埋設することによってヒータ
を構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗値は比
較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量の大き
いセラミックヒータを構成することができる。
（発明の効果）
窒化けい素焼粘体中もしくはその表面にＴｉＮを主体と
する発熱部、それに通電すべ（ＷＣを主体とする電極取
出リード部を設けたものであるので、抵抗体の発熱部の
経時的変化及び断線を防止でき、且つ抵抗温度係数（Ｔ
ＣＰ）を比較的小さくすることができると共に、電極取
出部近傍の発熱温度を下げて電極リード線の接続部分の
強度を劣化させることなく耐久性に優れたセラミックヒ
ータを提供できる。
する発熱部、それに通電すべ（ＷＣを主体とする電極取
出リード部を設けたものであるので、抵抗体の発熱部の
経時的変化及び断線を防止でき、且つ抵抗温度係数（Ｔ
ＣＰ）を比較的小さくすることができると共に、電極取
出部近傍の発熱温度を下げて電極リード線の接続部分の
強度を劣化させることなく耐久性に優れたセラミックヒ
ータを提供できる。
第１図はセラミックグリーンシート上に抵抗体ペースト
を印刷した状態を示す分解斜視図第２図は電極取出露出
部に電極リード線を接続した状態を示す要部拡大断面図
、第３図は比較例としてのアルミナ基板にタングステン
抵抗体を形成した比較用ヒータと、本発明のセラミック
ヒータの抵抗温度係数（ＴＣＰ）を示したグラフである
。 １．３ ・・窒化けい素質グリーンシート４ ・・・
発熱部 ５ ・・・電極取出リード部 ６ ・・・電極取出露出部
を印刷した状態を示す分解斜視図第２図は電極取出露出
部に電極リード線を接続した状態を示す要部拡大断面図
、第３図は比較例としてのアルミナ基板にタングステン
抵抗体を形成した比較用ヒータと、本発明のセラミック
ヒータの抵抗温度係数（ＴＣＰ）を示したグラフである
。 １．３ ・・窒化けい素質グリーンシート４ ・・・
発熱部 ５ ・・・電極取出リード部 ６ ・・・電極取出露出部
Claims (1)
- 窒化けい素質焼結体中もしくはその表面に、窒化チタン
（ＴｉＮ）を主体とする発熱部と、該発熱部の端部に炭
化タングステン（ＷＣ）を主体とする電極取出リード部
とを具備したことを特徴とするセラミックヒータ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283390A JP2646083B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | セラミツクヒータ |
| US07/079,255 US4804823A (en) | 1986-07-31 | 1987-07-29 | Ceramic heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283390A JP2646083B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | セラミツクヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136485A true JPS63136485A (ja) | 1988-06-08 |
| JP2646083B2 JP2646083B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17664897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283390A Expired - Fee Related JP2646083B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-11-27 | セラミツクヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646083B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292475A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JPH04337276A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JPH0553190U (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | 株式会社クラベ | フィルムヒータ |
| CN112750692A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 日本碍子株式会社 | 复合烧结体及复合烧结体的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711488A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Ube Industries | Ceramic heater |
| JPS61225801A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283390A patent/JP2646083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711488A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Ube Industries | Ceramic heater |
| JPS61225801A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社デンソー | 遠赤外線放射発熱体 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292475A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JPH04337276A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JP2948357B2 (ja) * | 1991-05-14 | 1999-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JPH0553190U (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | 株式会社クラベ | フィルムヒータ |
| CN112750692A (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-04 | 日本碍子株式会社 | 复合烧结体及复合烧结体的制造方法 |
| CN112750692B (zh) * | 2019-10-30 | 2024-03-08 | 日本碍子株式会社 | 复合烧结体及复合烧结体的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646083B2 (ja) | 1997-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4804823A (en) | Ceramic heater | |
| JP3228923B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ | |
| JP3516392B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用ホットプレート | |
| US6888106B2 (en) | Ceramic heater | |
| EP1117273A2 (en) | Ceramic heater | |
| JP3820706B2 (ja) | 窒化アルミニウムヒーター | |
| JPS63136485A (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP2000143349A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびそれを用いた静電チャック | |
| JP2537606B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP2534847B2 (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP2001230059A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 | |
| JP4044244B2 (ja) | 窒化ケイ素セラミックヒータ | |
| JP3885265B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH04325462A (ja) | ＡｌＮセラミックヒータ用発熱抵抗体用ペースト | |
| JP3625046B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ | |
| JP3226910B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 | |
| JP2001043960A (ja) | 窒化ケイ素セラミックヒータ | |
| JPS62180980A (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP3614764B2 (ja) | ウエハプローバ、および、ウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
| JPS6149832B2 (ja) | ||
| JPS62216189A (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| JP2001223260A (ja) | 静電チャック | |
| JPH10172734A (ja) | セラミックスヒーター及びその製造方法 | |
| JP2002305073A (ja) | セラミックヒータ | |
| JPS6127084A (ja) | セラミツクヒ−タ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |