JP2001223260A

JP2001223260A - 静電チャック

Info

Publication number: JP2001223260A
Application number: JP2000029278A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-02-07
Filing date: 2000-02-07
Publication date: 2001-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】１〜１０ｋＶの電圧を静電電極に印加した場
合にも、上記電極の角部に電場が集中することはなく、
これに起因して誘電体膜等にクラックが発生することの
ない静電チャックを提供する。【解決手段】セラミック基板上に静電電極が形成さ
れ、上記静電電極上にセラミック誘電体膜が設けられた
静電チャックにおいて、上記静電電極は、一対の対向電
極からなり、上記対向電極の角部の輪郭は、曲線により
構成されてなることを特徴とする静電チャック。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

〔発明の詳細な説明〕

【０００２】

【従来の技術】半導体は種々の産業において必要とされ
る極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、
シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウ
エハを作製した後、このシリコンウエハに複数の集積回
路等を形成することにより製造される。

【０００３】この半導体チップの製造工程においては、
静電チャック上に載置したシリコンウエハに、エッチン
グ、ＣＶＤ等の種々の処理を施して、導体回路や素子等
を形成する。この際、シリコンウエハは、静電チャック
にしっかりと固定される必要があり、静電チャックに
は、このシリコンウエハを吸着、固定するための静電電
極が形成されている。

【０００４】静電的な作用により、シリコンウエハを吸
着させるためには、静電電極とシリコンウエハとの間に
誘電体層が介在している必要があり、さらに、デポジシ
ョン用ガス、エッチング用ガス等として腐食性のガスを
使用するため、これらのガスによる腐食から静電電極層
を保護する必要がある。そのため、静電電極層は、通
常、セラミック誘電体膜等により被覆されている。

【０００５】図１１は、静電チャックを構成する静電電
極の一例を模式的に示した水平断面図である。図１１に
示したように、この静電電極は、チャック正極静電層６
２とチャック負極静電層６３とからなり、このチャック
正極静電層６２は、半円弧状部６２ａと櫛歯部６２ｂと
から構成され、チャック負極静電層６３も、同じく半円
弧状部６３ａと櫛歯部６３ｂとから構成されている。

【０００６】そして、これらのチャック正極静電層６２
とチャック負極静電層６３とは、櫛歯部６２ｂ、６３ｂ
を交差するように対向して配置されており、このチャッ
ク正極静電層６２およびチャック負極静電層６３には、
それぞれ直流電源の＋側と−側とが接続され、直流電圧
が印加されるようになっている。また、シリコンウエハ
９は、接地されている。

【０００７】そして、チャック正極静電層６２とチャッ
ク負極静電層６３とに直流電圧を印加すると、シリコン
ウエハ９とチャック正極静電層６２およびチャック負極
静電層６３との間に静電気的な相互作用が働き、シリコ
ンウエハ９は、これらの電極にセラミック誘電体膜を介
して吸着され、固定されることとなる。このようにして
シリコンウエハ９を静電チャック１０１上に固定させた
後、このシリコンウエハ９に、ＣＶＤ等の種々の処理を
施す。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このチ
ャック正極静電層６２とチャック負極静電層６３では、
図１１においてＸ、Ｙで示したように、角部（エッジ
部）の輪郭は、直線の組み合わせにより構成され、その
角度もおよそ９０°程度か、それよりも小さく、角張っ
た先端部分が存在していた。

【０００９】そのため、この電極に数ｋＶの高電圧を印
加すると、Ｘ、Ｙ等の角部に電場が集中し、この電場の
影響により誘電体膜が歪んでクラック等が発生しやすく
なるという問題があった。

【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、対向電極の角部に電場が集中しにく
く、これに起因して誘電体膜等にクラックが発生するこ
とのない静電チャックを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、セラ
ミック基板上に電極が形成され、前記電極上にセラミッ
ク誘電体膜が設けられた静電チャックにおいて、上記電
極は、一対の対向電極からなり、上記対向電極の角部の
輪郭は、曲線により構成されてなることを特徴とする。

【００１２】上記対向電極の角部は、曲率半径０．０１
〜１０ｍｍの曲線で構成されてなることが望ましい。曲
率半径０．０１ｍｍ未満では、結局電場の集中により、
誘電体膜が歪んでクラック等が発生しやすくなり、逆に
１０ｍｍを超えると電極が形成されないデッドスペース
が多くなり、チャック力が低下してしまうからである。
特に、曲率半径は、０．０２〜５ｍｍが最適である。製
造時に電極が剥離したり、欠損しにくいからである。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の静電チャックは、セラミ
ック基板上にチャック力を誘起するための電極（以下、
静電電極と呼ぶ）が形成され、上記静電電極上にセラミ
ック誘電体膜が設けられた静電チャックにおいて、上記
静電電極は、一対の対向電極からなり、上記対向電極の
角部の輪郭の少なくとも一部は、曲線により構成されて
なることを特徴とする。

【００１４】本発明の静電チャックでは、対向電極の角
部の輪郭の全部または一部が曲線により構成されてお
り、曲線部分は、直線を組み合わせた屈曲形状のものと
比較すると、角部に電場が集中しにくいため、電場の影
響によりセラミック誘電体膜に歪みが発生することはな
く、これに起因して、クラックが発生することもない。
従って、本発明の静電チャックでは、セラミック誘電体
膜の耐電圧も結果的に高くなり、静電電極に１〜１０ｋ
Ｖ等の高電圧を印加することができるため、シリコンウ
エハの吸着力が大きくなる。

【００１５】図１は、本発明の静電チャックの一実施形
態を模式的に示した縦断面図であり、図２は、図１に示
した静電チャックにおけるＡ−Ａ線断面図であり、図３
は、図１に示した静電チャックにおけるＢ−Ｂ線断面図
である。

【００１６】この静電チャック１０１では、平面視円形
状のセラミック基板１の表面に、半円弧状部２ａと櫛歯
部２ｂとからなるチャック正極静電層２と、同じく半円
弧状部３ａと櫛歯部３ｂとからなるチャック負極静電層
３とから構成される静電電極層が形成され、この静電電
極層上にセラミック誘電体膜４が形成されている。

【００１７】また、このチャック正極静電層２およびチ
ャック負極静電層３には、それぞれ直流電源の＋側と−
側とが接続され、直流電圧Ｖ₂ が印加されるようになっ
ている。一方、この静電チャック１０１上には、シリコ
ンウエハ９が載置され、接地されている。

【００１８】この静電電極は、その形状が従来の場合と
異なっている。すなわち、チャック正極静電層２及びチ
ャック負極静電層３の角部は、その輪郭が滑らかな曲線
により構成されており、尖った部分が存在しない。従っ
て、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との
間に、１〜１０ｋＶの直流電圧Ｖ₂ を印加した際にも、
電場が角部に集中することはない。

【００１９】一方、セラミック基板１の内部には、シリ
コンウエハ９の温度をコントロールするために、図３に
示したような平面視同心円形状の抵抗発熱体５が設けら
れており、抵抗発熱体５の両端には、外部端子ピン６が
接続、固定され、電圧Ｖ₁ が印加されるようになってい
る。また、図１、２には示していないが、このセラミッ
ク基板１には、図３に示したように、測温素子を挿入す
るための有底孔１１とシリコンウエハ９を支持して上下
させる支持ピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１
２が形成されている。なお、抵抗発熱体５は、セラミッ
ク基板の底面に形成されていてもよい。

【００２０】そして、チャック正極静電層２とチャック
負極静電層３との間に直流電圧Ｖ₂ を印加すると、シリ
コンウエハ９は、チャック正極静電層２とチャック負極
静電層３との静電的な作用により、セラミック誘電体膜
４上に吸着、固定される。

【００２１】本発明の静電チャックは、例えば、図１〜
３に示したような構成を有するものである。以下におい
て、上記静電チャックを構成する各部材、および、本発
明の静電チャックの他の実施形態について、順次、詳細
に説明していくことにする。

【００２２】本発明の静電チャックを構成するセラミッ
ク誘電体膜は、セラミック基板上に形成された静電電極
を被覆するように設けられている。このセラミック誘電
体膜を構成するセラミック材料は特に限定されるもので
はなく、例えば、窒化物セラミック、炭化物セラミッ
ク、酸化物セラミック等が挙げられる。

【００２３】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。

【００２４】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００２５】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００２６】通常、窒化物セラミック中には、金属酸化
物が含まれていることが好ましい。これらは、焼結助剤
として働き、焼結が進行しやすくなり、内部の気孔が小
さくなるため、セラミック誘電体膜の耐電圧が改善され
るからである。

【００２７】上記金属酸化物としては、例えば、イット
リヤ（Ｙ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃ ）、酸化ルビ
ジウム（Ｒｂ₂ Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ₂ Ｏ）、炭酸
カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）等が挙げられる。これらの金
属酸化物の添加量は、窒化物セラミック１００重量部に
対して、１〜１０重量部が好ましい。

【００２８】上記セラミック誘電体膜は、カーボンを含
有していることが望ましい。セラミック誘電体膜の高温
（約５００℃前後）における熱伝導率を低下させたくな
い場合には、結晶性のカーボンを添加することが望まし
く、高温における体積抵抗率を低下させたくない場合に
は、非晶質のカーボンを添加することが望ましい。従っ
て、場合によっては、その両方を添加することにより、
体積抵抗率と熱伝導率との両方を適切に調整することが
できる。カーボンの結晶性は、ラマンスペクトルを測定
した際の１５５０ｃｍ^-1付近と１３３３ｃｍ^-1付近のピ
ークの大きさにより判断することができる。

【００２９】セラミック誘電体膜にカーボンを含有させ
る場合、その含有量は、１００〜２０００ｐｐｍが好ま
しい。カーボンの含有量が１００ｐｐｍ未満であると、
輻射熱が低くなるとともに、静電電極を隠蔽することが
困難となり、一方、カーボンの含有量が２０００ｐｐｍ
を超えると、緻密化や体積抵抗率の低下を抑制すること
が困難となる。

【００３０】セラミック誘電体膜中のカーボンを非晶質
とするためには、原料粉末と樹脂等と溶剤とを混合して
成形体を製造する際に、加熱した場合においても結晶質
となりにくい樹脂や炭水化物等を添加し、酸素の少ない
雰囲気または非酸化性の雰囲気で成形体の脱脂を行えば
よい。また、ショ糖等の加熱等により非晶質となりやす
い炭水化物や樹脂を加熱することにより、非晶質のカー
ボンを製造し、それを添加してもよい。さらに、結晶質
のカーボンを添加する場合には、結晶質のカーボンブラ
ックや、グラファイトを粉砕して粉末化したものを使用
すればよい。

【００３１】上記セラミック誘電体膜の厚さは、５０〜
５０００μｍであることが望ましい。上記セラミック誘
電体膜の厚さが５０μｍ未満であると、膜厚が薄すぎる
ために充分な耐電圧が得られず、シリコンウエハを載置
し、吸着した際にセラミック誘電体膜が絶縁破壊する場
合があり、一方、上記セラミック誘電体膜の厚さが５０
００μｍを超えると、シリコンウエハと静電電極との距
離が遠くなるため、シリコンウエハを吸着する能力が低
くなってしまうからである。セラミック誘電体膜の厚さ
は、５０〜１５００μｍがより好ましい。

【００３２】また、上記セラミック誘電体膜の気孔率
は、５％以下で、最大気孔の気孔径が５０μｍ以下であ
ることが望ましい。上記気孔率が５％を超えると、セラ
ミック誘電体膜中の気孔数が増加し、また、気孔径が大
きくなりすぎ、その結果、気孔同士が連通しやすくな
り、このような構造のセラミック誘電体膜では、耐電圧
が低下してしまうからである。また、最大気孔の気孔径
が５０μｍを超えると、セラミック誘電体膜の厚さに対
する気孔径の比率が大きくなり、また、気孔同士か連通
する割合も多くなるため、やはり耐電圧が低下してしま
うからである。気孔率は、０または３％以下がより好ま
しく、最大気孔の気孔径は、０または１０μｍ以下がよ
り好ましい。

【００３３】気孔率や最大気孔の気孔径は、焼結時の加
圧時間、圧力、温度、ＳｉＣやＢＮなどの添加物で調整
する。ＳｉＣやＢＮは焼結を阻害するため、気孔を導入
させることができる。最大気孔の気孔径の測定は、試料
を５個用意し、その表面を鏡面研磨し、２０００〜５０
００倍の倍率で表面を電子顕微鏡で１０箇所撮影するこ
とにより行う。そして、撮影された写真で最大の気孔径
を選び、５０ショットの平均を最大気孔の気孔径とす
る。

【００３４】気孔率は、アルキメデス法により測定す
る。焼結体を粉砕して有機溶媒中あるいは水銀中に粉砕
物を入れて体積を測定し、粉砕物の重量と体積から真比
重を求め、真比重と見かけの比重から気孔率を計算する
のである。なお、上記のように、セラミック誘電体膜中
にある程度の気孔があってもよいとしているのは、セラ
ミック誘電体膜の表面にある程度の開気孔が存在する方
が、デチャックをスムーズに行うことができるからであ
る。

【００３５】上記セラミック誘電体膜中には、０．１〜
５重量％の酸素を含有してなることが望ましい。０．１
重量％未満では、耐電圧を確保することができず、逆に
５重量％を超えると酸化物の高温耐電圧特性の低下によ
り、耐電圧はやはり低下してしまうからである。また、
酸素量が５重量％を超えると熱伝導率が低下して昇温降
温特性が低下するからである。上記窒化物セラミックに
酸素を含有させるため、通常、窒化物セラミックの原料
粉末を空気中または酸素中で加熱するか、原料粉末に金
属酸化物を混合して焼成を行う。上記金属酸化物として
は、例えば、イットリヤ（Ｙ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃ ）、酸化ルビジウム（Ｒｂ₂ Ｏ）、酸化リチウム
（Ｌｉ₂ Ｏ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）等が挙げ
られる。これらの金属酸化物の添加量は、窒化物セラミ
ック１００重量部に対して、１〜１０重量部が好まし
い。

【００３６】セラミック基板上に形成される静電電極と
しては、例えば、金属または導電性セラミックの焼結
体、金属箔等が挙げられる。金属焼結体としては、タン
グステン、モリブデンから選ばれる少なくとも１種から
なるものが好ましい。金属箔も、金属焼結体と同じ材質
からなることが望ましい。これらの金属は比較的酸化し
にくく、電極として充分な導電性を有するからである。
また、導電性セラミックとしては、タングステン、モリ
ブデンの炭化物から選ばれる少なくとも１種を使用する
ことができる。

【００３７】図４および図５は、他の静電チャックにお
ける静電電極を模式的に示した水平断面図であり、図４
に示す静電チャック２０では、セラミック基板１の内部
に半円形状のチャック正極静電層２２とチャック負極静
電層２３が形成されており、図５に示す静電チャックで
は、セラミック基板１の内部に円を４分割した形状のチ
ャック正極静電層３２ａ、３２ｂとチャック負極静電層
３３ａ、３３ｂが形成されている。また、２枚の正極静
電層２２ａ、２２ｂおよび２枚のチャック負極静電層３
３ａ、３３ｂは、それぞれ交差するように形成されてい
る。静電チャックには、ＲＦ電極を設けておいてもよ
く、静電電極は、セラミック基板の両面にあってもよ
い。

【００３８】図４および図５に示した静電電極における
角部は、従来の場合と異なり、いずれもその輪郭が曲線
により構成されており、１〜１０ｋＶの電圧を印加した
場合にも、電場が角部に集中しないようになっている。
なお、円形等の電極が分割された形態の電極を形成する
場合、その分割数は特に限定されず、５分割以上であっ
てもよく、その形状も扇形に限定されない。

【００３９】本発明の静電チャックで使用されるセラミ
ック基板の材質としては、例えば、窒化物セラミック、
炭化物セラミック、酸化物セラミック等が挙げられる。
上記窒化物セラミック、上記炭化物セラミック、上記酸
化物セラミックとしては、例えば、セラミック誘電体膜
の説明で記載したものが挙げられる。

【００４０】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミックが望ましい。窒化物セラミックは熱伝導率が高
く、抵抗発熱体で発生した熱を良好に伝達することがで
きるからである。また、セラミック誘電体膜とセラミッ
ク基板とは同じ材料であることが望ましい。この場合、
同じ方法で作製したグリーンシートを積層し、同一条件
で焼成することにより、容易に製造することができるか
らである。また、窒化物セラミックの中では窒化アルミ
ニウムが最も好適である。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋ
と最も高いからである。

【００４１】上記セラミック基板は、カーボンを含有し
ていてもよい。これにより、高輻射熱が得られるからで
ある。カーボンの含有量は、１００〜２０００ｐｐｍ程
度が好ましい。カーボンとしては、Ｘ線回折で検出可能
な結晶質または検出不能な非晶質の一方を用いてもよ
く、結晶質および非晶質の両方を用いてもよい。

【００４２】本発明の静電チャックでは、通常、図１に
示したように、抵抗発熱体等の温度制御手段が設けられ
ている。静電チャック上に載置したシリコンウエハの加
熱等を行いながら、ＣＶＤ処理等を行う必要があるから
である。

【００４３】上記温度制御手段としては、図３に示した
抵抗発熱体５のほかに、ペルチェ素子（図８参照）が挙
げられる。抵抗発熱体は、セラミック基板の内部に設け
てもよく、セラミック基板の底面に設けてもよい。抵抗
発熱体を設ける場合は、静電チャックを嵌め込む支持容
器に、冷却手段としてエアー等の冷媒の吹きつけ口など
を設けてもよい。

【００４４】抵抗発熱体をセラミック基板の内部に設け
る場合には、複数層設けてもよい。この場合は、各層の
パターンは相互に補完するように形成されて、加熱面か
らみるとどこかの層にパターンが形成された状態が望ま
しい。例えば、互いに千鳥の配置になっている構造であ
る。

【００４５】抵抗発熱体としては、例えば、金属または
導電性セラミックの焼結体、金属箔、金属線等が挙げら
れる。金属焼結体としては、タングステン、モリブデン
から選ばれる少なくとも１種が好ましい。これらの金属
は比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有す
るからである。

【００４６】また、導電性セラミックとしては、タング
ステン、モリブデンの炭化物から選ばれる少なくとも１
種を使用することができる。さらに、セラミック基板の
底面に抵抗発熱体を形成する場合には、金属焼結体とし
ては、貴金属（金、銀、パラジウム、白金）、ニッケル
を使用することが望ましい。具体的には銀、銀−パラジ
ウムなどを使用することができる。上記金属焼結体に使
用される金属粒子は、球状、リン片状、もしくは球状と
リン片状の混合物を使用することができる。

【００４７】金属焼結体中には、金属酸化物を添加して
もよい。上記金属酸化物を使用するのは、セラミック基
板と金属粒子を密着させるためである。上記金属酸化物
により、セラミック基板と金属粒子との密着性が改善さ
れる理由は明確ではないが、金属粒子の表面はわずかに
酸化膜が形成されており、セラミック基板は、酸化物の
場合は勿論、非酸化物セラミックである場合にも、その
表面には酸化膜が形成されている。従って、この酸化膜
が金属酸化物を介してセラミック基板表面で焼結して一
体化し、金属粒子とセラミック基板とが密着するのでは
ないかと考えられる。

【００４８】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも１
種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗発熱体の抵抗値
を大きくすることなく、金属粒子とセラミック基板との
密着性を改善できるからである。

【００４９】上記金属酸化物は、金属粒子１００重量部
に対して０．１重量部以上１０重量部未満であることが
望ましい。この範囲で金属酸化物を用いることにより、
抵抗値が大きくなりすぎず、金属粒子とセラミック基板
との密着性を改善することができるからである。

【００５０】また、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホ
ウ素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの
割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合
に、酸化鉛が１〜１０重量部、シリカが１〜３０重量
部、酸化ホウ素が５〜５０重量部、酸化亜鉛が２０〜７
０重量部、アルミナが１〜１０重量部、イットリアが１
〜５０重量部、チタニアが１〜５０重量部が好ましい。
但し、これらの合計が１００重量部を超えない範囲で調
整されることが望ましい。これらの範囲が特にセラミッ
ク基板との密着性を改善できる範囲だからである。

【００５１】抵抗発熱体をセラミック基板の底面に設け
る場合は、抵抗発熱体１５の表面は、金属層１５０で被
覆されていることが望ましい（図６参照）。抵抗発熱体
１５は、金属粒子の焼結体であり、露出していると酸化
しやすく、この酸化により抵抗値が変化してしまう。そ
こで、表面を金属層１５０で被覆することにより、酸化
を防止することができるのである。

【００５２】金属層１５０の厚さは、０．１〜１０μｍ
が望ましい。抵抗発熱体の抵抗値を変化させることな
く、抵抗発熱体の酸化を防止することができる範囲だか
らである。被覆に使用される金属は、非酸化性の金属で
あればよい。具体的には、金、銀、パラジウム、白金、
ニッケルから選ばれる少なくとも１種以上が好ましい。
なかでもニッケルがさらに好ましい。抵抗発熱体には電
源と接続するための端子が必要であり、この端子は、半
田を介して抵抗発熱体に取り付けるが、ニッケルは半田
の熱拡散を防止するからである。接続端子しては、コバ
ール製の端子ピンを使用することができる。

【００５３】なお、抵抗発熱体をヒータ板内部に形成す
る場合は、抵抗発熱体表面が酸化されることがないた
め、被覆は不要である。抵抗発熱体をヒータ板内部に形
成する場合、抵抗発熱体の表面の一部が露出していても
よい。

【００５４】抵抗発熱体として使用する金属箔として
は、ニッケル箔、ステンレス箔をエッチング等でパター
ン形成して抵抗発熱体としたものが望ましい。パターン
化した金属箔は、樹脂フィルム等ではり合わせてもよ
い。金属線としては、例えば、タングステン線、モリブ
デン線等が挙げられる。

【００５５】温度制御手段としてペルチェ素子を使用す
る場合は、電流の流れる方向を変えることにより発熱、
冷却両方行うことができるため有利である。ペルチェ素
子８は、図８に示すように、ｐ型、ｎ型の熱電素子８１
を直列に接続し、これをセラミック板８２などに接合さ
せることにより形成される。ペルチェ素子としては、例
えば、シリコン・ゲルマニウム系、ビスマス・アンチモ
ン系、鉛・テルル系材料等が挙げられる。

【００５６】本発明における静電チャックとしては、例
えば、図１に示すように、セラミック基板１とセラミッ
ク誘電体膜４との間にチャック正極静電層２とチャック
負極静電層３とが設けられ、セラミック基板１の内部に
は抵抗発熱体５が設けられた構成の静電チャック１０
１、図６に示すように、セラミック基板１とセラミック
誘電体膜４との間にチャック正極静電層２とチャック負
極静電層３とが設けられ、セラミック基板１の底面に抵
抗発熱体１５が設けられた構成の静電チャック２０１、
図７に示すように、セラミック基板１とセラミック誘電
体膜４との間にチャック正極静電層２とチャック負極静
電層３とが設けられ、セラミック基板１の内部に抵抗発
熱体である金属線７が埋設された構成の静電チャック３
０１、図８に示すように、セラミック基板１とセラミッ
ク誘電体膜４との間にチャック正極静電層２とチャック
負極静電層３とが設けられ、セラミック基板１の底面に
熱電素子８１とセラミック板８２からなるペルチェ素子
８が形成された構成の静電チャック４０１等が挙げられ
る。

【００５７】本発明では、図１〜３および図６〜８に示
したように、セラミック基板１とセラミック誘電体膜４
との間にチャック正極静電層２とチャック負極静電層３
とが設けられ、セラミック基板１の内部に抵抗発熱体５
や金属線７が形成されているため、これらと外部端子と
を接続するための接続部（スルーホール）１６、１７が
必要となる。スルーホール１６、１７は、タングステン
ペースト、モリブデンペーストなどの高融点金属、タン
グステンカーバイド、モリブデンカーバイドなどの導電
性セラミックを充填することにより形成される。

【００５８】また、接続部（スルーホール）１６、１７
の直径は、０．１〜１０ｍｍが望ましい。断線を防止し
つつ、クラックや歪みを防止できるからである。このス
ルーホールを接続パッドとして外部端子ピン６、１８を
接続する（図９（ｄ）参照）。

【００５９】接続は、半田、ろう材により行う。ろう材
としては銀ろう、パラジウムろう、アルミニウムろう、
金ろうを使用する。金ろうとしては、Ａｕ−Ｎｉ合金が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ合金は、タングステンとの密着性
に優れるからである。

【００６０】Ａｕ／Ｎｉの比率は、〔８１．５〜８２．
５（重量％）〕／〔１８．５〜１７．５（重量％）〕が
望ましい。Ａｕ−Ｎｉ層の厚さは、０．１〜５０μｍが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
また、１０^-6〜１０^-5Ｐａの高真空で５００〜１０００
℃の高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化するが、
Ａｕ−Ｎｉ合金ではこのような劣化がなく有利である。
また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素量は全量を１００
重量部とした場合に１重量部未満であることが望まし
い。

【００６１】本発明では、必要に応じて、セラミック基
板１の有底孔１２に熱電対を埋め込んでおくことができ
る。熱電対により抵抗発熱体の温度を測定し、そのデー
タをもとに電圧、電流量を変えて、温度を制御すること
ができるからである。熱電対の金属線の接合部位の大き
さは、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それより
も大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構
成によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正
確に、また、迅速に電流値に変換されるのである。この
ため、温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布
が小さくなるのである。上記熱電対としては、例えば、
ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるよう
に、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対
が挙げられる。

【００６２】図１０は、以上のような構成の本発明の静
電チャックを配設するための支持容器４１を模式的に示
した断面図である。支持容器４１には、静電チャック１
０１が断熱材４５を介して嵌め込まれるようになってい
る。また、この支持容器１１には、冷媒吹き出し口４２
が形成されており、冷媒注入口４４から冷媒が吹き込ま
れ、冷媒吹き出し口４２を通って吸引口４３から外部に
出ていくようになっており、この冷媒の作用により、静
電チャック１０１を冷却することができるようになって
いる。

【００６３】次に、本発明の静電チャックの製造方法の
一例を図９に示した断面図に基づき説明する。（１）まず、酸化物セラミック、窒化物セラミック、炭
化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダおよ
び溶剤と混合してグリーンシート５０を得る。前述した
セラミック粉体としては、例えば、窒化アルミニウム、
炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、
イットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。

【００６４】なお、後述する静電電極層印刷体５１が形
成されたグリーンシートの上に積層する数枚または１枚
のグリーンシート５０′は、セラミック誘電体膜４とな
る層である。通常、セラミック誘電体膜４の原料とセラ
ミック基板１の原料とは、同じものを使用することが望
ましい。これらは、一体として焼結することが多いた
め、焼成条件が同じになるからである。ただし、材料が
異なる場合には、まず先にセラミック基板を製造してお
き、その上に静電電極層を形成し、さらにその上にセラ
ミック誘電体膜を形成することもできる。

【００６５】通常用いられるバインダとしては、アクリ
ル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、
ポリビニルアルコール等が挙げられ、これらから選ばれ
る少なくとも１種は、セラミック基板を形成するための
バインダとして用いることができる。さらに、溶媒とし
ては、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少
なくとも１種が望ましい。これらを混合して得られるペ
ーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリ
ーンシート５０を作製する。

【００６６】グリーンシート５０に、必要に応じてシリ
コンウエハの支持ピンを挿通する貫通孔や熱電対を埋め
込む凹部を設けておくことができる。貫通孔や凹部は、
パンチングなどで形成することができる。グリーンシー
ト５０の厚さは、０．１〜５ｍｍ程度が好ましい。

【００６７】次に、グリーンシート５０に静電電極層や
抵抗発熱体となる導体ペーストを印刷する。印刷は、グ
リーンシート５０の収縮率を考慮して所望のアスペクト
比が得られるように行い、これにより静電電極層印刷体
５１、抵抗発熱体層印刷体５２を得る。印刷体は、導電
性セラミック、金属粒子などを含む導体ペーストを印刷
することにより形成する。

【００６８】これらの導体ペースト中に含まれる導電性
セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブデ
ンの炭化物が最適である。酸化しにくく、熱伝導率が低
下しにくいからである。また、金属粒子としては、例え
ば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなどを
使用することができる。

【００６９】導電性セラミック粒子、金属粒子の平均粒
子径は０．１〜５μｍが好ましい。これらの粒子は、大
きすぎても小さすぎても導体用ペーストを印刷しにくい
からである。このようなペーストとしては、金属粒子ま
たは導電性セラミック粒子８５〜９７重量部、アクリル
系、エチルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビ
ニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ
１．５〜１０重量部、α−テルピネオール、グリコー
ル、エチルアルコールおよびブタノールから選ばれる少
なくとも１種の溶媒を１．５〜１０重量部混合して調製
した導体用ぺーストが最適である。さらに、パンチング
等で形成した孔に、導体用ペーストを充填してスルーホ
ール印刷体５３、５４を得る。

【００７０】次に、図９（ａ）に示すように、印刷体５
１、５２、５３、５４を有するグリーンシート５０と、
印刷体を有さないグリーンシート５０′とを積層する。
静電電極層印刷体５１が形成されたグリーンシート上に
は、上述した構成の数枚または１枚のグリーンシート５
０′を積層する。抵抗発熱体形成側に印刷体を有さない
グリーンシート３０′を積層するのは、スルーホールの
端面が露出して、抵抗発熱体形成の焼成の際に酸化して
しまうことを防止するためである。もしスルーホールの
端面が露出したまま、抵抗発熱体形成の焼成を行うので
あれば、ニッケルなどの酸化しにくい金属をスパッタリ
ングする必要があり、さらに好ましくは、Ａｕ−Ｎｉの
金ろうで被覆してもよい。

【００７１】（２）次に、図９（ｂ）に示すように、積
層体の加熱および加圧を行い、グリーンシートおよび導
体ペーストを焼結させる。加熱温度は、１０００〜２０
００℃、加圧は１００〜２００ｋｇ／ｃｍ² が好まし
く、これらの加熱および加圧は、不活性ガス雰囲気下で
行う。不活性ガスとしては、アルゴン、窒素などを使用
することができる。この工程で、スルーホール１６、１
７、チャック正極静電層２、チャック負極静電層３、抵
抗発熱体５等が形成される。

【００７２】（３）次に、図９（ｃ）に示すように、外
部端子接続のための袋孔１３、１４を設ける。袋孔１
３、１４の内壁は、その少なくともその一部が導電化さ
れ、導電化された内壁は、チャック正極静電層２、チャ
ック負極静電層３、抵抗発熱体５等と接続されているこ
とが望ましい。

【００７３】（７）最後に、図９（ｄ）に示すように、
袋孔１３、１４に金ろうを介して外部端子６、１８を設
ける。さらに、必要に応じて、有底孔１２を設け、その
内部に熱電対を埋め込むことができる。半田は銀−鉛、
鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用することが
できる。なお、半田層の厚さは、０．１〜５０μｍが望
ましい。半田による接続を確保するに充分な範囲だから
である。

【００７４】なお、上記説明では静電チャック１０１
（図１参照）を例にしたが、静電チャック２０１（図６
参照）を製造する場合は、静電電極層を有するセラミッ
ク板を製造した後、このセラミック板の底面に導体ペー
ストを印刷、焼成し、抵抗発熱体１５を形成し、この
後、無電解めっき等により金属層１５０を形成すればよ
い。また、静電チャック３０１（図７参照）を製造する
場合は、セラミック粉末中に金属箔、金属線を静電電極
や抵抗発熱体として埋め込み、焼結すればよい。さら
に、静電チャック４０１（図８参照）を製造する場合
は、静電電極層を有するセラミック板を製造した後、こ
のセラミック板に溶射金属層を介してペルチェ素子を接
合すればよい。

【００７５】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）静電チャック（図１参照）の製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：
０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量
部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノ
ールとからなるアルコール５３重量部を混合したペース
トを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚
さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。

【００７６】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍ
ｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを
挿通する貫通孔となる部分、外部端子と接続するための
スルーホールとなる部分を設けた。

【００７７】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量
部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオ
ール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合
して導体ペーストＢを調製した。この導体ペーストＡを
グリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペース
ト層を形成した。印刷パターンは、同心円パターンとし
た。また、他のグリーンシートに図２に示した角部の輪
郭が滑らかな曲線より構成される形状の静電電極パター
ンからなる導体ペースト層を形成した。なお、スクリー
ン印刷に使用されるスクリーン版は、ムラカミ社製、Ｓ
ＵＳ ♯３２５、乳剤厚５μｍのものを使用した。この
スクリーン版は、ステンレス板をエッチングして製造さ
れており、微細な曲率をもったパターンを印刷すること
ができる。以後の実施例、比較例はすべてこのスクリー
ン版を使用した。

【００７８】さらに、外部端子を接続するためのスルー
ホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。上記処
理の終わったグリーンシート５０に、さらに、タングス
テンペーストを印刷しないグリーンシート５０′を上側
（加熱面）に３４枚、下側に１３枚積層し、その上に静
電電極パターンからなる導体ペースト層を印刷したグリ
ーンシート５０を積層し、さらにその上にタングステン
ペーストを印刷していないグリーンシート５０′を２枚
積層し、これらを１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で
圧着して積層体を形成した（図９（ａ））。

【００７９】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０
ｋｇ／ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒
化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板
状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発
熱体５および厚さ１０μｍのチャック正極静電層２、チ
ャック負極静電層３を有する窒化アルミニウム製の板状
体とした（図９（ｂ））。

【００８０】（５）次に、（４）で得られた板状体を、
ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、Ｓｉ
Ｃ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔
（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。

【００８１】（６）さらに、スルーホールが形成されて
いる部分をえぐり取って袋孔１３、１４とし（図９
（ｃ））、この袋孔１３、１４にＮｉ−Ａｕからなる金
ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の
外部端子６、１８を接続させた（図９（ｄ））。なお、
外部端子の接続は、タングステンの支持体が３点で支持
する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができ
るからである。

【００８２】（７）次に、温度制御のための複数の熱電
対を有底孔に埋め込み、抵抗発熱体を有する静電チャッ
クの製造を完了した。

【００８３】（実施例２）静電チャック（図６参照）の
製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：
０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダー１１．５重
量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタ
ノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペー
ストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、
厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。

【００８４】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍ
ｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを
挿通する貫通孔となる部分、外部端子と接続するための
スルーホールとなる部分を設けた。

【００８５】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量
部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオ
ール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合
して導体ペーストＢを調製した。この導体ペーストＡを
グリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、図５に示し
た角部の輪郭が滑らかな曲線から構成される形状の静電
電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。

【００８６】さらに、外部端子を接続するためのスルー
ホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。上記処
理の終わったグリーンシート５０に、さらに、タングス
テンペーストを印刷しないグリーンシート５０′を上側
（加熱面）に１枚、下側に４８枚積層し、これらを１３
０℃、８０ｋｇ／ｃｍ² の圧力で圧着して積層体を形成
した。

【００８７】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０
ｋｇ／ｃｍ² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒
化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板
状に切り出し、内部に厚さ１５μｍのチャック正極静電
層２およびチャック負極静電層３を有する窒化アルミニ
ウム製の板状体とした。

【００８８】（５）上記（４）で得た板状体の底面にマ
スクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱
電対のための凹部（図示せず）等を設けた。

【００８９】（６）次に、ウエハ載置面に対向する面
（底面）に抵抗発熱体１５を印刷した。印刷は導体ペー
ストを用いた。導体ペーストは、プリント配線板のスル
ーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソル
ベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導体ペーストは、
銀／鉛ペーストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸
化ホウ素、アルミナからなる金属酸化物（それぞれの重
量比率は、５／５５／１０／２５／５）を銀１００重量
部に対して７．５重量部含むものであった。また、銀の
形状は平均粒径４．５μｍでリン片状のものであった。

【００９０】（７）導体ペーストを印刷した板状体を７
８０℃で加熱焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結
させるとともにセラミック基板に焼き付けた。さらに硫
酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、塩化アンモ
ニウム３０ｇ／ｌおよびロッシェル塩６０ｇ／ｌを含む
水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に板状体を浸漬
して、銀の焼結体１５の表面に厚さ１μｍ、ホウ素の含
有量が１重量％以下のニッケル層１５０を析出させた。
この後、板状体に、１２０℃で３時間アニーリング処理
を施した。銀の焼結体からなる抵抗発熱体は、厚さが５
μｍ、幅２．４ｍｍであり、面積抵抗率が７．７ｍΩ／
□であった。

【００９１】（８）次に、セラミック基板にスルーホー
ル１６を露出させるための袋孔を設けた。この袋孔にＮ
ｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８１．５重量％、Ｎｉ１８．４重量
％、不純物０．１重量％）からなる金ろうを用い、９７
０℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子ピンを接
続させた。また、抵抗発熱体に半田（スズ９／鉛１）を
介してコバール製の外部端子ピンを形成した。

【００９２】（９）次に、温度制御のための複数熱電対
を凹部に埋め込み、静電チャック２０１を得た。

【００９３】（１０）次に、この静電チャック２０１を
図１０の断面形状を有するステンレス製の支持容器４１
にセラミックファイバー（イビデン社製商品名イビ
ウール）からなる断熱材４５を介して嵌め込んだ。この
支持容器４１は冷却ガスの冷媒吹き出し口４２を有し、
静電チャック２０１の温度調整を行うことができる。こ
の支持容器４１に嵌め込まれた静電チャック２０１の抵
抗発熱体１５に通電を行って、温度を上げ、また、支持
容器に冷媒を流して静電チャック２０１の温度を制御し
たが、極めて良好に温度を制御することができた。

【００９４】（実施例３）静電チャック３０１（図
７）の製造（１）厚さ１０μｍのタングステン箔を打抜き加工する
ことにより図４に示した角部の輪郭が滑らかな曲線から
構成される形状の電極２枚を形成した。この電極２枚と
タングステン線を窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社
製、平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア
（平均粒径０．４μｍ）４重量部とともに、成形型中に
入れて窒素ガス中で１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ
² で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニ
ウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に切り
出して板状体とした。このとき、静電電極層の厚さは、
１０μｍであった。

【００９５】（２）この板状体に対し、実施例１の
（５）〜（７）の工程を実施し、静電チャック３０１を
得た。

【００９６】（実施例４）静電チャック４０１（図
８）の製造実施例２の（１）〜（５）の工程を実施した後、さらに
底面にニッケルを溶射し、この後、鉛・テルル系のペル
チェ素子を接合させることにより、静電チャック４０１
を得た。

【００９７】（比較例１）グリーンシートに図１１に示
した角部の輪郭が直線の組み合わせにより構成される形
状の静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成し
たほかは、実施例１と同様にして静電チャックを製造し
た。

【００９８】（比較例２）グリーンシートに図５に示し
た形状とほぼ同様の形状で、角部の輪郭が直線の組み合
わせにより構成される静電電極パターンからなる導体ペ
ースト層を形成したほかは、実施例２と同様にして静電
チャックを製造した。

【００９９】実施例１〜４および比較例１〜２の抵抗発
熱体を有する静電チャックについて、静電電極の曲率半
径を測定するとともに、１０ｋＶの電圧を印加した後、
誘電体膜を顕微鏡で観察することによりクラックが発生
するか否かを判断した。また、４５０℃におけるチャッ
ク力も測定した。その結果を下記の表１に示した。

【０１００】

【表１】

【０１０１】上記表１より明らかなように、実施例１〜
４に係る静電チャックでは、セラミック誘電体膜にクラ
ック等は全く発生していなかった。また、チャック力も
１０００ｇ／ｃｍ² 程度を確保できる。

【０１０２】これに対し、比較例１〜２に係る静電チャ
ックでは、セラミック誘電体膜にクラックが発生した
り、チャック力が充分ではない。高電圧を印加した際、
電極の角部への電場の集中によりセラミック誘電体膜に
歪みが発生し、この歪みに起因してクラックが発生し、
絶縁破壊してしまったからであると考えられる。また、
曲率半径を大きくすると電極面積が小さくなり、チャッ
ク力が低下する。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明のように、本発明の静電チャッ
クでは、静電電極を構成する一対の対向電極の角部の輪
郭が曲線により構成されているので、１〜１０ｋＶの電
圧を静電電極に印加した場合にも、上記電極の角部に電
場が集中することはなく、この電場の影響でセラミック
誘電体膜が歪むことはなく、歪みに起因してクラックが
発生することもない。また、充分なチャック力が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の静電チャックの一例を模式的に示す断
面図である。

【図２】図１に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図で
ある。

【図３】図１に示した静電チャックのＢ−Ｂ線断面図で
ある。

【図４】本発明の静電チャックを構成する静電電極の形
状を模式的に示した水平断面図である。

【図５】本発明の静電チャックを構成する静電電極の形
状を模式的に示した水平断面図である。

【図６】本発明の静電チャックの一例を模式的に示す断
面図である。

【図７】本発明の静電チャックの一例を模式的に示す断
面図である。

【図８】本発明の静電チャックの一例を模式的に示す断
面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の静電チャックの製
造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図１０】本発明の静電チャックを支持容器に嵌め込ん
だ状態を模式的に示した断面図である。

【図１１】従来の静電チャックの水平断面図である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１静電チャック１セラミック基板２、２２、３２ａ、３２ｂチャック正極静電層３、２３、３３ａ、３３ｂチャック負極静電層２ａ、３ａ半円弧状部２ｂ、３ｂ櫛歯部４セラミック誘電体膜５抵抗発熱体６、１８外部端子ピン７金属線８ペルチェ素子９シリコンウエハ１１有底孔１２貫通孔１３、１４袋孔１５抵抗発熱体１５０金属層１６、１７スルーホール４１支持容器４２冷媒吹き出し口４３吸入口４４冷媒注入口４５断熱材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板上に電極が形成され、前
記電極上にセラミック誘電体膜が設けられた静電チャッ
クにおいて、前記電極は、一対の対向電極からなり、前
記対向電極の角部の輪郭は、曲線により構成されてなる
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】前記対向電極の角部は、曲率半径０．０
１〜１０ｍｍの曲線で構成されてなる請求項１に記載の
静電チャック。