FR2921724A1 - Procede de production d'un capteur de haute temperature, puce de capteur de haute temperature obtenue et son utilisation - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de production d'un capteur de haute température où une couche de résistance électrique au platine (3) est appliquée sur un substrat d'oxyde métallique (1) et une couche intermédiaire céramique (7) est appliquée sur la couche de résistance électrique, où un couvercle autoporteur est appliqué par collage sur la couche intermédiaire céramique ou bien où une vitrocéramique (10) est fixée sur la couche intermédiaire sur toute sa surface, une puce de capteur de haute température ainsi produite et l'utilisation de ce capteur de haute température.
Description
La présente invention concerne un capteur électrique de température comportant une couche de résistance électrique sous forme de résistance électrique de mesure munie de connexions électriques sur une surface électriquement isolante d'un substrat, en particulier en céramique, et dans lequel la couche de résistance électrique est recouverte par une couche de barrière de diffusion. De WO 92/15101 on connaît un capteur de température en platine, rapide, comportant une couche de résistance électrique en platine appliquée sur un substrat céramique et sur laquelle est appliquée une couche de passivation, la couche de passivation étant sous forme d'une double couche constituée par une couche céramique et une couche de verre. Pour produire une telle résistance électrique dépendant de la température à titre de capteur de température, la couche de résistance électrique (méandres en platine) est appliquée sous forme de couche épaisse sur un substrat ayant une surface en un matériau électriquement isolant, la surface externe de la couche de résistance électrique étant recouverte d'une couche en matériau électriquement isolant qui sert de couche de passivation.
En outre, , on connaît de EP 0 543 413 Al un procédé de production d'une résistance électrique comportant du platine, dépendante de la température, à titre de capteur de température, dans lequel une électrode est appliquée à distance de la couche de résistance électrique ; Une migration des ions jusqu'à la couche de résistance électrique par conduction de courant doit ainsi être évitée, et l'électrode est reliée électriquement à la couche de résistance électrique. De US 5 202 665 on connaît un procédé pour produire un capteur de température dans lequel une couche de platine est appliquée sur un substrat par la technologie des couches épaisses. Dans ce cas, une poudre de platine est mélangée avec des oxydes et des liants et appliquée par sérigraphie. Puis a lieu un maintien à température constante dans une plage de température comprise entre 1300°C et 1350°C. Un capteur de température ainsi produit, comportant une couche contenant du platine sur un substrat, contient du platine métallique finement divisé dans une céramique d'oxyde et présente une teneur en platine métallique comprise entre 60 et 90 % en masse.
De EP 0 327 535 B1, on connaît un capteur de température muni d'une résistance électrique en platine en couche mince comme élément de mesure. Une résistance électrique de mesure de température en platine est formée sur une surface d'un substrat électriquement isolant, où l'élément de résistance électrique est recouvert d'une couche protectrice diélectrique qui est de préférence constituée de dioxyde de silicium et qui présente une épaisseur comprise entre 2 000.10-10 et 4 00010-10 m (angstrdms). En outre, il est prévu comme couche de couverture une couche de barrière de diffusion qui est appliquée par précipitation de titane dans une atmosphère d'oxygène pour la formation d'oxyde de titane. Cette couche de barrière présente une épaisseur comprise entre 6 000 et 12 000 10-10 m (angstrôms). Bien que la couche de barrière de diffusion permette l'accès de l'oxygène à la couche diélectrique et donc empêche largement l'attaque des ions métalliques libérés par la couche de verre sur la couche de platine, ceci peut conduire dans des conditions environnantes extrêmes à une attaque sur la couche de platine, de sorte que son comportement physique en tant qu'élément de mesure de la température est perturbé. En outre, une résistance de mesure électrique pour thermomètre à résistance ainsi qu'un procédé de production d'une telle résistance de mesure électrique sont connus de US 4 050 052 ou du document correspondant DE 25 27 739 C3. De tels capteurs de température peuvent, selon EP 0 973 020, être munis d'une cathode sacrificielle et résister à des températures pouvant atteindre 1100°C. Cette technique protège la résistance de mesure contre les attaques chimiques ou mécaniques. Cependant, dans ce capteur, il importe de toujours veiller à ce que la cathode soit correctement raccordée électriquement, car une confusion entre les connexions électriques conduit à la destruction du capteur. En outre, le capteur est soumis à une dérive lorsqu'il est soumis à des températures supérieures à 700°C. Le but de la présente invention consiste à fournir un capteur dont la dérive est réduite dans le domaine d'utilisation de 750°C à 1200°C et qui, de préférence, est insensible au raccordement électrique.
Selon l'invention, pour atteindre ce but, un couvercle est collé sur la couche céramique recouvrant la couche de résistance électrique. En particulier, une vitrocéramique ou un couvercle céramique est collé avec une vitrocéramique sur la couche céramique recouvrant la couche de résistance électrique. De préférence, le verre de la vitrocéramique est du verre de quartz de haute pureté, ou bien la couche de vitrocéramique est reliée avec la cathode de la couche de résistance électrique devant la couche intermédiaire céramique. La couche céramique recouvrant la couche de résistance électrique se situe du côté de la couche de résistance électrique opposé à la surface du substrat.
De préférence, le substrat consiste en un oxyde métallique, en particulier en un saphir ou en une céramique. Ainsi, la présente invention concerne un procédé pour produire un capteur de haute température dans lequel une couche de résistance électrique au platine est appliquée sur un substrat d'oxyde métallique et une couche intermédiaire céramique est appliquée sur la couche de résistance électrique, et dans lequel un couvercle autoporteur est collé sur la couche intermédiaire céramique ou bien où une vitrocéramique est fixée sur la couche intermédiaire sur toute sa surface. Selon un aspect de l'invention, un couvercle céramique autoporteur est collé avec une vitrocéramique sur la couche intermédiaire céramique sur toute sa surface. Selon un aspect de l'invention, un couvercle céramique autoporteur est collé avec une vitrocéramique au quartz sur la couche intermédiaire céramique.
Selon un aspect de l'invention, la vitrocéramique est appliquée devant la couche intermédiaire jusqu'à la cathode de la couche de résistance électrique. Selon un aspect de l'invention, la vitrocéramique est électriquement conductrice au-delà de 750°C ou est un conducteur ionique. Selon un aspect de l'invention, le couvercle est collé avec une vitrocéramique dopée avec un métal qui est appliquée devant la couche intermédiaire jusqu'à la cathode de la couche de résistance électrique. La présente invention concerne également un procédé de production d'un capteur de haute température dans lequel une couche de résistance électrique au platine est appliquée sur un substrat d'oxyde métallique et une couche intermédiaire céramique est appliquée sur la couche de résistance électrique, et dans lequel une vitrocéramique au quartz est collée à titre de couvercle sur la couche intermédiaire céramique.
Selon un aspect de l'invention, des plots de contact (pads) reliés à la couche de résistance électrique ne sont pas recouverts par la couche intermédiaire et des fils de connexion sont reliés à ces plots de contact entre l'application de la couche intermédiaire céramique et avant le collage du couvercle.
La présente invention concerne également une puce de capteur de haute température munie de plots de contact (pads) et d'une couche de résistance électrique au platine reliée à ceux-ci sur un substrat d'oxyde métallique et une couche intermédiaire céramique sur la couche de résistance électrique, où une vitrocéramique ou un couvercle en matériau oxydique ou en un matériau oxydique dopé avec un métal est fixée sur toute la surface sur la couche d'un intermédiaire céramique. Selon un aspect de l'invention, le couvercle consiste en une vitrocéramique ou en une vitrocéramique dopée avec un métal et en une plaquette céramique.
Selon un aspect de l'invention, la vitrocéramique est une vitrocéramique au quartz ou bien s'étend devant la couche intermédiaire jusqu'à la cathode. Selon un aspect de l'invention, la puce de capteur de haute température est une résistance électrique en couche(s) munie de fils.
Selon un aspect de l'invention, des plots de contact reliés à la couche de résistance électrique non recouverts par la couche intermédiaire sont reliés chacun à un fil de connexion. Selon un aspect de l'invention, la puce de capteur de haute température est constituée par un substrat d'oxyde métallique ayant une surface électriquement isolante et par une résistance de mesure au platine avec des connexions électriques disposée sur celui-ci, et une couche céramique recouvrant la résistance de mesure au platine mais pas les connexions électriques, en particulier en AI2O3 ou MgO ou Ta2O5, la couche intermédiaire électriquement isolante étant recouverte d'une vitrocéramique ou d'une vitrocéramique dopée avec un métal, qui, à partir de 850°C, présente une résistance d'au plus 1 mégaohm par carré (square). La présente invention concerne également l'utilisation d'une puce de capteur de haute température où la vitrocéramique ou la vitrocéramique dopée avec un métal qui colle le couvercle céramique à la couche intermédiaire céramique, présente un potentiel cathodique. Dans une forme de réalisation particulièrement intéressante, sur un saphir comportant une structure de résistance électrique au platine appliquée par épitaxie, est appliquée la structure de résistance au Pt avec une couche céramique, en particulier une couche mince en Al2O3 et sur celle-ci, une vitrocéramique au quartz ou un couvercle céramique, en particulier en AI2O3, est collée avec une vitrocéramique au quartz, En particulier, la vitrocéramique au quartz consiste en verre de quartz de haute pureté et en composants céramiques.
Dans une forme de réalisation particulièrement simple, on utilise une vitrocéramique dopée avec un métal ou une vitrocéramique qui est électriquement conductrice au-delà de 750°C ou qui constitue un conducteur ionique, où la vitrocéramique éventuellement dopée avec un métal sur la couche céramique recouvrant la couche de résistance électrique est reliée, devant la couche céramique, avec la cathode de la couche de résistance électrique. La vitrocéramique munie ainsi d'un potentiel cathodique ou ainsi reliée à la terre empêche la migration des cations jusqu'à la résistance de mesure au platine. En particulier, il se produit un mouillage du plot de connexion (pad) raccordé cathodiquement avec la vitrocéramique. La vitrocéramique qui est éventuellement dopée avec un métal contribue à l'élimination des tractions du fil de connexion fixé au plot de connexion. Dans une autre forme de réalisation, une cathode qui s'étend au niveau de la résistance de mesure ou autour de la résistance de mesure est reliée à la vitrocéramique sur la couche céramique. Ainsi, selon l'invention, un piège à cations (getter) dépendant de la température, qui agit en particulier à partir de 750°C seulement, est disposé sur la couche céramique recouvrant la résistance de mesure. De préférence, le contact avec la cathode a lieu au moyen d'un élément de connexion induit cathodiquement. Le piège à cations comporte de préférence de l'oxyde de zirconium, L'élément de connexion comporte de préférence un oxyde qui réagit électrochimiquement sous le potentiel de la cathode. La présente invention permet ainsi la commande de l'efficacité d'un piège à ions par le biais d'un piège à ions dépendant de la 5 température ou d'un élément de connexion. L'élément de connexion peut connecter aussi bien des pièges à ions courants que le piège à ions dépendant de la température selon l'invention. Les pièges à ions utilisés de préférence agissent seulement au-delà de 700°C, en particulier seulement au-delà de 750°C. Selon 10 l'invention, on utilise des pièges à ions céramiques ou vitreux. L'oxyde de zirconium a fait ses preuves. Les matériaux qui, sous le potentiel cathodique ou les conditions de température souhaitées ou le potentiel cathodique et les conditions de température souhaitées, conduisent à des réactions 15 électrochimiques, conviennent comme éléments de connexion. De la même manière, on préfère les oxydes, en particulier les verres ou les céramiques. En particulier, dans le cas de substrats céramiques disponibles dans le commerce, il est avantageux de les revêtir également avec le 20 piège à ions sur le côté opposé à la couche de résistance électrique. De préférence, l'ébauche, après l'application des fils de connexion, est plongée dans une barbotine de vitrocéramique ou est entourée d'une pâte de vitrocéramique. De préférence, des substrats céramiques selon DE 10 2007 038 680 sont traités en surface. En particulier, la peau de 25 cuisson du substrat céramique est retirée ou bien la surface du substrat est recouverte d'un matériau céramique pur avant l'application de la couche de résistance électrique. Une production particulièrement peu coûteuse résulte de l'application d'un couvercle en un matériau électriquement isolant avec un 30 adhésif de type vitrocéramique, qui est relié à la terre. Le couvercle permet une protection très efficace pour le maintien des propriétés fonctionnelles du capteur et favorise une longue durée d'utilisation de grande qualité. Le but est atteint selon le procédé de l'invention par le fait 35 qu'une couche de vitrocéramique est appliquée par collage sur la couche céramique recouvrant la couche de résistance électrique sur le côté de la couche de résistance électrique opposé à la surface du substrat et à distance de celle-ci. Le fait d'agencer la vitrocéramique sous forme de couvercle ou de coller une plaquette céramique avec la vitrocéramique ou d'étendre la vitrocéramique jusqu'à la cathode a fait ses preuves. En particulier, la vitrocéramique consiste en verre de quartz et en un composant céramique. Le but est également atteint selon le procédé de l'invention par le fait qu'une vitrocéramique dopée avec un métal est agencée sous forme de couvercle sur la couche de barrière de diffusion recouvrant la couche de résistance mécanique ou bien par le fait qu'une plaquette céramique est collée avec une couche de passivation de ce type ou bien par le fait que cette couche de passivation s'étend jusqu'à la cathode. Des vitrocéramiques particulièrement intéressantes contiennent du verre de quartz comme composant vitreux et sont dopées avec le platine.
Dans une forme de réalisation préférée, la couche de résistance électrique est appliquée sur une masse céramique, de préférence en oxyde d'aluminium, puis recouverte d'une masse céramique (également en oxyde d'aluminium) à titre de barrière de diffusion ou de couche de passivation. Dans ce cas, la couche de résistance électrique peut être appliquée sur un substrat céramique cuit, ce par quoi la géométrie de la structure de la couche de résistance électrique reste inchangée. La barrière de diffusion est de préférence appliquée sous forme de couche intermédiaire. Toutefois, il est possible aussi d'appliquer la couche de résistance électrique sur un support constitué par une céramique appelée céramique "crue. Après l'application de la couche en matériau électriquement isolant comme couche de passivation ou comme barrière de diffusion, celle-ci est alors frittée avec le support. Dans ce cas, il est possible aussi pour un système multicouche d'appliquer comme barrière de diffusion ou comme couche de passivation une céramique "crue" qui est ensuite reliée au moyen d'un processus de frittage avec le support et la couche de résistance électrique. Dans ce cas, l'utilisation d'un matériau identique ou analogue pour le support et la couverture de la couche de résistance électrique (couche de passivation ou barrière de diffusion) est particulièrement avantageuse car, ainsi, une inclusion hermétique de la couche de résistance électrique ou de la structure de résistance électrique est possible. Pour la formation de la barrière de diffusion ou de la couche de passivation, il est possible aussi d'appliquer une poudre céramique au moyen d'un procédé en couche épaisse sur la couche de résistance électrique puis de la fritter. L'avantage est que ce procédé est très peu coûteux. Il est possible aussi, pour la formation de la barrière de diffusion ou de la couche de passivation, d'appliquer une poudre céramique sur la couche de résistance électrique d'un substrat cuit dans un procédé de pulvérisation plasma. Ceci présente l'avantage que la couche résultante maintient sa stabilité même ultérieurement dans le cas où de hautes températures apparaissent en cours d'utilisation, du fait des hautes températures de dépôt.
En outre, la barrière de diffusion ou la couche de passivation peut être appliquée selon le procédé en couche mince par PVD (Physical Vapour Deposition) (dépôt physique en phase gazeuse), IAD (Ion Assisted Deposition) (dépôt assisté par ions), IBAD (Ion Beam Assisted Deposition) (dépôt assisté par faisceau d'ions), PIAD (Plasma Ion Assisted Deposition) (dépôt assisté par ions et plasma) ou CVD (Chemical Vapour Deposition) (dépôt chimique en phase gazeuse) ou par un procédé de pulvérisation magnétron. Le but de l'invention est atteint au moyen d'un couvercle qui est fixé sur la couche intermédiaire céramique. Un capteur électrique de température muni d'une couche de résistance électrique, qui est disposé sous forme de résistance de mesure munie de connexions électriques sur une surface électriquement isolante d'un support agencé sous forme de substrat céramique, dans lequel la couche de résistance électrique est recouverte pour la protection contre les contaminations ou les détériorations par au moins une couche de matériau électriquement isolant, qui est agencée sous forme de couche de passivation et/ou de barrière de diffusion, est protégée, selon l'invention, au moyen d'un couvercle pour résister à des températures supérieures à 1000°C. La résistance de mesure est de préférence une couche de résistance électrique comportant du platine, en particulier produite par la technique en couche mince ou en couche épaisse. La barrière de diffusion est agencée sous forme d'une couche intermédiaire. Les faibles coûts de production et la longue durée de vie de la résistance dépendant de la température se révèlent avantageuses.
Dans une forme de réalisation pratique, l'épaisseur de la couche intermédiaire est comprise entre 0,2 pm et 50 pm. Dans une autre forme de réalisation, la cathode est munie d'une connexion électrique ; il est ainsi possible de soumettre préalablement la cathode à une tension électriquement négative par rapport aux deux connexions de la couche de résistance ou de la résistance de mesure. La vitrocéramique sur la couche intermédiaire qui est reliée à la cathode conduit, dans des conditions environnantes extrêmes, les ions positifs (poisons du platine et ions métalliques) jusqu'à la couche vitreuse négative.
Dans une forme de réalisation préférée de l'invention, le support est en AI203. En outre, la barrière de diffusion ou la couche intermédiaire est de préférence en AI203, MgO ou un mélange des deux matériaux, la proportion massique de Al203 étant comprise entre 20 °I° et 70 %.
Il est possible également de constituer la barrière de diffusion ou la couche intermédiaire en un système de couches comportant une succession de couches d'au moins deux couches qui sont chacune constituées d'au moins un oxyde du groupe AI203, MgO, Ta205 ; dans ce cas, au moins une couche peut être formée de deux des oxydes cités, ou, de préférence, un mélange physique des oxydes est utilisé ; cependant, il est possible aussi d'utiliser des oxydes mixtes. Dans une autre forme de réalisation de l'invention, le groupe des oxydes constitué par AI203, MgO, Ta205 peut être élargi à l'oxyde de hafnium.
De préférence, la barrière de diffusion ou la couche de passivation consiste en un système monocouche selon le tableau 1 avec les matériaux indiqués aux positions 1 à 6 ou en un système multicouche selon le tableau 2 qui comporte au moins deux couches 1 et 2, dans lequel une ou plusieurs autres couches peuvent succéder également à la couche 2. Les différents matériaux des couches sont représentés dans les différentes positions ou lignes avec les chiffres 7 à 30. 10 Tableau 1 : Système monocouche 1 AI203 seulement 2 MgO seulement 3 Ta205 seulement 4 Mélange AI2O3/MgO Mélange AI2O3/Ta2O5 6 Mélange Mg01Ta205 5 Tableau 2 : Système multicouche Couche 1 Couche 2 7 AI203 seulement Al203 seulement 8 Al203 seulement MgO seulement 9 MgO seulement MgO seulement Ta205 seulement Ta205 seulement 11 Ta205 seulement AI203 seulement 12 Ta205 seulement MgO seulement 13 Mélange AI203/MgO AI203 seulement 14 AI203 seulement Mélange AI203/MgO Mélange AI2O3/MgO Mélange AI203/MgO 16 Mélange Ta205/MgO AI203 seulement 17 Ta205 seulement Mélange AI203/MgO 18 Mélange Ta205/MgO Mélange AI203/MgO 19 Mélange AI203/Ta205 AI203 seulement AI203 seulement Mélange Ta205/MgO 21 Mélange AI203/MgO Ta205 seulement 22 Ta205 seulement Mélange AI203/Ta205 23 AI203 seulement Mélange AI203/Ta205 24 Mélange AI203/MgO Mélange Ta205/MgO Mélange Ta205/MgO Mélange Ta205/MgO 26 Mélange Al203/Ta205 Ta205 seulement 27 MgO seulement Mélange AI203/MgO 28 MgO seulement Mélange AI203/Ta205 29 Mélange Al2O3/MgO MgO seulement 30 Mélange Al2O3I1-a205 MgO seulement L'utilisation de ces matériaux se révèle particulièrement avantageuse car ces oxydes métalliques sont stables même aux hautes températures. La couche intermédiaire ou couche de passivation est de préférence produite au moyen d'un procédé PVD, IAD, IBAD, PAD ou de pulvérisation magnétron. En outre, la couche de passivation selon les deux formes de réalisation comporte un mélange de SiO2, BaO ou Al2O3r où la proportion massique de SiO2 est située dans le domaine de 20 % à 50 °/o.
Il est avantageux que ce mélange présente une grande résistance d'isolation. Le capteur de haute température selon l'invention peut être utilisé à des températures supérieures à 1000°C et atteignant 1200°C. Dans la suite, l'invention est illustrée au moyen des figures 1 à 6. La figure 1 montre en représentation éclatée une résistance de mesure avec des surfaces de connexion sur un saphir, où la résistance électrique est agencée sous forme d'une structure en méandres et est recouverte par une couche de barrière de diffusion et une couche de passivation ; les figures 2 et 3 montrent des formes de réalisation analogues à celles de la figure 1 où une passivation supplémentaire sous forme d'une plaquette céramique est appliquée par collage ; la figure 4 montre schématiquement une vue de dessus d'une 25 forme de réalisation selon la figure 5 avec les deux surfaces de contact libres et le contact pour les électrodes ; la figure 5 montre en coupe transversale une résistance électrique de mesure avec des surfaces de connexion sur un substrat céramique, où la résistance électrique est agencée sous forme d'une 30 structure en méandres et est recouverte par une couche de barrière de diffusion et une couche de passivation ; la figure 6 montre en coupe transversale une résistance électrique de mesure avec des surfaces de connexion dont la structure de résistance en forme de méandres est incluse hermétiquement entre le support et la couverture, où sa structure résulte du frittage conjoint d'une céramique crue ; la figure 7 montre une puce dans laquelle une cathode est disposée sur un substrat autour d'une résistance électrique de mesure.
Selon la figure 1, la couche de résistance électrique 3 qui sert de résistance de mesure est sous forme de couche mince située sur une surface plane d'un saphir 1. La couche de résistance électrique 3 est agencée sous forme de méandres comportant des surfaces de contact de connexion 4, comme cela est connu par exemple de DE 40 26 061 Cl et EP 0 471 138 B1. Les surfaces de contact de connexion 4 consistent en le même matériau que la couche de résistance électrique 3. La couche de résistance électrique 3 est munie sur son côté opposé au substrat 1 d'une couche de barrière de diffusion 7 à titre de couche intermédiaire 7, quiest recouverte elle- même par une couche de passivation 10 en vitrocéramique au quartz. Du fait de cette couche de passivation 10, la structure sensible de la couche de résistance électrique 3 contenant du platine est protégée efficacement contre la pollution atmosphérique de l'environnement. Dans une telle structure multicouche, compte tenu de la haute pureté des composants céramique et verre de quartz de la vitrocéramique au quartz 10, il est possible d'éviter les cations très nocifs pour la couche de résistance électrique 3 en platine, qui seraient susceptibles de contaminer très rapidement le platine aux hautes températures par migration dans le champ électrique et qui seraient de ce fait susceptibles d'influencer drastiquernent la fonction de résistance dépendant de la température de l'alliage de platine qui en résulterait, ce par quoi la résistance aux hautes températures de la couche de résistance électrique 3 pour les mesures de température ne serait plus garantie,. Du fait de la première couche d'oxyde d'aluminium thermodynamiquement stable et pure à titre de couche intermédiaire ou de barrière de diffusion 7, l'accès du silicium et d'autres substances ou ions polluant le platine est évité. Ainsi, la couche de résistance électrique structurée en forme de méandre à titre d'exemple est protégée contre les pollutions. L'application de la couche intermédiaire ou de la barrière de diffusion 7 peut être obtenue par dépôt physique en phase vapeur ou PVD (pour "Physical vapor deposition").
La couche d'oxyde d'aluminium 7 est appliquée de manière surstcechiométrique de sorte qu'une couche très stable d'oxyde d'aluminium pur (Al203) recouvre la structure de platine de la couche de résistance 3. La couche de passivation 10 en vitrocéramique comportant du silicium n'a alors aucun contact avec la couche de résistance en platine active 3, de sorte qu'une étanchéification de la couche de résistance 3 à titre de protection mécanique contre les éléments contaminants extérieurs est garantie. Selon les figures 2 et 3, une plaquette céramique 11 est appliquée par collage sur la vitrocéramique 10 dopée avec un métal, en particulier le platine. La plaquette céramique 11 constitue une passivation supplémentaire et joue aussi le rôle "d'écran protecteur" mécanique contre l'abrasion par des particules, telles que celles qui peuvent survenir par exemple lors de l'utilisation à titre de capteur de température directement dans le courant des gaz d'échappement de moteurs à combustion interne. La fonction principale est l'amélioration de la résistance à la corrosion. En outre, le substrat 1 est agencé sous forme de substrat dont la peau de cuisson a été retirée, et est recouvert d'une couche mince 2 de monoxyde d'aluminium.
Dans une forme de réalisation selon la figure 2, le plot de connexion 5a muni d'un fil de connexion 6a de la cathode et la couche mince 7 en oxyde d'aluminium disposée sur la résistance électrique de mesure 3 sont recouverts d'une vitrocéramique 10 dopée avec un métal. Le potentiel négatif de cette couche de passivation 10 reliée cathodiquement à la terre évite une migration des cations jusqu'à la couche de résistance au platine. Dans une forme de réalisation selon la figure 3, les plots de connexion 5a et 5b munis de fils de connexion 6a et 6b sont débarrassés des tractions au moyen d'une fixation 9 électriquement isolante. La vitrocéramique consiste en composants très purs de verre de quartz et AI203. Cette couche de passivation ne comporte que des cations qui sont fixés dans la céramique, de sorte qu'aucune migration de cations dans le champ électrique n'a lieu. Selon les figures 4 et 5, la couche de résistance électrique 3 en platine qui sert de résistance de mesure se trouve sur une surface plane d'un substrat ou support 1 en saphir ou en céramique d'oxyde d'aluminium (Al2O3). Elle est de préférence structurée sous forme de méandres avec des plots de contact de connexion 4a, 4b, ainsi que cela est connu par exemple du document DE 40 26 061 Cl déjà cité. La couche de résistance électrique 3 est entourée sur le côté opposé au substrat 1 par une barrière de diffusion 7 à titre de couche intermédiaire, laquelle est elle-même recouverte par une couche de couverture externe à titre de couche de passivation 10 en vitrocéramique dopée avec un métal. La couche de passivation 10 est appliquée devant la couche intermédiaire sur la cathode en platine 8 à côté de la couche de résistance électrique 3 pour maintenir à distance de la couche de résistance 3 en platine les cations qui sortent éventuellement de la couche de passivation 10, par le fait qu'elle absorbe les cations. Il est ainsi possible, même dans un environnement agressif à haute température, d'assurer une protection contre la migration des cations dans le champ électrique. Pour cette raison, il est également avantageux de retirer la peau de cuisson d'un substrat céramique et de recouvrir le substrat céramique 1 d'une couche mince de Al2O3 2 pour appliquer sur celle-ci la structure de résistance électrique 3. De cette manière, la résistance aux hautes températures de la couche de résistance électrique 1 en platine et donc de l'ensemble du capteur de température est maintenue pendant une longue période de mesure. La figure 4 montre une vue de dessus de la figure 5 avec les deux surfaces de connexion 4a, 4b pour la résistance électrique et une cathode séparée 8 pour la vitrocéramique 10, qui est représentée ici, pour améliorer la clarté, le long de sa périphérie par des pointillés épais. Dans cette forme de réalisation, il est possible de soumettre préalablement la vitrocéramique à une tension "électriquement négative" par rapport à la résistance électrique. Les cations polluant la résistance électrique sont attirés vers la vitrocéramique 10 reliée à la cathode 8 et dopée avec un métal. Ainsi, la pollution est évitée. Une protection suffisante est déjà atteinte quand la vitrocéramique dopée avec un métal 10 est reliée à la terre à la connexion électriquement négative de la résistance. La barrière de diffusion 7 est représentée ici le long de sa périphérie par un trait continu. Dans une forme de réalisation simple qui n'est pas représentée, la vitrocéramique 10 dopée avec un métal est reliée à la terre par le biais d'une bande conductrice depuis la cathode 8 jusqu'au plot de connexion 4a.
Même si, selon la figure 4, une géométrie sensiblement rectangulaire de la résistance est représentée, le format des résistances selon l'invention est compris entre 1 et 6 mm pour la largeur et entre 3 et 50 mm pour la longueur.
Selon la figure 6, une résistance électrique avec des surfaces de contact de connexion 4a, 4b est appliquée sur un support i à titre de substrat en céramique crue et la couche de résistance structurée 3 est recouverte d'une passivation également constituée par une céramique crue sous forme d'une plaquette 7. Par un processus de cuisson commun, le support 1 et la couverture 7 sont frittés ensemble et incluent hermétiquement la couche ou structure de résistance 3. Après le processus de frittage, le support 1 et la plaquette 7 à titre de couverture forment une passivation mécanique et chimique très résistante pour la résistance 3 avec les propriétés d'une "céramique cuite". Sur les surfaces de connexion libre 4, 5 il est possible de souder ou braser ou lier des connexions sous forme de fils 6, de bandes ou de crochets, qui peuvent être ensuite scellées avec une vitrocéramique. Sur la figure 7, sur un substrat 1, la cathode 8 entoure la structure de résistance 3 qui est sous forme de méandres. La cathode 8 est alors reliée par le biais du plot 4a auquel est connectée cathodiquement la structure de la résistance électrique. La cathode peut aussi être connectée à un potentiel cathodique séparé. A titre d'alternative, la cathode 8 peut aussi faire partie de la structure de résistance électrique par le fait que la connexion cathodique de la structure de résistance électrique 3 est agencée sous forme de cathode 8 entourant largement la structure de résistance 3. La structure de résistance 3 est recouverte par une couche de passivation 7, mais pas la partie de la couche de résistance qui sert de cathode 8 ou la cathode 8 séparée. Une vitrocéramique 10 disposée sur la couche de barrière de diffusion 7 est appliquée au-dessus de la couche de barrière de diffusion 7 jusqu'à la cathode 8. L'épaisseur de la couche de résistance 3 est comprise entre 0,5 et 5 pm, et est de préférence égale à 1,5 pm ; l'épaisseur de la couche de passivation 10 est comprise entre 5 et 50 pm, et est de préférence égale à 25 pm.
L'épaisseur d'une cathode 8 appliquée dans le procédé en couche mince est comprise entre 0,2 et 10 pm, et est de préférence égale à 5 pm ; l'épaisseur d'une cathode 8 appliquée dans le procédé en couche épaisse est comprise entre 5 et 30 pm, et est de préférence égale à 15pm. A titre de complément à la forme de réalisation citée précédemment de la couche intermédiaire sous forme de barrière de division 7, on indiquera que celle-ci est appliquée selon le procédé en couche mince en une épaisseur comprise entre 0,2 et 10 pm, et de préférence égale à 5 pm, ou selon le procédé en couche épaisse en une épaisseur comprise entre 5 et 50 pm, et de préférence égale à 15 pm. L'épaisseur des plots des surfaces de contact de connexion 5 au niveau de la résistance 3 est comprise entre 20 et 100 pm, et est de préférence égale à 50 dam ; ces valeurs valent aussi pour l'épaisseur de la cathode 8. Le support 1 présente à titre de substrat une épaisseur comprise entre 0,13 mm et 1 mm, et de préférence égale à 0,635 mm. Les surfaces de connexion 4 représentées sur la plupart des figures sont disposées dans chaque cas sur un côté ; toutefois, il est possible également d'envisager des formes de réalisation d'une résistance dépendant de la température selon l'invention, dans lesquelles les deux surfaces de connexion illustrées sur les figures 5 et 6 sont disposées sur des côtés opposés. La production d'un capteur de température illustré sur la figure 2 se déroule selon les étapes suivantes : 1. Retrait de la peau de cuisson du substrat céramique par gravure par crépitement ; 2. Application d'une couche mince de AI203 2 : 3. Application d'une couche mince de platine 3 sur la couche mince de AI203 2 sur un support agencé sous forme de substrat céramique 30 1 ; 4. Structuration photolithographique de la couche mince de Pt 3; 5. Couverture des plots 4 ; 6. Application sous vide d'une couche mince de AI203 7 ou 35 application de la barrière de diffusion 7 sous forme de couche de barrière en AI203 par pulvérisation magnétron ou pulvérisation plasma. Un revêtement des surfaces de contact de connexion 4 est évité par l'utilisation de masques. 7. Application d'une pâte de couche épaisse sur les surfaces de contact de connexion 4 et application des fils de connexion 6 sur les plots 5; 8. Application d'une vitrocéramique 10 au moyen d'une pâte de vitrocéramique ou d'une barbotine de vitrocéramique ; 9. Application d'un couvercle céramique 11 ; 10. Application d'un élément supprimant les tractions 9 dans la 10 zone des plots de connexion 5 ; 11. Division du substrat ou du substrat multiple en capteurs à résistance individuels par sciage. Sur la figure 3, contrairement à la figure 2, après l'application de la couche mince de Al203 7 a lieu l'application de la vitrocéramique 10 15 et de la couverture céramique 11 puis l'application des plots en couche épaisse 5 et ensuite des fils de connexion 6 raccordés et d'une fixation 9 pour éliminer les tractions des fils de connexion.
Claims (15)
1. Procédé pour produire un capteur de haute température dans lequel une couche de résistance électrique au platine (3) est appliquée sur un substrat d'oxyde métallique (1) et une couche intermédiaire céramique (7) est appliquée sur la couche de résistance électrique (3) caractérisé en ce qu'un couvercle autoporteur est collé sur la couche intermédiaire céramique (7) ou bien en ce qu'une vitrocéramique (10) est fixée sur la couche intermédiaire (7) sur toute sa surface.
2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'un couvercle céramique autoporteur est collé avec une vitrocéramique (10) sur la couche intermédiaire céramique (7) sur toute sa surface.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un couvercle céramique autoporteur est collé avec une vitrocéramique (10) au quartz sur la couche intermédiaire céramique (7).
4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la vitrocéramique (10) est appliquée devant la couche intermédiaire (7) jusqu'à la cathode (8) de la couche de résistance électrique (3).
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la vitrocéramique (10) est électriquement conductrice au-delà de 750°C ou est un conducteur ionique.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couvercle est collé avec une vitrocéramique dopée avec un métal qui est appliquée devant la couche intermédiaire (7) jusqu'à la cathode (8) de la couche de résistance électrique (3).
7. Procédé de production d'un capteur de haute température dans lequel une couche de résistance électrique au platine (3) est appliquée sur un substrat d'oxyde métallique (1) et une couche intermédiaire céramique (7) est appliquée sur la couche de résistance électrique (3), caractérisé en ce qu'une vitrocéramique au quartz (10) est collée à titre de couvercle sur la couche intermédiaire céramique (7).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que des plots de contact (5a, 5b) reliés à la couche de résistance électrique (3) ne sont pas recouverts par la couche intermédiaire (7) et des fils de connexion (6a, 6b) sont reliés à ces plotsde contact (5a, 5b) entre l'application de la couche intermédiaire céramique (7) et avant le collage du couvercle.
9. Puce de capteur de haute température munie de plots de contact (5a, 5b) et d'une couche de résistance électrique (3) au platine reliée à ceux-ci sur un substrat d'oxyde métallique (1) et d'une couche intermédiaire céramique (7) sur la couche de résistance électrique (3), caractérisée en ce qu'une vitrocéramique (10) ou un couvercle en matériau oxydique ou en un matériau oxydique dopé avec un métal est fixée sur toute la surface sur la couche intermédiaire céramique (7).
10. Puce de capteur de haute température selon la revendication 9, caractérisée en ce que le couvercle consiste en une vitrocéramique (10) ou en une vitrocéramique dopée avec un métal et en une plaquette céramique (11).
11. Puce de capteur de haute température selon la revendication 10, caractérisée en ce que la vitrocéramique (10) est une vitrocéramique au quartz ou en ce qu'elle s'étend devant la couche intermédiaire (7) jusqu'à la cathode (8).
12. Puce de capteur de haute température selon la revendication 10 ou 11, caractérisée en ce que la puce de capteur de haute température est une résistance électrique en couche(s) munie de fils.
13. Puce de capteur de haute température selon la revendication 12, caractérisée en ce que les plots de contact (5a, 5b) reliés à la couche de résistance électrique (3) non recouverts par la couche intermédiaire (7) sont reliés chacun à un fil de connexion (6a, 6b).
14. Puce de capteur de haute température selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisée en ce qu'elle est constituée par un substrat d'oxyde métallique (1) ayant une surface électriquement isolante et par une résistance de mesure au platine (3) comportant des connexions électriques (4a, 4b) disposée sur celui-ci, et une couche céramique recouvrant la résistance de mesure au platine (3) mais pas les connexions électriques (4a, 4b) , en particulier en AI203 ou MgO ou Ta205, où la couche intermédiaire (7) électriquement isolante est recouverte d'une vitrocéramique ou d'une vitrocéramique dopée avec un métal, qui, à partir de 850°C, présente une résistance d'au plus 1 mégaohm par carré (square).
15. Utilisation d'une puce de capteur de haute température selon l'une quelconque des revendications 9 à 14, caractérisée en ce que la vitrocéramique ou la vitrocéramique dopée avec un métal, qui colle le couvercle céramique à la couche intermédiaire céramique (7), présente un potentiel cathodique.
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|---|---|---|---|
| DE102007046900.6A DE102007046900C5 (de) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2921724A1 true FR2921724A1 (fr) | 2009-04-03 |
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|---|---|---|---|
| FR0856520A Active FR2921724B1 (fr) | 2007-09-28 | 2008-09-29 | Procede de production d'un capteur de haute temperature, puce de capteur de haute temperature obtenue et son utilisation |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010118813A1 (fr) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Capteur haute température avec fils de puce en alliage de fer formant de l'oxyde de chrome |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8162536B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-04-24 | Delphi Technologies, Inc. | Combined sensor |
| DE102009007940B4 (de) * | 2009-02-06 | 2010-11-18 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Nichtleitfähiges Zirkonoxid |
| DE102009045794A1 (de) | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Sensor zur Bestimmung mindestens einer physikalischen Prozessgröße |
| DE102010050315C5 (de) * | 2010-11-05 | 2014-12-04 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zur Herstellung von gesinterten, elektrischen Baugruppen und damit hergestellte Leistungshalbleitermodule |
| DE102011051845B3 (de) * | 2011-07-14 | 2012-10-25 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Messwiderstand mit Schutzrahmen |
| JP5736348B2 (ja) | 2012-06-21 | 2015-06-17 | 立山科学工業株式会社 | 薄膜抵抗体温度センサとその製造方法 |
| DE102012110210B4 (de) | 2012-10-25 | 2017-06-01 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Hochtemperaturchip mit hoher Stabilität |
| JP6404726B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-10-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 感温素子及び温度センサ |
| DE102014104219B4 (de) * | 2014-03-26 | 2019-09-12 | Heraeus Nexensos Gmbh | Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers |
| WO2015163278A1 (fr) * | 2014-04-21 | 2015-10-29 | 京セラ株式会社 | Substrat de câblage et élément de détection de température |
| JP6430910B2 (ja) | 2015-08-05 | 2018-11-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 感温素子および温度センサ |
| JP6744402B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2020-08-19 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
| JP6821384B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-01-27 | Koa株式会社 | 白金温度センサ素子 |
| JP2018066592A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | Koa株式会社 | 白金温度センサ素子 |
| DE102017104162A1 (de) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Sensorelement und thermischer Strömungssensor zur Bestimmung einer physikalischen Größe eines Messmediums |
| JP2018146404A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| JP6929126B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2021-09-01 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| DE102018110889A1 (de) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Koa Corporation | Temperatursensor-Element |
| JP6929125B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2021-09-01 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| EP3404405A1 (fr) | 2017-05-18 | 2018-11-21 | Heraeus Sensor Technology GmbH | Capteur de détermination de paramètres de gaz |
| EP3409467B1 (fr) | 2017-05-30 | 2019-07-03 | Heraeus Nexensos GmbH | Dispositif de chauffage comprenant une structure multicouches co-frittée |
| US10371581B2 (en) * | 2017-06-02 | 2019-08-06 | Sensata Technologies, Inc. | Alumina diffusion barrier for sensing elements |
| DE102017222495A1 (de) | 2017-12-12 | 2019-06-13 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Sensor mit thermoschockbeständigem Substrat |
| DE102018101419A1 (de) * | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Biotronik Se & Co. Kg | Elektrischer Widerstand, insbesondere für medizinische Implantate |
| DE202019002164U1 (de) | 2019-05-17 | 2019-06-21 | Heraeus Nexensos Gmbh | Verbesserter Hochtemperaturchip |
| DE102019113127A1 (de) * | 2019-05-17 | 2020-11-19 | Georg Bernitz | Messfühler |
| US20210247218A1 (en) * | 2020-02-10 | 2021-08-12 | Hutchinson Technology Incorporated | Systems And Methods To Increase Sensor Robustness |
| CN112268632B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-11-04 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种温度系数可调的耐1000℃高温金属薄膜热电阻及其制备方法 |
| CN113529037A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-22 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 | 一种铂薄膜温度传感器的封装方法 |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2045640A (en) | 1934-10-29 | 1936-06-30 | Leeds & Northrup Co | Thermal conductivity cell |
| US2818482A (en) | 1953-04-21 | 1957-12-31 | Victory Engineering Corp | High speed clinical thermometers |
| US3249988A (en) | 1962-02-27 | 1966-05-10 | Victory Engineering Corp | Method of covering resistor bead |
| US3749631A (en) | 1971-04-26 | 1973-07-31 | Dapak Systems Inc | Method and apparatus for preparing and assembling communications for mass distribution |
| FR2188158A1 (fr) | 1972-06-14 | 1974-01-18 | Bailey Meter Co | |
| US3952276A (en) | 1974-02-21 | 1976-04-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Fluid tight NTC high temperature sensor and method of producing same |
| DE2527739C3 (de) | 1975-06-21 | 1978-08-31 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Meßwiderstandes für ein Widerstandsthermometer |
| JPH0323539Y2 (fr) | 1980-09-30 | 1991-05-22 | ||
| JPS6145465Y2 (fr) | 1981-02-11 | 1986-12-20 | ||
| US4378489A (en) | 1981-05-18 | 1983-03-29 | Honeywell Inc. | Miniature thin film infrared calibration source |
| JPS57207835A (en) | 1981-06-17 | 1982-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method for platinum resistance thermometer |
| DE3205704A1 (de) | 1982-02-17 | 1983-09-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München | Einrichtung zur beurteilung des raumklimas |
| JPS58165026A (ja) | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Ishizuka Denshi Kk | 感熱装置 |
| JPS6064401A (ja) | 1983-09-20 | 1985-04-13 | 株式会社カ−ク | 白金薄膜測温抵抗体 |
| CA1250155A (fr) | 1984-07-31 | 1989-02-21 | James A. Ruf | Thermometre a resistance faite de platine |
| US4791398A (en) | 1986-02-13 | 1988-12-13 | Rosemount Inc. | Thin film platinum resistance thermometer with high temperature diffusion barrier |
| JPH02164003A (ja) | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封入形サーミスタの製造方法 |
| JPH0328719A (ja) | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Ngk Insulators Ltd | 検出素子 |
| DE3924518A1 (de) | 1989-07-25 | 1991-01-31 | Haefele Umweltverfahrenstechik | Temperatursensor und verfahren zu seiner herstellung |
| JPH03165006A (ja) | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封止形サーミスタの製造方法 |
| US5041809A (en) * | 1990-01-08 | 1991-08-20 | General Electric Company | Glass-ceramic temperature sensor for heating ovens |
| DE4026061C1 (fr) | 1990-08-17 | 1992-02-13 | Heraeus Sensor Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| DE4104674A1 (de) | 1991-02-15 | 1992-08-20 | Ludwig Schneider Messtechnik G | Sensor, insbesondere temperatursensor |
| JPH06507521A (ja) | 1991-02-15 | 1994-08-25 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 高温センサ技術のための高速白金族金属温度センサ用装置 |
| JP2968111B2 (ja) | 1991-11-22 | 1999-10-25 | 日本特殊陶業株式会社 | マイグレーション防止パターンを備えた抵抗体物理量センサ |
| DE4300084C2 (de) | 1993-01-06 | 1995-07-27 | Heraeus Sensor Gmbh | Widerstandsthermometer mit einem Meßwiderstand |
| US5401962A (en) | 1993-06-14 | 1995-03-28 | Ferran Scientific | Residual gas sensor utilizing a miniature quadrupole array |
| KR950001303A (ko) | 1993-06-22 | 1995-01-03 | 이헌조 | 박막 적외선 센서구조 및 그 제조 방법 |
| RU2069324C1 (ru) | 1993-07-15 | 1996-11-20 | Московский институт электронной техники | Термометр сопротивления |
| JP3728465B2 (ja) | 1994-11-25 | 2005-12-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 |
| JP2904066B2 (ja) | 1995-08-31 | 1999-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 温度センサ及びその製造方法 |
| DE19540194C1 (de) * | 1995-10-30 | 1997-02-20 | Heraeus Sensor Gmbh | Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe |
| JPH09250952A (ja) | 1996-01-08 | 1997-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度検出装置とそれを用いた自動車 |
| DE69739309D1 (de) | 1996-12-29 | 2009-04-30 | Ngk Spark Plug Co | Abgassensorsystem |
| JP3457826B2 (ja) | 1997-01-31 | 2003-10-20 | 株式会社リコー | 薄膜式抵抗体及びその製造方法、流量センサ、湿度センサ、ガスセンサ、温度センサ |
| JPH1140403A (ja) | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ素子 |
| DE19750123C2 (de) | 1997-11-13 | 2000-09-07 | Heraeus Electro Nite Int | Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung |
| JP3867393B2 (ja) | 1998-03-20 | 2007-01-10 | 株式会社デンソー | マイクロヒータおよびその製造方法ならびにエアフローセンサ |
| DE19813468C1 (de) | 1998-03-26 | 1999-07-22 | Sensotherm Temperatursensorik | Sensorbauelement |
| EP0973020B1 (fr) * | 1998-07-16 | 2009-06-03 | EPIQ Sensor-Nite N.V. | Capteur de température électrique comprenant une multi-couche |
| DE19848524C1 (de) | 1998-10-21 | 1999-12-16 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren zur Herstellung hochintegrationsfähiger Platin-Dünnschichtwiderstände |
| DE19901183C2 (de) | 1999-01-14 | 2001-01-25 | Sensotherm Temperatursensorik | Platintemperatursensor und Herstellungsverfahren für denselben |
| DE19901184C1 (de) | 1999-01-14 | 2000-10-26 | Sensotherm Temperatursensorik | Platintemperatursensor und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US6229121B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-05-08 | Industrial Technology Research Institute | Integrated thermal buckling micro switch with electric heater and sensor |
| JP3461469B2 (ja) | 1999-07-27 | 2003-10-27 | 株式会社日立製作所 | 熱式空気流量センサ及び内燃機関制御装置 |
| US6341892B1 (en) | 2000-02-03 | 2002-01-29 | George Schmermund | Resistance thermometer probe |
| JP2001230103A (ja) | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封入形サーミスタ |
| DE10016415A1 (de) | 2000-04-01 | 2001-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Sensorelement, insbesondere Temperaturfühler |
| KR100422333B1 (ko) | 2000-07-31 | 2004-03-10 | 이노스텍 (주) | 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막 |
| JP4016627B2 (ja) | 2000-11-22 | 2007-12-05 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
| JP3589422B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2004-11-17 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 異方導電性フィルム |
| DE60001756T2 (de) | 2000-12-05 | 2003-12-24 | Italcoppie S.R.L., Malagnino | Dichte Temperatursonde sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE10104493A1 (de) | 2001-01-31 | 2002-08-22 | Epiq Sensor Nite N V | Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors |
| US20020135454A1 (en) | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Shunji Ichida | Temperature sensor |
| DE10210772C1 (de) | 2002-03-12 | 2003-06-26 | Heraeus Sensor Nite Gmbh | Temperatursensor |
| US7106167B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Heetronix | Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN |
| US7046116B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-16 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Temperature probe and its use |
| JP4221565B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2009-02-12 | 明陽電機株式会社 | 耐熱耐振型温度センサ |
| DE10358282A1 (de) | 2003-12-12 | 2005-07-28 | Georg Bernitz | Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| ATE367573T1 (de) | 2004-02-24 | 2007-08-15 | Electrovac | Temperaturmessfühler |
| JP4168035B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2008-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 白金抵抗体式温度センサ |
| DE102004034185B3 (de) | 2004-07-15 | 2006-01-05 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP4253642B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2009-04-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| DE102007038680A1 (de) | 2007-08-15 | 2009-02-26 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Rußsensor mit glatter, reiner Al2O3-Oberfläche |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010118813A1 (fr) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Capteur haute température avec fils de puce en alliage de fer formant de l'oxyde de chrome |
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