JP5777811B2 - 安全フレームを含む測定シャント - Google Patents
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Description
図2は、2つの電極によって部分的に枠内に収められている抵抗構造体を含む電気伝導体構造体の概略図を示す。
図3は、基板上の末端接点を含む、本発明の測定シャントの概略分解立体図を示す。
図4は、基板上の末端接点を含む、本発明の代替測定シャントの概略分解立体図を示す。
2、12:末端接点/陰極
3、13:末端接点/陽極
4,14:電極
5,15:電極
16:基板/金属酸化物
18:拡散バリア層/酸化アルミニウム層
19:パッシベーション層/ガラスセラミック
20:カバー/セラミック
21、22:接続導線
23、24:端子パッド
25:固定剤/ガラスドロップ
26:中間層/コーティング
Claims (19)
- 基板(16)と、
少なくとも2つの末端接点(2、3、12、13)と、
少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)とを備えている温度センサーにおいて、
前記少なくとも2つの末端接点(2、3、12、13)、および、前記少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)の少なくとも1つは、前記基板(16)の第一面に配置され、
前記少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)の少なくとも1つは、前記末端接点(2、3、12、13)と直接電気的に接触接続しており、
前記少なくとも2つの末端接点(2、3、12、13)の各々にて、少なくとも1つの電極(4、5、14、15)が、前記基板(16)の第一面上で前記少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)の隣に配置され、
前記少なくとも1つの電極(4、5、14、15)が、前記各末端接点(2、3、12、13)にそれぞれ直接電気的に接触接続している
ことを特徴とする温度センサー。 - 前記電極(4、5、14、15)は、前記抵抗構造体(1、11)と一体的に構成されている、請求項1に記載の温度センサー。
- 前記少なくとも1つの電極(4、5、14、15)は、前記抵抗構造体(1、11)の側面の少なくとも一部を包囲していることを特徴とする、請求項1または2に記載の温度センサー。
- 前記少なくとも1つの電極(4、5、14、15)は、前記抵抗構造体(1、11)の少なくとも1つの側面を包囲していることを特徴とする、請求項3に記載の温度センサー。
- 前記少なくとも1つの電極(4、5、14、15)は、前記抵抗構造体(1、11)の少なくとも2つの側面を包囲していることを特徴とする、請求項3に記載の温度センサー。
- 前記基板(16)は、金属酸化物により形成されていることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の温度センサー。
- 前記基板(16)は、コーティングされていることを特徴とする、請求項6に記載の温度センサー。
- 前記抵抗構造体(1、11)が、蛇行形状の線形構造体であることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の温度センサー。
- 前記抵抗構造体(1、11)は、金属により形成されていることを特徴とする、請求項8記載の温度センサー。
- 前記金属は、白金であることを特徴とする、請求項9に記載の温度センサー。
- 前記抵抗構造体(1、11)が、少なくとも1つの誘電体層(18、19、20)でカバーされていることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の温度センサー。
- 前記誘電体層(18、19、20)は、セラミック層(18、19、20)、ガラス層およびガラスセラミック層(19)のうちの少なくとも1つであることを特徴とする、請求項11に記載の温度センサー。
- 前記誘電体層(18、19、20)は、自己支持型であることを特徴とする、請求項11または12に記載の温度センサー。
- 前記温度センサーは、高温センサーであることを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の温度センサー。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載の温度センサーを製造する方法であって、
基板(16)にコーティングを施すことによって、
少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)と、
少なくとも2つの末端接点(2、3、12、13)と、
少なくとも2つの電極(4、5、14、15)とを形成し、それによって、前記少なくとも2つの末端接点(2、3、12、13)は、前記少なくとも1つの抵抗構造体(1、11)と直接電気的に接触接続し、前記少なくとも2つの電極(4、5、14、15)は、前記各末端接点(2、3、12、13)とそれぞれ直接電気的に接触接続するようにしたことを特徴とする方法。 - 前記コーティングは、金属コーティングであることを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載の温度センサーを含む、高温センサーチップ。
- 前記温度センサーの末端接点(2、3、12、13)がワイヤ(21、22)と接触していることを特徴とする、請求項17に記載の高温センサーチップ。
- 請求項17または18に記載の高温センサーチップにおいて、
少なくとも前記抵抗構造体(1、11)が、セラミック中間層(18)、ガラスセラミック(19)およびガラス層(20)のうちの少なくとも1つによって、直接的かつ全面的にカバーされていることを特徴とする、高温センサーチップ。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (11)
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DE2527739C3 (de) * | 1975-06-21 | 1978-08-31 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Meßwiderstandes für ein Widerstandsthermometer |
JPS57114830A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-16 | Matsushita Electric Works Ltd | Heat sensor |
US4791398A (en) * | 1986-02-13 | 1988-12-13 | Rosemount Inc. | Thin film platinum resistance thermometer with high temperature diffusion barrier |
DE3924518A1 (de) * | 1989-07-25 | 1991-01-31 | Haefele Umweltverfahrenstechik | Temperatursensor und verfahren zu seiner herstellung |
US5041809A (en) * | 1990-01-08 | 1991-08-20 | General Electric Company | Glass-ceramic temperature sensor for heating ovens |
EP0571412B1 (de) | 1991-02-15 | 1998-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochtemperatur-platinmetall-temperatursensor |
JP2968111B2 (ja) | 1991-11-22 | 1999-10-25 | 日本特殊陶業株式会社 | マイグレーション防止パターンを備えた抵抗体物理量センサ |
JPH10208906A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ |
DE19757258C2 (de) * | 1997-12-23 | 2001-02-08 | Heraeus Electro Nite Int | Sensor mit temperaturabhängigem Meßwiderstand und dessen Verwendung zur Temperaturmessung |
EP0973020B1 (de) | 1998-07-16 | 2009-06-03 | EPIQ Sensor-Nite N.V. | Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht |
US7106167B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Heetronix | Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN |
JP4168035B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2008-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 白金抵抗体式温度センサ |
US7339455B2 (en) * | 2004-03-08 | 2008-03-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Platinum resistor temperature sensor |
US7638737B2 (en) * | 2005-06-16 | 2009-12-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic-metal assembly and ceramic heater |
DE102007046900C5 (de) * | 2007-09-28 | 2018-07-26 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2011044621A (ja) * | 2009-08-23 | 2011-03-03 | Mitsubishi Materials Corp | 温度センサ |
-
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Cited By (2)
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JP2022528224A (ja) * | 2019-05-17 | 2022-06-09 | ヘレウス ネクセンソス ゲーエムベーハー | 改良型高温センサ |
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