JPH10239169A

JPH10239169A - 温度センサ

Info

Publication number: JPH10239169A
Application number: JP9045588A
Authority: JP
Inventors: Masato Shoji; 理人東海林; Takashi Tamai; 孝玉井; Nobuharu Katsuki; 暢晴香月; Takeshi Tanaka; 剛田中; Katsunori Matsubara; 克憲松原; Hironori Moriwake; 博紀森分
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】サーミスタ素子を感温素子に用いた温度セン
サにおいて、センサ間出力ばらつきが小さく、高精度な
温度センサを提供することを目的とする。【解決手段】厚さ１μｍ以上３μｍ以下のサーミスタ
素子２と電極３を金属基板１上に成膜した温度センサ素
子８を、二芯管６から突出した２本のリード線４，５で
電極３と接合することにより支持し、さらに温度センサ
素子８とリード線４，５の全面にアルミナ絶縁膜をコー
ティングし、温度センサ素子８にキャップ７をかぶせた
構成とすることにより、サーミスタ素子２を含む部分で
のかしめ、および溶接をなくすことができ、センサ間出
力ばらつきが少なく、高精度な温度センサを提供するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はサーミスタ素子を用
いた温度センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、様々な温度を検出するセンサの中
で、薄膜のサーミスタ素子を感温素子として用いた温度
センサが、たとえば特願平８−５４６０１号等で提案さ
れている。図６はこの様な従来の温度センサの概略断面
図を示す。５１は温度センサ素子で、内部に薄膜サーミ
スタ素子を有する。温度センサ素子５１は白金製の出力
取り出し用リード線６５および６６と接続される。リー
ド線６５および６６の周囲には、お互いの絶縁を保つた
め、電気絶縁硝子６１が配される。これらは管状の金属
製ハウンジング６３内に配され、二芯管を構成する。管
状の金属製ハウンジング６３は金属製のフランジ６４に
固定される。この温度センサは金属製のフランジ６４に
よって被測定体（図示せず）に固定される。リード線６
５および６６は金属製のフランジ６４内部に配した電気
絶縁硝子６２を通って外部に電気信号を出力する。

【０００３】図７は温度センサ素子５１の分解斜視図を
示す。金属製支持体５２の表面には電気絶縁膜５３およ
び感熱膜５４がプラズマ有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶ
Ｄ）法によって生成されている。電気絶縁膜５３はアル
ミナ、感熱膜５４はアルミニウム、鉄、クロムの複合酸
化物からなる薄膜サーミスタ素子であり、いずれも膜厚
約２μｍである。感熱膜５４の表面には白金スパッタに
よる電極５５、電極５６が生成され、さらにその表面に
はアルミナの上部電気絶縁膜５７がＭＯＣＶＤ法によっ
て生成される。上部電気絶縁膜５７の表面には金属製カ
バー５８が配され、金属製支持体５２と溶接されてい
る。温度の検出は感熱膜５４の温度による抵抗値の変化
から電気的に行っている。

【０００４】このような構成にすることにより、高速応
答性の温度センサを実現することができ、従来例にも記
載されているように、自動車用の排気温センサなどの高
速応答性が要求される温度センサに十分対応できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、上記に述べた
自動車用の排気温センサを実際に作製してみた。自動車
の排気温は運転状況により１０００℃程度の温度に達す
るため、センサ構成部材は高耐熱性を要求されると同時
に、部材間の接続部分にも耐熱性が不可欠である。従来
例には、金属製カバー５８と金属製支持体５２を溶接し
ていると記載されていることから、高耐熱接続方法とし
て溶接を行うこととし、金属製カバー５８と金属製支持
体５２以外の構成部材間もすべて溶接により接続した。

【０００６】以上のことから、次のようにして実際にセ
ンサを作製した。図６において、温度センサ素子５１と
管状の金属製ハウンジング６３の間はＹＡＧ溶接により
行った。この際、管状の金属製ハウンジング６３の先端
形状は温度センサ素子５１がちょうど貫通する大きさと
した。管状の金属製ハウンジング６３に温度センサ素子
５１を図６のように挿入したあと、両者の隙間をつめる
ために管状の金属製ハウジング６３をかしめ、次にかし
め部分にＹＡＧ溶接を行うことにより接続した。従っ
て、図６から明らかなように、温度センサ素子５１内
の、薄膜サーミスタ素子からなる感熱膜５４が存在する
部分をかしめた上で溶接される。これにより、サーミス
タ素子は二芯管に支持される。

【０００７】また、管状の金属製ハウジング６３と金属
製のフランジ６４も同様の方法でＹＡＧ溶接により接続
した。

【０００８】一方、図６の電極５５とリード線６５、お
よび、電極５６とリード線６６の接続は抵抗スポット溶
接により行った。

【０００９】このようにして作製した温度センサの出力
を評価すると、従来例に示されている通り、高速応答、
かつ、良好な出力の温度センサを得ることができたが、
一方で、感熱膜５４の抵抗値がけた違いに大きく、出力
特性が実用に耐えないほど異なるものもあり、センササ
ンプル間の出力ばらつきが著しく大きいことが明らかに
なった。

【００１０】この原因を検討するために、薄膜サーミス
タ素子部分を分解して調べたところ、素子にクラックが
入り破壊されているものがあることがわかった。このこ
とから、センサ組立時に、温度センサ素子５１のサーミ
スタ素子を含む部分と管状の金属製ハウジング６３をか
しめ、ＹＡＧ溶接を行ったため、素子に過大な応力や熱
応力が加わり、素子が破壊したものと考えられる。この
際の素子への応力の加わり方がセンササンプルによって
ばらついたため、クラックの入り方もばらつき、その結
果、センサ出力が大きくばらついたと考えられる。

【００１１】以上のことより、従来の技術ではセンササ
ンプル間の出力ばらつきが著しく大きいという課題があ
った。

【００１２】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、出力ばらつきが少なく、高精度の温度センサを提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の温度センサは、温度が伝わる金属基板と、
前記金属基板の表面に生成した膜厚が１μｍ以上３μｍ
以下のサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子の表面に
サーミスタ素子より狭い面積となるように生成した電極
と、金属管の中に一対のリード線と前記リード線の周囲
に絶縁体を配した構成の二芯管とを備え、前記サーミス
タ素子が前記二芯管に支持されることなく、前記二芯管
の先端に突出したリード線と前記サーミスタ素子の電極
の一部が接合し、かつ、前記サーミスタ素子およびリー
ド線全体を絶縁膜で覆ったものである。

【００１４】これにより、ばらつきが少なく、高精度の
温度センサを構成することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、温度が伝わる金属基板と、前記金属基板の表面に生
成したサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子の表面に
サーミスタ素子より狭い面積となるように生成した電極
と、金属管の中に一対のリード線と前記リード線の周囲
に絶縁体を配した構成の二芯管とを備え、前記サーミス
タ素子が前記二芯管に支持されることなく、前記二芯管
の先端に突出したリード線と前記サーミスタ素子の電極
の一部が接合し、かつ、前記サーミスタ素子およびリー
ド線全体を絶縁膜で覆った構成を有する温度センサであ
り、組立時のかしめ応力を排除し、溶接時の熱応力を低
減できることから、温度センサの出力ばらつきが低減で
きるという作用を有する。

【００１６】請求項２に記載の発明は、サーミスタ素子
およびリード線全体を、多孔を有する金属キャップ、ま
たは、網状金属キャップ内に配した構成を有する温度セ
ンサであり、センサ組み付け時に外力からサーミスタ素
子を保護できることから、サーミスタ素子に加わるクラ
ックが低減し、組み付け後の温度センサ出力ばらつきが
低減できるという作用を有する。

【００１７】請求項３に記載の発明は、温度が伝わる矩
形形状の金属基板と、前記金属基板の表面に設けた絶縁
層と、前記絶縁層表面で、かつ、前記金属基板先端部分
に設けたサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子および
絶縁層表面に設けた一対の電極層と、前記金属基板の根
元部分を除く電極表面および前記サーミスタ素子表面に
設けた上部絶縁層と、前記上部絶縁層表面に設けたカバ
ーとを備え、前記金属基板とカバーをサーミスタ素子を
設けていない根元部分で取付金具に接合した構成を有す
る温度センサであり、組立時のかしめ応力および溶接時
の熱応力を排除できることから、温度センサの出力ばら
つきが低減できるという作用を有する。

【００１８】請求項４に記載の発明は、サーミスタ素子
上部のカバーの厚さが他部に比べ薄い構成を有する温度
センサであり、高速応答性を維持しつつ、温度センサの
出力ばらつきを低減するという作用を有する。

【００１９】請求項５に記載の発明は、矩形金属基板の
根元部分の電極と出力リード線を、はんだ付け、また
は、ろう付けにより接合する構成を有する温度センサで
あり、接合時の温度が溶接より低温で可能なことから、
サーミスタ素子に加わる熱応力起因のクラックが低減
し、温度センサ出力ばらつきを低減するという作用を有
する。

【００２０】請求項６に記載の発明は、サーミスタ素
子、絶縁層および上部絶縁層の膜厚が１μｍ以上３μｍ
以下である構成を有する温度センサであり、特性を損な
うことなく素子、絶縁層へのクラックを低減し、温度セ
ンサの出力ばらつきを低減するという作用を有する。

【００２１】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図２を用いて説明する。（実施の形態１）図１は本発明の一実施形態による温度
センサの分解斜視図を示す。１は厚さ０．４mmのＦｅＣ
ｒＡｌ合金からなる金属基板で、その表面にはＭＯＣＶ
Ｄ法により成膜した後、１２００℃で３時間焼成した
鉄、クロム、アルミニウムの複合酸化物よりなる膜厚約
２μｍのサーミスタ素子２が形成される。さらに、その
サーミスタ素子２の表面には、白金をスパッタにより膜
厚約０．５μｍに成膜した電極３が形成される。電極３
はサーミスタ素子２の周囲から約０．５mm内側に形成し
た。従って、電極３の面積はサーミスタ素子２の面積よ
り狭くなる。電極３の表面にはニクロム製リード線４が
抵抗スポット溶接により接続されている。金属基板１の
裏面にはニクロム製リード線５が抵抗スポット溶接によ
り接続されている。これらの構成部材はすべて組み立て
後にＭＯＣＶＤ法により膜厚約２μｍのアルミナ絶縁膜
（図示せず）にて全面コーティングされた後、１２００
℃、３時間焼成される。これは、サーミスタ素子２が還
元雰囲気などの測定環境下で劣化するので、直接測定環
境に触れないようにするためである。６はリード線４お
よびリード線５と、両者の絶縁を保つためのＭｇＯ圧粉
体と、金属管よりなる二芯管で、従来例の図６に示すフ
ランジ６４とＹＡＧ溶接により接合されている。従っ
て、サーミスタ素子２が二芯管６に直接支持されること
はなく、二芯管６の先端から突出したリード線４，５と
電極３の一部および金属基板１の裏面の一部とが接合す
ることによりサーミスタ素子２が支持されている。７は
金属基板１およびリード線４，５よりなる温度センサ素
子８を保護するためのキャップで、板厚０．３mmのＦｅ
ＣｒＡｌ合金板に０．３mm間隔で直径０．３mmの穴を多
数個あけた板を図のようにキャップ状にプレス加工して
形成したものである。また、キャップ７は図２に示すよ
うに１００メッシュの耐熱ステンレス網をキャップ状に
曲げて形成したものであってもよい。いずれかのキャッ
プ７を二芯管６にかぶせ、キャップ７の下端をかしめた
後、ＹＡＧ溶接により接合して温度センサを構成した。
なお、二芯管６からあとの部分は従来例と全く同等とし
た。

【００２２】温度の検出は、サーミスタ素子１３の温度
による抵抗値の変化として電気的に行った。

【００２３】このような構成の温度センサを試作し、出
力ばらつきについて検討したところ、温度センサ素子８
の抵抗値が同一桁内に収まり、良好な出力特性のものが
再現性よく得られた。もちろん、従来例と同様に、高速
応答性は損なわれなかった。

【００２４】確認のために、サーミスタ素子２の部分を
詳細に観察した結果、従来例のようにサーミスタ素子２
にクラックが入ったり、破壊されているものは皆無であ
った。これは、従来例における管状の金属製ハウジング
６３（二芯管６の金属管）と、温度センサ素子５１の金
属製支持体５２（金属基板１）とのかしめ、および溶接
が本実施の形態では不要となり、従って、サーミスタ素
子２を含む部分のかしめ、および溶接がなくなり、これ
らの工程に起因する素子へのダメージがまったくなくな
ったためである。

【００２５】なお、本実施の形態において、電極３とリ
ード線４を溶接により接合する際、電極３の真下にある
サーミスタ素子２への熱的影響が懸念されるため、抵抗
スポット溶接により必要ポイントのみ溶接し、さらに、
サーミスタ素子２へのダメージを最小限とする溶接条件
を十分に検討した。

【００２６】また、サーミスタ素子２の膜厚についても
詳細な検討を行った。膜厚は０．５μｍから５μｍまで
０．５μｍ刻みで成膜した。その結果、０．５μｍ以下
では薄すぎて、ＪＡＳＯＤ００１−８７６．８記載
の静電気試験（±１ｋＶ印加）を実施すると、金属基板
１と電極３が導通してしまい、温度センサとして機能し
なくなった。１μｍ以上の膜厚では、静電気試験はすべ
て良好であったが、３．５μｍを越えると、焼成後のサ
ーミスタ素子２に縦横にクラックが入り、膜厚が厚くな
ればなるほど細かいクラックが数多く入る傾向にあるこ
とが明らかになった。これは、金属基板１の熱膨張係数
がサーミスタ素子２より大きく、それによりサーミスタ
素子２の焼成時に熱応力が加わるためと考えられる。そ
の際、膜厚が厚くなればなるほど、その分サーミスタ素
子２に加わる熱応力は大きくなるので、膜厚３．５μｍ
を越えると熱応力に耐えられずにクラックが入るものと
思われる。

【００２７】この結果、サーミスタ素子２の膜厚は１μ
ｍ以上３μｍ以下でなければならなかった。

【００２８】なお、キャップ７は、温度センサを被測定
物、例えば自動車の排気ガス管などに組み付ける際、作
業者が誤って温度センサ素子８を被測定物にぶつけた
り、あるいは落下させたりしたとき、温度センサ素子８
を保護するために設けられたもので、いずれのキャップ
でも出力特性やばらつきに大差はなかった、従って、キ
ャップ７に必要な強度やコストなどから温度センサの用
途に応じていずれかを選択すればよい。もちろん、熱伝
導を損なわなければ本実施例で述べた以外の模様、寸
法、形状のものでも使用できる。

【００２９】以上の構成により、出力ばらつきが低減で
き、高精度な温度センサを実現することができた。

【００３０】なお、本実施の形態ではサーミスタ素子２
をリード線４，５の間に挟んで支持したが、電極３を従
来例のように一対となるように分離し、それぞれにリー
ド線４，５を接合して支持する構成としたり、あるい
は、本実施の形態では金属基板１の片面にサーミスタ素
子２および電極３を生成したが、これらを金属基板１の
両面に生成する構成としても同等の効果が得られるのは
もちろんである。

【００３１】（実施の形態２）図３は本発明の他の実施
形態による温度センサの概略断面図を、図４は温度セン
サ素子部の分解斜視図を、図５は温度センサ素子の外観
斜視図をそれぞれ示す。なお、図３ないし５において同
一の構成部材には同一番号を付して説明する。１１は幅
３mm、長さ７０mmの細長い矩形形状で、厚さ０．４mmの
ＦｅＣｒＡｌ合金からなる金属基板であり、その表面に
はＭＯＣＶＤ法により成膜した後、１２００℃で３時間
焼成した膜厚約２μｍのアルミナからなる絶縁層１２が
基板全体に形成される。この絶縁層１２の表面で、か
つ、金属基板１１の先端から５mmまでの部分にはＭＯＣ
ＶＤ法により成膜した後、１２００℃で３時間焼成した
鉄、クロム、アルミニウムの複合酸化物よりなる膜厚約
２μｍのサーミスタ素子１３が形成される。さらにサー
ミスタ素子１３、および、絶縁層１２に渡って、それら
の表面にはスパッタにより成膜した白金よりなる膜厚約
０．５μｍの電極１４が形成される。電極１４の形状は
図４に示すように一対の細長い長方形とした。絶縁層１
２、サーミスタ素子１３、電極１４の表面で、カバー１
５に覆われる部分には、上部絶縁層（図示せず）が設け
られている。従って、上部絶縁層は金属基板１１の根元
部分には存在しない。また、上部絶縁層は絶縁層１２と
全く同じ材料、プロセス、膜厚で形成される。カバー１
５は上部絶縁層の表面に設けられ、金属基板１１との端
面３辺（図５の×印部分）でＹＡＧ溶接により接合され
ている。なお、カバー１５は金属基板１１と同材料、同
寸法であり、板厚は、サーミスタ素子１３の上部にかか
る部分、すなわち、先端から５mmの部分は０．４mm、そ
の他の部分は１．５mmとし、サーミスタ素子１３上部が
薄い構成とした。金属基板１１の根元部分１６表面の電
極１４は出力リード線１８と３００℃の高温はんだにて
接合した。金属基板１１とカバー１５は根元部分１６で
取付金具１９と接合することにより支持されている。ま
た、温度センサ素子１７は、図３に示すように、温度セ
ンサ全体を被測定物に保持する金属製のフランジ２０の
一部とも、かしめ、および、ＹＡＧ溶接にて接合してあ
る。

【００３２】このような構成にすることにより二芯管が
不要となり、従来例のように二芯管の金属管と金属基板
をかしめたり溶接する必要がなくなる。従って、サーミ
スタ素子を含む部分のかしめ、および、溶接をなくすこ
とができる。

【００３３】温度の検出は、サーミスタ素子１３の温度
による抵抗値の変化として電気的に行った。

【００３４】このような構成の温度センサを試作し、出
力ばらつきについて検討したところ、実施の形態１で述
べたのと同様に、温度センサ素子１７の抵抗値が同一桁
内に収まり、良好な出力特性、および、高速応答性のも
のが再現性よく得られた。

【００３５】本実施の形態の温度センサも確認のため
に、サーミスタ素子１３の部分を分解し、詳細に観察し
た結果、実施の形態１で述べたのと同じ理由により、サ
ーミスタ素子１３にクラックが入ったり、破壊されてい
るものは皆無であった。

【００３６】ここで、本実施の形態において、金属基板
１１とカバー１５を溶接接合しているため、サーミスタ
素子１３に影響する可能性が考えられるが、上述の通り
サーミスタ素子１３にクラックが入ったものはなかっ
た。これは、温度センサ特性に対し実質的に有効なサー
ミスタ素子部分は一対の電極１４に挟まれた部分であ
り、一方、金属基板１１とカバー１５の溶接部分は有効
素子部分から離れているため、影響しないものと思われ
る。

【００３７】さらに、本実施の形態では温度センサ素子
１７のサーミスタ素子１３以外の箇所とフランジ２０を
かしめ、溶接により接合しているが、接合部分がサーミ
スタ素子１３から遠く離れているため、素子に対して何
ら影響を及ぼさず、出力特性が安定したものと考えられ
る。

【００３８】また、サーミスタ素子１３、絶縁層１２、
上部絶縁層の膜厚については、実施の形態１で述べたの
と同様の検討を行った結果、いずれも１μｍ以上３μｍ
以下でなければならなかった。

【００３９】なお、電極１４と出力リード線１８の接合
は３００℃の高温はんだ付けとした。これは、従来例や
実施の形態１で述べた実施例のような構成の場合、接合
部が１０００℃程度の高温雰囲気にさらされるため、溶
接が必要であったが、本実施の形態のようにフランジ２
０の奥で接合する構成にすると、熱がフランジ２０を伝
わって外部に逃げるため、取付金具１９の温度は２５０
℃程度までしか上がらず、一般の高温はんだでも十分に
耐えるためである。もちろん、温度センサの使用温度状
況や取付状況によっては、接合部分の温度が３００℃を
上回る場合も考えられるが、その際は、ろう付けによっ
て接合してもよい。実際、ろう付けを行っても温度セン
サとしての特性は、はんだ付けのものと全く変わらなか
った。

【００４０】また、カバー１５の板厚を図４に示すよう
に２段階に変えているのは、長い温度センサ素子１７を
保護し、丈夫にするためである。すなわち、本実施の形
態の温度センサを組み付ける際、作業者が誤って温度セ
ンサ素子１７をぶつけたり落下させたりしたとき、温度
センサ素子１７が曲がったり折れたりするのを、カバー
１５の板厚を変えることによって防ぐことができる。な
お、サーミスタ素子１３の上部を薄くしているのは高速
応答性を損なわないためである。もちろん、サーミスタ
素子１３部分が薄ければ、金属基板１１の板厚をカバー
１５と同様にしてもよい。さらに、金属基板１１とカバ
ー１５の板厚が厚い部分の断面形状が四角形に限らず、
半円形とする構成も可能である。この場合、両者を重ね
ると断面が円になるため、フランジ２０との溶接が容易
になるという効果がある。

【００４１】以上の構成により、出力ばらつきが低減で
き、高精度な温度センサを実現することができた。

【００４２】なお、実施の形態１で説明した温度センサ
に比べ、本実施の形態の場合は高価な二芯管やキャップ
を使用しないため、構造が簡単で安価な温度センサを実
現することができた。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のサーミスタ素子と
電極を金属基板上に成膜した温度センサ素子を、二芯管
から突出した２本のリード線で電極と接合することによ
り支持し、さらに温度センサ素子とリード線の全面にア
ルミナ絶縁膜をコーティングし、温度センサ素子にキャ
ップをかぶせた構成、あるいは、厚さ１μｍ以上３μｍ
以下の絶縁層、サーミスタ素子、電極、および上部絶縁
層を金属基板上に成膜し、サーミスタ素子部分を薄く、
他を厚くしたカバーをかぶせて金属基板との端面３辺を
溶接接合した温度センサ素子を根元部分で取付金具に溶
接することにより支持し、電極と出力リード線をはんだ
付け、または、ろう付けして接続した構成とすることに
より、サーミスタ素子を含む部分でのかしめ、および、
溶接をなくすことができ、センサ間出力ばらつきが少な
く、高精度な温度センサを提供することができるという
有利な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による温度センサの分解
斜視図

【図２】同センサに使用されるキャップの他の例を示す
斜視図

【図３】本発明の他の実施の形態による温度センサの概
略断面図

【図４】同温度センサの温度センサ素子の分解斜視図

【図５】同センサ素子の斜視図

【図６】従来の温度センサの概略断面図

【図７】従来の温度センサの素子部の分解断面図

【符号の説明】

１，１１金属基板２，１３サーミスタ素子３，１４電極４リード線５リード線６二芯管７キャップ８，１７，５１温度センサ素子１２絶縁層１５カバー１６根元部分１８出力リード線１９取付金具２０，６４フランジ５２金属製支持体５３電気絶縁膜５４感熱膜５５電極５６電極５７上部電気絶縁膜５８金属製カバー６１電気絶縁硝子６２電気絶縁硝子６３管状の金属製ハウジング６５リード線６６リード線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中剛大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者松原克憲大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者森分博紀大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】温度が伝わる金属基板と、前記金属基板
の表面に生成したサーミスタ素子と、前記サーミスタ素
子の表面にサーミスタ素子より狭い面積となるように生
成した電極と、金属管の中に一対のリード線と前記リー
ド線の周囲に絶縁体を配した構成の二芯管とを備え、前
記サーミスタ素子が前記二芯管に支持されることなく、
前記二芯管の先端に突出したリード線と前記サーミスタ
素子の電極の一部が接合し、かつ、前記サーミスタ素子
およびリード線全体を絶縁膜で覆った温度センサ。
【請求項２】サーミスタ素子およびリード線全体を、
多孔を有する金属キャップ、または、網状金属キャップ
内に配した請求項１に記載の温度センサ。
【請求項３】温度が伝わる矩形形状の金属基板と、前
記金属基板の表面に設けた絶縁層と、前記絶縁層表面
で、かつ、前記金属基板先端部分に設けたサーミスタ素
子と、前記サーミスタ素子および絶縁層表面に設けた一
対の電極層と、前記金属基板の根元部分を除く電極表面
および前記サーミスタ素子表面に設けた上部絶縁層と、
前記上部絶縁層表面に設けたカバーとを備え、前記金属
基板とカバーを、サーミスタ素子を設けていない根元部
分で取付金具に接合した温度センサ。
【請求項４】サーミスタ素子上部のカバーの厚さが他
部に比べ薄い構成を有する請求項３に記載の温度セン
サ。
【請求項５】矩形金属基板の根元部分の電極と出力リ
ード線を、はんだ付け、または、ろう付けにより接合し
た請求項３に記載の温度センサ。
【請求項６】サーミスタ素子、絶縁層および上部絶縁
層の膜厚が１μｍ以上３μｍ以下である請求項１または
３に記載の温度センサ。