JPH0653013A - 薄膜サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

薄膜サーミスタ及びその製造方法

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Publication number
JPH0653013A
JPH0653013A JP4204745A JP20474592A JPH0653013A JP H0653013 A JPH0653013 A JP H0653013A JP 4204745 A JP4204745 A JP 4204745A JP 20474592 A JP20474592 A JP 20474592A JP H0653013 A JPH0653013 A JP H0653013A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film thermistor
glass
thermistor element
conductive support
Prior art date
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Pending
Application number
JP4204745A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nagai
彪 長井
Katsumi Sasada
勝視 佐々田
Sadao Nakagawa
貞雄 中川
Shuji Ito
修治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4204745A priority Critical patent/JPH0653013A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は取り扱い易く、誤動作のない薄膜サ
ーミスタとその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 導電性支持体2に両端の開口した凹部3を1
個以上設け、凹部3内に薄膜サーミスタ素子1を収納
し、薄膜サーミスタ素子1の上に硝子被覆層5を設け
て、取り扱い易い薄膜サーミスタとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜素子の実装の容易な
薄膜サーミスタとその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の薄膜サーミスタは、図4
に示すように、平板状アルミナ基板11の一方の表面に
一対の電極膜12a、12bと炭化ケイ素(SiC)な
どの感温抵抗体膜13とから成る薄膜サーミスタ素子の
一対の電極膜12a、12bに白金(Pt)細線(直径
0.1mm程度)などの一対のリード線4a、4bを接続
して薄膜サーミスタ素子1とし、その薄膜サーミスタ素
子1の上に焼成硝子被覆層5を形成して構成される。
[例えば、長井、他 ナショナルテクニカルレポート(N
ational Technical Report)Vol.29,(198
3)]
【0003】
【発明が解決しようとする課題】SiC薄膜サーミスタ
は耐熱性に優れ、また広い温度領域を検出するのに適し
た抵抗温度特性を有するので、0〜500℃の温度範囲
で使用される温度センサとしてオーブンなどに実用され
ている。従って、一対のリード線2a、2bとして、耐
熱性に優れるPt線、ニッケル(Ni)線が用いられ、
また、この一対のリード線4a、4bは、通常、溶接法
で一対の電極膜12a、12bにそれぞれ接続されてい
た。溶接法による接続は耐熱性に優れるからである。し
かし、この溶接強度は10g以下と弱く、また、素子は
小さい(1.8mm×6.5mm×0.5mm程度)ので、溶
接作業およびそれ以降の取り扱いに細心の注意を要す
る。このため多くの作業時間を必要とし、価格が高くな
るという問題があった。
【0004】また、焼成硝子被覆層5は一対の電極膜1
2a、12bおよび感温抵抗体膜13を保護すると共に
一対のリード線4a、4bの溶接部も保護する。しか
し、この焼成硝子被覆層5は、平板状アルミナ基板11
の端部まで完全に覆わない場合には、例えば、結露水が
素子表面や周囲の構成物に付着すると、一対の電極膜1
2a、12bとアース間の絶縁性が劣化して、誤動作し
易いという問題があった。
【0005】本発明は上記従来の問題点を解消するもの
で、取り扱い易く、誤動作しないサーミスタとその製造
方法の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜サーミスタは、両端の開口した凹部を
1個以上有する導電性支持体の前記凹部に薄膜サーミス
タ素子を収納し、前記薄膜サーミスタ素子を被覆して前
記導電性支持体上に焼成硝子を形成した構成である。
【0007】
【作用】本発明は上記した構成によって、薄膜サーミス
タ素子より大きな面積の導電性支持体を取り扱うことが
可能になり、また、焼成硝子被覆層はサーミスタ素子を
覆って、さらに導電性支持体の表面にまで広がるので、
焼成硝子被覆層はサーミスタ素子を完全に覆うことがで
きる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図面に基づい
て説明する。
【0009】図1(a)は、本実施例の薄膜サーミスタ
の分解斜視図で、図1(b)は、直線AA′で切断した
ときの断面図である。薄膜サーミスタ素子1は導電性支
持体2の凹部3に収納される。この時凹部3は導電性支
持体2の端部にまで伸びており、その両端は開いてい
る。なお図1では、図4に示す一対の電極膜12a、1
2bや感温抵抗体13などは省略してあるが、薄膜サー
ミスタ素子1は図4に示した構成である。この後、図1
(b)に示すように、焼成硝子被覆層5が形成される。
【0010】導電性支持体2は、チタニウム(チ)、タ
ンタル(Ta)、Ptなどの金属で構成され、その形状
は直径8〜10mmの円板状である。これらの金属は、平
板状アルミナ基板11と同程度の熱膨張係数を有すると
共に、導電性支持体2の薄肉部分の厚さ(図1(b)で
記号dで示される)を薄く加工できる。また、凹部3の
深さはサーミスタ素子1の厚さ程度が好ましい。このよ
うに、この導電性支持体2は、サーミスタ素子1の面積
に比べ、4〜6倍の大きな面積を有するので、取り扱い
が容易になることは明かである。また、この取り扱いの
ときに、直接薄膜サーミスタ素子1をピンセットなどで
つかむなどの作業がなくなるので、作業ミスにより薄膜
サーミスタ素子1の表面を傷付けることも防止できる。
焼成硝子被覆層5は図1(b)に示すように、薄膜サー
ミスタ素子1を被覆して、導電性支持体2の表面にまで
広がるので、薄膜サーミスタ素子1が完全に焼成硝子被
覆層5で被覆されることは明らかである。
【0011】また、図2に示すように、導電性支持体2
に2本の凹部3a、3bを設け、互いに交差して配置す
ることが一層好ましい。薄膜サーミスタ素子1を導電性
支持体2に収納するときに両者の交差部が薄膜サーミス
タ素子1を挟持する治具の逃げとして作用するからであ
る。また、焼成硝子被覆層5を形成するときも、焼成硝
子が薄膜サーミスタ素子1と凹部3aもしくは3bの間
の微小空間に流れ込み易くなるからである。
【0012】なお、薄膜サーミスタ素子1は導電性支持
体2の凹部3に収納されるが、このときに薄膜サーミス
タ素子1が導電性支持体2に接触し、絶縁性が劣化する
恐れがある。この場合、焼成硝子被覆層5を低融点硝子
と高融点絶縁性粒子で構成することが望ましい。高融点
粒子が薄膜サーミスタ素子1と導電性支持体2の間に介
在して、薄膜サーミスタ素子1が導電性支持体2と接触
することを防止するからである。高融点絶縁性粒子は直
径にして50μm以上の形状であれば十分である。
【0013】本発明の薄膜サーミスタを、例えば、オー
ブンなどに取り付けることを考慮すると、図3に示すよ
うに、導電性支持体2の他の表面に金属板6を配置し、
両者を固定することが好ましい。固定方法は、同図に示
すように、金属部品7a、7bを用いて、機械的にカシ
メてもよいが、導電性支持体2と金属板6をろう付け固
定することが好ましい。ろう付け固定の場合、薄膜サー
ミスタ素子1と金属板6の間の熱抵抗が、機械的固定に
比べ、小さくなるので、熱応答性が速くなるからであ
る。特に、導電性支持体2は前述した金属で構成される
ので、熱伝導率が高く、また薄肉部の厚さdを薄くでき
るので、導電性支持体2の熱抵抗を小さくできる。
【0014】次に、本発明の薄膜サーミスタを製造する
とき、導電性支持体2の凹部3に低融点硝子粉末と高融
点絶縁性粒子を含む硝子ペーストを塗布した後、素子を
この硝子ペーストの上に配置し、乾燥後、一対のリード
線4a、4bを接続することが好ましい。素子を硝子ペ
ースト上に配置するとき、硝子ペーストは素子の側面部
にまで広がるので、素子と導電性支持体2の間に高融点
絶縁性粒子が介在し、両者の接触を防止できる。また、
この乾燥した硝子ペーストにより、素子と導電性支持体
2が軽く一時的に接着され、この接着力により一対のリ
ード線4a、4bの接続作業時に素子が固定され、作業
が容易になるからである。素子と導電性支持体2が乾燥
硝子ペーストで接着されていない場合、素子は凹部3の
中で位置変動を生じ易く、接続作業が難しくなる。
【0015】一対のリード線4a、4bの接続後、硝子
ペーストを薄膜サーミスタ素子1の周囲に滴下し、乾燥
後、焼成することにより、薄膜サーミスタ素子1と導電
性支持体2は実用上十分な強度で固着され、本発明のサ
ーミスタが完成する。なお、上記説明では、素子と導電
性支持体2の接着に乾燥硝子ペーストを用いたが、空気
中200℃以下で燃焼する有機物接着剤を用いてもよ
い。これにより、素子と導電性支持体2が一時的に接着
され、一対のリード線4a、4bの接続作業が容易にな
る。硝子ペーストは、700℃以上の高温で焼成される
ので、このときに有機物接着剤は燃焼して、外部空間に
放散する。この結果、上述したと同様にサーミスタ素子
1と導電性支持体2は実用上十分な強度で固着される。
【0016】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
次に示す効果が得られる。
【0017】(1)サーミスタ素子は導電性支持体の凹
部に収納されるので、それ以降の取り扱いが容易にな
る。
【0018】(2)焼成硝子被覆層は薄膜サーミスタ素
子を覆って、導電性支持体の表面にまで伸びるので、絶
縁性劣化による誤動作がなくなる。
【0019】(3)サーミスタ素子と導電性支持体は一
時的に接着され、一対のリード線接続作業が容易にな
る。
【0020】(4)低融点硝子と高融点絶縁性粒子から
なる焼成硝子被覆層を形成することにより、薄膜サーミ
スタ素子と導電性支持体の接触を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の第1実施例における薄膜サーミ
スタの分解斜視図 (b)図1(a)の直線AA′で切断した断面図
【図2】本発明の他の導電性支持体の斜視図
【図3】本発明の第2の実施例の断面図
【図4】従来の薄膜サーミスタの断面図
【符号の説明】
1 薄膜サーミスタ素子 2 導電性支持体 3 凹部 5 焼成硝子被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 修治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】両端の開口した凹部を1個以上有する導電
    性支持体の前記凹部に薄膜サーミスタ素子を収納し、前
    記薄膜サーミスタ素子を被覆して前記導電性支持体上に
    焼成硝子被覆層を形成した薄膜サーミスタ。
  2. 【請求項2】焼成硝子が低融点硝子と高融点絶縁性粒子
    から成る請求項1記載の薄膜サーミスタ。
  3. 【請求項3】導電性支持体の凹部に低融点硝子と高融点
    絶縁性粒子を含む硝子ペーストを塗布する工程と、この
    硝子ペースト上にサーミスタ素子を配置する工程と、サ
    ーミスタ素子の配置された導電性支持体を乾燥する工程
    と、前記サーミスタ素子の一対のリード線を接続する工
    程と、硝子ペーストをサーミスタ素子周囲に塗布、乾
    燥、焼成する工程とからなる薄膜サーミスタの製造方
    法。
JP4204745A 1992-07-31 1992-07-31 薄膜サーミスタ及びその製造方法 Pending JPH0653013A (ja)

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