JPH04293201A - 薄膜サーミスタ - Google Patents
薄膜サーミスタInfo
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- JPH04293201A JPH04293201A JP3058634A JP5863491A JPH04293201A JP H04293201 A JPH04293201 A JP H04293201A JP 3058634 A JP3058634 A JP 3058634A JP 5863491 A JP5863491 A JP 5863491A JP H04293201 A JPH04293201 A JP H04293201A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リード線接続の容易な
構成の薄膜サーミスタに関する。
構成の薄膜サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜サーミスタは、図２
に示すように、平板状アルミナ基板２１の一方の表面に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの感温抵抗体膜２２と一対の
電極膜２３、２３’を形成して構成されている。薄膜サ
ーミスタ素子の一対の厚膜電極膜２３、２３’にＰｔ細
線（直径０．１ｍｍ程度）などの一対の内部リード線２
４、２４’を接続し、さらに硝子被覆層２５を形成して
構成される。しかし、この一対の内部リード線２４、２
４’は細線であるので、機械的強度が弱く、実用的でな
い。このためこの薄膜サーミスタ素子は、機械強度の強
い外部リード端子に接続されて、実用に供されていた。 外部リード端子は電気絶縁性支持体６に太いステンレス
線（直径１ｍｍ程度）などの一対の外部リード線２７、
２７’を固定して構成され、薄膜サーミスタ素子の一対
の内部リード線２４、２４’が外部リード端子の一対の
外部リード線２７、２７’にそれぞれ接続されていた。 （例えば、特公 平２−１４７６１号公報）
に示すように、平板状アルミナ基板２１の一方の表面に
炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの感温抵抗体膜２２と一対の
電極膜２３、２３’を形成して構成されている。薄膜サ
ーミスタ素子の一対の厚膜電極膜２３、２３’にＰｔ細
線（直径０．１ｍｍ程度）などの一対の内部リード線２
４、２４’を接続し、さらに硝子被覆層２５を形成して
構成される。しかし、この一対の内部リード線２４、２
４’は細線であるので、機械的強度が弱く、実用的でな
い。このためこの薄膜サーミスタ素子は、機械強度の強
い外部リード端子に接続されて、実用に供されていた。 外部リード端子は電気絶縁性支持体６に太いステンレス
線（直径１ｍｍ程度）などの一対の外部リード線２７、
２７’を固定して構成され、薄膜サーミスタ素子の一対
の内部リード線２４、２４’が外部リード端子の一対の
外部リード線２７、２７’にそれぞれ接続されていた。 （例えば、特公 平２−１４７６１号公報）
【０００
３】
３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、一対の電極膜２３、２３’にＰｔ線などの一対の
内部リード線２４、２４’を接続している。ＳｉＣ薄膜
サーミスタは耐熱性に優れ、また広い温度領域を検出す
るのに適した抵抗温度特性を有するので、０〜５００℃
の温度範囲で使用される温度センサとしてオーブンなど
に実用されている。従って、一対の内部リード線２４、
２４’として、耐熱性に優れるＰｔ線、Ｎｉ線が用いら
れ、また、この一対の内部リード線２４、２４’は、通
常、溶接法で一対の電極膜２３、２３’にそれぞれ接続
される方法が用いられる。さらに、一対の内部リード線
２４、２４’と一対の外部リード線２７、２７’との接
続も、通常、溶接法が用いられる。溶接接続は耐熱性に
優れるからである。しかし、これらの溶接作業は多くの
作業時間を必要とするので、価格が高くなるという問題
があった。
では、一対の電極膜２３、２３’にＰｔ線などの一対の
内部リード線２４、２４’を接続している。ＳｉＣ薄膜
サーミスタは耐熱性に優れ、また広い温度領域を検出す
るのに適した抵抗温度特性を有するので、０〜５００℃
の温度範囲で使用される温度センサとしてオーブンなど
に実用されている。従って、一対の内部リード線２４、
２４’として、耐熱性に優れるＰｔ線、Ｎｉ線が用いら
れ、また、この一対の内部リード線２４、２４’は、通
常、溶接法で一対の電極膜２３、２３’にそれぞれ接続
される方法が用いられる。さらに、一対の内部リード線
２４、２４’と一対の外部リード線２７、２７’との接
続も、通常、溶接法が用いられる。溶接接続は耐熱性に
優れるからである。しかし、これらの溶接作業は多くの
作業時間を必要とするので、価格が高くなるという問題
があった。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するもので
、一対の内部リード線２４、２４’を廃止して、電極膜
２３、２３’に直接外部リード線を接続することにより
、溶接作業を不要にすることを目的とするものである。
、一対の内部リード線２４、２４’を廃止して、電極膜
２３、２３’に直接外部リード線を接続することにより
、溶接作業を不要にすることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の薄膜サーミスタは、薄膜サーミスタ素子とリ
ード端子とから構成され、前記薄膜サーミスタ素子は平
板状アルミナ基板と、前記平板状アルミナ基板に設けら
れた一対の貫通口と、前記平板状アルミナ基板の一方の
表面と他の表面とを電気的に連結するよう、前記貫通口
を貫通して配置された一対の導電性部材と、前記平板状
アルミナ基板の前記一方の表面に前記貫通口を含んで配
置された一対の電極膜と、前記一対の電極膜に積層して
配置された感温抵抗体膜とを主体として構成され、他方
、リード端子は相対して配置された一対の細長い外部リ
ード線と、前記一対の外部リード線をその長さ方向のほ
ぼ中間部で固定するセラミック絶縁体と、前記一対の外
部リード線のそれぞれの一端部に互いに相対向して形成
された一対の凹部とを主体として構成され、前記一対の
外部リード線の前記一対の凹部の一対の底面が前記薄膜
サーミスタ素子の前記平板状アルミナ基板の前記他の表
面で前記一対の貫通口と対向するように配置され、前記
一対の導電性部材と前記一対の底面がそれぞれ一対の導
電性結着材により接続されるよう構成したものである。
に本発明の薄膜サーミスタは、薄膜サーミスタ素子とリ
ード端子とから構成され、前記薄膜サーミスタ素子は平
板状アルミナ基板と、前記平板状アルミナ基板に設けら
れた一対の貫通口と、前記平板状アルミナ基板の一方の
表面と他の表面とを電気的に連結するよう、前記貫通口
を貫通して配置された一対の導電性部材と、前記平板状
アルミナ基板の前記一方の表面に前記貫通口を含んで配
置された一対の電極膜と、前記一対の電極膜に積層して
配置された感温抵抗体膜とを主体として構成され、他方
、リード端子は相対して配置された一対の細長い外部リ
ード線と、前記一対の外部リード線をその長さ方向のほ
ぼ中間部で固定するセラミック絶縁体と、前記一対の外
部リード線のそれぞれの一端部に互いに相対向して形成
された一対の凹部とを主体として構成され、前記一対の
外部リード線の前記一対の凹部の一対の底面が前記薄膜
サーミスタ素子の前記平板状アルミナ基板の前記他の表
面で前記一対の貫通口と対向するように配置され、前記
一対の導電性部材と前記一対の底面がそれぞれ一対の導
電性結着材により接続されるよう構成したものである。
【０００６】
【作用】この構成により、一対の導電性部材と一対の導
電性固着材が従来の一対の内部リード線に代って、導電
性ペーストの焼成により形成されるのでサーミスタ素子
と外部リード線の接合に、従来の溶接作業は不要になる
。
電性固着材が従来の一対の内部リード線に代って、導電
性ペーストの焼成により形成されるのでサーミスタ素子
と外部リード線の接合に、従来の溶接作業は不要になる
。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【０００８】図１に、本発明の一実施例の薄膜サーミス
タの構成を示す。図に示すように平板状アルミナ基板１
の対向する位置に一対の貫通口８、８’を設けた。平板
状アルミナ基板１の形状は、幅２ｍｍ、長さ６ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍ、また一対の貫通口８、８’の直径は０．
５ｍｍとした。平板状アルミナ基板１の一方の表面に一
対の貫通口８、８’を含んで電極用導電性ペーストを印
刷した跡、乾燥・焼成して一対のＡｕ−Ｐｔ厚膜電極膜
３、３’を形成した。この後、貫通口用導電性ペースト
を貫通口８、８’の内表面上もしくは空間部に印刷した
後、乾燥・焼成して導電性部材９、９’を形成した。平
板状アルミナ基板１の一方の表面から他の表面にわたり
電気的に導通するように、この一対の厚膜電極膜３、３
’と一対の導電性部材９、９’とは、一対の導電性部材
９、９’の端部で電気的に接続されている。電極用導電
性ペースト、貫通口用導電性ペーストとして、たとえば
、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、
Ａｕ−Ｐｔペーストなどが用いられる。
タの構成を示す。図に示すように平板状アルミナ基板１
の対向する位置に一対の貫通口８、８’を設けた。平板
状アルミナ基板１の形状は、幅２ｍｍ、長さ６ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍ、また一対の貫通口８、８’の直径は０．
５ｍｍとした。平板状アルミナ基板１の一方の表面に一
対の貫通口８、８’を含んで電極用導電性ペーストを印
刷した跡、乾燥・焼成して一対のＡｕ−Ｐｔ厚膜電極膜
３、３’を形成した。この後、貫通口用導電性ペースト
を貫通口８、８’の内表面上もしくは空間部に印刷した
後、乾燥・焼成して導電性部材９、９’を形成した。平
板状アルミナ基板１の一方の表面から他の表面にわたり
電気的に導通するように、この一対の厚膜電極膜３、３
’と一対の導電性部材９、９’とは、一対の導電性部材
９、９’の端部で電気的に接続されている。電極用導電
性ペースト、貫通口用導電性ペーストとして、たとえば
、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、
Ａｕ−Ｐｔペーストなどが用いられる。
【０００９】この後、スパッタ法により炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）を主体とする感温抵抗体膜２を平板状アルミナ基
板１の一方の表面に形成して、薄膜サーミスタ素子を構
成した。
ｉＣ）を主体とする感温抵抗体膜２を平板状アルミナ基
板１の一方の表面に形成して、薄膜サーミスタ素子を構
成した。
【００１０】他方で、相対して配置された一対の細長い
外部リード線１０、１０’と、一対の外部リード線１０
、１０’をその長さ方向のほぼ中間部で固定するセラミ
ック絶縁体１１と、一対の外部リード線１０、１０’の
それぞれの一端部に互いに相対向して形成された一対の
凹部１２、１２’とから構成されたリード端子を準備し
た。つぎに一対の外部リード線１０、１０’の一対の凹
部１２、１２’の一対の底面が薄膜サーミスタ素子の平
板状アルミナ基板１の他の表面で一対の貫通口８、８’
と対向するように配置し、一対の導電性部材９、９’と
一対の底面をそれぞれ一対の接着性導電性焼結体１３、
１３’で接続した。一対の導電性固着材１３、１３’は
、平板状アルミナ基板１の他の表面で一対の導電性部材
９、９’と接触して導電性ペーストを塗布した後、この
導電性ペーストを介して薄膜サーミスタ素子を一対の凹
部１２、１２’の一対の底面に密着し、乾燥・焼成する
ことにより容易に形成できる。
外部リード線１０、１０’と、一対の外部リード線１０
、１０’をその長さ方向のほぼ中間部で固定するセラミ
ック絶縁体１１と、一対の外部リード線１０、１０’の
それぞれの一端部に互いに相対向して形成された一対の
凹部１２、１２’とから構成されたリード端子を準備し
た。つぎに一対の外部リード線１０、１０’の一対の凹
部１２、１２’の一対の底面が薄膜サーミスタ素子の平
板状アルミナ基板１の他の表面で一対の貫通口８、８’
と対向するように配置し、一対の導電性部材９、９’と
一対の底面をそれぞれ一対の接着性導電性焼結体１３、
１３’で接続した。一対の導電性固着材１３、１３’は
、平板状アルミナ基板１の他の表面で一対の導電性部材
９、９’と接触して導電性ペーストを塗布した後、この
導電性ペーストを介して薄膜サーミスタ素子を一対の凹
部１２、１２’の一対の底面に密着し、乾燥・焼成する
ことにより容易に形成できる。
【００１１】このようにして構成された本発明の薄膜サ
ーミスタでは、従来の一対の内部リード線４、４’は、
一対の導電性部材９、９’と一対の接着性導電性焼結体
１３、１３’に対応する。従って、本発明の薄膜サーミ
スタでは、溶接作業を全く必要としない。一対の導電性
部材９、９’と一対の接着性導電性焼結体１３、１３’
は、塗布工程、密着工程、乾燥工程、焼成工程など生産
性に優れた工程で形成されるので、接続の所要時間は従
来の溶接作業に比べ１／２〜１／３に短縮できる。
ーミスタでは、従来の一対の内部リード線４、４’は、
一対の導電性部材９、９’と一対の接着性導電性焼結体
１３、１３’に対応する。従って、本発明の薄膜サーミ
スタでは、溶接作業を全く必要としない。一対の導電性
部材９、９’と一対の接着性導電性焼結体１３、１３’
は、塗布工程、密着工程、乾燥工程、焼成工程など生産
性に優れた工程で形成されるので、接続の所要時間は従
来の溶接作業に比べ１／２〜１／３に短縮できる。
【００１２】また、薄膜サーミスタ素子は凹部１２、１
２’に収納されるので、一対の外部リード線１０、１０
’に対する位置が正確になると共に薄膜サーミスタ素子
を前記一対の凹部１２、１２’に密着する作業が容易に
なる。
２’に収納されるので、一対の外部リード線１０、１０
’に対する位置が正確になると共に薄膜サーミスタ素子
を前記一対の凹部１２、１２’に密着する作業が容易に
なる。
【００１３】一対の外部リード線１０、１０’は、厚さ
０．６ｍｍ程度のＦｅ−Ｃｒ系ステンレス合金板を用い
、絞り加工で凹部１２、１２’を形成することにより、
容易に形成できる。
０．６ｍｍ程度のＦｅ−Ｃｒ系ステンレス合金板を用い
、絞り加工で凹部１２、１２’を形成することにより、
容易に形成できる。
【００１４】なお、必要に応じて、従来例のように、薄
膜サーミスタ素子の表面を硝子被覆してもよい。
膜サーミスタ素子の表面を硝子被覆してもよい。
【００１５】また、本実施例では導電性決着材として導
電性ペーストを用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、耐熱性導電性接着剤であれば何でもよい。
電性ペーストを用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、耐熱性導電性接着剤であれば何でもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明によれば下記の効果が得られる。
に本発明によれば下記の効果が得られる。
【００１７】（１）従来の一対の内部リード線に代わり
、一対の導電性部材と一対の導電性固着材を用いている
ので、溶接作業を全く必要としない。
、一対の導電性部材と一対の導電性固着材を用いている
ので、溶接作業を全く必要としない。
【００１８】（２）一対の導電性部材と導電性固着材は
、塗布工程、密着工程、乾燥工程、焼成工程など生産性
に優れた工程で形成されるので、接続の所要時間は従来
の溶接作業に比べ１／２〜１／３に短縮できる。
、塗布工程、密着工程、乾燥工程、焼成工程など生産性
に優れた工程で形成されるので、接続の所要時間は従来
の溶接作業に比べ１／２〜１／３に短縮できる。
【００１９】（３）薄膜サーミスタ素子は外部リード線
の凹部に収納されるので、一対の外部リード線に対する
位置が正確になるとともに薄膜サーミスタ素子を一対の
凹部に固着する作業が容易になる。
の凹部に収納されるので、一対の外部リード線に対する
位置が正確になるとともに薄膜サーミスタ素子を一対の
凹部に固着する作業が容易になる。
【図１】本発明の一実施際の薄膜サーミスタの一部破断
分解斜視図
分解斜視図
【図２】従来の薄膜サーミスタの断面図
１ アルミナ基板
３、３’ 電極膜
８、８’ 貫通口
９、９’ 導電性部材
１０、１０’ 一対の外部リード線
１１ セラミック絶縁体
１２、１２’ 一対の凹部
１３、１３’ 導電性固着材
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜サーミスタ素子とリード端子とを備え
、前記薄膜サーミスタ素子は平板状アルミナ基板と、前
記平板状アルミナ基板に設けられた一対の貫通口と、前
記平板状アルミナ基板の一方の表面から他の表面にわた
り電気的に導通して、前記貫通口を貫通して配置された
一対の導電性部材と、前記平板状アルミナ基板の前記一
方の表面に前記貫通口を含んだ配置された一対の電極膜
と、前記一対の電極膜に積層して配置された感温抵抗体
膜とを備え、他方、リード端子は相対して配置された一
対の細長い外部リード線と、前記一対の外部リード線を
その長さ方向のほぼ中間部で固定するセラミック絶縁体
と、前記一対の外部リード線のそれぞれの一端部に互い
に相対向して形成された一対の凹部とを主体として構成
され、前記一対の外部リード線の前記一対の凹部の一対
の底面が前記薄膜サーミスタ素子の前記平板状アルミナ
基板の前記他の表面で前記一対の貫通口と対向するよう
に配置され、前記一対の導電性部材と前記一対の底面が
それぞれ一対の導電性結着材により接続された薄膜サー
ミスタ。 - 【請求項２】外部リード線をステンレス製とし、凹部を
一体的に形成した請求項１記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058634A JPH04293201A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 薄膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058634A JPH04293201A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 薄膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293201A true JPH04293201A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13090018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3058634A Pending JPH04293201A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 薄膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04293201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160116347A1 (en) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | Watlow Electric Manufacturing Company | Rapid response sensor housing |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785205A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film thermistor |
| JPS59195803A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | トキコ株式会社 | サ−ミスタの製造方法 |
| JPH0214761A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Marusei Jukogyo Kk | 沈砂池における沈砂、シサの洗浄処理方法及び装置 |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3058634A patent/JPH04293201A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10571343B2 (en) * | 2014-10-24 | 2020-02-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Rapid response sensor housing |
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