JP2616515B2 - 厚膜抵抗体,厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 - Google Patents
厚膜抵抗体,厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上にスクリー
ン印刷法により印刷形成された導体膜および抵抗体膜を
含む、厚膜抵抗体,厚膜印刷配線板およびその製造方法
ならびに厚膜混成集積回路に関する。
ン印刷法により印刷形成された導体膜および抵抗体膜を
含む、厚膜抵抗体,厚膜印刷配線板およびその製造方法
ならびに厚膜混成集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の厚膜混成集積回路の一例の構造
を、製造方法とともに図を用いて説明する。図3(a)
から(c)および図4(a)から(b)は、従来の厚膜
混成集積回路の製造方法を工程順に説明するための図で
ある。
を、製造方法とともに図を用いて説明する。図3(a)
から(c)および図4(a)から(b)は、従来の厚膜
混成集積回路の製造方法を工程順に説明するための図で
ある。
【0003】図3(a)から(c)および図4(a)か
ら(b)を参照すると、この厚膜混成集積回路は次のよ
うにして作られる。先ず、図3(a)に示すように、絶
縁基板1上に導体膜2を形成する。絶縁基板1として
は、純度96%のアルミナセラミックのような材料が用
いられる。又、導体膜2は、銀のような導電性の金属粉
末を主成分とする導体ペーストを用い、スクリーン印刷
によりパターニングして乾燥した後、約850℃で焼成
して作る。導体ペーストとしては、銀の他にも、銀・パ
ラジウム合金粉末や銀・白金合金粉末のような銀を含む
金属が、安価であることから良く用いられる。
ら(b)を参照すると、この厚膜混成集積回路は次のよ
うにして作られる。先ず、図3(a)に示すように、絶
縁基板1上に導体膜2を形成する。絶縁基板1として
は、純度96%のアルミナセラミックのような材料が用
いられる。又、導体膜2は、銀のような導電性の金属粉
末を主成分とする導体ペーストを用い、スクリーン印刷
によりパターニングして乾燥した後、約850℃で焼成
して作る。導体ペーストとしては、銀の他にも、銀・パ
ラジウム合金粉末や銀・白金合金粉末のような銀を含む
金属が、安価であることから良く用いられる。
【0004】次に、図3(b)に示すように、2つの導
体膜2にまたがるようにして抵抗体膜3を形成して厚膜
印刷配線基板を作る。この抵抗体膜3は、例えばルテニ
ウムの酸化物のような金属酸化物を主成分とする抵抗体
ペーストを用い、導体膜2を形成する時と同様に、スク
リーン印刷によりパターニングし乾燥した後、約850
℃の温度で焼成して形成する。
体膜2にまたがるようにして抵抗体膜3を形成して厚膜
印刷配線基板を作る。この抵抗体膜3は、例えばルテニ
ウムの酸化物のような金属酸化物を主成分とする抵抗体
ペーストを用い、導体膜2を形成する時と同様に、スク
リーン印刷によりパターニングし乾燥した後、約850
℃の温度で焼成して形成する。
【0005】更に、図3(c)に示すように、導体膜2
および抵抗体膜3の上に非晶質ガラス膜4を形成する。
この場合、導体膜2の一部分が露出するようにしてお
く。この露出部分は、後の工程で半導体集積回路などの
実装部品を取り付けるための部品搭載パッド部となった
り、外部への入出力端子を装着するための端子接続部と
なる部分である。一方、非晶質ガラス膜4は、後の工程
で抵抗体膜3をレーザーでトリミングして抵抗値を調整
する際に、抵抗体膜3にクラックが発生することを防
ぐ。又、抵抗体膜3や導体膜2の表面を保護し、実装部
品を実装する際に導体膜2の必要個所以外の部分の上に
はんだが乗らないようにするなど、ソルダーレジスト的
な働きをする。この非晶質ガラス膜4は、非晶質ガラス
ペーストを用い、スクリーン印刷でパターニングし乾燥
した後、約500℃の温度で焼成して作る。500℃と
いう焼成温度は、既に形成されている抵抗体膜3の抵抗
値がこの焼成によって変化しないような温度として選ば
れたものである。この非晶質ガラス膜4は、焼成温度が
低いなどのことから、膜質が緻密でなく多孔質であり、
また小さな亀裂が入っていることがあるという性質を持
っている。
および抵抗体膜3の上に非晶質ガラス膜4を形成する。
この場合、導体膜2の一部分が露出するようにしてお
く。この露出部分は、後の工程で半導体集積回路などの
実装部品を取り付けるための部品搭載パッド部となった
り、外部への入出力端子を装着するための端子接続部と
なる部分である。一方、非晶質ガラス膜4は、後の工程
で抵抗体膜3をレーザーでトリミングして抵抗値を調整
する際に、抵抗体膜3にクラックが発生することを防
ぐ。又、抵抗体膜3や導体膜2の表面を保護し、実装部
品を実装する際に導体膜2の必要個所以外の部分の上に
はんだが乗らないようにするなど、ソルダーレジスト的
な働きをする。この非晶質ガラス膜4は、非晶質ガラス
ペーストを用い、スクリーン印刷でパターニングし乾燥
した後、約500℃の温度で焼成して作る。500℃と
いう焼成温度は、既に形成されている抵抗体膜3の抵抗
値がこの焼成によって変化しないような温度として選ば
れたものである。この非晶質ガラス膜4は、焼成温度が
低いなどのことから、膜質が緻密でなく多孔質であり、
また小さな亀裂が入っていることがあるという性質を持
っている。
【0006】次いで、抵抗体のトリミングを行なって抵
抗値を調整した後、図4(a)に示すように、実装部品
5を部品搭載パッド部にはんだ6で接続し、入出力端子
(図示せず)を端子接続部(図示せず)に取り付ける。
抗値を調整した後、図4(a)に示すように、実装部品
5を部品搭載パッド部にはんだ6で接続し、入出力端子
(図示せず)を端子接続部(図示せず)に取り付ける。
【0007】最後に、実装部品5や入出力端子が取り付
けられた厚膜印刷配線基板を絶縁性の有機樹脂中に浸漬
し、図4(b)に示すように、保護コーティング膜7を
形成して厚膜混成集積回路を完成する。
けられた厚膜印刷配線基板を絶縁性の有機樹脂中に浸漬
し、図4(b)に示すように、保護コーティング膜7を
形成して厚膜混成集積回路を完成する。
【0008】ここで、後の説明の便利のために、上述の
厚膜混成集積回路において、保護コーティング膜7が無
い場合に、導体膜2が何によって覆われ保護されている
かについて考察しておく。図5は、この厚膜混成集積回
路における抵抗体部分の一例を示す平面図である。図5
および図4(b)を参照すると、この厚膜混成集積回路
の導体膜2は、保護コーティング膜7がない場合には、
下記のように保護されている。導体膜2と抵抗体膜3
との重なりの部分では、抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4
とによって保護されている。部品搭載パッド部と端
子接続部は、はんだ6によって保護されている。上記
のおよび以外の部分では、非晶質ガラス膜4だけで
保護されている。
厚膜混成集積回路において、保護コーティング膜7が無
い場合に、導体膜2が何によって覆われ保護されている
かについて考察しておく。図5は、この厚膜混成集積回
路における抵抗体部分の一例を示す平面図である。図5
および図4(b)を参照すると、この厚膜混成集積回路
の導体膜2は、保護コーティング膜7がない場合には、
下記のように保護されている。導体膜2と抵抗体膜3
との重なりの部分では、抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4
とによって保護されている。部品搭載パッド部と端
子接続部は、はんだ6によって保護されている。上記
のおよび以外の部分では、非晶質ガラス膜4だけで
保護されている。
【0009】そして、上述の非晶質ガラス膜4は、前述
のように多孔質で小さな亀裂が入っていることがあるよ
うな性質のものである。
のように多孔質で小さな亀裂が入っていることがあるよ
うな性質のものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の厚膜混
成集積回路には、耐湿性が十分でなく、保護コーティン
グ膜7が施されていないと、湿度の高い環境のもとで動
作しているうちに導体膜間の絶縁抵抗が劣化してゆくと
いう問題点がある。これは、導体膜2の保護層の構造
と、非晶質ガラス膜4の性質とによるものと考えられ
る。以下に、この厚膜混成集積回路の抵抗体の部分を例
にして、その説明を行なう。
成集積回路には、耐湿性が十分でなく、保護コーティン
グ膜7が施されていないと、湿度の高い環境のもとで動
作しているうちに導体膜間の絶縁抵抗が劣化してゆくと
いう問題点がある。これは、導体膜2の保護層の構造
と、非晶質ガラス膜4の性質とによるものと考えられ
る。以下に、この厚膜混成集積回路の抵抗体の部分を例
にして、その説明を行なう。
【0011】上述のように、従来の厚膜混成集積回路の
構造は、導体膜2に関していえば、抵抗体膜3との重な
り部分,部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分
は、非晶質ガラス膜4と保護コーティング膜7とだけに
よって覆われている構造となっている。ところが、この
非晶質ガラス膜4は、上述したように、多孔質でありし
かも小さな亀裂が入っていることがある。
構造は、導体膜2に関していえば、抵抗体膜3との重な
り部分,部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分
は、非晶質ガラス膜4と保護コーティング膜7とだけに
よって覆われている構造となっている。ところが、この
非晶質ガラス膜4は、上述したように、多孔質でありし
かも小さな亀裂が入っていることがある。
【0012】このため、保護コーティング膜7がない場
合、湿度の高い環境のもとにおいては、雰囲気中の水分
が非晶質ガラス膜4中に侵入して行き易い。この場合、
導体膜2と抵抗体膜3との重なり部分では、導体膜2が
緻密な抵抗体膜3で覆われており、又、部品搭載パッド
部と端子接続部とははんだ6によって覆われているの
で、侵入した水分は抵抗体膜3やはんだ6で阻止され
る。ところが、上記の重なり部分以外の導体膜2の部分
では、水分の侵入を阻止するものがないので、最終的に
は水分が導体膜2にまで達する。導体膜2においては、
導体膜中の金属原子が侵入してきた水分によってイオン
化し、この金属イオンが2つの導体膜2の間に印加され
ている電界に引かれて移動し、ついには相手側の導体膜
に達することによって絶縁抵抗が劣化する。
合、湿度の高い環境のもとにおいては、雰囲気中の水分
が非晶質ガラス膜4中に侵入して行き易い。この場合、
導体膜2と抵抗体膜3との重なり部分では、導体膜2が
緻密な抵抗体膜3で覆われており、又、部品搭載パッド
部と端子接続部とははんだ6によって覆われているの
で、侵入した水分は抵抗体膜3やはんだ6で阻止され
る。ところが、上記の重なり部分以外の導体膜2の部分
では、水分の侵入を阻止するものがないので、最終的に
は水分が導体膜2にまで達する。導体膜2においては、
導体膜中の金属原子が侵入してきた水分によってイオン
化し、この金属イオンが2つの導体膜2の間に印加され
ている電界に引かれて移動し、ついには相手側の導体膜
に達することによって絶縁抵抗が劣化する。
【0013】実際に、導体膜間の絶縁抵抗が劣化した抵
抗体を顕微鏡などで外部から観察すると、非晶質ガラス
膜4上に金属イオンが移動した痕跡が見られ、上記の考
えが正しいことを示している。
抗体を顕微鏡などで外部から観察すると、非晶質ガラス
膜4上に金属イオンが移動した痕跡が見られ、上記の考
えが正しいことを示している。
【0014】以上の説明は抵抗体を例にして行なった
が、このような、導体膜中の金属のイオン化にもとずく
導体膜間の絶縁劣化の現象は、抵抗膜と重なっていない
他の部分(非晶質ガラス膜4だけで覆われている部分)
でも導体間に電界が加わっていれば当然起ることであ
る。
が、このような、導体膜中の金属のイオン化にもとずく
導体膜間の絶縁劣化の現象は、抵抗膜と重なっていない
他の部分(非晶質ガラス膜4だけで覆われている部分)
でも導体間に電界が加わっていれば当然起ることであ
る。
【0015】以上のことから、従来の厚膜混成集積回路
においては、非晶質ガラス膜4による保護だけでは絶縁
特性の耐湿性に関する信頼性が十分でなく、保護コーテ
ィング膜7を省くことができない。
においては、非晶質ガラス膜4による保護だけでは絶縁
特性の耐湿性に関する信頼性が十分でなく、保護コーテ
ィング膜7を省くことができない。
【0016】ところが、従来の厚膜混成集積回路の製造
工程では、保護コーティング膜7を有機樹脂の浸漬法で
形成しているので、有機樹脂を大量に使用しなければな
らない。このため製造コストを引き下げることが難し
い。更に、有機樹脂で保護コーティングした後では、た
とえ実装部品に不具合があった場合でも部品を交換する
ことができず、この点も製造コストを下げるためのさま
たげとなっている。
工程では、保護コーティング膜7を有機樹脂の浸漬法で
形成しているので、有機樹脂を大量に使用しなければな
らない。このため製造コストを引き下げることが難し
い。更に、有機樹脂で保護コーティングした後では、た
とえ実装部品に不具合があった場合でも部品を交換する
ことができず、この点も製造コストを下げるためのさま
たげとなっている。
【0017】本発明は、上記のような従来の厚膜混成集
積回路の問題点に鑑みてなされたものであって、導体膜
2の耐湿性が従来のものより優れた厚膜抵抗体,厚膜印
刷配線基板および厚膜混成集積回路を提供することを目
的とする。
積回路の問題点に鑑みてなされたものであって、導体膜
2の耐湿性が従来のものより優れた厚膜抵抗体,厚膜印
刷配線基板および厚膜混成集積回路を提供することを目
的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜抵抗体は、
絶縁基板上に形成された導体膜と、一部がこの導体膜に
重なるようにして形成された抵抗体膜とを含むものであ
って、絶縁基板の所定部分および導体膜を、この導体膜
の所定部分が露出するようにして覆い、この露出部分を
抵抗体の電極となす結晶質ガラス膜を有し、抵抗体膜
は、電極周囲の結晶質ガラス膜に一部が重なり、電極を
含む部分が露出しないように覆う構造となっている。
絶縁基板上に形成された導体膜と、一部がこの導体膜に
重なるようにして形成された抵抗体膜とを含むものであ
って、絶縁基板の所定部分および導体膜を、この導体膜
の所定部分が露出するようにして覆い、この露出部分を
抵抗体の電極となす結晶質ガラス膜を有し、抵抗体膜
は、電極周囲の結晶質ガラス膜に一部が重なり、電極を
含む部分が露出しないように覆う構造となっている。
【0019】又、本発明の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路は、上述のような厚膜抵抗体を含み、更
に、導体膜は、抵抗体の電極,部品搭載パッド部および
端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で完全に覆われ
ている構造となっている。
混成集積回路は、上述のような厚膜抵抗体を含み、更
に、導体膜は、抵抗体の電極,部品搭載パッド部および
端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で完全に覆われ
ている構造となっている。
【0020】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例に
よる厚膜混成集積回路における抵抗体部分の構造を示す
図であって、図1(a)は平面図である。また図1
(b),図1(c)および図1(d)は、それぞれ、図
1(a)のA−a断面図、B−b断面図およびC−c断
面図である。
を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施例に
よる厚膜混成集積回路における抵抗体部分の構造を示す
図であって、図1(a)は平面図である。また図1
(b),図1(c)および図1(d)は、それぞれ、図
1(a)のA−a断面図、B−b断面図およびC−c断
面図である。
【0021】図1(a)から(d)を参照すると、本実
施例の厚膜混成集積回路が従来の厚膜混成集積回路と大
きく異なるのは、導体膜2が結晶質ガラス膜8aまたは
8bで覆われている点である。
施例の厚膜混成集積回路が従来の厚膜混成集積回路と大
きく異なるのは、導体膜2が結晶質ガラス膜8aまたは
8bで覆われている点である。
【0022】以下に本実施例の構造を、抵抗体部分の構
造を中心にして、製造工程とともに詳述する。本実施例
では、先ず、絶縁基板1上に導体ペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、850℃の温度で焼成し、図1
(a)に示すような、互いに向いあった部分を持つ2つ
の導体膜2aおよび2bを形成する。
造を中心にして、製造工程とともに詳述する。本実施例
では、先ず、絶縁基板1上に導体ペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、850℃の温度で焼成し、図1
(a)に示すような、互いに向いあった部分を持つ2つ
の導体膜2aおよび2bを形成する。
【0023】次に、結晶質ガラスペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、850℃の温度で焼成し、図1
(a)に示すような、互いに向いあった部分を持つ結晶
質ガラス膜8aおよび8bを形成する。結晶質ガラス膜
8aおよび8bは、互いに向いあった部分が、前述の導
体膜2aおよび2bの向いあった部分に対して直角にな
るようにパターニングされている。すなわち、この段階
では、導体膜2aおよび2bは、結晶質ガラス膜8aお
よび8bの間に露出した部分(以後この導体膜2aおよ
び2bの露出部分を、抵抗体にあっては電極、実装部品
取り付け部にあっては部品搭載パッド部、入出力端子取
り付け部にあっては端子接続部と呼ぶ)を除いて、全て
結晶質ガラス膜8aまたは8bで覆われた状態になって
いる。
印刷し乾燥した後、850℃の温度で焼成し、図1
(a)に示すような、互いに向いあった部分を持つ結晶
質ガラス膜8aおよび8bを形成する。結晶質ガラス膜
8aおよび8bは、互いに向いあった部分が、前述の導
体膜2aおよび2bの向いあった部分に対して直角にな
るようにパターニングされている。すなわち、この段階
では、導体膜2aおよび2bは、結晶質ガラス膜8aお
よび8bの間に露出した部分(以後この導体膜2aおよ
び2bの露出部分を、抵抗体にあっては電極、実装部品
取り付け部にあっては部品搭載パッド部、入出力端子取
り付け部にあっては端子接続部と呼ぶ)を除いて、全て
結晶質ガラス膜8aまたは8bで覆われた状態になって
いる。
【0024】次いで、抵抗体ペーストをスクリーン印刷
し乾燥した後、850℃の温度で焼成して抵抗体膜3を
形成する。抵抗体膜3は、図1(a)に示すように、長
さ方向においては、導体膜2aおよび2bの電極を完全
に覆い、わずかに絶縁基板1上にはみ出している。一
方、幅方向においては、結晶質ガラス膜8aおよび8b
にわずかに重なるようにパターニングされている。従っ
て、導体膜2の電極は、抵抗体膜3によって完全に覆わ
れることになる。
し乾燥した後、850℃の温度で焼成して抵抗体膜3を
形成する。抵抗体膜3は、図1(a)に示すように、長
さ方向においては、導体膜2aおよび2bの電極を完全
に覆い、わずかに絶縁基板1上にはみ出している。一
方、幅方向においては、結晶質ガラス膜8aおよび8b
にわずかに重なるようにパターニングされている。従っ
て、導体膜2の電極は、抵抗体膜3によって完全に覆わ
れることになる。
【0025】次に、図1(a)に示すように、抵抗体上
にのみ非晶質ガラスペーストをスクリーン印刷し乾燥し
た後、500℃の温度で焼成して抵抗体膜3を完全に覆
い厚膜印刷配線基板を作る。この抵抗体では、抵抗値R
は、導体膜2aと2bの間の間隔(抵抗体長さ)Lと、
結晶質ガラス膜8aと8bとの間の間隔(抵抗体幅)W
によって決まり、R=A・ρ・(L/W)(但し、Aは
補正定数、ρは抵抗体のシート抵抗値)となる。
にのみ非晶質ガラスペーストをスクリーン印刷し乾燥し
た後、500℃の温度で焼成して抵抗体膜3を完全に覆
い厚膜印刷配線基板を作る。この抵抗体では、抵抗値R
は、導体膜2aと2bの間の間隔(抵抗体長さ)Lと、
結晶質ガラス膜8aと8bとの間の間隔(抵抗体幅)W
によって決まり、R=A・ρ・(L/W)(但し、Aは
補正定数、ρは抵抗体のシート抵抗値)となる。
【0026】この後、レーザートリミングによって抵抗
値を調節してから、実装部品(図示せず)および入出力
端子(図示せず)を取り付けて本実施例の厚膜混成集積
回路を完成する。本実施例では、従来用いられていた有
機樹脂による保護コーティング膜は施さない。
値を調節してから、実装部品(図示せず)および入出力
端子(図示せず)を取り付けて本実施例の厚膜混成集積
回路を完成する。本実施例では、従来用いられていた有
機樹脂による保護コーティング膜は施さない。
【0027】ここで、本実施例における導体膜の保護層
の構造について、抵抗体部分の断面図を用いて考察す
る。本実施例においては、抵抗体の長さ方向の断面構造
は、図1(b)に示すように、導体膜2aおよび2bの
電極全体が、緻密な抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4とか
らなる2層膜で覆われた構造となっている。
の構造について、抵抗体部分の断面図を用いて考察す
る。本実施例においては、抵抗体の長さ方向の断面構造
は、図1(b)に示すように、導体膜2aおよび2bの
電極全体が、緻密な抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4とか
らなる2層膜で覆われた構造となっている。
【0028】又、導体膜2bの抵抗幅の方向の断面構造
は、図1(c)に示すように、抵抗体膜3が、その両端
で結晶質ガラス膜8aおよび8bに一部分重なった構造
になっている。従って、導体膜2bはこの重なりの部分
で、結晶質ガラス膜8a(または8b)と抵抗体膜3と
非晶質ガラス膜4とからなる3層膜で覆われた構造にな
っている。一方、重なり部分以外の導体膜2bは、結晶
質ガラス膜8bだけで覆われているか、あるいは結晶質
ガラス膜8b(または8a)と非晶質ガラス膜4とから
なる2層膜で覆われている。導体膜2aの構造も上に述
べたと同様の構造である。
は、図1(c)に示すように、抵抗体膜3が、その両端
で結晶質ガラス膜8aおよび8bに一部分重なった構造
になっている。従って、導体膜2bはこの重なりの部分
で、結晶質ガラス膜8a(または8b)と抵抗体膜3と
非晶質ガラス膜4とからなる3層膜で覆われた構造にな
っている。一方、重なり部分以外の導体膜2bは、結晶
質ガラス膜8bだけで覆われているか、あるいは結晶質
ガラス膜8b(または8a)と非晶質ガラス膜4とから
なる2層膜で覆われている。導体膜2aの構造も上に述
べたと同様の構造である。
【0029】更に、抵抗体膜3の幅方向の断面構造は、
図1(d)に示すように、抵抗体膜3の両端の部分が、
結晶質ガラス膜8aおよび8bと一部分重なっており、
抵抗体膜3全体が非晶質ガラス膜4で覆われた構造とな
っている。
図1(d)に示すように、抵抗体膜3の両端の部分が、
結晶質ガラス膜8aおよび8bと一部分重なっており、
抵抗体膜3全体が非晶質ガラス膜4で覆われた構造とな
っている。
【0030】すなわち、本実施例においては、導体膜は
いずれの部分においても、単に非晶質ガラス膜だけで覆
われているという部分はない。必らず抵抗体膜および結
晶質ガラス膜のいずれか一方、あるいは両方からなる緻
密な膜によって覆われている構造になっている。又、部
品搭載パッド部と端子接続部とははんだで覆われてい
る。従って、本実施例の厚膜混成集積回路は、従来のも
のに比べて使用雰囲気中の水分の影響が小さく、耐湿性
に優れている。
いずれの部分においても、単に非晶質ガラス膜だけで覆
われているという部分はない。必らず抵抗体膜および結
晶質ガラス膜のいずれか一方、あるいは両方からなる緻
密な膜によって覆われている構造になっている。又、部
品搭載パッド部と端子接続部とははんだで覆われてい
る。従って、本実施例の厚膜混成集積回路は、従来のも
のに比べて使用雰囲気中の水分の影響が小さく、耐湿性
に優れている。
【0031】このことを確めるために、本実施例におけ
るものと同じ構造の厚膜抵抗体と、従来の構造の厚膜抵
抗体(但し、保護コーティング膜は施されていない)と
を作り、耐湿試験を行ない絶縁抵抗の変化を比較した。
以下にその結果を述べる。
るものと同じ構造の厚膜抵抗体と、従来の構造の厚膜抵
抗体(但し、保護コーティング膜は施されていない)と
を作り、耐湿試験を行ない絶縁抵抗の変化を比較した。
以下にその結果を述べる。
【0032】試料は、本実施例におけるものと同一の構
造の抵抗体および従来の構造の厚膜抵抗体が、それぞれ
100個ずつである。抵抗体は、寸法が長さ1mm,幅
1mmであり、抵抗値が約100KΩである。導体膜
は、銀99.3%−白金0.7%の合金粉末を主成分と
する導体ペーストを用いて形成した。試験条件として、
温度85℃,湿度85%RHの雰囲気中で抵抗体膜に直
流電圧50Vを掛けて通電し、1000時間後の抵抗値
の変化がプラス・マイナス0.3%を越えるものの数を
調べた。
造の抵抗体および従来の構造の厚膜抵抗体が、それぞれ
100個ずつである。抵抗体は、寸法が長さ1mm,幅
1mmであり、抵抗値が約100KΩである。導体膜
は、銀99.3%−白金0.7%の合金粉末を主成分と
する導体ペーストを用いて形成した。試験条件として、
温度85℃,湿度85%RHの雰囲気中で抵抗体膜に直
流電圧50Vを掛けて通電し、1000時間後の抵抗値
の変化がプラス・マイナス0.3%を越えるものの数を
調べた。
【0033】試験の結果、上記の抵抗変化があってもの
は、従来の構造の厚膜抵抗体では100個中に5個であ
ったのに対して、本実施例のものと同一構造の厚膜抵抗
体では0個であった。このことから、本実施例の厚膜混
成集積回路は耐湿性に優れており、有機樹脂による保護
コーティング膜がなくても十分実用に耐える耐湿性を備
えていることが分る。
は、従来の構造の厚膜抵抗体では100個中に5個であ
ったのに対して、本実施例のものと同一構造の厚膜抵抗
体では0個であった。このことから、本実施例の厚膜混
成集積回路は耐湿性に優れており、有機樹脂による保護
コーティング膜がなくても十分実用に耐える耐湿性を備
えていることが分る。
【0034】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図2(a)は本発明の第2の実施例における抵抗
体の平面図である。又、図2(b)および図2(c)は
それぞれ、図2(a)におけるA−a断面図およびB−
b断面図である。
する。図2(a)は本発明の第2の実施例における抵抗
体の平面図である。又、図2(b)および図2(c)は
それぞれ、図2(a)におけるA−a断面図およびB−
b断面図である。
【0035】図2(a)から(c)を参照すると、本実
施例が第1の実施例と大きく異なるのは、抵抗体近辺に
おける結晶質ガラス膜8aおよび8bのパターンであ
る。本実施例では、第1の実施例とは異なって、導体膜
2aおよび2bの電極の幅は、結晶質ガラス膜8aおよ
び8bによって決められるのではなく、抵抗体膜3によ
って決められる。
施例が第1の実施例と大きく異なるのは、抵抗体近辺に
おける結晶質ガラス膜8aおよび8bのパターンであ
る。本実施例では、第1の実施例とは異なって、導体膜
2aおよび2bの電極の幅は、結晶質ガラス膜8aおよ
び8bによって決められるのではなく、抵抗体膜3によ
って決められる。
【0036】本実施例において、断面構造を考えると、
抵抗体の長さ方向の断面構造は、図2(b)に示すよう
に、導体膜2aは、下記のいずれかの膜で保護されてい
る構造となっている。 抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8aと抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8aと非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8a 導体膜2bも同様の構造となっている。
抵抗体の長さ方向の断面構造は、図2(b)に示すよう
に、導体膜2aは、下記のいずれかの膜で保護されてい
る構造となっている。 抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8aと抵抗体膜3と非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8aと非晶質ガラス膜4 結晶質ガラス膜8a 導体膜2bも同様の構造となっている。
【0037】一方、抵抗体の幅方向の断面構造は、図2
(c)に示すように、導体膜2aが抵抗体膜3と非晶質
ガラス膜4とによって覆われた構造となっている。導体
膜2bについても同様である。
(c)に示すように、導体膜2aが抵抗体膜3と非晶質
ガラス膜4とによって覆われた構造となっている。導体
膜2bについても同様である。
【0038】上述のように、本実施例においても、導体
膜は、いずれの部分をとっても必らず結晶質ガラス膜や
抵抗体膜のような緻密な膜あるいははんでによって覆わ
れており、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われている部
分がないので、第1の実施例と同様の効果が得られる。
更に、第1の実施例に比べて、抵抗体部分のパターン設
計が容易であるという利点がある。
膜は、いずれの部分をとっても必らず結晶質ガラス膜や
抵抗体膜のような緻密な膜あるいははんでによって覆わ
れており、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われている部
分がないので、第1の実施例と同様の効果が得られる。
更に、第1の実施例に比べて、抵抗体部分のパターン設
計が容易であるという利点がある。
【0039】以上説明した2つの実施例において、導体
膜の材料が、銀,銀・パラジウム合金あるいは銀・白金
合金などのような銀系の導体膜材料の場合に特に効果が
顕著に表れたが、これは、銀のイオン化傾向が大きいた
めであって、本発明はこれに限られることなく、他の導
体膜材料についても本発明の効果は損なわれるものでは
ない。
膜の材料が、銀,銀・パラジウム合金あるいは銀・白金
合金などのような銀系の導体膜材料の場合に特に効果が
顕著に表れたが、これは、銀のイオン化傾向が大きいた
めであって、本発明はこれに限られることなく、他の導
体膜材料についても本発明の効果は損なわれるものでは
ない。
【0040】尚、以上の実施例の説明では、抵抗体を中
心にして説明したが、本発明はこれに限られることな
く、このような厚膜抵抗体を含み、しかも部品搭載パッ
ド部および端子接続部以外の導体膜が結晶質ガラス膜で
覆われているような構造の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路に対しても本発明の効果が得られることは
明らかである。
心にして説明したが、本発明はこれに限られることな
く、このような厚膜抵抗体を含み、しかも部品搭載パッ
ド部および端子接続部以外の導体膜が結晶質ガラス膜で
覆われているような構造の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路に対しても本発明の効果が得られることは
明らかである。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜抵抗
体は、導体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガ
ラス膜で覆い、この導体膜の露出部分を抵抗体の電極と
し、抵抗体膜が、前述の電極を含む部分を、この電極が
露出しないようにして完全に覆う構造となっている。従
って導体膜は、いずれの部分においても結晶質ガラス膜
および抵抗体膜のいずれか一方、あるいは両方からなる
緻密な膜で覆われ、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われ
た部分がなくなる。このことにより、本発明によれば、
使用雰囲気中の水分が導体膜に影響を及ぼして導体膜間
の絶縁抵抗を劣化させることのないような、耐湿性に優
れた厚膜抵抗体を提供することができる。
体は、導体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガ
ラス膜で覆い、この導体膜の露出部分を抵抗体の電極と
し、抵抗体膜が、前述の電極を含む部分を、この電極が
露出しないようにして完全に覆う構造となっている。従
って導体膜は、いずれの部分においても結晶質ガラス膜
および抵抗体膜のいずれか一方、あるいは両方からなる
緻密な膜で覆われ、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われ
た部分がなくなる。このことにより、本発明によれば、
使用雰囲気中の水分が導体膜に影響を及ぼして導体膜間
の絶縁抵抗を劣化させることのないような、耐湿性に優
れた厚膜抵抗体を提供することができる。
【0042】又、本発明の厚膜印刷配線基板は、上記の
ような抵抗体を有し、しかも導体膜は、部品搭載パッド
部および端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で覆わ
れている構造となっているので、耐湿性に優れている。
従って、本発明の厚膜印刷配線基板を用いて厚膜混成集
積回路を構成すれば、有機樹脂による保護コーティング
膜を施す必要がなくなり、しかも、実装された部品に不
具合があった時などには、直ちにこれを交換することが
できて配線基板が無駄にならないので、厚膜混成集積回
路の製造コストを大幅に下ることができる。
ような抵抗体を有し、しかも導体膜は、部品搭載パッド
部および端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で覆わ
れている構造となっているので、耐湿性に優れている。
従って、本発明の厚膜印刷配線基板を用いて厚膜混成集
積回路を構成すれば、有機樹脂による保護コーティング
膜を施す必要がなくなり、しかも、実装された部品に不
具合があった時などには、直ちにこれを交換することが
できて配線基板が無駄にならないので、厚膜混成集積回
路の製造コストを大幅に下ることができる。
【図1】分図(a)は、本発明の第1の実施例における
抵抗体の平面図である。 分図(b)は、分図(a)のA−a断面図である。 分図(c)は、分図(a)のB−b断面図である。 分図(d)は、分図(a)のC−c断面図である。
抵抗体の平面図である。 分図(b)は、分図(a)のA−a断面図である。 分図(c)は、分図(a)のB−b断面図である。 分図(d)は、分図(a)のC−c断面図である。
【図2】分図(a)は、本発明の第2の実施例における
抵抗体の平面図である。 分図(b)は、分図(a)のA−a断面図である。 分図(c)は、分図(a)のB−b断面図である。
抵抗体の平面図である。 分図(b)は、分図(a)のA−a断面図である。 分図(c)は、分図(a)のB−b断面図である。
【図3】従来の厚膜混成集積回路の製造方法を工程順に
説明するための図である。
説明するための図である。
【図4】従来の厚膜混成集積回路の製造方法を工程順に
説明するための図であって、図3以降の工程に関する図
である。
説明するための図であって、図3以降の工程に関する図
である。
【図5】従来の厚膜混成集積回路における抵抗例の一例
の平面図である。
の平面図である。
1 絶縁基板 2,2a,2b 導体膜 3 抵抗体膜 4 非晶質ガラス膜 5 実装部品 6 はんだ 7 保護コーティング 8a,8b 結晶質ガラス膜
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁基板上に形成された導体膜と、一部
が前記導体膜に重なるようにして形成された抵抗体膜と
を含む厚膜抵抗体であって、前記絶縁基板の所定部分お
よび前記導体膜を、前記導体膜の所定部分が露出するよ
うにして覆い、前記露出部分を抵抗体の電極となす結晶
質ガラス膜を有し、前記抵抗体膜は、前記電極周囲の結
晶質ガラス膜に一部が重なり、前記電極を含む部分が露
出しないように覆う構造であることを特徴とする厚膜抵
抗体。 - 【請求項2】 絶縁基板上に形成された導体膜および抵
抗体と、前記絶縁基板の所定部分および導体膜を覆う結
晶質ガラス膜とを含み、前記導体膜は、抵抗体の電極,
部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分が前記結
晶質ガラス膜によって覆われ、前記抵抗体は、請求項1
記載の厚膜抵抗体であることを特徴とする厚膜印刷配線
基板。 - 【請求項3】 絶縁基板上に少なくとも導体膜と抵抗体
とが形成されてなる厚膜印刷配線基板と、前記導体膜の
部品搭載パッド部に搭載された実装部品と、前記導体膜
の端子接続部に装着された入出力端子とを含む厚膜混成
集積回路であって、前記厚膜印刷配線基板が、請求項2
記載の厚膜印刷配線基板であることを特徴とする厚膜混
成集積回路。 - 【請求項4】 絶縁基板上に導体膜を形成する工程と、
前記絶縁基板の所定部分および前記導体膜上に、前記導
体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガラス膜を
形成する工程と、前記電極を含む部分上に、前記電極が
露出しないように抵抗体膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする請求項1記載の厚膜抵抗体または請求項2
記載の厚膜印刷配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3153653A JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体,厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
US07/901,873 US5274352A (en) | 1991-06-26 | 1992-06-22 | Thick film resistive element, thick film printed circuit board and thick film hybrid integrated circuit device and their production methods |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3153653A JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体,厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH053380A JPH053380A (ja) | 1993-01-08 |
JP2616515B2 true JP2616515B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15567245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3153653A Expired - Lifetime JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体,厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5274352A (ja) |
JP (1) | JP2616515B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5408574A (en) * | 1989-12-01 | 1995-04-18 | Philip Morris Incorporated | Flat ceramic heater having discrete heating zones |
US6034411A (en) * | 1997-10-29 | 2000-03-07 | Intersil Corporation | Inverted thin film resistor |
US7151431B2 (en) * | 2001-02-16 | 2006-12-19 | Elantech Devices Corporation | Resistor element, stress sensor and method for manufacturing them |
KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
GB0415045D0 (en) * | 2004-07-05 | 2004-08-04 | Tyco Electronics Ltd Uk | Electrical device having a heat generating resistive element |
JP4756468B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-08-24 | 凸版印刷株式会社 | 抵抗素子内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
JP6026898B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2016-11-16 | 京セラ株式会社 | セラミック配線基板 |
US9521752B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-12-13 | Harris Corporation | Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices |
CN110446366B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-06-28 | 蔡赞峰 | 带功能电路的平板玻璃加工方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4139832A (en) * | 1976-03-19 | 1979-02-13 | Hitachi, Ltd. | Glass-coated thick film resistor |
JPS5729185U (ja) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3153653A patent/JP2616515B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-22 US US07/901,873 patent/US5274352A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH053380A (ja) | 1993-01-08 |
US5274352A (en) | 1993-12-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970114 |