CN114974767A - 片式电阻器组件 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种片式电阻器组件，所述片式电阻器组件包括：基板，具有一个表面以及在一个方向上彼此相对的一个侧表面和另一侧表面；端子，包括设置在所述一个表面上的内电极和设置在所述一个侧表面上并连接到所述内电极的外电极；电阻层，设置在所述一个表面上，并且包括连接到所述内电极的最外图案；以及保护层，设置在所述一个表面上并覆盖所述电阻层。所述电阻层的所述最外图案具有与所述内电极接触的第一区域和在所述一个方向上从所述第一区域朝向所述另一侧表面延伸的第二区域。所述第二区域在所述一个方向上的长度与所述片式电阻器组件在所述一个方向上的长度的比值为0.02或更大。
Description
本申请要求于2021年2月25日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0025354号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种片式电阻器组件。
背景技术
为了应对近期移动装置的重量减轻和小型化的趋势，对安装在电路板上的轻、薄且紧凑的电子组件的需求也正在增加。
随着电子装置的功率需求的增加以及对用于电路中过电流检测的片式电阻器组件和用于剩余量检测的片式电阻器组件的需求的增加，需要一种具有高精度和高可靠性的低电阻值的片式电阻器组件。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种小型化、高功率和高可靠性的片式电阻器组件。
本公开的另一方面在于提供一种能够在小型化的同时改善静电放电(ESD)特性的片式电阻器组件。
根据本公开的一方面，一种片式电阻器组件包括：基板，具有一个表面以及分别连接到所述一个表面并在一个方向上彼此相对的一个侧表面和另一侧表面；第一端子，包括设置在所述基板的所述一个表面上的第一内电极和设置在所述基板的所述一个侧表面上并连接到所述第一内电极的第一外电极；电阻层，设置在所述基板的所述一个表面上，并且包括连接到所述第一内电极的最外图案；以及保护层，设置在所述基板的所述一个表面上并覆盖所述电阻层。所述电阻层的所述最外图案具有与所述第一内电极接触的第一区域以及在所述一个方向上从所述第一区域朝向所述另一侧表面延伸的第二区域。所述第二区域在所述一个方向上的长度与所述片式电阻器组件在所述一个方向上的长度的比值为0.02或更大。
根据本公开的一方面，一种片式电阻器组件包括：基板，具有一个表面以及分别连接到所述一个表面并在一个方向上彼此相对的一个侧表面和另一侧表面；第一端子，包括设置在所述基板的所述一个表面上的第一内电极和设置在所述基板的所述一个侧表面上并连接到所述第一内电极的第一外电极；电阻层，设置在所述基板的所述一个表面上，并且包括连接到所述第一内电极的最外图案；以及保护层，设置在所述基板的所述一个表面上并覆盖所述电阻层。所述电阻层的所述最外图案具有与所述第一内电极接触的第一区域以及在所述一个方向上从所述第一区域朝向所述另一侧表面延伸的第二区域。所述第二区域在所述一个方向上具有20μm或更大的长度。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的片式电阻器组件的图；
图2是示出根据本公开的另一实施例的片式电阻器组件的沿图1的线I-I'截取的截面的示图；以及
图3是示意性地示出根据本公开的另一实施例的片式电阻器组件的截面的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开。为了更清楚地描述，可被夸大或缩小附图中的要素的形状和尺寸。
另外，在向附图的组件添加附图标记时，在不同的附图中，只有相同的组件将具有相同的附图标记。
在本公开的以下描述中，如果确定相关已知技术的详细描述可能模糊本公开的主旨，则将省略其详细描述。
在附图中，L方向可定义为一个方向或长度方向，W方向可定义为宽度方向，并且T方向可定义为厚度方向。
片式电阻器组件
图1是示意性地示出根据本公开的片式电阻器组件的图。
参照图1，片式电阻器组件10可包括基板100、第一外电极220、第二外电极520、电阻层300和保护层400，但是本公开的实施例不限于此。
基板100可形成根据本公开的片式电阻器组件10的外部，支撑电阻层300，并确保片式电阻器组件10的强度。基板100包括一个表面101、一个侧表面110和另一个侧表面120，所述侧表面110和120分别和表面101连接并且在一个L方向上彼此相对。
基板100可提供用于安装电极和电阻器的空间。例如，基板100可以是利用陶瓷材料制成的绝缘基板。陶瓷材料可以是氧化铝(Al2O3)，但是没有特别限制，只要它是在绝缘方面优异、在散热方面优异并且对电阻器的粘附性优异的材料即可。
基板100可具有预定厚度并且可具有直平行六面体形状。在这种情况下，基板100的形状可被构造为薄板形状，并且基板100的六个表面中的至少一个表面可被阳极化并且基板100可利用绝缘氧化铝(Al2O3)材料形成。
另外，由于基板100利用具有优异的导热性的材料形成，因此，当使用片式电阻器组件时，基板100可用作用于将电阻层300中产生的热散发到外部的散热路径。
第一外电极220可设置在基板100的一个侧表面110上，并且第二外电极520可设置在基板100的与一个侧表面110相对的另一侧表面120上。
连接到设置在片式电阻器组件内部的内电极的电阻层300可设置在基板的一个表面101上，并且电阻层300可包括如稍后将描述的最外图案310(见图3)。另外，电阻层300可连接到内电极和外电极，以在第一外电极220和第二外电极520之间形成预定电阻。
与图2和图3中所示的示例类似，最外图案310可具有第一区域311A和311B以及第二区域312A和312B。第一区域311A和311B可分别与第一内电极210和第二内电极510接触。第二区域312A可在一个方向L上从第一区域311A朝向第二内电极510延伸。第二区域312B可在一个方向L上从第一区域311B朝向第一内电极210延伸。在一个示例中，第一区域311A和311B可与内电极接触，第二区域312A和312B可不与内电极接触。
在这种情况下，第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10在一个方向L上的长度的比值可以是0.02或更大，但不限于此。
另外，第二区域312A和312B在一个方向L上的长度可以为20μm或更大，但不限于此。
电阻层300可包括通过诸如激光图案化等的技术形成的精细图案，并且图案化的电阻层300中的槽或孔可填充有保护层400。
在这种情况下，为了形成在一个方向L上具有更长的长度的最外图案310，在图案化的电阻层300的槽或孔中最靠近第一内电极210和第二内电极510的每个的槽或孔可形成为在一个方向L上的长度小于或等于预定长度。
最外图案310的与内电极接触的第一区域311A和311B可对应于电阻层300的具有厚度减小的部分。也就是说，最外图案310的与内电极接触的第一区域311A和311B在厚度方向T上的长度可随着第一区域311A和311B分别靠近基板100的一个侧表面110和另一侧表面120而逐渐变薄。
在这种情况下，如果将诸如激光图案化等的技术应用于电阻层300的厚度减小的第一区域的位置，则电阻特性可能劣化。此外，如果将激光图案化方法应用于小型化的片式电阻器组件，可能没有足够的空间用于图案化。
另外，由于静电放电(ESD)特性和功率特性受到电阻层尺寸的影响，因此随着片式电阻器组件尺寸的减小，片式电阻器组件的电特性可能劣化。
为了防止这种情况，在电阻层300的最外图案310A和310B中，电阻层300的最外图案310A和310B的不与内电极接触的第二区域312A和312B在一个方向L上的长度可形成为长于预定长度。
具体地，最外图案的第二区域312A和312B在一个方向L上的长度可以是20μm或更大，但不限于此。在一个示例中，最外图案的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度可以是20μm或更大。
另外，最外图案的第二区域312A和312B在一个方向L上的长度可以是片式电阻器组件10在一个方向L上的长度的0.02倍或更大，但不限于此。在一个示例中，最外图案的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度可以是片式电阻器组件10在一个方向L上的长度的0.02倍或更大。
如上所述，当电阻层300的最外图案310的长度形成为相对长并且通过激光图案化实现电阻层300的图案时，可改善小尺寸的片式电阻器组件中的静电放电(ESD)特性，并且可实现增强的功率特性。
另外，通过如上所述对电阻层300应用激光图案化，电阻器在一个方向L上的长度可在电阻层300的有限区域内延伸，从而降低每单位长度施加的电压。因此，也可改善小尺寸的片式电阻器组件中的ESD特性。
电阻层300可包括Ag、Pd、Cu、Ni、Cu-Ni基合金、Ni-Cr基合金、Ru氧化物、Si氧化物、Mn和Mn基合金等作为主成分，并且可根据所需电阻值包括各种材料。
具体地，电阻层300可在低电阻区域中包含更多的诸如银(Ag)、钯(Pd)的金属或它们的合金，并且可在高电阻区域中包括更多的玻璃或RuO2。
特别地，电阻层300可包括玻璃成分和金属成分中的至少一种。在这种情况下，当包括大量玻璃成分并且包括少量金属成分时，片式电阻器组件可具有高的电阻值，并且当包括少量玻璃成分并且包括大量金属成分时，片式电阻器组件可具有低的电阻值。
通过激光图案化工艺利用金属成分含量高和玻璃成分含量低的材料形成电阻层300，使得可实现具有低电阻的片式电阻器组件，并且可减少绝缘击穿的程度。结果，可改善内部电压特性以改善组件内的ESD特性，并且还可改善功率特性。
电阻层300的电阻值可根据电阻层300的温度而变化。电阻层300的温度特性可通过电阻温度系数(TCR)表示，电阻温度系数(TCR)是电阻值根据温度变化的变化率。随着电阻温度系数的绝对值减小，电阻层300可具有对温度变化更稳健的特性。
保护层400可设置在基板的一个表面101上以覆盖电阻层300，并且保护层400可包括多个层。
图2是示出根据本公开的另一实施例的片式电阻器组件的沿图1的线I-I'截取的截面的示图。
参照图2，片式电阻器组件10A包括第一端子200，第一端子200包括设置在基板100的一个表面101上的第一内电极210以及设置在基板100的一个侧表面110上以连接到第一内电极210的第一外电极220。
第一外电极220可连接到第一内电极210的全部或第一内电极210的一部分。
另外，片式电阻器组件10A还可包括第二端子500，第二端子500包括：第二内电极510和第二外电极520，所述第二内电极510设置在基板100的一个表面101上并且设置为与第一内电极210间隔开，所述第二外电极520设置在基板100的另一侧表面120上并且连接到第二内电极510。
第二外电极520可连接到第二内电极510的全部或第二内电极510的一部分。
第一外电极220和第二外电极520可设置为分别覆盖基板100的一个侧表面110和另一侧表面120。参照图2，第一外电极220和第二外电极520设置为在基板100的长度方向L上彼此间隔开，且电阻层300介于第一外电极220和第二外电极520之间。
第一外电极220和第二外电极520还可分别包括镀层221和镀层521。
镀层221和521可电连接到焊料或连接导体。在这种情况下，镀层221和521可包括镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层中的至少一种，并且可具有其中镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层顺序堆叠的结构。
另外，保护层400可包括第一保护层410和第二保护层420。
在保护层400中，与电阻层300相邻的第一保护层410可形成为覆盖电阻层300的一部分以及内电极210和510的一部分，并且第一保护层410可不延伸到基板100的一个侧表面110和另一侧表面120。
此外，第一保护层410可包括二氧化硅(SiO2)或铋(Bi)，并且第一保护层410的材料没有限制，但是可包括玻璃以在电阻层300的诸如激光图案化等的工艺中保护电阻层300。
可以通过涂覆膏来形成与第一保护层410相邻的第二保护层420。保护层400可包括多个层，并且可包括诸如环氧树脂、酚醛树脂等的聚合物和玻璃中的至少一种。特别地，第一保护层410可包括玻璃成分，并且第二保护层420可包括树脂成分。
尽管没有具体示出，但是可在形成第一保护层410之后执行电阻层300的激光图案化工艺。可通过电阻层300的激光图案化来确定电阻值。
与图3中所示的示例类似，在激光图案化期间，电阻层300的最外图案310中的第二区域312A和312B在一个方向L上的长度可形成为在一个方向L上是长的。
具体地，最外图案的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度可以是20μm或更大，但不限于此。
另外，最外图案的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度可以是片式电阻器组件10在一个方向L上的长度的0.02倍或更大，但不限于此。
如上所述，当最外图案310的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L的长度是较长的时，即使电阻层300的最外图案310的第一区域311A和311B的厚度薄，即，第一区域311A和311B在厚度方向T上的长度短(即，厚度小)，也可通过第二区域312A和312B确保电流在电阻层300中流动的足够路径，使得可改善ESD特性，并且可实现高功率特性。
当通过激光图案化形成电阻层300的图案，使得电阻层300的最外图案310的第二区域312A和312B中的至少一者形成为具有如上所述的在一个方向L上长的长度时，可改善小尺寸的片式电阻器组件中的ESD特性，并且可实现增强的功率特性。
另外，如上所述，通过对电阻层300应用激光图案化，在电阻层300的限定区域内，电阻器在一个方向L上的长度可实现为是较长的，从而降低每单位长度施加的电压。因此，也可改善小尺寸的片式电阻器组件中的ESD特性。
第二保护层420可包括与第一保护层410接触的一个表面，并且第二保护层420可形成为延伸使得第二保护层420的一个表面的一部分穿透第一保护层410和电阻层300中的每个(也就是说，使得第二保护层420的一部分穿透第一保护层410和电阻层300中的每个)，并且可形成为覆盖图案化的电阻层300的槽或孔。
其他组件的描述与上述那些组件的描述基本相同，并且将省略它们的详细描述。
图3是示意性地示出根据本公开的另一实施例的片式电阻器组件的截面的图。
参照图3，根据本公开的另一实施例的片式电阻器组件10B的电阻层300可包括最外图案310。
最外图案310可通过以下方式形成：通过诸如激光图案化的技术来加工电阻层300，并且从电阻层300的槽或孔中的最靠近基板100的一个侧表面110和另一侧表面120中的每个的槽或孔到电阻层300的最外部分的图案可对应于最外图案310。
最外图案310可包括第一最外图案310A和第二最外图案310B，第一最外图案310A包括与第一内电极210接触的第一区域311A和不与第一内电极210接触的第二区域312A，第二最外图案310B包括与第二内电极510接触的第一区域311B和不与第二内电极510接触的第二区域312B。
参照图3，第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值可以是0.02或更大，但不限于此。
另外，第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度可以为20μm或更大，但不限于此。
如上所述，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L的长度形成为长时，即使电阻层300的最外图案310的第一区域的厚度薄，即，第一区域在厚度方向T上的长度短，也可通过第二区域确保电流在电阻层300中流动的足够路径，使得可改善ESD特性，并且可实现高功率特性。
上述最外图案的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值被计算为第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度测量值的平均值与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度测量值的平均值的比值。
长度测量值可表示通过改变片式电阻器组件10B在宽度方向W上的位置而多次测量的长度的平均值，并且平均值表示多次测量的长度的算术平均值，但不限于此。
片式电阻器组件10B的长度测量值通过如下方法得出：
片式电阻器组件10B的长度测量值是指通过在一个方向L上测量片式电阻器组件10B的整个长度而获得的值。也就是说，片式电阻器组件10B的长度测量值可通过在一个方向L上测量片式电阻器组件10B的两个最外端而得出。
片式电阻器组件10B的长度测量值可表示通过改变片式电阻器组件10在宽度方向W上的位置而多次测量的长度的平均值，并且片式电阻器组件10B的长度测量值的平均值可表示多次测量的长度的算术平均值。然而，不限于此。
第二区域312A和312B的长度测量值通过如下方法得出：
第二区域312A和312B的长度测量值对应于最外图案310的除第一区域311A和311B之外的长度测量值。因此，通过从最外图案310的长度测量值减去第一区域311A和311B的长度测量值而获得的值对应于第二区域312A和312B的长度测量值。
最外图案的长度测量值是指从作为起点的电阻层300的两端到片式电阻器组件10B的第一图案化槽301A和301B在一个方向L上的距离的测量值。
第二区域312A和312B的长度测量值可表示通过改变片式电阻器组件10B在宽度方向W上的位置而多次测量的长度的平均值，并且第二区域312A和312B的长度测量值的平均值可表示多次测量的长度的算术平均值。然而，不限于此。
第一区域311A和311B的长度测量值通过如下方法获得：沿片式电阻器组件10的厚度方向T将电阻层300的与第一内电极210和第二内电极510接触的部分投影到垂直于厚度方向T的平面上，并且测量从电阻层300的两端到电阻层300的与内电极210和510的内侧表面对应的位置在一个方向L上的距离。
第一区域311A和311B的长度测量值可表示通过改变片式电阻器组件10B在宽度方向W上的位置而多次测量的长度的平均值，并且第一区域311A和311B的长度测量值的平均值可表示多次测量的长度的算术平均值。然而，不限于此。
其他组件的描述与上述那些组件的描述基本相同，并且将省略它们的详细描述。
可如下评估片式电阻器组件10B的根据第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度的电阻特性。
首先，在试验之前测量电阻值(初始值)，之后施加电压5秒。测量施加电压之后的电阻值(后一值)以计算电阻值变化率。增加所施加的电压，直到电阻值变化率的绝对值变为1.00％或更大(NG生成，即生成缺陷)。
电阻值变化率计算为(后一值-初始值)/初始值×100。
此后，在改变第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度时重复电阻特性的评估过程。
根据评估过程的结果如下：
当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值为0.020时，即使当施加高电压(2.5V或更高)时，电阻值变化率的绝对值也保持在小于1.00％。
另外，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值大于0.020时，可确认，即使当施加高电压时，电阻值变化率的绝对值也保持在小于1.00％。
然而，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值小于0.020时，当施加高电压(2.5V或更高)时，电阻特性劣化。也就是说，电阻值变化率的绝对值超过1.00％。表1是示出根据第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与施加的电压的电阻值变化率的结果的表格。
[表1]
例如，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度与片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的比值为0.015时，当施加的电压从2.0V增加到2.5V时，电阻值变化率的绝对值超过1.00％。
通过上述评估方法，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度是片式电阻器组件10B在一个方向L上的长度的0.02倍或更大时，可确认，即使在施加2.5V或更大的高电压时，片式电阻器组件也正常工作。
作为评估过程的另一结果，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度为20μm时，即使当施加高电压(2.5V或更高)时，电阻值变化率的绝对值也可保持为小于1.00％。
另外，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度大于20μm时，可看出，即使当施加高电压(2.5V或更高)时，电阻值变化率的绝对值也保持在小于1.00％。
然而，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度小于20μm时，当施加高电压(2.5V或更高)时，电阻特性劣化。也就是说，电阻值变化率的绝对值超过1.00％。
例如，当第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度为15μm时，当施加电压从2.0V增加到2.5V时，电阻值变化率的绝对值超过1.00％。
通过上述评估方法，当电阻层300的最外图案310中不与内电极接触的第二区域312A和312B中的至少一者在一个方向L上的长度为20μm或更大时，即使当施加2.5V或更大的高电压时，也可确认片式电阻器组件正常工作。
如上面所阐述的，作为本公开的各种效果中的一种效果，可提供具有小尺寸、高功率和高可靠性的片式电阻器组件。
作为本公开的各种效果中的另一效果，可提供一种能够在小尺寸的同时改善静电放电(ESD)特性的片式电阻器组件。
然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为局限于这里阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的要素被称为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，所述要素可直接“在”所述另一要素“上”、“连接到”所述另一要素或“结合到”所述另一要素，或者可存在介于其间的其他要素。相比之下，当要素被称为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于其间的要素或层。同样的附图标记始终表示同样的要素。如在这里所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的任意一个或者任意两个或更多个的任何组合。
将易于理解的是，尽管可在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等以描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被解释为受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，这里可使用诸如“上方”、“上部”、“下方”和“下部”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。将理解的是，空间相对术语除了包含附图中所描绘的取向之外还意图包含装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于其他要素位于“上方”或“上部”的要素将于是被定位为相对于所述其他要素位于“下方”或“下部”。因此，取决于附图的特定方向，术语“上方”可包括“上方”和“下方”两种方位。装置可以以其他方式(旋转90度或处于其他方位)定位，并且可相应地解释这里使用的空间相对术语。
这里使用的术语仅描述特定实施例，并且本公开不受限于此。如这里所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、要素和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、要素和/或它们的组。
在上文中，已经参照示出本公开的实施例的示意图来描述本公开的实施例。在附图中，例如，由于制造技术和/或公差，可预期所示形状的变化。因此，本公开的实施例不应被解释为局限于这里所示的区域的特定形状，而是应该被解释为还包括制造中的形状变化。上面所提及的实施例可彼此组合。
上面描述的本公开的内容可具有各种构造，并且这里仅提出所需的构造，但不限于此。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变化。
Claims (20)
1.一种片式电阻器组件，包括：
基板，具有一个表面以及一个侧表面和另一侧表面，所述一个侧表面和所述另一侧表面分别连接到所述一个表面并在一个方向上彼此相对；
第一端子，包括设置在所述基板的所述一个表面上的第一内电极和设置在所述基板的所述一个侧表面上并连接到所述第一内电极的第一外电极；
电阻层，设置在所述基板的所述一个表面上，且包括连接到所述第一内电极的第一最外图案；以及
保护层，设置在所述基板的所述一个表面上并覆盖所述电阻层，
其中，所述电阻层的所述第一最外图案具有与所述第一内电极接触的第一区域和在所述一个方向上从所述第一区域朝向所述另一侧表面延伸的第二区域，
其中，所述第二区域在所述一个方向上的长度与所述片式电阻器组件在所述一个方向上的长度的比值为0.02或更大。
2.根据权利要求1所述的片式电阻器组件，其中，所述第二区域在所述一个方向上具有20μm或更大的长度。
3.根据权利要求1所述的片式电阻器组件，其中，所述保护层包括与所述电阻层相邻的第一保护层和与所述第一保护层相邻的第二保护层。
4.根据权利要求3所述的片式电阻器组件，其中，所述第一保护层包括玻璃成分。
5.根据权利要求3所述的片式电阻器组件，其中，所述第二保护层包括树脂成分。
6.根据权利要求3所述的片式电阻器组件，其中，所述第二保护层包括与所述第一保护层接触的一个表面，并且
所述第二保护层的所述一个表面的一部分延伸以穿透所述第一保护层和所述电阻层中的每个。
7.根据权利要求3所述的片式电阻器组件，其中，所述第二保护层包括分别设置在所述第一保护层和所述电阻层中的孔中的部分。
8.根据权利要求1所述的片式电阻器组件，其中，所述第一外电极包括镀层。
9.根据权利要求8所述的片式电阻器组件，其中，所述镀层包括镍镀层和锡镀层中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的片式电阻器组件，所述片式电阻器组件还包括：
第二内电极，设置在所述基板的所述一个表面上并与所述第一内电极间隔开；以及第二外电极，设置在所述基板的所述另一侧表面上并连接到所述第二内电极。
11.根据权利要求10所述的片式电阻器组件，其中，所述电阻层还包括连接到所述第二内电极的第二最外图案。
12.根据权利要求1-11中的任一项所述的片式电阻器组件，其中，所述第一区域的厚度在所述一个方向上朝向所述一个侧表面减小。
13.根据权利要求1-11中的任一项所述的片式电阻器组件，其中，所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。
14.一种片式电阻器组件，包括：
基板，具有一个表面以及一个侧表面和另一侧表面，所述一个侧表面和所述另一侧表面分别连接到所述一个表面并在一个方向上彼此相对；
第一端子，包括设置在所述基板的所述一个表面上的第一内电极和设置在所述基板的所述一个侧表面上并连接到所述第一内电极的第一外电极；
电阻层，设置在所述基板的所述一个表面上，并且包括连接到所述第一内电极的最外图案；以及
保护层，设置在所述基板的所述一个表面上并覆盖所述电阻层，
其中，所述电阻层的所述最外图案具有与所述第一内电极接触的第一区域和在所述一个方向上从所述第一区域朝向所述另一侧表面延伸的第二区域，
其中，所述第二区域在所述一个方向上具有20μm或更大的长度。
15.根据权利要求14所述的片式电阻器组件，其中，所述保护层包括与所述电阻层相邻的第一保护层和与所述第一保护层相邻的第二保护层。
16.根据权利要求15所述的片式电阻器组件，其中，所述第一保护层包括玻璃成分。
17.根据权利要求15所述的片式电阻器组件，其中，所述第二保护层包括树脂成分。
18.根据权利要求15所述的片式电阻器组件，其中，所述第二保护层包括分别设置在所述第一保护层和所述电阻层中的孔中的部分。
19.根据权利要求14-18中的任一项所述的片式电阻器组件，其中，所述第一区域的厚度在所述一个方向上朝向所述一个侧表面减小。
20.根据权利要求14-18中的任一项所述的片式电阻器组件，其中，所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。
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