KR20220121379A - 칩 저항 부품 - Google Patents

칩 저항 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20220121379A
KR20220121379A KR1020210025354A KR20210025354A KR20220121379A KR 20220121379 A KR20220121379 A KR 20220121379A KR 1020210025354 A KR1020210025354 A KR 1020210025354A KR 20210025354 A KR20210025354 A KR 20210025354A KR 20220121379 A KR20220121379 A KR 20220121379A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
internal electrode
substrate
component
layer
length
Prior art date
Application number
KR1020210025354A
Other languages
English (en)
Inventor
조아라
박광현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020210025354A priority Critical patent/KR20220121379A/ko
Priority to US17/545,270 priority patent/US11830641B2/en
Priority to CN202210175426.5A priority patent/CN114974767A/zh
Publication of KR20220121379A publication Critical patent/KR20220121379A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/028—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/06—Electrostatic or electromagnetic shielding arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/08—Cooling, heating or ventilating arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06553—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of a combination of metals and oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003—Thick film resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/13—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material current responsive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
    • H01C3/10—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration
    • H01C3/12—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration lying in one plane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 개시는, 일면, 상기 일면과 각각 연결되고 일방향으로 서로 마주한 일측면과 타측면을 가지는 기판; 상기 기판의 일면에 배치된 제1 내부전극과, 상기 기판의 일측면에 배치되어 상기 제1 내부전극과 연결된 제1 외부전극을 포함하는 제1 단자; 상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 제1 내부전극과 연결된 최외측 패턴을 포함하는 저항층; 및 상기 저항층을 커버하도록 상기 기판의 일면에 배치된 보호층; 을 포함하는 칩 저항 부품에 있어, 상기 저항층의 최외측 패턴은, 상기 제1 내부전극과 접촉된 제1 영역과, 상기 제1 내부전극과 접촉되지 않는 제2 영역을 가지고, 상기 일방향을 따른 칩 저항 부품의 길이에 대한 상기 일방향을 따른 상기 제2 영역의 길이의 비는 0.02 이상인, 칩 저항 부품에 관한 것이다.

Description

칩 저항 부품{CHIP RESISTOR COMPONENT}
본 개시는 칩 저항 부품에 관한 것이다.
최근 모바일 기기의 경량화, 소형화 추세에 대응하기 위하여, 회로기판에 실장되는 전자부품 역시 경박단소화를 구현할 필요성이 점점 증가하고 있다.
전자기기의 요구 전력이 높아지고, 회로 내 과전류 검출용 칩 저항 부품과 잔량 검지용 칩 저항 부품의 수요가 증가함에 따라, 낮은 저항값을 가지면서도 높은 정밀도와 신뢰성을 가지는 칩 저항 부품이 요구되고 있다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 소형 크기의 고전력 및 고신뢰성 칩 저항 부품을 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 또 하나는 소형 크기 내 ESD(Electro Static Discharge) 특성을 개선할 수 있는 칩 저항 부품을 제공하는 것이다.
본 개시에서 제안하는 일례에 따른 칩 저항 부품은, 일면, 상기 일면과 각각 연결되고 일방향으로 서로 마주한 일측면과 타측면을 가지는 기판; 상기 기판의 일면에 배치된 제1 내부전극과, 상기 기판의 일측면에 배치되어 상기 제1 내부전극과 연결된 제1 외부전극을 포함하는 제1 단자; 상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 제1 내부전극과 연결된 최외측 패턴을 포함하는 저항층; 및 상기 저항층을 커버하도록 상기 기판의 일면에 배치된 보호층; 을 포함하는 칩 저항 부품에 있어, 상기 저항층의 최외측 패턴은, 상기 제1 내부전극과 접촉된 제1 영역과, 상기 제1 내부전극과 접촉되지 않는 제2 영역을 가지고, 상기 일방향을 따른 칩 저항 부품의 길이에 대한 상기 일방향을 따른 상기 제2 영역의 길이의 비는 0.02 이상인, 칩 저항 부품일 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 일 효과로서 소형 크기의 고전력 및 고신뢰성 칩 저항 부품을 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 다른 일 효과로서 소형 크기 내 ESD(Electro Static Discharge) 특성을 개선할 수 있는 칩 저항 부품을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시에 따른 칩 저항 부품을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따른 단면을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시에 따른 칩 저항 부품의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다.
또한, 첨부된 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명은 생략한다.
도면에서, L 방향은 또는 일방향 또는 길이 방향, W 방향은 폭 방향, T 방향은 두께 방향으로 정의될 수 있다.
칩 저항 부품
도 1은 본 개시에 따른 칩 저항 부품을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도면을 참고하면, 칩 저항 부품(10)은 기판(100), 제1 외부전극(220), 제2 외부전극(520), 저항층(300) 및 보호층(400)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(100)은 본 개시에 따른 칩 저항 부품(10)의 외관을 이룰 수 있으며, 저항층(300)을 지지하고, 칩 저항 부품(10)의 강도를 확보한다. 기판(100)은 일면(101)을 포함하고, 상기 일면(101)과 각각 연결되고 일방향(L)으로 서로 마주한 일측면(110)과 타측면(120)을 포함한다.
기판(100)은 전극과 저항체의 실장을 위한 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 세라믹 재료로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 상기 세라믹 재료는 알루미나(Al2O3)일 수 있으나, 절연성, 방열성, 저항체와의 밀착성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다.
기판(100)은 소정의 두께를 가지며, 직육면체의 형태를 가질 수 있다. 이때 6개의 면 중 어느 한 면의 형상이 직사각형인 얇은 판형으로 구성될 수 있으며, 표면이 아노다이징(anodizing) 처리되어 절연된 알루미나(Al2O3) 재질로 형성될 수 있다.
또한, 기판(100)은 열전도도가 우수한 재질로 형성됨에 따라 칩 저항 부품의 사용 시 저항층(300)에서 생성된 열을 외부로 발산하는 열 확산 통로의 역할을 할 수 있다.
상기 기판(100)의 일측면(110)에는 제1 외부전극(220)이 배치될 수 있으며, 일측면(110)과 마주하는 타측면(120)에는 제2 외부전극(520)이 배치될 수 있다.
상기 기판의 일면(101)에는 칩 저항 부품의 내부에 배치된 내부전극과 연결된 저항층(300)이 배치될 수 있으며, 상기 저항층(300)은 후술하는 바와 같이 최외측 패턴(310)을 포함할 수 있다. 또한, 저항층(300)은 내부전극 및 외부전극과 연결되어 제1 및 제2 외부전극(220, 520) 간에 소정의 저항을 형성할 수 있다.
최외측 패턴(310)은 제1 및 제2 내부전극(210, 510)과 접촉된 제1 영역(311A, 311B)과, 내부전극과 접촉되지 않은 제2 영역(312A, 312B)을 가질 수 있다.
이때, 칩 저항 부품(10)의 일방향(L)을 따른 길이에 대한 상기 제2 영역(312A, 312B)의 일방향(L)을 따른 길이의 비는 0.02 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 상기 일방향(L)을 따른 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 20um 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
저항층(300)은 레이저 패터닝 등의 기법으로 미세 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 패터닝된 저항층(300)의 홈 또는 구멍은 보호층(400)으로 채워질 수 있다.
이때, 상기 최외측 패턴(310)의 길이를 길게 형성하기 위하여, 패터닝된 저항층(300)의 홈 중 제1 및 제2 내부전극(210, 510) 각각과 가장 가까운 홈 또는 구멍은 외부전극의 최외측면 각각으로부터 소정 길이 이상의 길이를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 내부전극과 접촉된 최외측 패턴의 제1 영역(311A, 311B)은, 저항층(300) 중 두께가 얇아지는 부분에 해당할 수 있다. 즉, 내부전극과 접촉된 최외측 패턴의 제1 영역의 두께 방향(T)으로의 길이는 기판(100)의 일측면(110) 및 타측면(120)과 가까워질수록 점점 얇아질 수 있다.
이때 저항층(300) 두께가 얇아지는 상기 제1 영역의 위치에 레이저 패터닝 등의 기법이 적용되면, 저항 특성이 저하될 수 있다. 즉, 레이저 패터닝 공법을 소형 사이즈의 칩 저항 부품에 적용하기에는 패터닝을 할 수 있는 공간이 부족할 수 있다.
또한, ESD(Electro Static Discharge) 특성 및 전력 특성은 저항층의 크기에 영향을 받기 때문에 칩 저항 부품의 크기가 작아질수록 칩의 전기적 특성이 저하될 수 있다.
이를 방지하기 위하여, 상기 저항층(300)의 최외측 패턴(310A, 310B) 중 내부전극 각각과 접촉되지 않은 제2 영역(312A, 312B)의 상기 일방향(L)을 따른 길이는 소정 길이 이상으로 길게 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 일방향을 따른 상기 최외측 패턴의 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 20um 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한 상기 일방향을 따른 상기 최외측 패턴의 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 상기 일방향을 따른 칩 저항 부품(10) 길이의 0.02배 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
전술한 바와 같이 상기 저항층(300) 최외층 패턴(310)의 길이를 길게 형성하여 레이저 패터닝하여 저항층(300)의 패턴을 구현하면, 소형 사이즈의 칩 저항 부품 내 ESD(Electro Static Discharge) 특성을 개선할 수 있으며, 강화된 전력 특성을 구현할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 저항층(300)에 레이저 패터닝을 적용함으로써 일방향(L)에 따른 저항체 길이를 제한된 저항층(300) 면적 내에서 길게 구현 가능하며, 이로써 단위길이 당 인가되는 전압을 낮출 수 있다. 이로 인해 소형 사이즈의 저항 부품 내 ESD 특성을 개선할 수도 있다.
저항층(300)은 주성분으로 Ag, Pd, Cu, Ni, Cu-Ni계 합금, Ni-Cr계 합금, Ru 산화물, Si 산화물, Mn 및 Mn계 합금 등을 포함할 수 있으며 필요한 저항값에 따라 다양한 재료를 포함할 수 있다.
구체적으로, 저항층(300)은 저저항 영역에서는 은(Ag)이나 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금으로 이루어진 금속을 더 많이 포함할 수 있고, 고저항 영역으로 갈수록 글래스(glass) 또는 RuO2를 더 많이 포함할 수 있다.
특히, 저항층(300)은 글래스(glass) 성분 및 금속 성분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 글래스(glass) 성분이 다량 포함되고, 금속 성분이 소량 포함되는 경우 칩 저항 부품은 높은 저항값을 가질 수 있으며, 글래스(glass) 성분이 소량 포함되고, 금속 성분이 다량 포함되는 경우 칩 저항 부품은 낮은 저항값을 가질 수 있다.
저항층(300)의 레이저 패터닝 공정을 통해 금속 성분이 많고, 글래스(glass) 성분이 적은 재료를 형성할 수 있기 때문에, 낮은 저항의 칩 저항 부품을 구현할 수 있으며, 절연 파괴 정도를 감소시킬 수도 있다. 이로써 내부 전압 특성이 향상되어 부품 내 ESD 특성을 개선할 수 있으며, 전력 특성 역시 향상시킬 수 있다.
저항층(300)의 저항값은 상기 저항층(300)의 온도에 따라 달라질 수 있다. 상기 저항층(300)의 온도 특성은 온도 변화에 따른 저항값의 변화율인 저항온도계수(Temperature Coefficient of Resistivity, TCR)로 표현될 수 있다. 상기 저항층(300)은 상기 저항온도계수의 절대값이 작을수록 온도 변화에 강건한 특성을 가질 수 있다.
보호층(400)은 상기 저항층(300)을 커버하도록 상기 기판의 일면(101)에 배치될 수 있으며, 보호층(300)은 복수의 층을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따른 단면을 나타낸 도면이다.
도면을 참조하면, 칩 저항 부품(10A)은 기판의 일면(101)에 배치된 제1 내부전극(210)과, 상기 기판의 일측면(110)에 배치되어 상기 제1 내부전극(210)과 연결된 제1 외부전극(220)을 포함하는 제1 단자(200)를 포함한다.
상기 제1 외부전극(220)은 상기 제1 내부전극(210)의 전부 또는 일부와 연결될 수 있다.
제1 및 제2 외부전극(220, 520)은 각각 기판(100)의 일측면(110)과 타측면(120)을 커버하도록 배치될 수 있다. 도면을 참조하면, 제1 및 제2외부전극(220, 520)은 저항층(300)을 사이에 두고 기판(100)의 길이 방향(L)으로 서로 이격되도록 배치된다.
또한 칩 저항 부품(10A)은, 기판의 일면(101)에 배치된 제1 내부전극(210)과 이격 배치된 제2 내부전극(510)과, 상기 기판의 타측면(120)에 배치되어 상기 제2 내부전극(510)과 연결된 제2 외부전극(520)을 포함하는 제2 단자(500)를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 외부전극(520)은 상기 제2 내부전극(510)의 전부 또는 일부와 연결될 수 있다.
제1 및 제2 외부전극(220, 520)은 도금층(221)을 더 포함할 수 있다.
도금층(221)은 연결 도체인 솔더(Solder)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 도금층(221)은 니켈(Ni) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 니켈(Ni) 도금층과 주석(Sn) 도금층이 순서대로 적층된 구조일 수 있다.
또한 보호층(400)은 제1 보호층(410) 및 제2 보호층(420)을 포함할 수 있다.
보호층(400) 중, 저항층(300)과 인접한 제1 보호층(410)은 저항층(300) 및 내부전극(210, 510)의 일부를 커버하도록 형성될 수 있으나, 기판(100)의 일측면(110) 및 타측면(120)까지 연장되지 않을 수 있다.
또한 제1 보호층(410)은 이산화규소(SiO2) 혹은 비스무트(Bi)를 포함할 수 있으며, 재료가 제한되지 않으나 저항층의 레이저 패터닝 등의 공정과정에서 저항층을 보호할 수 있도록 글래스(glass)를 포함할 수 있다. 제1 보호층(410)과 인접한 제2 보호층(420)은 페이스트를 도포하여 형성될 수 있다.
보호층(400)은 복수의 층을 포함할 수 있으며, 에폭시(epoxy), 페놀 수지 등의 폴리머(polymer)와 글래스(glass) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 제1 보호층(410)은 글래스(glass) 성분을 포함할 수 있으며, 제2 보호층(420)은 수지 성분을 포함할 수 있다.
구체적으로 도시하지는 않았으나, 제1 보호층(410) 형성 후 저항층(300) 레이저 패터닝 과정을 진행할 수 있다. 저항층(300)의 레이저 패터닝으로 저항값이 결정될 수 있다.
상기 레이저 패터닝 시 상기 저항층(300)의 최외측 패턴(310) 중 상기 일방향(L)을 따른 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 상기 일방향을 따라 길게 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 일방향을 따른 상기 최외층 패턴의 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 20um 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 상기 일방향을 따른 상기 최외층 패턴의 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 상기 일방향을 따른 칩 저항 부품(10) 길이의 0.02배 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기와 같이 최외측 패턴(310)의 길이를 길게 형성하면, 저항층 최외층 패턴의 제1 영역(311A, 311B)의 두께가 얇아도, 즉 제1 영역(311A, 311B)의 두께 방향(T)으로의 길이가 짧아도, 저항층(300)에 전류가 흐를 충분한 통로를 제2 영역을 통해 확보할 수 있어 ESD 특성을 개선할 수 있으며, 고전력 특성을 구현할 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 저항층(300) 최외층 패턴(310)의 길이가 길게 형성되도록 레이저 패터닝하여 저항층(300)의 패턴을 구현하면 소형 사이즈의 칩 저항 부품 내 ESD(Electro Static Discharge) 특성을 개선할 수 있으며, 강화된 전력 특성을 구현할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 저항층(300)에 레이저 패터닝을 적용함으로써 일방향(L)에 따른 저항체 길이를 제한된 저항층(300) 면적 내에서 길게 구현 가능하며, 이로써 단위길이 당 인가되는 전압을 낮출 수 있다. 이로 인해 소형 사이즈의 저항 부품 내 ESD 특성을 개선할 수도 있다.
상기 제2 보호층(420)은 상기 제1 보호층(410)과 접하는 일면을 포함하고, 상기 제2 보호층 일면의 일부분이 상기 제1 보호층(410) 및 저항층(300) 각각을 관통하도록 연장되어 형성될 수 있으며, 패터닝된 저항층(300)의 홈 또는 구멍을 덮도록 형성될 수 있다.
그 외 다른 구성요소에 관한 설명은 전술한 내용과 실질적으로 동일하게 적용이 가능한 바, 자세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 개시에 따른 칩 저항 부품의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도면을 참조하면, 본 개시에 따른 칩 저항 부품(10B)의 저항층(300)은, 최외측 패턴(310)을 포함할 수 있다.
최외측 패턴(310)의 저항층(300)을 레이저 패터닝 등의 기법으로 가공하여 형성될 수 있으며, 저항층(300)의 홈 또는 구멍 중 기판(100)의 일측면(110)과 타측면(120) 각각에 가장 가까운 홈 또는 구멍으로부터 저항층(300)의 최외측 부분까지의 패턴이 최외측 패턴(310)에 해당할 수 있다.
최외측 패턴(310)은 제1 내부전극(210)과 접촉된 제1 영역(311A)과, 제1 내부전극과 접촉되지 않은 제2 영역(312A)을 포함하는 제1 최외측 패턴(310A)과, 제2 내부전극(510)과 접촉된 제1 영역(311B)과, 제2 내부전극과 접촉되지 않은 제2 영역(312B)을 포함하는 제2 최외측 패턴(310B)을 포함할 수 있다.
도면을 참조하면, 일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 일방향(L)을 따른 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이의 비는 0.02 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 상기 일방향을 따른 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이는 20um 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기와 같이 제2 영역(312A, 312B)의 길이를 길게 형성하면, 저항층(300) 최외층 패턴(310)의 제1 영역의 두께가 얇아도, 즉 제1 영역의 두께 방향(T)으로의 길이가 짧아도, 저항층(300)에 전류가 흐를 충분한 통로를 제2 영역을 통해 확보할 수 있어 ESD 특성을 개선할 수 있으며, 고전력 특성을 구현할 수 있다.
전술한 일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 상기 최외측 패턴의 제2 영역(312A, 312B)의 비는, 칩 저항 부품(10)의 일방향(L)에 따른 길이 측정값과, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 일방향(L)에 따른 길이 측정값의 비로 계산한다.
상기 길이 측정값은, 칩 저항 부품(10)의 폭 방향(W)으로 위치를 달리하여 복수 회 측정된 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 상기 평균값은 상기 복수 회 측정된 길이의 산술 평균값을 의미할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 칩 저항 부품(10)의 길이 측정값은 다음과 같이 도출한다.
칩 저항 부품(10B)의 길이 측정값은, 칩 저항 부품(10B)의 일방향(L)을 따라 전체의 길이를 측정한 값을 의미한다. 즉, 칩 저항 부품(10B)의 최외측단 양쪽을 일방향(L)을 따라 측정하여 도출할 수 있다.
상기 길이 측정값은 칩 저항 부품(10)의 폭 방향(W)으로 위치를 달리하여 복수 회 측정된 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 상기 평균값은 상기 복수 회 측정된 길이의 산술 평균값을 의미할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이 측정값은 다음과 같이 도출한다.
제2 영역(312A, 312B)의 길이 측정값은, 최외측 패턴(310) 중 제1 영역(311A, 311B)을 제외한 길이 측정값에 해당한다. 따라서 최외측 패턴(310)의 길이 측정값에서, 제1 영역(311A, 311B)의 길이 측정값을 뺀 값이 제2 영역(312A, 312B)의 길이 측정값에 해당한다.
상기 최외측 패턴의 길이 측정값은, 저항층(300)의 양 끝단을 시작점으로 하여, 칩 저항 부품(10B)의 일방향(L)을 따라 첫번째 패터닝된 홈(301A, 301B)까지의 거리(310A, 310B) 측정값을 의미한다.
상기 길이 측정값은 칩 저항 부품(10)의 폭 방향(W)으로 위치를 달리하여 복수 회 측정된 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 상기 평균값은 상기 복수 회 측정된 길이의 산술 평균값을 의미할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 영역(311A, 311B)의 길이 측정값은, 저항층(300)이 제1 및 제2 내부전극(210, 510)과 접하는 부분을 칩 저항 부품(10)의 두께 방향(T)으로 투영하여, 칩 저항 부품(10)의 일방향(L)을 따라 그 양 끝의 길이를 측정한 값에 해당한다.
상기 길이 측정값은 칩 저항 부품(10)의 폭 방향(W)으로 위치를 달리하여 복수 회 측정된 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 상기 평균값은 상기 복수 회 측정된 길이의 산술 평균값을 의미할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
그 외 다른 구성요소에 관한 설명은 전술한 내용과 실질적으로 동일하게 적용이 가능한 바, 자세한 설명은 생략한다.
상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이에 따른 상기 칩 저항 부품(10)의 저항 특성은 아래와 같이 평가될 수 있다.
우선, 실험 전의 저항값(초기값)을 측정한 후 전압을 5초 간 인가한다. 전압 인가 후의 저항값(후기값)을 측정하여 저항값 변화율을 계산한다. 저항값 변화율이 ±1% 이상(NG 발생)이 될 때까지 인가 전압을 증가시킨다.
상기 저항값 변화율은 (후기값-초기값)/초기값 x 100으로 계산한다.
그 후, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이를 변화시키면서 상기 저항 특성 평가 과정을 반복한다.
상기 평가 과정에 따른 결과는 아래와 같이 도출된다.
일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이 비가 0.02일 때 높은 전압(2.5Vr 이상)이 인가되어도 저항값 변화율이 ±1% 미만을 유지한다.
또한, 일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이의 비가 0.02보다 커질수록 더 높은 전압이 인가되어도 저항값 변화율이 ±1% 미만을 유지하는 것을 확인할 수 있다.
그러나 일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이의 비가 0.02보다 작으면, 높은 전압(2.5Vr 이상)이 인가되는 경우 저항 특성이 저하될 수 있다. 즉, 상기 저항값 변화율이 1%를 초과할 수 있다.
제2 영역 인가전압
길이
(um)		 제2영역 /
칩 저항 부품		 1.0Vr 1.5Vr 2.0Vr 2.5Vr 3.0Vr 3.5Vr 4.0Vr
15 0.015 0.00 -0.04 -0.35 -1.56 -3.80 3.58 6.85
20 0.020 -0.01 -0.05 -0.20 -0.72 -2.73 -1.59 2.68
50 0.050 0.00 -0.04 -0.11 -0.49 -1.55 0.58 2.48
90 0.090 -0.01 -0.02 -0.05 -0.35 -0.47 4.03 5.87
예를 들어, 상기 일방향(L)을 따른 칩 저항 부품(10)의 길이에 대한 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이의 비가 0.015인 경우, 인가 전압을 2.0Vr에서 2.5Vr에서 높였을 때 저항값 변화율이 1%를 초과할 수 있다.
전술한 평가 방법을 통해, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 칩 저항 부품(10) 길이의 0.02배 이상일 때, 2.5Vr 이상의 높은 전압을 인가하여도 칩 저항 부품이 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
또 다른 평가 과정에 따른 결과, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 20um일 때 높은 전압(2.5Vr 이상)이 인가되어도 저항값 변화율이 ±1% 미만을 유지할 수 있다.
또한, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 20um보다 커질수록 더 높은 전압(2.5Vr 이상)이 인가되어도 저항값 변화율이 ±1% 미만을 유지하는 것을 확인할 수 있다.
그러나 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 20um보다 작으면, 높은 전압(2.5Vr 이상)이 인가되는 경우 저항 특성이 저하될 수 있다. 즉, 상기 저항값 변화율이 1%를 초과할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 15um인 경우, 인가 전압을 2.0Vr에서 2.5Vr에서 높였을 때, 저항값 변화율이 1%를 초과할 수 있다.
전술한 평가 방법을 통해, 저항층(300)의 최외측 패턴(310) 중 내부전극과 접촉되지 않은 제2 영역(312A, 312B)의 길이가 20um 이상일 때, 2.5Vr 이상의 높은 전압을 인가하여도 칩 저항 부품이 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
본 명세서에서 어느 구성요소 상에 배치되었다는 표현은, 방향을 설정하려는 의도가 아니다. 따라서, 어느 구성요소 상에 배치되었다는 표현은 어느 구성요소의 상측 상에 배치된 것을 의미할 수도 있고, 하측 상에 배치된 것을 의미할 수도 있다.
본 명세서에서 상면, 하면, 상측, 하측, 최상측, 최하측 등의 용어는 설명의 편의를 위해 도면을 기준으로 설정한 방향이다. 따라서, 설정 방향에 따라 상면, 하면, 상측, 하측, 최상측, 최하측 등은 다른 용어로 설명될 수 있다.
본 명세서에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 설명에 따라서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 일례 라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 사용된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에 따른 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변형시킬 수 있다.
10 : 칩 저항 부품
100 : 기판
101: 기판의 일면
110: 기판의 일측면 120: 기판의 타측면
200 : 제1 단자
210 : 제1 내부전극 220: 제1 외부전극
221: 도금층
300 : 저항층 301A, 301B: 저항층의 홈
310 : 최외측 패턴
310A, 310B: 제1, 2 최외측 패턴
311A, 311B: 최외측 패턴의 제1 영역
312A, 312B: 최외측 패턴의 제2 영역
400 : 보호층
410 : 제1 보호층 420: 제2 보호층
500 : 제2 단자
510 : 제2 내부전극 520: 제2 외부전극

Claims (10)

  1. 일면, 상기 일면과 각각 연결되고 일방향으로 서로 마주한 일측면과 타측면을 가지는 기판;
    상기 기판의 일면에 배치된 제1 내부전극과, 상기 기판의 일측면에 배치되어 상기 제1 내부전극과 연결된 제1 외부전극을 포함하는 제1 단자;
    상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 제1 내부전극과 연결된 최외측 패턴을 포함하는 저항층; 및
    상기 저항층을 커버하도록 상기 기판의 일면에 배치된 보호층;
    을 포함하는 칩 저항 부품에 있어,
    상기 저항층의 최외측 패턴은, 상기 제1 내부전극과 접촉된 제1 영역과, 상기 제1 내부전극과 접촉되지 않는 제2 영역을 가지고,
    상기 일방향을 따른 칩 저항 부품의 길이에 대한 상기 일방향을 따른 상기 제2 영역의 길이의 비는 0.02 이상인, 칩 저항 부품.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 일방향을 따른 상기 제2 영역의 길이는 20um 이상인, 칩 저항 부품.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 보호층은 제1 보호층 및 제2 보호층을 포함하는, 칩 저항 부품.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 보호층은 글래스(glass) 성분을 포함하는, 칩 저항 부품.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 보호층은 수지 성분을 포함하는, 칩 저항 부품.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 보호층은 상기 제1 보호층과 접하는 일면을 포함하고,
    상기 제2 보호층 일면의 일부분이 상기 제1 보호층 및 저항층 각각을 관통하도록 연장된, 칩 저항 부품.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 외부전극은 도금층을 포함하는, 칩 저항 부품.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 도금층은 니켈(Ni) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함하는, 칩 저항 부품.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 일면에 상기 제1 내부전극과 이격 배치된 제2 내부전극과, 상기 기판의 타측면에 배치되어 상기 제2 내부전극과 연결된 제2 외부전극을 포함하는 제2 단자;
    를 더 포함하는, 칩 저항 부품.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 저항층은,
    상기 제1 내부전극과 연결된 제1 최외측 패턴과,
    상기 제2 내부전극과 연결된 제2 최외측 패턴을 포함하는, 칩 저항 부품.
KR1020210025354A 2021-02-25 2021-02-25 칩 저항 부품 KR20220121379A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210025354A KR20220121379A (ko) 2021-02-25 2021-02-25 칩 저항 부품
US17/545,270 US11830641B2 (en) 2021-02-25 2021-12-08 Chip resistor component
CN202210175426.5A CN114974767A (zh) 2021-02-25 2022-02-25 片式电阻器组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210025354A KR20220121379A (ko) 2021-02-25 2021-02-25 칩 저항 부품

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220121379A true KR20220121379A (ko) 2022-09-01

Family

ID=82900989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210025354A KR20220121379A (ko) 2021-02-25 2021-02-25 칩 저항 부품

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11830641B2 (ko)
KR (1) KR20220121379A (ko)
CN (1) CN114974767A (ko)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773414B1 (ko) 2000-05-26 2007-11-05 중소기업은행 평판형 후막저항기 제조방법
JP2002025802A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
US7286039B2 (en) 2003-09-17 2007-10-23 Rohm Co., Ltd. Chip resistor and method of manufacturing the same
US7786842B2 (en) * 2005-03-02 2010-08-31 Rohm Co., Ltd. Chip resistor and manufacturing method thereof
JP2007088161A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Koa Corp チップ抵抗器
JP5287154B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 パナソニック株式会社 回路保護素子およびその製造方法
JP4498433B2 (ja) * 2008-06-05 2010-07-07 北陸電気工業株式会社 チップ状電気部品及びその製造方法
JP6274789B2 (ja) * 2013-08-30 2018-02-07 ローム株式会社 チップ抵抗器
US9997281B2 (en) * 2015-02-19 2018-06-12 Rohm Co., Ltd. Chip resistor and method for manufacturing the same
DE112018005181T5 (de) * 2017-11-02 2020-07-02 Rohm Co., Ltd. Chip-widerstand
KR102231103B1 (ko) * 2019-12-10 2021-03-23 삼성전기주식회사 저항 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US11830641B2 (en) 2023-11-28
CN114974767A (zh) 2022-08-30
US20220270790A1 (en) 2022-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9691838B1 (en) Chip resistor
JPH11162708A (ja) 多層導電性ポリマ正温度係数デバイス
US9209619B2 (en) ESD protection component and component comprising an ESD protection component and an LED
CN108428525B (zh) 电阻器元件、制造该电阻器元件的方法及电阻器元件组件
JP5206415B2 (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
US11778739B2 (en) Thermally conductive board
KR101983180B1 (ko) 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자의 실장 기판
US9668348B2 (en) Multi-terminal electronic component, method of manufacturing the same, and board having the same
KR20220121379A (ko) 칩 저항 부품
KR102150552B1 (ko) 복합 전자 부품
KR101771818B1 (ko) 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자 실장 기판
KR102609147B1 (ko) 복합 전자 부품
JP6878728B2 (ja) チップ抵抗素子及びチップ抵抗素子アセンブリー
US9824798B2 (en) Resistor element and method of manufacturing the same
KR20180054273A (ko) 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리
US11315708B1 (en) Chip resistor
US11862365B2 (en) Resistor component
WO2022091644A1 (ja) チップ抵抗器
KR101843252B1 (ko) 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리
KR20170095573A (ko) 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리
JP2009147315A (ja) 静電気対策部品
JP2008147271A (ja) 静電気対策部品およびその製造方法
US20050128046A1 (en) Over-current protection device
US9390844B2 (en) Chip resistor
KR20170075423A (ko) 저항 소자 및 그 실장 기판