CN118020117A - 片式电阻器 - Google Patents
片式电阻器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118020117A CN118020117A CN202280065801.9A CN202280065801A CN118020117A CN 118020117 A CN118020117 A CN 118020117A CN 202280065801 A CN202280065801 A CN 202280065801A CN 118020117 A CN118020117 A CN 118020117A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat transfer
- layer
- transfer layer
- electrode
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 433
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 136
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 119
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 40
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 31
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 30
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/08—Cooling, heating or ventilating arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/028—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
片式电阻器(1)包括绝缘基板(10)、第1电极(20)、第2电极(30)、电阻体(16)、第1传热层(40)、第2传热层(41)和绝缘保护层(43)。第1传热层(40)具有比绝缘保护层(43)大的热传导率,且与电阻体(16)和第1正面电极(21)接触。第2传热层(41)与第1传热层(40)分离。第2传热层(41)具有比绝缘保护层(43)大的热传导率,且与电阻体(16)和第2正面电极(31)接触。
Description
技术领域
本发明涉及片式电阻器。
背景技术
日本特开2008-277638号公报(专利文献1)公开了包括绝缘基板、上表面电极、下表面电极、端面电极、电阻体、绝缘保护膜和表面覆膜的片式电阻器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-277638号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1的片式电阻器中,电阻体的整体被绝缘保护膜覆盖。因此,存在如下问题:在片式电阻器的使用中,片式电阻器的中央的温度过度上升,片式电阻器的短时间过载(STOL)特性不充分。本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提高片式电阻器的短时间过载(STOL)特性。
用于解决问题的技术手段
本发明的片式电阻器包括绝缘基板、第1电极、第2电极、电阻体、第1传热层、第2传热层和绝缘保护层。绝缘基板包括第1主面、第1侧面和与第1侧面相反侧的第2侧面。第1侧面和第2侧面分别与第1主面连接。电阻体设置在绝缘基板的第1主面上。第1电极设置于绝缘基板的第1侧面侧。第1电极包括设置在绝缘基板的第1主面上的第1正面电极。第2电极设置于绝缘基板的第2侧面侧,且与第1电极分离。第2电极包括设置在绝缘基板的第1主面上并且与第1正面电极分离的第2正面电极。电阻体与第1正面电极和第2正面电极接触。第1传热层具有比绝缘保护层大的热传导率,且与电阻体和第1正面电极接触。第2传热层与第1传热层分离。第2传热层具有比绝缘保护层大的热传导率,且与电阻体和第2正面电极接触。绝缘保护层设置在电阻体上。绝缘保护层使第1电极与第2电极相互电绝缘,并且使第1传热层与第2传热层相互电绝缘。
发明效果
根据本发明的片式电阻器,能够提高片式电阻器的短时间过载(STOL)特性。
附图说明
图1是实施方式的片式电阻器的概略俯视图。
图2是实施方式的片式电阻器的沿图1所示的截面线II-II的概略截面图。
图3是安装在配线基板上的实施方式的片式电阻器的概略截面图。
图4是表示实施方式的片式电阻器的制造方法的一个工序的概略截面图。
图5是表示实施方式的片式电阻器的制造方法中的、图4所示的工序的下一工序的概略截面图。
图6是表示实施方式的片式电阻器的制造方法中的、图5所示的工序的下一工序的概略截面图。
图7是表示实施方式的片式电阻器的制造方法中的、图6所示的工序的下一工序的概略截面图。
图8是表示实施方式的片式电阻器的制造方法中的、图7所示的工序的下一工序的概略截面图。
图9是表示实施方式的片式电阻器的制造方法中的、图8所示的工序的下一工序的概略截面图。
图10是实施方式的第1变形例的片式电阻器的概略截面图。
图11是实施方式的第2变形例的片式电阻器的概略截面图。
具体实施方式
接着,基于附图对本发明的实施方式的详细情况进行说明。此外,在以下的附图中,对相同或者相当的部分标注相同的参照编号,不重复其说明。也可以将以下记载的实施方式的至少一部分的结构任意地组合。
参照图1和图2,对实施方式的片式电阻器1进行说明。片式电阻器1主要包括绝缘基板10、第1电极20、第2电极30、电阻体16、第1传热层40、第2传热层41和绝缘保护层43。片式电阻器1还可以包括第1导电树脂层45和第2导电树脂层46。在图1中,为了便于图示,省略了绝缘保护层43。
绝缘基板10是电绝缘体,由氧化铝(Al2O3)那样的电绝缘材料形成。绝缘基板10包括第1主面11、与第1主面11相反侧的第2主面12、第1侧面13、和与第1侧面13相反侧的第2侧面14。第1侧面13和第2侧面14分别与第1主面11和第2主面12连接。第1主面11和第2主面12分别沿着第1方向(x方向)和与第1方向垂直的第2方向(y方向)延伸。第1方向(x方向)例如是绝缘基板10的长边方向。第1方向(x方向)是第1电极20与第2电极30相互分离的方向。第1方向(x方向)是第1侧面13与第2侧面14相互分离的方向。第2方向(y方向)例如是绝缘基板10的短边方向。第1主面11和第2主面12在与第1方向(x方向)和第2方向(y方向)垂直的第3方向(z方向)上相互分离。第3方向(z方向)是绝缘基板10的厚度方向。
参照图3,在将片式电阻器1安装于配线基板50(参照图3)时,第1主面11面向配线基板50。即,第1主面11是将片式电阻器1安装于配线基板50时所利用的安装面。第1主面11是装载电阻体16的装载面。
电阻体16具有限制电流的功能或检测电流的功能。电阻体16设置在绝缘基板10的第1主面11上。电阻体16包括端16e和与端16e相反侧的端16f。端16e是电阻体16的靠近第1侧面13的近位端。端16e与第1正面电极21接触。端16f是电阻体16的靠近第2侧面14的近位端。端16f与第2正面电极31接触。电阻体16例如通过将在氧化钌(RuO2)或银-钯合金那样的电阻材料中含有玻璃料的膏体印刷在绝缘基板10的第1主面11上并烧制而形成。
在电阻体16设置有修整槽17。通过在电阻体16形成修整槽17,能够准确地确定片式电阻器1(电阻体16)的电阻值。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,修整槽17例如具有沿第1方向(x方向)和第2方向(y方向)延伸的L字形状。修整槽17也可以具有沿第2方向(y方向)延伸的I字形状。
第1电极20设置于绝缘基板10的第1侧面13侧。第1电极20比第2侧面14靠近第1侧面13。第1电极20包括第1正面电极21。第1电极20还可以包括第1背面电极22、第1侧面电极23和第1金属镀层24。
第1正面电极21设置在绝缘基板10的第1主面11上。第1正面电极21与电阻体16接触。第1正面电极21比电阻体16靠近第1侧面13。第1正面电极21例如通过将包含银的膏体印刷在绝缘基板10的第1主面11上并进行烧制而形成。
第1背面电极22设置在绝缘基板10的第2主面12上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1背面电极22与第1正面电极21重叠。第1背面电极22例如通过在绝缘基板10的第2主面12上印刷含有银的膏体并进行烧制而形成。
第1侧面电极23设置在绝缘基板10的第1侧面13上、第1正面电极21上和第1背面电极22上。第1侧面电极23覆盖绝缘基板10的第1侧面13、第1正面电极21和第1背面电极22。第1侧面电极23包括:形成在绝缘基板10的第1侧面13上的第1部分;在从绝缘基板10的厚度方向(z方向)俯视时与绝缘基板10的第1主面11重叠的第2部分;和在从绝缘基板10的厚度方向(z方向)俯视时与绝缘基板10的第2主面12重叠的第3部分。第1侧面电极23与第1正面电极21和第1背面电极22电导通。电阻体16通过第1正面电极21和第1侧面电极23与第1背面电极22电导通。第1侧面电极23也可以由难以硫化的导电材料形成。第1侧面电极23例如由Ni-Cr合金形成。
第1金属镀层24设置在第1正面电极21、第1背面电极22、第1侧面电极23、第1传热层40和第1导电树脂层45上。第1金属镀层24与第1正面电极21、第1背面电极22、第1侧面电极23、第1传热层40和第1导电树脂层45接触。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1金属镀层24的端24e是第1金属镀层24的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端。第1金属镀层24例如包括第1内侧镀层25、第1中间镀层26和第1外侧镀层27。
第1内侧镀层25形成在第1正面电极21上、第1背面电极22上、第1侧面电极23上、第1传热层40上和第1导电树脂层45上。第1内侧镀层25例如是铜镀层。
第1中间镀层26形成在第1内侧镀层25上,覆盖第1内侧镀层25。第1中间镀层26保护第1正面电极21、第1背面电极22、第1侧面电极23和第1内侧镀层25免受热和冲击。第1中间镀层26例如是镀镍层。
第1外侧镀层27形成在第1中间镀层26上,覆盖第1中间镀层26。第1外侧镀层27由比第1中间镀层26容易附着焊料那样的导电性接合部件54(参照图3)的材料形成。第1外侧镀层27例如是镀锡层。导电性接合部件54附着于第1外侧镀层27和配线基板50(参照图3)的电配线52,片式电阻器1被安装于配线基板50。
第2电极30设置于绝缘基板10的第2侧面14侧。第2电极30比第1侧面13靠近第2侧面14。第2电极30在第1方向(x方向)上与第1电极20分离。第2电极30包括第2正面电极31。第2电极30还可以包括第2背面电极32、第2侧面电极33和第2金属镀层34。
第2正面电极31设置在绝缘基板10的第1主面11上。第2正面电极31在第1方向(x方向)上与第1正面电极21分离。第2正面电极31与电阻体16接触。第2正面电极31比电阻体16靠近第2侧面14。第2正面电极31例如通过将包含银的膏体印刷在绝缘基板10的第1主面11上并进行烧制而形成。
第2背面电极32设置在绝缘基板10的第2主面12上。第2背面电极32在第1方向(x方向)上与第1背面电极22分离。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2背面电极32与第2正面电极31重叠。第2背面电极32例如通过在绝缘基板10的第2主面12上印刷含有银的膏体并进行烧制而形成。
第2侧面电极33设置在绝缘基板10的第2侧面14上、第2正面电极31上和第2背面电极32上。第2侧面电极33覆盖绝缘基板10的第2侧面14、第2正面电极31和第2背面电极32。第2侧面电极33包括:形成在绝缘基板10的第2侧面14上的第1部分;在从绝缘基板10的厚度方向(z方向)俯视时与绝缘基板10的第1主面11重叠的第2部分;和在从绝缘基板10的厚度方向(z方向)俯视时与绝缘基板10的第2主面12重叠的第3部分。第2侧面电极33与第2正面电极31和第2背面电极32电导通。电阻体16通过第2正面电极31和第2侧面电极33与第2背面电极32电导通。第2侧面电极33也可以由难以硫化的导电材料形成。第2侧面电极33例如由Ni-Cr合金形成。
第2金属镀层34设置在第2正面电极31、第2背面电极32、第2侧面电极33、第2传热层41和第2导电树脂层46上。第2金属镀层34与第2正面电极31、第2背面电极32、第2侧面电极33、第2传热层41和第2导电树脂层46接触。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2金属镀层34的端34e是第2金属镀层34的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端。第2金属镀层34例如包括第2内侧镀层35、第2中间镀层36和第2外侧镀层37。
第2内侧镀层35形成在第2正面电极31上、第2背面电极32上、第2侧面电极33上、第2传热层41上、第2导电树脂层46上。第2内侧镀层35例如是铜镀层。
第2中间镀层36形成在第2内侧镀层35上,覆盖第2内侧镀层35。第2中间镀层36保护第2正面电极31、第2背面电极32、第2侧面电极33和第2内侧镀层35免受热和冲击。第2中间镀层36例如是镀镍层。
第2外侧镀层37形成在第2中间镀层36上,覆盖第2中间镀层36。第2外侧镀层37由比第2中间镀层36容易附着焊料那样的导电性接合部件55(参照图3)的材料形成。第2外侧镀层37例如是镀锡层。导电性接合部件55附着于第2外侧镀层37和配线基板50(参照图3)的电配线53,片式电阻器1安装于配线基板50。
第1传热层40具有比绝缘保护层43大的热传导率。第1传热层40例如具有1.0W/(m·K)以上的热传导率。第1传热层40可以具有3.0W/(m·K)以上的热传导率,也可以具有5.0W/(m·K)以上的热传导率。第1传热层40与电阻体16、第1正面电极21和第1导电树脂层45接触。第1传热层40也可以还与第1金属镀层24(第1内侧镀层25)接触。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40包括作为第1传热层40的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端的端40e。
在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40例如覆盖电阻体16的面积的20%以上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40可以覆盖电阻体16的面积的25%以上,也可以覆盖电阻体16的面积的30%以上,也可以覆盖电阻体16的面积的35%以上,也可以覆盖电阻体16的面积的40%以上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40例如覆盖电阻体16的小于50%的面积。
在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40覆盖修整槽17的至少一部分。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40可以覆盖修整槽17的全长的50%以上,可以覆盖修整槽17的全长的60%以上,可以覆盖修整槽17的全长的70%以上,可以覆盖修整槽17的全长的80%以上,可以覆盖修整槽17的全长的90%以上,也可以覆盖修整槽17的整体。
第1传热层40包含粘合剂树脂和添加于粘合剂树脂中的热传导性颗粒。粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成。热传导性颗粒具有比粘合剂树脂大的热传导率。热传导性颗粒例如由具有5.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成。热传导性颗粒可以由具有10.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成,也可以由具有20.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成。热传导性颗粒例如为银颗粒或铜颗粒之类的金属颗粒、碳颗粒、或它们的组合。第1传热层40例如通过印刷包含粘合剂树脂与热传导性颗粒的膏体并使其固化而形成。
第1传热层40也可以具有导电性。第1传热层40的第1电阻率大于电阻体16的电阻率。第1传热层40的第1电阻率例如为电阻体16的电阻率的1000倍以上。第1传热层40的第1电阻率比第1正面电极21的电阻率大。第1传热层40的第1电阻率例如为第1正面电极21的电阻率的10000倍以上。
第2传热层41具有比绝缘保护层43大的热传导率。第2传热层41例如具有1.0W/(m·K)以上的热传导率。第2传热层41可以具有3.0W/(m·K)以上的热传导率,也可以具有5.0W/(m·K)以上的热传导率。第2传热层41与电阻体16、第2正面电极31和第2导电树脂层46接触。第2传热层41也可以还与第2金属镀层34(第2内侧镀层35)接触。第2传热层41在第1方向(x方向)上与第1传热层40分离。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41包括作为第2传热层41的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端的端41e。
第1传热层40的端40e与第2传热层41的端41e之间的最短距离例如为300μm以上。因此,即使第1传热层40和第2传热层41具有导电性,在形成第1传热层40和第2传热层41时,也能够更可靠地防止第1传热层40与第2传热层41接触而第1传热层40与第2传热层41相互电短路。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40也可以覆盖电阻体16中的距电阻体16的端16e为200μm以下的区域。第1方向(x方向)上的第1传热层40的端40e与电阻体16的端16e之间的距离也可为200μm以下。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41也可以覆盖电阻体16中的距电阻体16的端16f为200μm以下的区域。第1方向(x方向)上的第2传热层41的端41e与电阻体16的端16f之间的距离也可为200μm以下。
在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41例如覆盖电阻体16的面积的20%以上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41可以覆盖电阻体16的面积的25%以上,可以覆盖电阻体16的面积的30%以上,可以覆盖电阻体16的面积的35%以上,也可以覆盖电阻体16的面积的40%以上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41例如覆盖电阻体16的小于50%的面积。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2传热层41也可以与修整槽17的整体分离。修整槽17的整体也可以从第2传热层41露出。
第2传热层41包含粘合剂树脂和添加于粘合剂树脂中的热传导性颗粒。粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成。热传导性颗粒具有比粘合剂树脂大的热传导率。热传导性颗粒例如由具有5.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成。热传导性颗粒可以由具有10.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成,也可以由具有20.0W/(m·K)以上的热传导率的材料形成。热传导性颗粒例如为银颗粒或铜颗粒之类的金属颗粒、碳颗粒、或它们的组合。第2传热层41例如通过印刷包含粘合剂树脂与热传导性颗粒的膏体并使其固化而形成。
第2传热层41也可以具有导电性。第2传热层41的第2电阻率大于电阻体16的电阻率。第2传热层41的第2电阻率例如为电阻体16的电阻率的1000倍以上。第2传热层41的第2电阻率比第2正面电极31的电阻率大。第2传热层41的第2电阻率例如为第2正面电极31的电阻率的10000倍以上。
绝缘保护层43设置在电阻体16上。绝缘保护层43使第1电极20和第2电极30彼此电绝缘。具体地,绝缘保护层43使第1正面电极21和第2正面电极31彼此电绝缘。绝缘保护层43使第1金属镀层24和第2金属镀层34彼此电绝缘。绝缘保护层43将第1传热层40与第2传热层41彼此电绝缘。绝缘保护层43使第1导电树脂层45和第2导电树脂层46彼此电绝缘。绝缘保护层43例如由环氧树脂那样的绝缘树脂形成。绝缘保护层43例如通过印刷包含绝缘树脂的膏体并使其固化而形成。
第1导电树脂层45设置在第1传热层40和绝缘保护层43上。第1导电树脂层45与第1传热层40和绝缘保护层43接触。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1导电树脂层45包括作为第1导电树脂层45的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端的端45e。第1导电树脂层45具有比第1传热层40小的电阻率。第1导电树脂层45具有比绝缘保护层43大的热传导率。第1导电树脂层45也可以具有比第1传热层40大的热传导率。第1导电树脂层45也可以具有比电阻体16大的电阻率。第1导电树脂层45可以具有比第1正面电极21大的电阻率。
第1导电树脂层45包含粘合剂树脂和添加于粘合剂树脂的导电性颗粒。粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成。导电性颗粒具有比粘合剂树脂小的电阻率。导电性颗粒例如为银颗粒或铜颗粒之类的金属颗粒。第1导电树脂层45例如通过印刷包含粘合剂树脂和导电性颗粒的膏体并使其固化而形成。
第2导电树脂层46设置在第2传热层41和绝缘保护层43上。第2导电树脂层46与第2传热层41和绝缘保护层43接触。第2导电树脂层46在第1方向(x方向)上与第1导电树脂层45分离。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2导电树脂层46包括作为第2导电树脂层46的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端的端46e。第2导电树脂层46具有比第2传热层41小的电阻率。第2导电树脂层46具有比绝缘保护层43大的热传导率。第2导电树脂层46也可以具有比第2传热层41大的热传导率。第2导电树脂层46也可以具有比电阻体16大的电阻率。第2导电树脂层46也可以具有比第2正面电极31大的电阻率。
第2导电树脂层46包含粘合剂树脂和添加于粘合剂树脂的导电性颗粒。粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成。导电性颗粒具有比粘合剂树脂小的电阻率。导电性颗粒例如为银颗粒或铜颗粒之类的金属颗粒。第2导电树脂层46例如通过印刷包含粘合剂树脂和导电性颗粒的膏体并使其固化而形成。
在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1导电树脂层45的端45e也可以比第1传热层40的端40e靠近第2传热层41的端41e。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2导电树脂层46的端46e也可以比第2传热层41的端41e靠近第1传热层40的端40e。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1金属镀层24的端24e也可以比第1传热层40的端40e靠近第2传热层41的端41e。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第2金属镀层34的端34e也可以比第2传热层41的端41e靠近第1传热层40的端40e。
参照图3,片式电阻器1例如安装于配线基板50。具体而言,配线基板50包括绝缘基板51和电配线52、电配线53。片式电阻器1的第1电极20使用焊料那样的导电性接合部件54与配线基板50的电配线52接合。片式电阻器1的第2电极30使用焊料那样的导电性接合部件55与配线基板50的电配线53接合。
参照图1、图2和图4至图9,对本实施方式的片式电阻器1的制造方法的一例进行说明。
参照图4,在绝缘基板10的第1主面11上形成第1正面电极21和第2正面电极31。例如,第1正面电极21和第2正面电极31通过在绝缘基板10的第1主面11上印刷含银膏体并烧制该膏体而形成。在绝缘基板10的第2主面12上形成第1背面电极22和第2背面电极32。例如,第1背面电极22和第2背面电极32通过在绝缘基板10的第2主面12上印刷含银膏体并烧制该膏体而形成。
参照图5,在绝缘基板10的第1主面11上形成电阻体16。电阻体16通过印刷在氧化钌(RuO2)或银-钯合金那样的电阻材料中含有玻璃料的膏体并进行烧制而形成。此外,也可以在绝缘基板10的第1主面11形成电阻体16,然后形成第1正面电极21、第2正面电极31、第1背面电极22和第2背面电极32。
参照图6,在电阻体16形成修整槽17。修整槽17例如通过向电阻体16照射激光束而形成。在电阻体16的电阻值成为片式电阻器1的目标电阻值时,结束修整槽17的形成。
参照图7,形成第1传热层40和第2传热层41。具体而言,通过在电阻体16和第1正面电极21上印刷含有粘合剂树脂和热传导性颗粒的膏体并使其固化,形成第1传热层40。通过在电阻体16和第2正面电极31上印刷含有粘合剂树脂和热传导性颗粒的膏体并使其固化,形成第2传热层41。
参照图8,在电阻体16上、第1传热层40上和第2传热层41上形成绝缘保护层43。具体而言,在电阻体16上、第1传热层40上和第2传热层41上,印刷包含环氧树脂之类的绝缘树脂的膏体并使其固化,由此形成绝缘保护层43。然后,形成第1导电树脂层45和第2导电树脂层46。具体而言,通过在绝缘保护层43上和第1传热层40上印刷包含粘合剂树脂和导电性颗粒的膏体并使其固化,从而形成第1导电树脂层45。通过在绝缘保护层43上和第2传热层41上印刷包含粘合剂树脂和导电性颗粒的膏体并使其固化,形成第2导电树脂层46。
参照图9,形成第1侧面电极23和第2侧面电极33。具体地,通过诸如溅射法的物理气相沉积(PVD)法,在绝缘基板10的第1侧面13、第1正面电极21和第1背面电极22上形成第1侧面电极23。第1侧面电极23与第1正面电极21和第1背面电极22接触,与第1正面电极21和第1背面电极22电导通。通过如溅射法那样的物理蒸镀(PVD)法,在绝缘基板10的第2侧面14上、第2正面电极31上和第2背面电极32上形成第2侧面电极33。第2侧面电极33与第2正面电极31和第2背面电极32接触,与第2正面电极31和第2背面电极32电导通。
参照图1和图2,形成第1金属镀层24和第2金属镀层34。第1金属镀层24例如包括第1内侧镀层25、第1中间镀层26和第1外侧镀层27。第2金属镀层34例如包括第2内侧镀层35、第2中间镀层36和第2外侧镀层37。
具体而言,在第1正面电极21上、第1背面电极22上、第1侧面电极23上、第1传热层40上和第1导电树脂层45上形成第1内侧镀层25。在第2正面电极31上、第2背面电极32上、第2侧面电极33上、第2传热层41上和第2导电树脂层46上形成第2内侧镀层35。第1内侧镀层25和第2内侧镀层35分别例如是铜镀层。然后,在第1内侧镀层25上形成第1中间镀层26。在第2内侧镀层35上形成第2中间镀层36。第1中间镀层26和第2中间镀层36分别例如是镍镀层。然后,在第1中间镀层26上形成第1外侧镀层27。在第2中间镀层36上形成第2外侧镀层37。第1外侧镀层27和第2外侧镀层37分别例如是镀锡层。这样,得到片式电阻器1。
参照图10,在实施方式的第1变形例中,第1传热层40中的从绝缘保护层43露出的部分也可以全部由第1导电树脂层45覆盖。第1导电树脂层45可以与第1正面电极21接触。第1传热层40也可以与第1金属镀层24(第1内侧镀层25)分离。第2传热层41中的从绝缘保护层43露出的部分也可全部由第2导电树脂层46覆盖。第2导电树脂层46也可以与第2正面电极31接触。第2传热层41也可以与第2金属镀层34(第2内侧镀层35)分离。
参照图11,在实施方式的第2变形例中,也可以省略第1导电树脂层45和第2导电树脂层46。第1内侧镀层25也可以形成在第1正面电极21上、第1传热层40上、第1侧面电极23上和第1背面电极22上。第2内侧镀层35也可以形成在第2正面电极31上、第2传热层41上、第2侧面电极33上和第2背面电极32上。
在实施方式的第3变形例中,可以省略第1背面电极22、第1侧面电极23、第2背面电极32和第2侧面电极33。在实施方式的第3变形例中,第1金属镀层24设置在第1正面电极21和第1传热层40上,并且第2金属镀层34设置在第2正面电极31和第2传热层41上。在实施方式的第3变形例中,第1金属镀层24可以进一步设置在第1导电树脂层45上。在实施方式的第3变形例中,第2金属镀层34可以进一步设置在第2导电树脂层46上。
对本实施方式的片式电阻器1的效果进行说明。
本实施方式的片式电阻器1包括绝缘基板10、第1电极20、第2电极30、电阻体16、第1传热层40、第2传热层41和绝缘保护层43。绝缘基板10包括第1主面11、第1侧面13和与第1侧面13相反的一侧的第2侧面14。第1侧面13和第2侧面14分别与第1主面11连接。电阻体16设置在绝缘基板10的第1主面11上。第1电极20设置于绝缘基板10的第1侧面13侧。第1电极20包括设置在绝缘基板10的第1主面11上的第1正面电极21。第2电极30设置于绝缘基板10的第2侧面14侧,且与第1电极20分离。第2电极30设置在绝缘基板10的第1主面11上,并且包括远离第1正面电极21的第2正面电极31。电阻体16与第1正面电极21和第2正面电极31接触。第1传热层40具有比绝缘保护层43大的热传导率,且与电阻体16和第1正面电极21接触。第2传热层41与第1传热层40分离。第2传热层41具有比绝缘保护层43大的热传导率,且与电阻体16和第2正面电极31接触。绝缘保护层43设置在电阻体16上。绝缘保护层43将第1电极20与第2电极30相互电绝缘,并且将第1传热层40与第2传热层41相互电绝缘。
片式电阻器1的中央(例如,电阻体16的中央)离第1电极20和第2电极30最远。因此,在使用片式电阻器1时,片式电阻器1的中央的温度容易上升。但是,第1传热层40和第2传热层41能够使片式电阻器1的中央的热量迅速地散发到片式电阻器1的外部(例如,配线基板50(参照图3)或者片式电阻器1的周围空气那样的片式电阻器1的周围环境)。因此,在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,第1传热层40和第2传热层41分别包含粘合剂树脂和添加到粘合剂树脂中的热传导性颗粒。
第1传热层40和第2传热层41能够使片式电阻器1的中央的热迅速地向片式电阻器1的外部扩散。因此,在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成。热传导性颗粒为碳颗粒、金属颗粒或它们的组合。
第1传热层40和第2传热层41能够使片式电阻器1的中央的热迅速地向片式电阻器1的外部扩散。因此,在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,第1传热层40和第2传热层41各自具有导电性。
因此,具有导电性的第1传热层40和第2传热层41与具有电绝缘性的传热层相比,存在具有更大的热传导率的倾向。具有导电性的第1传热层40和第2传热层41能够使片式电阻器1的中央的热迅速地向片式电阻器1的外部扩散。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
本实施方式的片式电阻器1还包括第1导电树脂层45和第2导电树脂层46。第1导电树脂层45具有比绝缘保护层43大的热传导率。第2导电树脂层46具有比绝缘保护层43大的热传导率,并且与第1导电树脂层45分离。第1电极20还包括第1金属镀层24。第2电极30还包括第2金属镀层34。第1导电树脂层45设置在第1传热层40和绝缘保护层43上。第1金属镀层24设置在第1传热层40和第1导电树脂层45上。第2导电树脂层46设置在第2传热层41和绝缘保护层43上。第2金属镀层34设置在第2传热层41和第2导电树脂层46上。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1金属镀层24的第1端(端24e)比第1传热层40的第2端(端40e)靠近第2传热层41的第3端(端41e),且第2金属镀层34的第4端(端34e)比第2传热层41的第3端(端41e)靠近第1传热层40的第2端(端40e)。在俯视第1主面11时,第1金属镀层24的第1端(端24e)是第1金属镀层24的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端。在俯视第1主面11时,第1传热层40的第2端(端40e)是第1传热层40的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端。在俯视观察第1主面11时,第2传热层41的第3端(端41e)是第2传热层41的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端。在俯视第1主面11时,第2金属镀层34的第4端(端34e)是第2金属镀层34的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端。
因此,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1金属镀层24形成为比第1传热层40靠近片式电阻器1的中央,并且第2金属镀层34形成为比第2传热层41靠近片式电阻器1的中央。第1金属镀层24和第2金属镀层34也能够将片式电阻器1的中央的热迅速地释放到片式电阻器1的外部。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1导电树脂层45的第5端(端45e)比第1传热层40的第2端(端40e)靠近第2传热层41的第3端(端41e),且第2导电树脂层46的第6端(端46e)比第2传热层41的第3端(端41e)靠近第1传热层40的第2端(端40e)。在俯视第1主面11时,第1导电树脂层45的第5端(端45e)是第1导电树脂层45的相对于绝缘基板10的第1侧面13的远端。在俯视第1主面11时,第2导电树脂层46的第6端(端46e)是第2导电树脂层46的相对于绝缘基板10的第2侧面14的远端。
因此,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1导电树脂层45形成为比第1传热层40靠近片式电阻器1的中央,并且第2导电树脂层46形成为比第2传热层41靠近片式电阻器1的中央。第1导电树脂层45和第2导电树脂层46也能够使片式电阻器1的中央的热迅速地向片式电阻器1的外部扩散。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,绝缘基板10包括与第1主面11相反一侧的第2主面12。第1电极20包括设置在绝缘基板10的第2主面12上的第1背面电极22。第2电极30包括设置在绝缘基板10的第2主面12上的第2背面电极32。第1金属镀层24与第1正面电极21和第1背面电极22接触。第2金属镀层34与第2正面电极31和第2背面电极32接触。
因此,第1背面电极22和第2背面电极32也能够使片式电阻器1的热迅速地散发到片式电阻器1的外部。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的温度上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,第1金属镀层24包括与第1正面电极21接触的第1铜镀层(第1内侧镀层25)。第2金属镀层34包括与第2正面电极31接触的第2铜镀层(第2内侧镀层35)。
铜的热传导率为398W/(m·K),铜镀层具有非常高的热传导率。因此,第1金属镀层24和第2金属镀层34也能够使片式电阻器1的中央的热迅速地扩散到片式电阻器1的外部。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,第1传热层40的第1电阻率为电阻体16的电阻率的1000倍以上。第2传热层41的第2电阻率为电阻体16的电阻率的1000倍以上。
因此,即使第1传热层40和第2传热层41与电阻体16接触,也能够忽略由第1传热层40和第2传热层41引起的片式电阻器1的电阻值的变动。能够准确地确定片式电阻器1(电阻体16)的电阻值。
在本实施方式的片式电阻器1中,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40覆盖电阻体16的面积的20%以上,且第2传热层41覆盖电阻体16的面积的20%以上。
因此,第1传热层40和第2传热层41能够使片式电阻器1的中央的热迅速地散发到片式电阻器1的外部。在使用片式电阻器1时,能够抑制片式电阻器1的中央的温度的上升。能够提高片式电阻器1的短时间过载(STOL)特性。
在本实施方式的片式电阻器1中,在电阻体16上设置有修整槽17。在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40覆盖修整槽17的至少一部分。
通过在电阻体16形成修整槽17,能够准确地确定片式电阻器1(电阻体16)的电阻值。另外,当电流流过片式电阻器1时,电阻体16中的修整槽17的周围的部分的温度在电阻体16中最高。在片式电阻器1中,第1传热层40覆盖修整槽17的至少一部分。因此,在电阻体16中的修整槽17的周围的部分产生的热能够迅速地向片式电阻器1的外部扩散。
在本实施方式的片式电阻器1中,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40覆盖修整槽17的全长的50%以上。
因此,在电阻体16中的修整槽17的周围的部分产生的热能够更迅速地向片式电阻器1的外部扩散。
在本实施方式的片式电阻器1中,在俯视绝缘基板10的第1主面11时,第1传热层40覆盖修整槽17的整体。
因此,在电阻体16中的修整槽17的周围的部分产生的热能够更迅速地向片式电阻器1的外部扩散。
应该认为本次公开的实施方式和其变形例在所有方面都是例示而非限制性的。本发明的范围并非由上述的说明表示,而是由权利要求书表示,意图包含与权利要求书等同的意思和范围内的所有变更。
附图标记的说明
1片式电阻器,10绝缘基板,11第1主面,12第2主面,13第1侧面,14第2侧面,16电阻体,16e、16f端,17修整槽,20第1电极,21第1正面电极,22第1背面电极,23第1侧面电极,24第1金属镀层,24e端,25第1内侧镀层,26第1中间镀层,27第1外侧镀层,30第2电极,31第2正面电极,32第2背面电极,33第2侧面电极,34第2金属镀层,34e端,35第2内侧镀层,36第2中间镀层,37第2外侧镀层,40第1传热层,40e端,41第2传热层,41e端,43绝缘保护层,45第1导电树脂层,45e端,46第
2导电树脂层,46e端,50配线基板,51绝缘基板,52、53电配线,
54、55导电性接合部件。
Claims (13)
1.一种片式电阻器,其特征在于,包括:
绝缘基板,其包含第1主面、第1侧面和与所述第1侧面相反侧的第2侧面;
第1电极,其设置于所述绝缘基板的所述第1侧面侧;
第2电极,其设置于所述绝缘基板的所述第2侧面侧,且与所述第1电极分离;
设置在所述第1主面上的电阻体;
第1传热层;
与所述第1传热层分离的第2传热层;和
设置在所述电阻体上的绝缘保护层,
所述第1侧面和所述第2侧面分别与所述第1主面连接,
所述第1电极包括设置在所述第1主面上的第1正面电极,
所述第2电极包括设置在所述第1主面上的与所述第1正面电极分离的第2正面电极,
所述电阻体与所述第1正面电极和所述第2正面电极接触,
所述第1传热层具有比所述绝缘保护层大的热传导率,且与所述电阻体和所述第1正面电极接触,
所述第2传热层具有比所述绝缘保护层大的热传导率,且与所述电阻体和所述第2正面电极接触,
所述绝缘保护层使所述第1电极与所述第2电极相互电绝缘,并且使所述第1传热层与所述第2传热层相互电绝缘。
2.如权利要求1所述的片式电阻器,其特征在于:
所述第1传热层和所述第2传热层分别包含粘合剂树脂和添加于所述粘合剂树脂中的热传导性颗粒。
3.如权利要求2所述的片式电阻器,其特征在于:
所述粘合剂树脂由环氧树脂、酚醛树脂或它们的组合形成,
所述热传导性颗粒是碳颗粒、金属颗粒或它们的组合。
4.如权利要求1至3中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述第1传热层和所述第2传热层各自具有导电性。
5.如权利要求4所述的片式电阻器,其特征在于,还包括:
第1导电树脂层,其具有比所述绝缘保护层大的热传导率,
第2导电树脂层,其具有比所述绝缘保护层大的热传导率,且与所述第1导电树脂层分离,
所述第1电极还包括第1金属镀层,
所述第2电极还包括第2金属镀层,
所述第1导电树脂层设置在所述第1传热层和所述绝缘保护层上,
所述第1金属镀层设置在所述第1传热层和所述第1导电树脂层上,
所述第2导电树脂层设置在所述第2传热层和所述绝缘保护层上,
所述第2金属镀层设置在所述第2传热层和所述第2导电树脂层上,
在俯视所述第1主面时,所述第1金属镀层的第1端比所述第1传热层的第2端靠近所述第2传热层的第3端,并且,所述第2金属镀层的第4端比所述第2传热层的所述第3端靠近所述第1传热层的所述第2端,
在俯视所述第1主面时,所述第1金属镀层的所述第1端是所述第1金属镀层的相对于所述第1侧面的远端,
在俯视所述第1主面时,所述第1传热层的所述第2端是所述第1传热层的相对于所述第1侧面的远端,
在俯视所述第1主面时,所述第2传热层的所述第3端是所述第2传热层的相对于所述第2侧面的远端,
在俯视所述第1主面时,所述第2金属镀层的所述第4端是所述第2金属镀层的相对于所述第2侧面的远端。
6.如权利要求5所述的片式电阻器,其特征在于:
在俯视所述第1主面时,所述第1导电树脂层的第5端比所述第1传热层的所述第2端靠近所述第2传热层的所述第3端,且所述第2导电树脂层的第6端比所述第2传热层的所述第3端靠近所述第1传热层的所述第2端,
在俯视所述第1主面时,所述第1导电树脂层的所述第5端是所述第1导电树脂层的相对于所述第1侧面的远端,
在俯视所述第1主面时,所述第2导电树脂层的所述第6端是所述第2导电树脂层的相对于所述第2侧面的远端。
7.如权利要求5或6所述的片式电阻器,其特征在于:
所述绝缘基板包括与所述第1主面相反侧的第2主面,
所述第1电极包括设置在所述第2主面上的第1背面电极,
所述第2电极包括设置在所述第2主面上的第2背面电极,
所述第1金属镀层与所述第1正面电极和所述第1背面电极接触,
所述第2金属镀层与所述第2正面电极和所述第2背面电极接触。
8.如权利要求5至7中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述第1金属镀层包括与所述第1正面电极接触的第1铜镀层,
所述第2金属镀层包括与所述第2正面电极接触的第2铜镀层。
9.如权利要求1至8中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
所述第1传热层的第1电阻率为所述电阻体的电阻率的1000倍以上,
所述第2传热层的第2电阻率为所述电阻体的所述电阻率的1000倍以上。
10.如权利要求1至4中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
在俯视所述第1主面时,所述第1传热层覆盖所述电阻体的面积的20%以上,且所述第2传热层覆盖所述电阻体的所述面积的20%以上。
11.如权利要求1至4中任一项所述的片式电阻器,其特征在于:
在所述电阻体设置有修整槽,
在俯视所述第1主面时,所述第1传热层覆盖所述修整槽的至少一部分。
12.如权利要求11所述的片式电阻器,其特征在于:
在俯视所述第1主面时,所述第1传热层覆盖所述修整槽的全长的50%以上。
13.如权利要求11所述的片式电阻器,其特征在于:
在俯视所述第1主面时,所述第1传热层覆盖所述修整槽的整体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021160318 | 2021-09-30 | ||
JP2021-160318 | 2021-09-30 | ||
PCT/JP2022/024172 WO2023053594A1 (ja) | 2021-09-30 | 2022-06-16 | チップ抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN118020117A true CN118020117A (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=85780556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280065801.9A Pending CN118020117A (zh) | 2021-09-30 | 2022-06-16 | 片式电阻器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240212890A1 (zh) |
JP (1) | JPWO2023053594A1 (zh) |
CN (1) | CN118020117A (zh) |
DE (1) | DE112022004740T5 (zh) |
WO (1) | WO2023053594A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3665385B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2005-06-29 | ローム株式会社 | 電子部品 |
JP4061729B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2008-03-19 | 松下電器産業株式会社 | 抵抗器およびその製造方法 |
JP2007088161A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Koa Corp | チップ抵抗器 |
JP2008277638A (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器及びその製造方法 |
JP6453599B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-01-16 | Koa株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
JP7086985B2 (ja) * | 2017-11-02 | 2022-06-20 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
JP7336636B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2023-09-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
2022
- 2022-06-16 DE DE112022004740.2T patent/DE112022004740T5/de active Pending
- 2022-06-16 WO PCT/JP2022/024172 patent/WO2023053594A1/ja active Application Filing
- 2022-06-16 CN CN202280065801.9A patent/CN118020117A/zh active Pending
- 2022-06-16 JP JP2023551074A patent/JPWO2023053594A1/ja active Pending
-
2024
- 2024-03-04 US US18/594,657 patent/US20240212890A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023053594A1 (ja) | 2023-04-06 |
JPWO2023053594A1 (zh) | 2023-04-06 |
DE112022004740T5 (de) | 2024-07-18 |
US20240212890A1 (en) | 2024-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10832837B2 (en) | Chip resistor and method for manufacturing the same | |
JP7461422B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2024010234A (ja) | チップ抵抗器 | |
US20240029925A1 (en) | Resistor | |
JP2018074143A (ja) | 抵抗素子及び抵抗素子アセンブリ | |
KR20170083335A (ko) | 칩 저항 소자 | |
JP7380980B2 (ja) | チップ抵抗器の抵抗層形成用ペースト及びチップ抵抗器 | |
KR102632374B1 (ko) | 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리 | |
CN118020117A (zh) | 片式电阻器 | |
CN113053602B (zh) | 电阻器组件 | |
KR101075664B1 (ko) | 칩 저항기 및 이의 제조 방법 | |
US20240212889A1 (en) | Chip resistor | |
CN113412524B (zh) | 电阻器 | |
CN118176550A (zh) | 片式电阻器 | |
US20230368949A1 (en) | Chip resistor | |
US20230343492A1 (en) | Chip resistor and method of manufacturing the same | |
KR101843252B1 (ko) | 칩 저항 소자 및 칩 저항 소자 어셈블리 | |
WO2024157562A1 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP4569152B2 (ja) | 回路保護素子の製造方法 | |
CN114974767A (zh) | 片式电阻器组件 | |
CN113826173A (zh) | 电阻器 | |
CN118414679A (zh) | 片式电阻器 | |
JPWO2023074131A5 (zh) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |