JP6453599B2

JP6453599B2 - チップ抵抗器の製造方法

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Publication number: JP6453599B2
Application number: JP2014197236A
Authority: JP
Inventors: 松本　健太郎; 健太郎松本
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 2014-09-26
Filing date: 2014-09-26
Publication date: 2019-01-16
Anticipated expiration: 2034-09-26
Also published as: JP2016072298A

Description

本発明は、チップ抵抗器の製造方法に係り、特に、抵抗値修正方法に関するものである。

チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護層等によって主に構成されている。

一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判の集合基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護層等を一括して形成した後、この集合基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、集合基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難いため、集合基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値に設定するという抵抗値調整作業が行われる。

この抵抗値調整作業では、抵抗体によって橋絡されている一対の表電極にプローブを接触させて抵抗値を測定しながら、該抵抗体にレーザー光を照射してトリミング溝を形成していく。そして、トリミング溝を長くするのに伴って抵抗体の抵抗値が高くなっていくので、トリミング対象の抵抗体の抵抗値が目標となる抵抗値（基準抵抗値）に到達した時点で、レーザー光の照射を停止して抵抗値調整作業を終了する。

しかしながら、トリミング溝を形成する前の抵抗値（初期抵抗値）は必ずしも基準抵抗値より低くなっているとは限らず、抵抗体の印刷条件や焼成条件等のバラツキにより、初期抵抗値が基準抵抗値よりも高くなってしまうことがあり、その場合はトリミングをしても抵抗値を下げることが不可能となるため、不良品として破棄せざるを得なくなる。

そこで従来より、抵抗体の初期抵抗値が基準抵抗値よりも高いときに、その抵抗体の上に別の抵抗ペーストを印刷して再度焼成することで初期抵抗値を下げた後、このように２層構造にした抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整するという技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。かかる従来技術のように、絶縁基板上に既に形成されている抵抗体の上に別途抵抗ペーストを重ね合わせて印刷し、この抵抗ペーストを焼成して抵抗体の初期抵抗値を低くすれば、それまで不良品として破棄していた部品を良品とすることが可能となるため、歩留まりが向上して安価なチップ抵抗器を提供することができる。

特開昭６１−１１９００４号公報

ところで、この種のチップ抵抗器において、抵抗体の両端に接続する表電極の比抵抗はできるだけ低いことが好ましく、それ以外にも材料費や対環境性等の様々な要因により、通常、表電極には銀を多く含有（例えば銀１００％や、銀９８％−パラジウム２％）するペースト材料が使用されている。しかし、このような銀リッチの材料で形成された表電極に、その一部が重なるように抵抗ペーストを印刷・焼成して抵抗体を形成すると、焼成時に表電極の銀が抵抗体の中に拡散してしまい、抵抗体が温度特性の悪い銀材料の影響を受けてＴＣＲ特性を悪化させたり、抵抗体に接続するエッジ部分の表電極の銀が無くなってセパレーション現象を起こすことがあり、最悪の場合は断線に至ることもある。特に、特許文献１に開示された従来技術のように、抵抗体を２層構造にして抵抗値を下げるようにしたチップ抵抗器の場合、１層目の抵抗体を焼成するときに銀が拡散するだけでなく、２層目の抵抗体を焼成するときに銀の拡散がさらに進むため、上記したＴＣＲ特性の悪化やセパレーションといった問題が顕著なものとなる。

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、銀の拡散による悪影響を抑制した上で抵抗体の初期抵抗値を下げることが可能なチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の表面に銀を主成分とするペースト材料を印刷・焼成して一対の表電極を形成する工程と、これら一対の表電極に跨るように抵抗ペーストを印刷・焼成して抵抗体を形成する工程と、一対の前記表電極にプローブを接触させて前記抵抗体の初期抵抗値を測定する工程と、前記初期抵抗値が基準抵抗値よりも高い場合にのみ、前記表電極を覆って前記抵抗体の端部に重なるように一対の補助電極を形成する工程と、前記補助電極の形成後に前記抵抗体を再焼成して初期抵抗値を下げる工程と、一対の前記補助電極にプローブを接触させて前記抵抗体の抵抗値を測定しながら前記抵抗体にトリミング溝を形成する工程と、を含み、前記表電極がパラジウムを１〜５重量％含み残部を銀とする材料からなると共に、前記補助電極がパラジウムとそれより比抵抗の低い金属材料を１５〜３０重量％含み残部を銀とする材料からなることを特徴としている。

本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、一対の表電極にプローブを接触させて抵抗体の初期抵抗値を測定したとき、その抵抗値が目標とする基準抵抗値より高くなっていても、これを不良品として破棄せずに表電極の上に補助電極を重ねて形成し、しかる後に抵抗体を再焼成して初期抵抗値を下げるようにしてある。ここで、下層の表電極は銀を主成分とする材料からなるため、抵抗体を繰り返し焼成したときの抵抗値変化量（降下量）は大きくなるが、その反面、表電極の銀が抵抗体に拡散する量が増えることで、抵抗体に接続するエッジ部分の表電極にセパレーション現象が発生し易くなる。一方、上層の補助電極は銀の含有量が少なく残部にパラジウムを多く含む材料からなるため、拡散によって無くなった表電極のエッジ部分において補助電極のパラジウムにより導通が確保され、セパレーションに起因する断線事故を確実に防止することができる。しかも、表電極がパラジウムを１〜５重量％含み残部を銀とする材料からなり、補助電極がパラジウムとそれより比抵抗の低い金属材料を１５〜３０重量％含み残部を銀とする材料からなるため、表電極と補助電極に含まれるパラジウムによって両者の密着性が高まるだけでなく、補助電極にパラジウムよりも比抵抗の低い金等の金属材料が含まれているため、トリミング溝を形成する抵抗値調整時に補助電極に対するプローブの接触位置がばらついたとしても、そのばらつきが抵抗値測定の精度に影響を及ぼすことはほとんどなく、安定した抵抗値測定を行うことができる。

上記の製造方法において、一対の補助電極の対向間距離は予め一定に設定しておいても良いが、初期測定値の基準抵抗値に対するズレ量に応じて補助電極の対向間距離を変更するようにしておくと、抵抗値調整のしやすい初期抵抗値を狙って抵抗値を変更することができる。

上記の製造方法において、補助電極をその対向間距離が表電極の対向間距離よりも狭くなるように抵抗体の端部に重ね合わせておくと、抵抗体を再焼成することで抵抗値を下げるだけでなく、補助電極の対向間距離によっても抵抗値を下げることができる。すなわち、抵抗体に流れる電流の電極間距離は表電極と補助電極の対向間距離のうち狭い方によって決定されるため、補助電極の対向間距離を表電極よりも狭くしておけば、その分だけ抵抗体の初期抵抗値を下げることが可能となる。また、抵抗体に流れる電流は、パラジウムを多く含有する補助電極を流れることにより、銀が多く拡散している表電極付近の抵抗体部分を跳び越すため、温度特性も良くなる。

本発明によるチップ抵抗器の製造方法では、測定した抵抗値が基準抵抗値を越えて高くなった場合でも、抵抗体を再焼成することで銀の拡散による悪影響を防止しつつ抵抗値を下げることが可能となる。

本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。図５に示す工程で製造されたチップ抵抗器の断面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表電極３と、これら表電極３に跨るように設けられた抵抗体４と、表電極３を覆って抵抗体４の端部に重なるように設けられた一対の補助電極５と、抵抗体４を被覆する第１保護層６と、第１保護層６を被覆する第２保護層７と、絶縁基板２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏電極８と、絶縁基板２の側面に設けられて対応する表電極３と補助電極５および裏電極８を橋絡する一対の端面電極９と、補助電極５と裏電極８および端面電極９を被覆するメッキ層１０とによって主に構成されている。

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は後述する大判の集合基板（図２参照）を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

表電極３はＰｄ（パラジウム）を１〜５ｗｔ％含有するＡｇ（銀）系ペースト材料、例えばＡｇが９８ｗｔ％でＰｄを２ｗｔ％含有するＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、一対の表電極３は絶縁基板２上で対向間距離Ｌ１を隔てて対向している。

抵抗体４は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体４の両端部は表電極３に重なっている。なお、詳細については後述するが、抵抗体４と第１保護層６にレーザー光を照射してトリミング溝を形成することにより、チップ抵抗器１の抵抗値が目標となる基準抵抗値に調整されるようになっている。

補助電極５はＰｄとそれより比抵抗の低い金属材料（例えば金や銅）を１５〜３０ｗｔ％含有して残部がＡｇのＡｇ系ペースト材料をスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、本実施形態例の場合は、Ｐｄを２０ｗｔ％、Ａｕ（金）を５ｗｔ％含んで残部（７５ｗｔ％）がＡｇのＡｇ−Ｐｄ−Ａｕペーストが使用されている。一対の補助電極５は抵抗体４上で対向間距離Ｌ２を隔てて対向しており、この対向間距離Ｌ２はスクリーン印刷のマスクパターンを選択することで任意に設定可能であるが、本実施形態例の場合は、一対の表電極３の対向間距離Ｌ１よりも一対の補助電極５の対向間距離Ｌ２の方が狭く設定されている（Ｌ１＞Ｌ２）。

第１保護層６と第２保護層７は２層構造の絶縁層を構成し、そのうち第１保護層６はトリミング溝を形成する前に抵抗体４を覆うアンダーコート層であり、第２保護層７はトリミング溝を形成した後の第１保護層６を覆うオーバーコート層である。第１保護層６はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この第１保護層６は抵抗体４の上面を覆って補助電極５の端部に重なっている。第２保護層７はエポキシ樹脂系ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）させたものであり、この第２保護層７は第１保護層６の上面と端面を全て覆っている。

裏電極８はＡｇペーストやＰｄの含有量が少ないＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。

端面電極９はニッケル（Ｎｉ）／クロム（Ｃｒ）等をスバッタすることによって形成されたものであり、この端面電極９と補助電極５および裏電極８はＮｉメッキや半田メッキ等のメッキ層１０によって覆われている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。

まず、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された集合基板２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって集合基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図２には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

そして、集合基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図２（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極８を形成する（図３のＳ−１）。

次なる工程として、集合基板２Ａの表面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図２（ｂ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する（図３のＳ−２）。前述したように、表電極３を形成する材料にはＡｇを多量に含有する銀リッチのＡｇ−Ｐｄペースト、例えばＡｇが９８ｗｔ％でＰｄを２ｗｔ％含有するＡｇ−Ｐｄペーストが用いられている。

次なる工程として、表電極３と裏電極８を約８５０℃の高温で同時に焼成する（図３のＳ−３）。なお、これら表電極３と裏電極８は個別に焼成しても良く、その形成順を逆にして裏電極８よりも表電極３を先に形成するようにしても良い。

次なる工程として、集合基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図２（ｃ）に示すように、両端部を表電極３に重ね合わせた抵抗体４を形成した後（図３のＳ−４）、これを約８５０℃の高温で焼成する（図３のＳ−５）。

次なる工程として、一対の表電極３に図示せぬプローブをそれぞれ接触させ、これらプローブを介して抵抗体４の初期抵抗値を測定する（図３のＳ−６）。そして、測定した初期抵抗値が目標となる基準抵抗値を越えているか否かを判定し（図３のＳ−7）、測定した初期抵抗値が基準抵抗値を越えて高くなっている場合（Ｓ−７でＹＥＳ）は図４のＳ−８へと進む。

このＳ−８では、Ｓ−６で測定した集合基板２Ａ上における各抵抗体４の抵抗値分布を基に、予め準備された複数種類の印刷マスクの中から所望の電極間パターンを選定して、次工程で形成される補助電極５の対向間距離Ｌ２を決定する。すなわち、抵抗体４に流れる電流の電極間距離は表電極３と補助電極５の対向間距離Ｌ１，Ｌ２のうち狭い方によって決定されるため、測定した抵抗値の大部分が基準抵抗値を大きく越えている抵抗値分布の場合は、Ｌ１＞Ｌ２となる短めの電極間パターンを選定し、測定した抵抗値の大部分が基準抵抗値をそれほど越えていない抵抗値分布の場合、あるいは測定した抵抗値が基準抵抗値を越えているものと越えていないものを混在している抵抗値分布の場合は、Ｌ１≦Ｌ２となる長めの電極間パターンを選定する。

次なる工程では、選定した電極間パターンを有する印刷マスクを用いて、表電極３の上からＰｄとＡｕを１５〜３０ｗｔ％含有するＡｇ系ペースト、例えばＡｇ（７５％）−Ｐｄ（２０％）−Ａｕ（５％）ペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図２（ｄ）に示すように、表電極３を覆って抵抗体４の端部に重なる一対の補助電極５を形成した後（図４のＳ−９）、これを約８５０℃の高温で焼成する（図４のＳ−１０）。

次なる工程として、抵抗体４を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、図２（ｅ）に示すように、抵抗体４を被覆する第１保護層６を形成した後（図４のＳ−１１）、これを約６００℃の温度で焼成する（図４のＳ−１２）。

次なる工程として、一対の補助電極５にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値を測定しながら、レーザー光を照射して第１保護層６と抵抗体４に図示せぬトリミング溝を形成することにより、抵抗体４の抵抗値が基準抵抗値となるように抵抗値調整する（図４のＳ−１３）。

次なる工程として、第１保護層６を覆うようにエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して約２００℃の温度で加熱硬化（焼付け）することにより、図２（ｆ）に示すように、第１保護層６の全部と補助電極５の端部を覆う第２保護層７を形成する（図４のＳ−１４）。なお、前述した第１保護層６はレーザー光の熱で抵抗体４のトリミング溝近傍が損傷しないようにするためのものであり、この第２保護層７は抵抗体４を外部環境から保護するためのものである。

これまでの工程は集合基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより（図４のＳ−１５）、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

そして、次なる工程で、短冊状基板２Ｂの分割面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングすることにより、図２（ｇ）に示すように、表電極３と補助電極５および裏電極８を橋絡する一対の端面電極９を形成する（図４のＳ−１６）。しかる後、短冊状基板を二次分割溝に沿って二次分割することにより（図４のＳ−１７）、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体（個片）を得る。

最後に、各チップ単体の下地電極層（補助電極５と裏電極８および端面電極９）に対してＮｉメッキや半田メッキを施すことにより、図２（ｈ）に示すように、この下地電極層を被覆する積層構造のメッキ層１０を形成し（図４のＳ−１８）、図１に示すようなチップ抵抗器１が完成する。

上記したＳ−８からＳ−１８の各工程は、初期抵抗値が目標とする基準抵抗値を越えてしまった場合に実行される工程であるが、Ｓ−６で測定した抵抗値の全部もしくは大部分が基準抵抗値を大きく下回っている場合、すなわち、Ｓ−７において初期抵抗値が基準抵抗値よりも低い場合（ＮＯ）は、図５のＳ−１９へ進んで図６に示すようなチップ抵抗器２０が製造される。

このＳ−１９では、抵抗体４を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥することにより、抵抗体４を被覆する第１保護層６を形成した後、これを約６００℃の温度で焼成する（図５のＳ−２０）。

次なる工程として、一対の表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の抵抗値を測定しながら、レーザー光を照射して第１保護層６と抵抗体４にトリミング溝を形成することにより、抵抗体４の抵抗値が基準抵抗値となるように抵抗値調整する（図５のＳ−２１）。

次なる工程として、第１保護層６を覆うようにエポキシ系等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して約２００℃の温度で加熱硬化（焼付け）することにより、第１保護層６の全部を覆う第２保護層７を形成する（図５のＳ−２２）。

これまでの工程は集合基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板を得る（図５のＳ−２３）。

そして、次なる工程で、短冊状基板の分割面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングすることにより、表電極３と補助電極５および裏電極８を橋絡する一対の端面電極９を形成する（図５のＳ−２４）。しかる後、短冊状基板を二次分割溝に沿って二次分割することにより（図５のＳ−２５）、チップ抵抗器１と同等の大きさのチップ単体（個片）を得る。

最後に、各チップ単体の下地電極層（補助電極５と裏電極８および端面電極９）に対してＮｉメッキや半田メッキを施すことにより、この下地電極層を被覆する積層構造のメッキ層１０を形成し（図５のＳ−２６）、図６に示すようなチップ抵抗器２０が完成する。

以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、一対の表電極３にプローブを接触させて抵抗体４の初期抵抗値を測定したとき、その抵抗値が目標とする基準抵抗値を越えて高くなってしまった場合でも、その後に表電極３に重なる補助電極５を形成したり第１および第２保護層６，７を形成する工程で、繰り返しの焼成を行うことによって抵抗体４の抵抗値を下げることが可能となるため、それまで不良品として破棄していたものを良品として再生することができる。この場合において、繰り返しの焼成によって表電極３のＡｇが抵抗体４側へ多量に拡散しても、拡散によって無くなった表電極３のエッジ部分において補助電極５のＰｄにより導通が確保されるため、セパレーションに起因する断線事故を確実に防止することができる。しかも、補助電極５にはＰｄより比抵抗の低いＡｕ等が含まれているため、抵抗体４をトリミングして抵抗値を上げる抵抗値調整時（図４のＳ−１３参照）に、補助電極５に対するプローブの接触位置がばらついたとしても、そのばらつきが抵抗値測定の精度に影響を及ぼすことはほとんどなく、安定した抵抗値測定を行うことができる。

また、本実施形態例に係るチップ抵抗器１の製造方法では、初期測定値の基準抵抗値に対するズレ量に応じて補助電極５の対向間距離Ｌ２を変更できるようになっており、図３のＳ−６で測定した集合基板２Ａ上における各抵抗体４の抵抗値分布を基に、予め準備された複数種類の印刷マスクの中から所望の電極間パターンを選定することにより、次工程で形成される補助電極５の対向間距離Ｌ２を決定するようにしている。このため、初期測定値が基準抵抗値を大きく越えてしまった場合でも、補助電極５の対向間距離Ｌ２が表電極３の対向間距離Ｌ１よりも狭くなるような電極間パターンを選定すれば、そのような補助電極５を形成することで抵抗体４の抵抗値を下げることが可能となる。しかも、抵抗体４に流れる電流はＰｄを多く含有する補助電極５を流れることにより、Ａｇが多く拡散している表電極３付近の抵抗体４部分を跳び越すため、温度特性も良くなる。

なお、上記実施形態例では、測定した抵抗値分布に基づいて補助電極５の対向間距離Ｌ２を最適寸法に選択する工程（図４のＳ−８）を備えているが、補助電極５の対向間距離Ｌ２は常に一定で変更不能であっても良い。この場合、補助電極５の対向間距離Ｌ２が表電極３の対向間距離Ｌ１よりも広く（Ｌ２＞Ｌ１）設定されていても、繰り返しの焼成によって抵抗体４の抵抗値を下げることは可能であるが、図１に示すように、補助電極５の対向間距離Ｌ２が表電極３の対向間距離Ｌ１よりも狭く（Ｌ１＞Ｌ２）設定されている方が好ましい。

１チップ抵抗器
２絶縁基板
２Ａ集合基板
２Ｂ短冊状基板
３表電極
４抵抗体
５補助電極
６第１保護層
７第２保護層
８裏電極
９端面電極
１０メッキ層

Claims

絶縁基板の表面に銀を主成分とするペースト材料を印刷・焼成して一対の表電極を形成する工程と、これら一対の表電極に跨るように抵抗ペーストを印刷・焼成して抵抗体を形成する工程と、一対の前記表電極にプローブを接触させて前記抵抗体の初期抵抗値を測定する工程と、前記初期抵抗値が基準抵抗値よりも高い場合にのみ、前記表電極を覆って前記抵抗体の端部に重なるように一対の補助電極を形成する工程と、前記補助電極の形成後に前記抵抗体を再焼成して初期抵抗値を下げる工程と、一対の前記補助電極にプローブを接触させて前記抵抗体の抵抗値を測定しながら前記抵抗体にトリミング溝を形成する工程と、を含み、
前記表電極がパラジウムを１〜５重量％含み残部を銀とする材料からなると共に、前記補助電極がパラジウムとそれより比抵抗の低い金属材料を１５〜３０重量％含み残部を銀とする材料からなることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
請求項１の記載において、前記初期抵抗値の基準抵抗値に対するズレ量に応じて前記補助電極の対向間距離を変更するようにしたことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
請求項１または２の記載において、前記補助電極をその対向間距離が前記表電極の対向間距離よりも狭くなるように前記抵抗体の端部に重ね合わせたことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。