JP4600065B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4600065B2
JP4600065B2 JP2005027164A JP2005027164A JP4600065B2 JP 4600065 B2 JP4600065 B2 JP 4600065B2 JP 2005027164 A JP2005027164 A JP 2005027164A JP 2005027164 A JP2005027164 A JP 2005027164A JP 4600065 B2 JP4600065 B2 JP 4600065B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal base
solder
semiconductor device
dam
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005027164A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006216729A (ja
Inventor
進 鳥羽
両角　　朗
一生 降幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Systems Co Ltd filed Critical Fuji Electric Systems Co Ltd
Priority to JP2005027164A priority Critical patent/JP4600065B2/ja
Priority to US11/337,687 priority patent/US7514785B2/en
Priority to CN200610004666XA priority patent/CN1819161B/zh
Priority to DE102006004788.5A priority patent/DE102006004788B4/de
Publication of JP2006216729A publication Critical patent/JP2006216729A/ja
Priority to US12/320,028 priority patent/US7781258B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4600065B2 publication Critical patent/JP4600065B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0323—Carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0545—Pattern for applying drops or paste; Applying a pattern made of drops or paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に、パワーモジュールなどの、回路基板の一方の面に半導体チップを、他方の面に半導体チップで発生した熱を放熱させる金属ベースを接合した半導体装置及びその製造方法に関する。
パワーモジュールなどの半導体装置の製造の際、半田付けにより金属ベース上へ複数の放熱絶縁基板の接合を行っている。その際、従来では、一般に市販されているソルダレジストを金属ベース上へ印刷し、乾燥させて半田流れを防止していた（例えば特許文献１参照）。また、ソルダレジストが使用できない組み立て環境下では、基板を位置決め治具などで固定して半田接合を行っていた。
一方で、半田流れを防止するために、レーザービームにより金属ベースへ酸化膜や凹みを形成する方法もあるが、半田の量が多くなると（厚さで０．０５ｍｍ以上）ほとんど効果がない。
特開平６−２４４２２４号公報（段落番号〔００１０〕）
しかし、従来のソルダレジストでは印刷用のスクリーンを製版製作することと、印刷から乾燥までの工程に費用及び時間がかかるという問題があった。
また、ソルダレジストは、一般にエポキシ樹脂などの有機物なので、半田耐熱がそれほど高くなく、例えば、水素ガス雰囲気中のフラックスレス半田付けの際に、ソルダレジストからのアウトガスの発生により半田付け性が阻害され、装置の汚染などの問題があり、使用が制限されていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半田流れを防止するためのダム材の作成が容易であり、しかも信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明では上記問題を解決するために、回路基板の一方の面に半導体チップを、他方の面に前記半導体チップで発生した熱を放熱させる金属ベースを接合した半導体装置において、複数の前記回路基板を前記金属ベース上へ接合する際に用いる半田の流動を制限するように、ダム材が鉛筆で所定のパターンで描画され前記金属ベース上に配置されたダム部を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
上記の構成によれば、鉛筆で所定のパターンで描画して金属ベース上に配置したダム部により、複数の回路基板を金属ベース上へ接合する際に用いる半田の流動を制限する。
本発明は、従来のソルダレジストと異なり、鉛筆で所定のパターンで描画して金属ベース上に配置したダム部により、複数の回路基板を金属ベース上へ接合する際に用いる半田の流動を制限するので、半田付け時の半田流れを防止可能な半導体装置を容易に作成できる。また、従来のように印刷用のスクリーンの製版製作や印刷を行わないので、コストの削減も期待できる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施の形態の半導体装置の主要部の斜視図である。
本実施の形態の半導体装置１０は、回路基板１１の一方の面に半導体チップ１２を、他方の面にこの半導体チップ１２で発生した熱を放熱させる金属ベース１３を接合したものであり、複数の回路基板１１を金属ベース１３上へ接合する際に用いる半田１４の流動を制限するダム材１５を金属ベース１３上に配置した構成となっている。
ここで、回路基板１１は、セラミックス基板の表裏両面に直接接合法（Direct Bonding）や、活性金属接合法（Active Metal Bonding）などにより、導体パターンを接合して構成された放熱絶縁基板であり、以下、銅をセラミックス基板の表裏両面に接合した、ＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板を用いるものとして説明する。
半導体チップ１２は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワーモジュール用の素子であり、図示しない半田により回路基板１１に接合される。
金属ベース１３は、搭載されている半導体チップ１２で発生した熱を放熱させる機能を有するヒートシンクであり、例えば、Ｎｉ（ニッケル）がめっきされたＣｕ（銅）が用いられる。
本実施の形態の特徴部であるダム材１５は、金属ベース１３上に、描画や、溶射法や、めっきによって所定のパターンのダム部として形成されている。
図２、３は、ダム部のパターンを示す図である。
図２（Ａ）で示すダム部１５ａのパターンは一般的なものであり、それぞれの回路基板１１の裏面の銅板外形１１ａ（点線で図示している（以下の図も同様））を囲うようにダム部１５ａを形成するパターンである。図２（Ｂ）は、６つの回路基板１１の銅板外形１１ａを囲うようにダム部１５ｂを形成するパターンである。これは、半田量が少なく、回路基板１１間での半田の流出が少ない場合に用いられる。
図３（Ａ）で示すダム部１５ｃのパターンは、それぞれの回路基板１１の裏面の銅板外形１１ａと同寸法か、少し小さめに形成した例である。また、図３（Ｂ）で示すダム部１５ｄのパターンは、それぞれの回路基板１１の銅板外形１１ａ間にのみに形成した例であり、図１に示したものと同じである。使用する半田の量が多い場合は、この図３（Ｂ）のように、パターンの幅を太くしたダム部１５ｄを形成すると、効果的に半田の流出を防止できる。また、半田の流出があっても支障がない側はパターンを形成しないようにすれば、半田付け時にそちら側に半田が流れ、流出を防止したい側の半田の流出を効果的に防止できる。
以下、ダム材１５の形成方法について説明する。
ダム材１５に用いる材料は、半田耐熱性の高い無機材料を主成分とするものを用いる。具体的には、カーボンやセラミックスの微粒子を主成分とし、このような微粒子を揮発性のあるバインダーと混成したものを用いる。セラミックスを主成分としたダム材として、セラミックス製の部材の接合に用いるセラミックス接着剤を適用してもよい。セラミックス接着剤は、珪酸と硼酸を主成分とし１０００℃以上に耐える。ただし、セラミックス接着剤の中で、有機バインダーが乾燥後に残らないものを用いる。これにより、水素還元雰囲気での半田付けに使用できる。セラミックス系の場合は、絶縁性がよいものを選び厚く塗布することで、ダム効果と電気的絶縁が更に高まる。これらの材料により、例えば、ディスペンサによる微小塗布技術を用い、金属ベース１３上に所定のパターンのダム材１５を描画して形成する。スクリーン印刷の手法を用いてもよい。これにより、数のまとまった量産品を、効率よくインライン自動化で製造することができ、半導体装置１０の高品質・高信頼性・低価格・製作期間短縮が図れる。
また、ダム材１５として、鉛筆の芯などの固形のカーボンを用いてもよい。鉛筆の芯はカーボンのほかに粘土が含まれるが、半田付けに問題はなく、半田をはじく効果のほうが大きい。鉛筆を用いた描画の際には、例えばテンプレートを重ねてパターンを描画する。このとき、カーボンをより多く金属ベース１３に付着させるために、鉛筆の芯の硬さは２Ｂ〜６Ｂのものが望ましい。描画後は、エアーなどで不要な（表面に浮いている）ものを除去する。
パターン描画は、デジタルデータに基づいてディスペンサを用いて自動的に行うようにしてもよいが、特に鉛筆描画のような場合は、人手によって描画するようにしてもよい。これは、少量多品種の製品を製作するのに向いている。この場合でも、品質・信頼性・価格・製作期間短縮を十分満足する。
また、半田濡れ性の低い（半田が濡れない）金属またはセラミックスを主成分としたダム材１５を、金属ベース１３上に溶射してダム部を形成してもよい。溶射法は、コーティング材料を加熱により溶融もしくは軟化させ、微粒子状にして加速し被覆対象物表面に衝突させて、扁平に潰れた粒子を凝固・堆積させることにより皮膜を形成する方法である。溶射法には、常温溶射やプラズマ溶射法などがある。また、半田が濡れない金属の例として、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）などがある。溶射法はコストが高めとなるが、使える素材が多く、厚さを自由に設定でき、製品の用途にあった材質選定が可能である。
また、Ｃｒなどのダム材は、めっきにより所定のパターンのダム部を形成できる。めっきは厚さを０．０１ｍｍ以下にできるので厚さの制限をしたい場合に用いる。また、金属ベース１３のＮｉめっき工程につづいて所望のパターンでＣｒめっきを施しておけばよい。
このようなダム部を金属ベース１３上に形成することで、半田の流動を制限でき、エポキシ樹脂などの有機物からなるソルダレジストとして用いた場合のように、半田付け時のアウトガスの発生させることがない。これにより、半田付け時において、半田付け性が阻害されることがなく、装置汚染も回避できる。
上記のように構成した半導体装置１０に更に、基板位置決め用のカーボン治具と、カーボン材などの仕切り板を用いるとさらに効果的に半田の流出が防止できる。
図４は、金属ベースへカーボン治具を取り付けた状態を示す図である。
カーボン治具は、外枠１６ａと、内駒１６ｂとから構成され、回路基板１１、半導体チップ１２、金属ベース１３と、半田１４（ここでは図示を省略している）の位置を固定する。また、仕切り板１７を図１で示したダム部の上部に配置しており、半田量が多い時に半田流れを効果的に防止できる。仕切り板１７は、半田接合部の近傍に配されるため、半田濡れ性の低い材料を選択する必要がある。半田濡れ性の低い材料にセラミックスがある。しかし、セラミックスは剛性がカーボンに比べて高いため、半田付け後の金属ベース１３の収縮により、仕切り板１７が回路基板１１間に挟まれたとき回路基板１１を破損してしまうことがあるので、仕切り板１７はカーボン製とするのが好適である。ウェイト１８は、回路基板１１を押さえるためのものである。
図４のような構成のまま水素雰囲気中にて加熱半田付けを行うことによって各部（回路基板１１と半導体チップ１２及び金属ベース１３）の接合を行う。これにより、効果的に半田の流出が防止でき、回路基板１１同士の機械的破損の防止と電気的絶縁が図れる。
本実施の形態の半導体装置の主要部の斜視図である。 ダム部のパターンを示す図である（その１）。 ダム部のパターンを示す図である（その２）。 金属ベースへカーボン治具を取り付けた状態を示す図である。
符号の説明
１０ 半導体装置
１１ 回路基板
１２ 半導体チップ
１３ 金属ベース
１４ 半田
１５ ダム材

Claims (3)

  1. 回路基板の一方の面に半導体チップを、他方の面に前記半導体チップで発生した熱を放熱させる金属ベースを接合した半導体装置において、
    複数の前記回路基板を前記金属ベース上へ接合する際に用いる半田の流動を制限するように、ダム材が鉛筆で所定のパターンで描画され前記金属ベース上に配置されたダム部を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 回路基板の一方の面に半導体チップを、他方の面に前記半導体チップで発生した熱を放熱させる金属ベースを接合した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
    複数の前記回路基板を前記金属ベース上へ接合する際に用いる半田の流動を制限するように、前記金属ベース上にダム材を鉛筆で所定のパターンで描画して、ダム部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 前記ダム部上に、
    前記半田の流れ出しを防止し、内駒によって所定の位置に位置決めされた前記半導体チップが接合されたセラミックスの前記回路基板を前記金属ベース上に配置された外枠内の所定の位置に拘束するカーボン製の仕切り板を配置したことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
JP2005027164A 2005-02-03 2005-02-03 半導体装置及びその製造方法 Active JP4600065B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005027164A JP4600065B2 (ja) 2005-02-03 2005-02-03 半導体装置及びその製造方法
US11/337,687 US7514785B2 (en) 2005-02-03 2006-01-24 Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN200610004666XA CN1819161B (zh) 2005-02-03 2006-01-27 半导体器件及其制造方法
DE102006004788.5A DE102006004788B4 (de) 2005-02-03 2006-02-02 Halbleiterbauelement und Fertigungsverfahren für dieses
US12/320,028 US7781258B2 (en) 2005-02-03 2009-01-15 Manufacturing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005027164A JP4600065B2 (ja) 2005-02-03 2005-02-03 半導体装置及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010112867A Division JP5278371B2 (ja) 2010-05-17 2010-05-17 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006216729A JP2006216729A (ja) 2006-08-17
JP4600065B2 true JP4600065B2 (ja) 2010-12-15

Family

ID=36709921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005027164A Active JP4600065B2 (ja) 2005-02-03 2005-02-03 半導体装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7514785B2 (ja)
JP (1) JP4600065B2 (ja)
CN (1) CN1819161B (ja)
DE (1) DE102006004788B4 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212723A (ja) * 2010-05-17 2010-09-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838985B2 (en) * 2007-07-12 2010-11-23 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor assembly that includes a power semiconductor die located on a cell defined by first and second patterned polymer layers
JP4968150B2 (ja) * 2008-04-07 2012-07-04 株式会社豊田自動織機 半導体素子冷却装置
JP4991624B2 (ja) * 2008-05-07 2012-08-01 株式会社フジクラ プリント回路基板及びその製造方法
JP5700034B2 (ja) * 2009-08-10 2015-04-15 富士電機株式会社 半導体モジュール及び冷却器
EP2302676A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-30 ABB Technology AG High power semiconductor device
US20110186265A1 (en) * 2010-02-04 2011-08-04 Gm Global Technology Operations, Inc. Attachment arrangement for a heat sink
JP5645248B2 (ja) * 2010-05-25 2014-12-24 Ｎｅｃネットワークプロダクツ株式会社 プリント配線基板上流体堰き止め用ダム形成方法、そのダム及びプリント配線基板
JP5671351B2 (ja) * 2011-01-12 2015-02-18 昭和電工株式会社 電子素子搭載用基板の製造方法
JP5838559B2 (ja) * 2011-02-08 2016-01-06 富士電機株式会社 半導体装置の組立治具および半導体装置の組立方法
USRE45712E1 (en) * 2013-03-18 2015-10-06 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) Signal conversion device
USD707193S1 (en) * 2013-09-16 2014-06-17 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) Signal conversion device
USD706733S1 (en) * 2013-09-16 2014-06-10 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) Signal conversion device
USRE45741E1 (en) * 2013-03-18 2015-10-13 Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA) Signal conversion device
CN105704938B (zh) * 2016-03-28 2018-07-06 上海美维电子有限公司 线路板的加工方法
JP6868633B2 (ja) * 2016-09-23 2021-05-12 住友精密工業株式会社 冷却装置
KR102570579B1 (ko) * 2018-07-13 2023-08-24 엘지전자 주식회사 냉동기
US11156630B2 (en) 2018-07-23 2021-10-26 CACI, Inc.—Federal Integrated tamper detection system and methods
CN109192716A (zh) * 2018-09-19 2019-01-11 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） 一种igbt模块钎焊结构
JP1642346S (ja) * 2019-03-20 2019-09-30
JP1660133S (ja) * 2019-09-26 2020-05-25
CN113241325A (zh) 2020-01-23 2021-08-10 富士电机株式会社 电子装置以及电子装置的制造方法
CN112436086A (zh) * 2020-11-17 2021-03-02 杭州大和热磁电子有限公司 一种半导体制冷模块

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215027A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd 金属ベースはんだ付部の構造
JPH0223694A (ja) * 1988-07-12 1990-01-25 Murata Mfg Co Ltd チップ部品の取付構造
JPH0324259U (ja) * 1989-07-19 1991-03-13
JPH05166431A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Stanley Electric Co Ltd スイッチの製造方法
JPH06310861A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Oki Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板におけるサーマルビアの形成方法
JP2000311905A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Nippon Inter Electronics Corp 複合半導体装置の製造方法
JP2001068857A (ja) * 1999-07-19 2001-03-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多層セラミック基板およびその製造方法
JP2001519595A (ja) * 1997-10-03 2001-10-23 シャフラー ウント コムパニー ゲゼルシャフト エムベーハー 発熱体とその製造法
JP2003123933A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Hitachi Ltd 絶縁被覆導線と導電部材の接続構造およびその接続方法
JP2004047863A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Toto Ltd 放熱回路基板とその作製方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63218776A (ja) 1987-03-06 1988-09-12 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 耐メツキソルダレジストインク組成物
JPS6450539A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Hitachi Ltd Connection of electronic component and transfer type microlead faceplate used therefor
US5148355A (en) 1988-12-24 1992-09-15 Technology Applications Company Limited Method for making printed circuits
JP2531288B2 (ja) * 1990-02-08 1996-09-04 富士電機株式会社 プリント基板のソルダレジスト
JPH06244224A (ja) 1993-02-15 1994-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の部品半田付け方法
US6376923B1 (en) * 1999-06-08 2002-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device
JP3639505B2 (ja) * 2000-06-30 2005-04-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション プリント配線基板及び半導体装置
JP2002158328A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2004071899A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
EP1571706B1 (en) * 2002-11-21 2018-09-12 Hitachi, Ltd. Electronic device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215027A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Hitachi Ltd 金属ベースはんだ付部の構造
JPH0223694A (ja) * 1988-07-12 1990-01-25 Murata Mfg Co Ltd チップ部品の取付構造
JPH0324259U (ja) * 1989-07-19 1991-03-13
JPH05166431A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Stanley Electric Co Ltd スイッチの製造方法
JPH06310861A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Oki Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板におけるサーマルビアの形成方法
JP2001519595A (ja) * 1997-10-03 2001-10-23 シャフラー ウント コムパニー ゲゼルシャフト エムベーハー 発熱体とその製造法
JP2000311905A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Nippon Inter Electronics Corp 複合半導体装置の製造方法
JP2001068857A (ja) * 1999-07-19 2001-03-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多層セラミック基板およびその製造方法
JP2003123933A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Hitachi Ltd 絶縁被覆導線と導電部材の接続構造およびその接続方法
JP2004047863A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Toto Ltd 放熱回路基板とその作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212723A (ja) * 2010-05-17 2010-09-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1819161B (zh) 2010-06-16
CN1819161A (zh) 2006-08-16
US7781258B2 (en) 2010-08-24
DE102006004788A1 (de) 2006-08-10
DE102006004788B4 (de) 2020-07-09
JP2006216729A (ja) 2006-08-17
US20090130800A1 (en) 2009-05-21
US7514785B2 (en) 2009-04-07
US20060186520A1 (en) 2006-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4600065B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US9887173B2 (en) Method for producing structured sintered connection layers, and semiconductor element having a structured sintered connection layer
WO2015064430A1 (ja) 積層体、絶縁性冷却板、パワーモジュールおよび積層体の製造方法
JP4385324B2 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
JP2006269966A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2010040881A (ja) 位置決め治具および半導体装置の製造方法
JP5278371B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5141566B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法及び絶縁回路基板並びにパワーモジュール用基板
JPWO2007138771A1 (ja) 半導体装置、電子部品モジュールおよび半導体装置の製造方法
JP3981090B2 (ja) 電子機器装置の製造方法
CN105304580A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP5145715B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10242331A (ja) パワーモジュール用基板及びその製造法
JP2017168635A (ja) パワーモジュール用基板及びパワーモジュールの製造方法
JPH10242330A (ja) パワーモジュール用基板及びその製造法
JP2006216659A (ja) 絶縁回路基板およびパワーモジュール
JPH10256443A (ja) パワーモジュール用ヒートシンク体
JP2001135753A (ja) 半導体モジュール用基板及びその製造方法
JP5067107B2 (ja) 回路基板および半導体装置
JP4457921B2 (ja) パワーモジュール用の絶縁回路基板およびパワーモジュール
JP2006019346A (ja) 構造体と、パワーモジュール基板と、その基板を用いたパワーモジュール、及び、それらの製造方法
JP2005101415A (ja) セラミックス回路基板およびその製造方法
US9713263B2 (en) Circuit-and-heat-dissipation assembly and method of making the same
JP2001053401A (ja) 混成集積回路装置
JP2011066117A (ja) 回路モジュールおよび回路モジュールの実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071115

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20091112

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091112

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100316

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100831

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100913

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4600065

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250