JPH01215027A - 金属ベースはんだ付部の構造 - Google Patents
金属ベースはんだ付部の構造Info
- Publication number
- JPH01215027A JPH01215027A JP3942588A JP3942588A JPH01215027A JP H01215027 A JPH01215027 A JP H01215027A JP 3942588 A JP3942588 A JP 3942588A JP 3942588 A JP3942588 A JP 3942588A JP H01215027 A JPH01215027 A JP H01215027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- dam
- metallic base
- coating material
- inorganic coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、内燃機関用各種センサ類の金属ベースに係り
、特にはんだ付部のはんだ流出防止ダムに関する。
、特にはんだ付部のはんだ流出防止ダムに関する。
従来技術は時開＋１ｒｆ６１−１１０４４０号に記載の
ように。
ように。
半導体チップをヒートシンク及び絶縁板などに、はんだ
付により積層し、更に金属ベースにはんだ付を行ってい
る。この積層状態の半導体チップブクミはかなりの自重
となり、金属ベースとはんだ何時に自重により、はんだ
が押出され必要なはんだ厚みが確保されない点について
配慮されていない。
付により積層し、更に金属ベースにはんだ付を行ってい
る。この積層状態の半導体チップブクミはかなりの自重
となり、金属ベースとはんだ何時に自重により、はんだ
が押出され必要なはんだ厚みが確保されない点について
配慮されていない。
上記従来技術は、半導体チップブクミと金属ベースをは
んだ付する際に半導体チップブクミの自重により、はん
だが押出される点について配慮されておらずはんだ厚み
を確保できない問題があった。
んだ付する際に半導体チップブクミの自重により、はん
だが押出される点について配慮されておらずはんだ厚み
を確保できない問題があった。
本発明の目的とする所は、金属ベースに無機質コーテン
グ材ではんだ流出防止ダムを形成することにある。
グ材ではんだ流出防止ダムを形成することにある。
上記目的は、金属ベースの半導体チップブクミをはんだ
付する部分の外郭を無機質コーテング材でダムを形成す
ることにより達成できる。
付する部分の外郭を無機質コーテング材でダムを形成す
ることにより達成できる。
（作用〕
金属ベースに無機質コーテング材を印刷又は。
スタンプすることにより、ダムを形成できる。
従って、ダムによりはんだ濡れ性を阻害し流出を防止で
き、必要な部分のはんだ厚みを確保できる。
き、必要な部分のはんだ厚みを確保できる。
以下、本発明の一実施例を説明する。
第１図は、電子回路部品の正面図であり、第２図はその
断面図である。金属ベース１に半導体チップ３を絶縁板
２にはんだ４により接合してブクミとし、更に金属ベー
ス１にはんだ４ａにより接合している。また、金属ベー
スｌの中央部に制御回路を集積したハイブリッドＩＣキ
バン５をシリコーン接着剤７により接着している。これ
を電気的に接続するためにアルミワイヤ６をボンディン
グにより接続している。
断面図である。金属ベース１に半導体チップ３を絶縁板
２にはんだ４により接合してブクミとし、更に金属ベー
ス１にはんだ４ａにより接合している。また、金属ベー
スｌの中央部に制御回路を集積したハイブリッドＩＣキ
バン５をシリコーン接着剤７により接着している。これ
を電気的に接続するためにアルミワイヤ６をボンディン
グにより接続している。
第３図は本発明の正面図、第４図は断面図である。本実
施例は、金属ベース１に無機質コーテング材８を規定の
寸法に印刷又は、スタンプ等によりダムを形成し、常温
又は１５０℃以下で硬化して達成できる。このダム内に
はんだ４ａを乗せ前記半導体チップ３、絶縁板２をはん
だ４で接合したブクミを乗せてはんだ付を行えば、はん
だは流出することなくはんだ厚みを確保できる。
施例は、金属ベース１に無機質コーテング材８を規定の
寸法に印刷又は、スタンプ等によりダムを形成し、常温
又は１５０℃以下で硬化して達成できる。このダム内に
はんだ４ａを乗せ前記半導体チップ３、絶縁板２をはん
だ４で接合したブクミを乗せてはんだ付を行えば、はん
だは流出することなくはんだ厚みを確保できる。
本発明によれば、無機質コーテング材でダムを形成する
ことにより、規定のはんだ厚みを確保することができ、
はんだクラックに対して、寿命が２〜３倍延びる。従っ
て信頼性の向上を図れる効果がある。
ことにより、規定のはんだ厚みを確保することができ、
はんだクラックに対して、寿命が２〜３倍延びる。従っ
て信頼性の向上を図れる効果がある。
第１図は□本発明の一実施例の正面図、第２図は第１図
の断面図、第３図は本発明の正面図、第４図は第３図の
断面図である。 ８・・・無機質コーテング材のダム。
の断面図、第３図は本発明の正面図、第４図は第３図の
断面図である。 ８・・・無機質コーテング材のダム。
Claims (1)
- １、電子部品を搭載するための金属ベースにはんだ付を
行う部分に、無機質コーテング材ではんだ流出防止ダム
を形成することを特徴とした金属ベースはんだ付部の構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3942588A JPH01215027A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 金属ベースはんだ付部の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3942588A JPH01215027A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 金属ベースはんだ付部の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215027A true JPH01215027A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12552637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3942588A Pending JPH01215027A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 金属ベースはんだ付部の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216729A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010212723A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP3942588A patent/JPH01215027A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216729A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7781258B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-08-24 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP4600065B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-12-15 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010212723A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4766481A (en) | Power semiconductor module | |
| JP3266505B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JPH07221218A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3094768B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01235261A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01215027A (ja) | 金属ベースはんだ付部の構造 | |
| JPS622587A (ja) | ハイパワ−用混成集積回路 | |
| JPH01168045A (ja) | 気密封止回路装置 | |
| JPH05211256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0677631A (ja) | チップ部品のアルミ基板への実装方法 | |
| JPH0773110B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS59111350A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04144162A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS595977Y2 (ja) | 集積回路の塔載装置 | |
| JPH05226575A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0519959Y2 (ja) | ||
| JPS63250164A (ja) | ハイパワ−用混成集積回路基板とその集積回路 | |
| JPS60200545A (ja) | 実装基板 | |
| JPS62252954A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5956788A (ja) | 電気回路部品 | |
| JP3314139B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03200355A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01238099A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH09266265A (ja) | 半導体パッケージ |