JP5671351B2 - 電子素子搭載用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
仮組した積層体において、セラミック基板と熱応力緩和材の接合部の周囲にろう材の濡れ性を低下させる濡れ性低下材を付着させた状態でろう付を行うことを特徴とする電子素子搭載用基板の製造方法。
図1は、本発明にかかる基板電子素子搭載用基板の製造方法において、仮組した積層体の一実施形態を示している。
前記積層体(10)を構成する各層の材料は以下のとおりである。
前記積層体(10)において、図2に示すように、セラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)との接合部(18)の周囲にろう材の濡れ性を低下させる濡れ性低下材(20)を付与する。濡れ性低下材(20)を付与した状態でろう付加熱すると、接合部(18)の周囲においては溶融したろう材(16)の濡れ性が低下してろう材(16)がはじかれるので、外部からの元素が溶融したろう材(16)とともに接合部(18)の周端部(18a)から内部に侵入することができない。ここで言う外部からの元素とは、ろう付加熱によってヒートシンク(15)を構成するアルミニウム合金から離脱した元素であってMnやFe等が該当する。これらの元素はろう材(16)に混入するとろう付性を低下させる元素であり、セラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)との接合部(18)にろう材(16)ととも侵入することを阻止することで良好なろう付を達成できる。そして、セラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)とが良好にろう付されることで、基板電子素子搭載用基板の使用環境において発熱と冷却が繰り返されて非常に大きな熱応力を受けた場合でも接合界面の剥離が抑制され、冷熱サイクルにおける接合界面の耐久性が向上する。
前記濡れ性低下材として、ボロンナイトライド、カーボン、樹脂、接着剤を例示できる。本発明において、「ろう材の濡れが悪い状態」および「ろう材をはじく」とは、ろう材との接触角が90°以上である場合とする。上述した濡れ性低下材はいずれもこの条件を満たしている。
前記濡れ性低下材はろう付時に接合部の周囲に付着していれば良いので付与方法は限定されず、積層体を仮組する前および後のどちらで付与しても良い。
セラミック基板(11)および熱応力緩和材(14)の一方または両方の相対する面(14b)(11a)に、液状または粘液状に調製した濡れ性低下材(20)を付与する。付与位置は両者が重なり合う領域内の縁部とする。図示したセラミック基板(11)の面上の破線は熱応力緩和材(14)が重なる領域を示している。また、濡れ性低下材(20)を均一に塗り広げる必要もなく、周方向に連続している必要もない。例えば、図示例のように点状に付与すれば良い。
セラミック基板(11)および熱応力緩和材(14)を他の部材とともに重ねて積層体(10)を仮組する。
仮組した積層体(10)を積層方向に押し付ける。この押し付けにより、濡れ性低下材(20)を拡げて周方向に繋げかつ積層界面から外方に押し出して外部に排出させる。外部に押し出された濡れ性低下材(20)は接合部(18)の周端部(18a)およびに接合部(18)の周端部(18a)に隣接する両方の面(11a)(14a)に付着する。図4は熱応力緩和材(14)の上面(セラミック基板に相対する面)(14b)を示す図面であり、点状に付着させた押し付け前の濡れ性低下材(20)を実線で示し、押し付けによって広がった領域を破線で示している。周方向に点在する濡れ性低下材(20)が押し付けによって繋がり、濡れ性低下材(20)が全周に行き亘る。そして、濡れ性低下材(20)は全周で接合界面から外部に排出されて、接合部(18)の周囲に付着する。同様に、セラミック基板(11)の下面(11a)においても濡れ性低下材が押し付けによって広がって全周に行き亘り、かつ接合界面から外部に排出されて接合部(18)の周囲に付着する。なお、積層体(10)を押し付けても接合界面には僅かに濡れ性低下材が残留するが、周端部に近い外縁部でありかつ残留量も微量であるからろう付け性を低下させるには至らない。
仮組した積層体のろう付条件は特に限定されず、真空ろう付、不活性ガス雰囲気中のろう付を例示できる。
本発明において、各部材の形状は上述したものに限定されない。
表1に示す濡れ性低下材および有機分散媒で濡れ性低下材濃度が20%の分散液を調製し、仮組した積層体(10)のセラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)との入隅部および熱応力緩和材(14)の外周面(14a)に、濡れ性低下材の付着量が10g/m2となるように塗布した。この塗布により、図2に参照されるように、濡れ性低下材(20)を接合部(18)の周端部(18a)、熱応力緩和材(14)の外周面(14a)の全面および周端部(18a)に隣接するセラミック基板(11)の他方の面(11a)の一部に付着した。
表1に示す濡れ性低下材、有機分散媒、バインダを1:1:1で混合し、仮組した積層体(10)のセラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)との入隅部および熱応力緩和材(14)の外周面(14a)に、濡れ性低下材(20)の付着量が10g/m2となるように塗布した。濡れ性低下材(20)の付着位置は実施例1、3と同じである。
濡れ性低下材を付与しなかった。
表1に示す濡れ性低下材(接着剤)を仮組した積層体(10)のセラミック基板(11)と熱応力緩和材(14)との入隅部に濡れ性低下材の付着量が10g/m2となるように塗布した。この塗布により、濡れ性低下材(20)が接合部(18)の周端部(18a)、周端部(18a)に隣接する熱応力緩和材(14)の外周面(14a)の一部、周端部(18a)に隣接するセラミック基板(11)の他方の面(11a)の一部に付着した。
図3A〜3Cに示すように、仮組前のセラミック基板(11)および熱応力緩和材(14)の相対する面(11a)(14b)に、表2に示す濡れ性低下材(接着材)(20)を点状に付着させ、他の部材とともに重ねて積層体(10)を仮組し、仮組した積層体(10)を積層方向に押し付け、濡れ性低下材(20)を拡げて周方向に繋げかつ積層界面から外部に排出させた。これにより、濡れ性低下材(20)が、接合部(18)の周端部(18a)、周端部(18a)に隣接する熱応力緩和材(14)の外周面(14a)の一部、周端部(18a)に隣接するセラミック基板(11)の他方の面(11a)の一部に付着した。また、濡れ性低下材(20)の付着量は10g/m2となった。
△:セラミック基板に割れがなく、かつ剥離面積率が3%以上5%未満満のもの
×:セラミック基板に割れが生じたもの、あるいは剥離面積率が5%以上のもの
11…セラミック基板
11a…他方の面
12、16、17…ろう材
13…回路層(アルミニウム回路層)
14…熱応力緩和材(アルミニウム層)
14a、41a…外周面
15、31…ヒートシンク
18、19…接合部
18a、19a…周端部
20…濡れ性低下材
41…パンチングメタル(熱応力緩和材)
42…貫通穴
Claims (10)
- セラミック基板の一方の面に、ろう材を介して金属からなる回路層を重ねて配置するとともに、他方の面に、アルミニウムからなる熱応力緩和材とアルミニウムからなるヒートシンクをそれぞれろう材を介して重ねて配置して積層体を仮組し、これらを同時に一括してろう付する電子素子搭載用基板の製造方法であって、
仮組した積層体において、前記熱応力緩和材の外周面とセラミック基板の他方の面とによって入隅部が形成され、
前記仮組体のセラミック基板と熱応力緩和材の接合部の周囲において、前記入隅部を含む、熱応力緩和材の外周面およびセラミック基板の他方の面にろう材の濡れ性を低下させる濡れ性低下材を付着させた状態でろう付を行うことを特徴とする電子素子搭載用基板の製造方法。 - セラミック基板の一方の面に、ろう材を介して金属からなる回路層を重ねて配置するとともに、他方の面に、アルミニウムからなる熱応力緩和材とアルミニウムからなるヒートシンクをそれぞれろう材を介して重ねて配置して積層体を仮組し、これらを同時に一括してろう付する電子素子搭載用基板の製造方法であって、
前記前記熱応力緩和材は貫通穴を有するパンチングメタルであり、
仮組した積層体において、セラミック基板と熱応力緩和材の接合部の周囲および前記貫通穴の周面にろう材の濡れ性を低下させる濡れ性低下材を付着させた状態でろう付を行うことを特徴とする電子素子搭載用基板の製造方法。 - セラミック基板の一方の面に、ろう材を介して金属からなる回路層を重ねて配置するとともに、他方の面に、アルミニウムからなる熱応力緩和材とアルミニウムからなるヒートシンクをそれぞれろう材を介して重ねて配置して積層体を仮組し、これらを同時に一括してろう付する電子素子搭載用基板の製造方法であって、
仮組前のセラミック基板および熱応力緩和材の一方または両方の相対する面の縁部にろう材の濡れ性を低下させる濡れ性低下材を付与し、他の部材とともに重ねて積層体を仮組し、仮組した積層体を積層方向に押し付けて濡れ性低下材を積層界面から外部に排出させて、セラミック基板と熱応力緩和材の接合部の周囲に濡れ性低下材を付着させた状態でろう付することを特徴とする電子素子搭載用基板の製造方法。 - 前記濡れ性低下材はボロンナイトライドおよびカーボンのうちの少なくとも1種である請求項1〜3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
- 前記濡れ性低下材を有機分散媒に分散させた分散液を塗布することにより濡れ性低下材を付着させる請求項4に記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
- 前記分散液にバインダを加える請求項5に記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
- セラミック基板の一方の面に、ろう材を介して金属からなる回路層を重ねて配置するとともに、他方の面に、アルミニウムからなる熱応力緩和材とアルミニウムからなるヒートシンクをそれぞれろう材を介して重ねて配置して積層体を仮組し、これらを同時に一括してろう付する電子素子搭載用基板の製造方法であって、
濡れ性を低下させる濡れ性低下材が、加熱による分解生成物であるカーボンが560℃において付着位置に残留する樹脂であり、
仮組した積層体において、セラミック基板と熱応力緩和材の接合部の周囲に前記濡れ性低下材を付着させた状態でろう付を行うことを特徴とする電子素子搭載用基板の製造方法。 - 前記樹脂は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂のうちの少なくとも1種からなる接着剤である請求項7に記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
- 積層体を仮組した後に濡れ性低下材を付与する請求項1〜8のいずれかに記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
- 仮組前のセラミック基板および熱応力緩和材の一方または両方の相対する面の縁部に濡れ性低下材を付与し、他の部材とともに重ねて積層体を仮組し、仮組した積層体を積層方向に押し付けて濡れ性低下材を積層界面から外部に排出させて接合部の周囲に付着させる請求項1、2、4〜8のいずれかに記載の電子素子搭載用基板の製造方法。
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