JP5915051B2 - パワーモジュール用基板およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
欠陥率=剥離面積/初期接合面積
11 セラミックス基板
11a 表面
12,13 金属板
12a,13a 側面
12b,13b 表面
13c 溝部
14 ヒートシンク
15 余剰ろう材
16 フラックス
17 フラックス反応部
18 ワイヤ
19 マスキング
20 ろう材
21 フィレット
100 パワーモジュール
101 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
Claims (2)
- 金属板とセラミックス基板とを積層状態にろう付する第1ろう付工程と、前記金属板とヒートシンクとをフラックスを用いたろう付法により接合する第2ろう付工程とを有するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記第2ろう付工程の前に、前記ヒートシンクと接合される端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に前記フラックスと反応するフラックス反応部を形成し、
前記第2ろう付工程において、前記金属板と前記ヒートシンクとの間からはみ出した前記フラックスと前記フラックス反応部とを反応させることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 - 金属板とセラミックス基板とが積層状態でろう付されてなるパワーモジュール用基板であって、
前記セラミックス基板と接合されていない端部側を除く前記金属板の側面の少なくとも一部に、フラックスと反応するフラックス反応部が備えられていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
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