JPS604377Y2 - リ−ド・タ−ミナル - Google Patents

リ−ド・タ−ミナル

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Publication number
JPS604377Y2
JPS604377Y2 JP1980020287U JP2028780U JPS604377Y2 JP S604377 Y2 JPS604377 Y2 JP S604377Y2 JP 1980020287 U JP1980020287 U JP 1980020287U JP 2028780 U JP2028780 U JP 2028780U JP S604377 Y2 JPS604377 Y2 JP S604377Y2
Authority
JP
Japan
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paste
lead
layer
thin film
terminal
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Expired
Application number
JP1980020287U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56123469U (ja
Inventor
光明 森川
Original Assignee
伊勢電子工業株式会社
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Publication date
Application filed by 伊勢電子工業株式会社 filed Critical 伊勢電子工業株式会社
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  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はコンタクト不良がなく、信頼性の高い多層構造
のリード・ターミナルに関するものである。
一般に、螢光表示管においてN薄膜のリード・ターミナ
ルはリードピンを接続するために、ハンダ付が容易で、
付着力が強く、しかも低抵抗な接接続を取る必要がある
しかしながら、AI薄膜によるリード・ターミナルはハ
ンダ付けが困難であるため、A1薄膜によるリード・タ
ーミナルを被うハンダ付は可能なペースト層を形成する
ことが行なわれてきた。
そのペーストには螢光表示管の製造過程の加熱工程の経
過後もA1薄膜との反応が少ないものが要求される。
これらの条件をおおむね満足するものにAgを主成分と
するAgペーストがある。
しかしながら、このAgペーストは接着性を高めるため
に含有されているフリット成分により、A1薄膜との界
面に高抵抗層が形威され低抵抗な導通がとれない場合が
あるなどの欠点があった。
したがって、本考案の目的はツルダブル仕上で、しかも
確実に低抵抗な接触をとることができる多層構造のリー
ド・ターミナルを堤提供するものである。
このような目的を遠戚するために、本考案は低抵抗の導
通を得るためN薄膜のリード・ターミナル部上の一部分
に形威した該N薄膜と低抵抗で電気的に接触可能なN等
を主成分とする導電性ペーストからなるペースト第1層
と、このペースト第1層の面積より大きくして、このペ
ースト第1層上およびA1薄膜のリード・ターミナル部
部上に積層し、付着力が強くしかもハンダ付けの容易な
Ag等を主成分する導電性ペーストからなるペースト第
2層とを備えるものであり、以下実施例を用いて詳細に
説明する。
第1図aおよび第1図すは本考案に係るリード・ターミ
ナルの実施例を示す平面図およびそのA−A’断面図で
ある。
同図において、1はガラス基板、2はこのガラス基板1
上に形威したA1薄膜のリード・ターミナル部、3は低
抵抗の導通をとるため、このリード・ターミナル部2の
一部分に印刷し、乾燥した例えばA1ペースト、グラフ
ァイトなどの接続用ペースト第1層、4はハンダ付が容
易でしかもAI薄膜リード・ターミナル部2と接着性の
よいAgペーストなどのペースト第2層であり、ベート
第1層3の面積より大きい面積に形威し、ペースト第1
層上およびA1薄膜のリード・ターミナル部2上に積層
する。
5はす−ドピンである。
次に、上記構成に係るリード・ター ミナル製造工程に
ついて説明する。
まず、ガラス基板1上にN薄膜のリード・ターミナル部
2を形成する。
次に、このAI薄膜のリード・ターミナル部2上の一部
分に、例えばlX1m/mのNペーストのペースト第1
層3を印刷し、150°Cの温度で和分間乾燥させる。
次に、このペースト第1層3上およびN薄膜のリード・
ターミナル部2上に例えばi、5x4s/mの〜ペース
トのペースト第2層を重ねて印刷する。
そして、例えば150℃の温度で2紛間乾燥したのち、
580°Cの温度でIO分間焼成金行なう。
以上の工程によりリード・ターミナルを製造することが
できる。
そして、ペース社第2層4の印刷層部分にリードピン5
を接続し、ハンダ付けを行ない、リード・ターミナルの
ピン付が終了する。
なお、このように構成したリード・ターミナルでは導通
状態で全て数Ωの抵抗であり、しかもハンダ付けが良好
で、付着力が15ko/CFI!以上である。
また、ペースト第1層としてA1ペースト。グラファイ
トを用いたが、NまたはCを主成分とする導電性ベート
であればよく、ペースト第2層はAgペーストを用いた
が、Ag、 Ag−Pd、またはAuを主成分とする導
電性ペーストであればよいことはもちろんである。
以上詳細に説明したように、本考案に係るリード・ター
ミナルによればA1薄膜のリード・ターミナルとのコン
タクトが全て低抵抗となり、しかも相当広い面積でコン
タクトしているため、電気容量を十分にとることができ
、信頼性を向上することができるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図aおよび第1図すは本考案によるリード・ターミ
ナルの一実施例を示す平面図おつびそのA−A’の断面
図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・リード・タ
ーミナル部、3・・・・・・ペースト第1層、4・・・
・・・ペースト第2層、5・・・・・・リードピン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に形威されたN薄膜によるリード・ターミナル部
    と、このリード・ターミナル部上の一部分に形威された
    AI薄膜と低抵抗で電気的に接触可能なA1等を主成分
    とする導電性ペーストからなるペースト第1層と、前記
    N薄膜のリード・ターミナル部およびペースト第1層を
    被って形威されたハンダ付は可能なAgeを主成分とす
    る導電性ペーストからなるペースト第2層とを備えてな
    るリード・ターミナル。
JP1980020287U 1980-02-21 1980-02-21 リ−ド・タ−ミナル Expired JPS604377Y2 (ja)

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JPS56123469U JPS56123469U (ja) 1981-09-19
JPS604377Y2 true JPS604377Y2 (ja) 1985-02-07

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