JPH0729769A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH0729769A JPH0729769A JP17425393A JP17425393A JPH0729769A JP H0729769 A JPH0729769 A JP H0729769A JP 17425393 A JP17425393 A JP 17425393A JP 17425393 A JP17425393 A JP 17425393A JP H0729769 A JPH0729769 A JP H0729769A
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- Japan
- Prior art keywords
- bending stress
- thermal shock
- layer
- ceramic capacitor
- ceramic electronic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱衝撃試験、プリント基板の湾曲等に対して
曲げ応力性のある外部電極材料により形成されたセラミ
ック電子部品を提供することにある。 【構成】 この積層セラミックコンデンサ１は、複数層
の誘電体セラミック２の間に内部電極３が端面に交互に
導出されるように介挿して積層体とし、その両端には内
部電極３と電気的に接続する外部電極４が形成されてい
る。本発明においては、外部電極４は、熱衝撃性に強い
材料からなる金属焼き付け層４ａと曲げ応力性の強い材
料からなる金属焼き付け層４ｂとからなる。熱衝撃性に
強い材料はホウケイ酸亜鉛系ガラスを含んだ銀ペ−スト
からなり、曲げ応力性の強い材料はホウケイ酸鉛系ガラ
スを含んだ銀ペ−ストからなり、耐熱衝撃性、耐曲げ応
力性のある積層セラミックコンデンサである。
曲げ応力性のある外部電極材料により形成されたセラミ
ック電子部品を提供することにある。 【構成】 この積層セラミックコンデンサ１は、複数層
の誘電体セラミック２の間に内部電極３が端面に交互に
導出されるように介挿して積層体とし、その両端には内
部電極３と電気的に接続する外部電極４が形成されてい
る。本発明においては、外部電極４は、熱衝撃性に強い
材料からなる金属焼き付け層４ａと曲げ応力性の強い材
料からなる金属焼き付け層４ｂとからなる。熱衝撃性に
強い材料はホウケイ酸亜鉛系ガラスを含んだ銀ペ−スト
からなり、曲げ応力性の強い材料はホウケイ酸鉛系ガラ
スを含んだ銀ペ−ストからなり、耐熱衝撃性、耐曲げ応
力性のある積層セラミックコンデンサである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック電子部品に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品について、その一例
である積層セラミックコンデンサについて説明する。図
２は積層セラミックコンデンサ１の断面図である。この
積層セラミックコンデンサの構造を説明すると、まず、
誘電体セラミック２となるセラミックスラリ−を準備
し、このセラミックスラリ−を用いて、ドクタ−ブレ−
ド法等により誘電体セラミックグリ−ンシ−トを作成
し、そのシ−トの片面に内部電極３となる導電性ペ−ス
トをスクリ−ン印刷法等で塗布する。導電性ペ−ストが
形成されたセラミックグリ−ンシ−トを、導電性ペ−ス
トの引き出されている側が互い違いになるように複数枚
積層、熱圧着し、適当な形状に切断し、焼成する。この
時、誘電体セラミック２の間に内部電極３が形成された
積層焼結体が得られる。その両端に内部電極３と電気的
に接続されるよう外部電極４を設けて、積層セラミック
コンデンサ１とする。図３は積層セラミックコンデンサ
１の一般的な使用方法で、プリント基板５に積層セラミ
ックコンデンサ１を半田６で固定している。
である積層セラミックコンデンサについて説明する。図
２は積層セラミックコンデンサ１の断面図である。この
積層セラミックコンデンサの構造を説明すると、まず、
誘電体セラミック２となるセラミックスラリ−を準備
し、このセラミックスラリ−を用いて、ドクタ−ブレ−
ド法等により誘電体セラミックグリ−ンシ−トを作成
し、そのシ−トの片面に内部電極３となる導電性ペ−ス
トをスクリ−ン印刷法等で塗布する。導電性ペ−ストが
形成されたセラミックグリ−ンシ−トを、導電性ペ−ス
トの引き出されている側が互い違いになるように複数枚
積層、熱圧着し、適当な形状に切断し、焼成する。この
時、誘電体セラミック２の間に内部電極３が形成された
積層焼結体が得られる。その両端に内部電極３と電気的
に接続されるよう外部電極４を設けて、積層セラミック
コンデンサ１とする。図３は積層セラミックコンデンサ
１の一般的な使用方法で、プリント基板５に積層セラミ
ックコンデンサ１を半田６で固定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】積層セラミックコンデ
ンサ１は図３に示すように、プリント基板５に固定して
使用されるため、プリント基板５が湾曲すると積層セラ
ミックコンデンサ１に影響して、ときとして外部電極４
付近でクラック７ａが発生することがある。また、熱衝
撃試験を行うと、端面から内部方向にクラック７ｂが発
生することがある。プリント基板５が湾曲したときに、
発生する曲げ応力に対して良好な外部電極４の材料とし
て、ホウケイ酸鉛系ガラスを含んだ金属ペ−ストがある
が、熱衝撃試験ではクラックが生じ易い。また、熱衝撃
性に良好な外部電極４の材料としてホウケイ酸亜鉛系ガ
ラスを含んだ金属ペ−ストがあるが、プリント基板５が
湾曲したときに、発生する曲げ応力でクラックが発生し
易い。前記のように、熱衝撃試験に良ければ、曲げ応力
でクラックが発生し、曲げ応力に対して良好であれば、
熱衝撃試験でクラックが発生し、両方の特性を満足する
外部電極材料がない。
ンサ１は図３に示すように、プリント基板５に固定して
使用されるため、プリント基板５が湾曲すると積層セラ
ミックコンデンサ１に影響して、ときとして外部電極４
付近でクラック７ａが発生することがある。また、熱衝
撃試験を行うと、端面から内部方向にクラック７ｂが発
生することがある。プリント基板５が湾曲したときに、
発生する曲げ応力に対して良好な外部電極４の材料とし
て、ホウケイ酸鉛系ガラスを含んだ金属ペ−ストがある
が、熱衝撃試験ではクラックが生じ易い。また、熱衝撃
性に良好な外部電極４の材料としてホウケイ酸亜鉛系ガ
ラスを含んだ金属ペ−ストがあるが、プリント基板５が
湾曲したときに、発生する曲げ応力でクラックが発生し
易い。前記のように、熱衝撃試験に良ければ、曲げ応力
でクラックが発生し、曲げ応力に対して良好であれば、
熱衝撃試験でクラックが発生し、両方の特性を満足する
外部電極材料がない。
【０００４】本発明の目的は、熱衝撃試験、プリント基
板の湾曲等に対する曲げ応力性のある外部電極材料によ
り形成されたセラミック電子部品を提供することにあ
る。
板の湾曲等に対する曲げ応力性のある外部電極材料によ
り形成されたセラミック電子部品を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明はセラ
ミック電子部品の外部電極において、前記外部電極は１
層目が熱衝撃性に強い材料からなる金属焼き付け層、２
層目が曲げ応力性に強い材料からなる金属焼き付け層の
少なくとも２層から構成されている。
ミック電子部品の外部電極において、前記外部電極は１
層目が熱衝撃性に強い材料からなる金属焼き付け層、２
層目が曲げ応力性に強い材料からなる金属焼き付け層の
少なくとも２層から構成されている。
【０００６】また、前記熱衝撃性に強い材料からなる金
属焼き付け層はホウケイ酸亜鉛系のガラスを含んだもの
からなる。
属焼き付け層はホウケイ酸亜鉛系のガラスを含んだもの
からなる。
【０００７】さらに、前記曲げ応力性に強い材料からな
る金属焼き付け層はホウケイ酸鉛系のガラスを含んだも
のからなる。
る金属焼き付け層はホウケイ酸鉛系のガラスを含んだも
のからなる。
【０００８】
【作用】以上の構成により、熱衝撃性に強い材料からな
る金属層と曲げ応力性に強い材料からなる金属層の構成
により、熱衝撃試験やプリント基板を湾曲させて電子部
品に曲げ応力を与える試験においてクラックが発生しな
い。
る金属層と曲げ応力性に強い材料からなる金属層の構成
により、熱衝撃試験やプリント基板を湾曲させて電子部
品に曲げ応力を与える試験においてクラックが発生しな
い。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の積層セラミックコンデンサ
の断面図である。ここに積層セラミックコンデンサの構
造を説明すると、この積層セラミックコンデンサ１は、
複数層の誘電体セラミック２の間に内部電極３が端面に
交互に導出されるように介挿して積層体とし、その両端
には内部電極３と電気的に接続する外部電極４が形成さ
れている。本発明においては、外部電極４は、熱衝撃性
に強い材料からなる金属焼き付け層４ａと曲げ応力性の
強い材料からなる金属焼き付け層４ｂとからなる。
の断面図である。ここに積層セラミックコンデンサの構
造を説明すると、この積層セラミックコンデンサ１は、
複数層の誘電体セラミック２の間に内部電極３が端面に
交互に導出されるように介挿して積層体とし、その両端
には内部電極３と電気的に接続する外部電極４が形成さ
れている。本発明においては、外部電極４は、熱衝撃性
に強い材料からなる金属焼き付け層４ａと曲げ応力性の
強い材料からなる金属焼き付け層４ｂとからなる。
【００１０】（実施例１）積層体の端面にホウケイ酸亜
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布、乾燥した。その上層にホウケイ酸鉛系ガラ
スをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ストを１
層目の両端と一致しないように、つまり１層目の銀ペー
ストを完全に覆うように大きめに塗布、乾燥した。この
後７００℃で５分間保持し焼き付けて外部電極を形成し
た。さらに、その表面に電解めっきによりＮｉ層、Ｓｎ
層を形成した。
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布、乾燥した。その上層にホウケイ酸鉛系ガラ
スをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ストを１
層目の両端と一致しないように、つまり１層目の銀ペー
ストを完全に覆うように大きめに塗布、乾燥した。この
後７００℃で５分間保持し焼き付けて外部電極を形成し
た。さらに、その表面に電解めっきによりＮｉ層、Ｓｎ
層を形成した。
【００１１】（実施例２）積層体の端面にホウケイ酸亜
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布し、７００℃で５分間保持し焼き付けた。そ
の上層にホウケイ酸鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗ
ｔ％含有する銀ペ−ストを１層目の両端が一致しないよ
うに、つまり１層目の銀ペーストを完全に覆うように大
きめに塗布し、７００℃で５分間保持し焼き付けた。さ
らに、その表面に電解めっきによりＮｉ層、Ｓｎ層を形
成した。
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布し、７００℃で５分間保持し焼き付けた。そ
の上層にホウケイ酸鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗ
ｔ％含有する銀ペ−ストを１層目の両端が一致しないよ
うに、つまり１層目の銀ペーストを完全に覆うように大
きめに塗布し、７００℃で５分間保持し焼き付けた。さ
らに、その表面に電解めっきによりＮｉ層、Ｓｎ層を形
成した。
【００１２】（比較例１）積層体の端面にホウケイ酸亜
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布した。この後７００℃で５分間保持し焼き付
けて外部電極を形成した。その表面に電解めっきにより
Ｎｉ層、Ｓｎ層を形成した。
鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−
ストを塗布した。この後７００℃で５分間保持し焼き付
けて外部電極を形成した。その表面に電解めっきにより
Ｎｉ層、Ｓｎ層を形成した。
【００１３】（比較例２）積層体の端面にホウケイ酸鉛
系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ス
トを塗布した。この後７００℃で５分間保持し焼き付け
て外部電極を形成した。その表面に電解めっきによりＮ
ｉ層、Ｓｎ層を形成した。
系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ス
トを塗布した。この後７００℃で５分間保持し焼き付け
て外部電極を形成した。その表面に電解めっきによりＮ
ｉ層、Ｓｎ層を形成した。
【００１４】（比較例３）積層体の端面に、実施例２で
用いた両銀ペーストを、形成順を逆にして、つまり１層
目にホウケイ酸鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％
含有する銀ペ−スト、２層目にホウケイ酸亜鉛系ガラス
をペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ストを、そ
の他の条件を同じにして形成した。
用いた両銀ペーストを、形成順を逆にして、つまり１層
目にホウケイ酸鉛系ガラスをペ−スト固形分中４ｗｔ％
含有する銀ペ−スト、２層目にホウケイ酸亜鉛系ガラス
をペ−スト固形分中４ｗｔ％含有する銀ペ−ストを、そ
の他の条件を同じにして形成した。
【００１５】（比較例４）積層体の端面に、実施例２と
同様にして、大きさが同じでぴったりと重ね合わせた２
層の銀焼き付け層を形成し、さらにその表面に電解めっ
きによりＮｉ層、Ｓｎ層を形成した。
同様にして、大きさが同じでぴったりと重ね合わせた２
層の銀焼き付け層を形成し、さらにその表面に電解めっ
きによりＮｉ層、Ｓｎ層を形成した。
【００１６】こうして作られた積層セラミックコンデン
サを用いて、熱衝撃試験、基板湾曲による曲げ応力試験
を行った。熱衝撃試験方法は本発明で得られた試料を１
００個用いて、３２５℃（ΔＴ＝３００℃）の溶融はん
だ中に２秒間浸漬し行った。良品は積層セラミックコン
デンサにクラックが無いこととした。また、曲げ応力性
試験においては、本発明で得られた試料を３０個用い
て、厚み１．６ｍｍのガラスエポキシ製のプリント基板
に半田で固定し、積層セラミックコンデンサのない側に
基板を湾曲させてコンデンサにクラックが生じたたわみ
量を測定した。表１は熱衝撃試験、基板湾曲による曲げ
応力試験の各結果を示している。曲げ応力試験結果の数
値は試料３０個の平均値である。
サを用いて、熱衝撃試験、基板湾曲による曲げ応力試験
を行った。熱衝撃試験方法は本発明で得られた試料を１
００個用いて、３２５℃（ΔＴ＝３００℃）の溶融はん
だ中に２秒間浸漬し行った。良品は積層セラミックコン
デンサにクラックが無いこととした。また、曲げ応力性
試験においては、本発明で得られた試料を３０個用い
て、厚み１．６ｍｍのガラスエポキシ製のプリント基板
に半田で固定し、積層セラミックコンデンサのない側に
基板を湾曲させてコンデンサにクラックが生じたたわみ
量を測定した。表１は熱衝撃試験、基板湾曲による曲げ
応力試験の各結果を示している。曲げ応力試験結果の数
値は試料３０個の平均値である。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例は積層セラミックコンデンサを用い
て説明したが、そのほかの外部に電極をもつセラミック
電子部品にも適用できる。また、外部電極は銀ペ−スト
を使用したが、ホウケイ酸亜鉛ガラスやホウケイ酸鉛ガ
ラスと反応して組成変化が起きない導電ペ−ストに適用
してもよい。さらに、実施例で示したように外部電極の
表面にＳｎ、Ｎｉなどの金属層をめっきなどで覆って多
層にしても構わない。
て説明したが、そのほかの外部に電極をもつセラミック
電子部品にも適用できる。また、外部電極は銀ペ−スト
を使用したが、ホウケイ酸亜鉛ガラスやホウケイ酸鉛ガ
ラスと反応して組成変化が起きない導電ペ−ストに適用
してもよい。さらに、実施例で示したように外部電極の
表面にＳｎ、Ｎｉなどの金属層をめっきなどで覆って多
層にしても構わない。
【００１９】
【発明の効果】本発明のセラミック電子部品の外部電極
とすることにより、熱衝撃試験や基板湾曲に対する曲げ
応力試験においてクラックが起こらない。従って、セラ
ミック電子部品全体の良品率の向上が計れる。
とすることにより、熱衝撃試験や基板湾曲に対する曲げ
応力試験においてクラックが起こらない。従って、セラ
ミック電子部品全体の良品率の向上が計れる。
【図１】本実施例における積層セラミックコンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の積層セラミックコンデンサの断面図であ
る。
る。
【図３】従来の積層セラミックコンデンサをプリント基
板に固定した状態を示す側面図である。
板に固定した状態を示す側面図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 誘電体セラミック ３ 内部電極 ４ａ ホウケイ酸亜鉛系ガラスを含む金属焼き付
け層からなる外部電極 ４ｂ ホウケイ酸鉛系ガラスを含む金属焼き付け
層からなる外部電極
け層からなる外部電極 ４ｂ ホウケイ酸鉛系ガラスを含む金属焼き付け
層からなる外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｆ 9174−5Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック電子部品の外部電極におい
て、前記外部電極は１層目が熱衝撃性に強い材料からな
る金属焼き付け層、２層目が曲げ応力性に強い材料から
なる金属焼き付け層の少なくとも２層から構成されてい
ることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 前記熱衝撃性に強い材料からなる金属焼
き付け層はホウケイ酸亜鉛系のガラスを含んでいること
を特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記曲げ応力性に強い材料からなる金属
焼き付け層はホウケイ酸鉛系のガラスを含んでいること
を特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174253A JP3000825B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174253A JP3000825B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | セラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729769A true JPH0729769A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3000825B2 JP3000825B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=15975400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174253A Expired - Fee Related JP3000825B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000825B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US6517911B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-11 | Jsr Corporation | Process for the formation of silicon oxide films |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5174253A patent/JP3000825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6517911B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-11 | Jsr Corporation | Process for the formation of silicon oxide films |
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3000825B2 (ja) | 2000-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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