JPH06188101A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH06188101A JPH06188101A JP33603092A JP33603092A JPH06188101A JP H06188101 A JPH06188101 A JP H06188101A JP 33603092 A JP33603092 A JP 33603092A JP 33603092 A JP33603092 A JP 33603092A JP H06188101 A JPH06188101 A JP H06188101A
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- ptc
- layer
- glass
- component
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラックスを用いての不要なガラス析出層な
どの除去を行う必要がなく、抵抗−温度特性の劣化や耐
電圧特性の低下を招く恐れのない正特性サーミスタなど
の電子部品を提供する。 【構成】 ガラス成分を含む導電性ペーストからなる半
田付け接続用の電極層3,7が部品本体1,5の外面上
に焼き付け形成された電子部品であって、前記電極層
3,7の外表面3a,7aは、焼き付け形成後に所定厚
み分だけ削り取り除去されている。
どの除去を行う必要がなく、抵抗−温度特性の劣化や耐
電圧特性の低下を招く恐れのない正特性サーミスタなど
の電子部品を提供する。 【構成】 ガラス成分を含む導電性ペーストからなる半
田付け接続用の電極層3,7が部品本体1,5の外面上
に焼き付け形成された電子部品であって、前記電極層
3,7の外表面3a,7aは、焼き付け形成後に所定厚
み分だけ削り取り除去されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス成分を含む導電
性ペーストからなる半田付け接続用の電極層が部品本体
の外面上に焼き付け形成された電子部品に関する。
性ペーストからなる半田付け接続用の電極層が部品本体
の外面上に焼き付け形成された電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の電子部品の一例としては図2で
示すような構成を有する正特性サーミスタ(以下、PT
Cという)が知られており、このPTCの部品本体であ
る円形平板形状とされたサーミスタ素体1の互いに対向
する主表面それぞれ上にはニッケル(Ni)からなるオ
ーミック層2が無電解メッキによって形成されている。
そして、これらのオーミック層2上にはガラス成分(ガ
ラスフリット)を含む銀(Ag)ペーストからなる半田
付け接続用の電極層3がそれぞれ焼き付け形成されてお
り、各電極層3の外表面3a上にはリード線4が半田付
け接続によって取り付けられている。なお、ここで、ガ
ラスフリットが含まれたAgペーストを電極形成材料と
して用いるのは、焼き付け形成された電極層3の内表面
に沿って析出するガラス成分によってオーミック層2及
び電極層3間の接着強度を高めるためである。
示すような構成を有する正特性サーミスタ(以下、PT
Cという)が知られており、このPTCの部品本体であ
る円形平板形状とされたサーミスタ素体1の互いに対向
する主表面それぞれ上にはニッケル(Ni)からなるオ
ーミック層2が無電解メッキによって形成されている。
そして、これらのオーミック層2上にはガラス成分(ガ
ラスフリット)を含む銀(Ag)ペーストからなる半田
付け接続用の電極層3がそれぞれ焼き付け形成されてお
り、各電極層3の外表面3a上にはリード線4が半田付
け接続によって取り付けられている。なお、ここで、ガ
ラスフリットが含まれたAgペーストを電極形成材料と
して用いるのは、焼き付け形成された電極層3の内表面
に沿って析出するガラス成分によってオーミック層2及
び電極層3間の接着強度を高めるためである。
【0003】さらにまた、PTCのうちには、図3で示
すような表面実装型、すなわち、プリント基板などの表
面に対して直接的に半田付け実装されるチップ型といわ
れる構成を有するものもあり、この種のPTCが備える
略直方体形状とされたサーミスタ素体5の互いに対向す
る端部それぞれ上には、上記したと同様のオーミック層
6と半田付け接続用の電極層7とが互いに積層した状態
で形成されている。そして、これらPTCの主要部は樹
脂封止されているのが一般的であるが、図2及び図3に
おいては樹脂封止についての図示を省略している。
すような表面実装型、すなわち、プリント基板などの表
面に対して直接的に半田付け実装されるチップ型といわ
れる構成を有するものもあり、この種のPTCが備える
略直方体形状とされたサーミスタ素体5の互いに対向す
る端部それぞれ上には、上記したと同様のオーミック層
6と半田付け接続用の電極層7とが互いに積層した状態
で形成されている。そして、これらPTCの主要部は樹
脂封止されているのが一般的であるが、図2及び図3に
おいては樹脂封止についての図示を省略している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来構
成とされたPTCにおいては、電極層3(7)を焼き付
け形成するにあたってガラスフリットを含むAgペース
トを用いるために、形成された電極層3(7)の周囲全
面にわたっては、図4で拡大して示すようなガラス成分
の析出層、すなわち、ガラス析出層8が形成されること
になる。そして、このようなガラス析出層8がオーミッ
ク層2(6)及び電極層3(7)間に形成される結果、
これら両層2,3(6,7)相互の接着強度が高まるこ
とになる。なお、ここでいうガラス析出層とはガラス成
分が多く含まれている部分を意味しており、このガラス
析出層がガラス成分のみからなるものでないことは勿論
である。
成とされたPTCにおいては、電極層3(7)を焼き付
け形成するにあたってガラスフリットを含むAgペース
トを用いるために、形成された電極層3(7)の周囲全
面にわたっては、図4で拡大して示すようなガラス成分
の析出層、すなわち、ガラス析出層8が形成されること
になる。そして、このようなガラス析出層8がオーミッ
ク層2(6)及び電極層3(7)間に形成される結果、
これら両層2,3(6,7)相互の接着強度が高まるこ
とになる。なお、ここでいうガラス析出層とはガラス成
分が多く含まれている部分を意味しており、このガラス
析出層がガラス成分のみからなるものでないことは勿論
である。
【0005】しかしながら、図2で示したPTCの各電
極層3に対してリード線4を半田付け接続するに際して
は、電極層3の外表面3a上に形成されたガラス析出層
8が半田付け時の障害となるため、この部位におけるガ
ラス析出層8及び酸化膜を比較的強力な作用力を有する
フラックスを用いて取り除く半田付け前処理を行ってお
かねばならないことになる。また、図3で示したチップ
型のPTCにおいても、その半田付け実装時には電極層
7のそれぞれをプリント基板上に配設された配線パター
ン(図示していない)の各々に対して半田付けしなけれ
ばならないのであるから、この実装作業に先立ってはや
はりフラックスを用いた半田付け前処理によって電極層
7の外表面7a上に形成されたガラス析出層8及び酸化
膜を除去しておく必要があることになる。
極層3に対してリード線4を半田付け接続するに際して
は、電極層3の外表面3a上に形成されたガラス析出層
8が半田付け時の障害となるため、この部位におけるガ
ラス析出層8及び酸化膜を比較的強力な作用力を有する
フラックスを用いて取り除く半田付け前処理を行ってお
かねばならないことになる。また、図3で示したチップ
型のPTCにおいても、その半田付け実装時には電極層
7のそれぞれをプリント基板上に配設された配線パター
ン(図示していない)の各々に対して半田付けしなけれ
ばならないのであるから、この実装作業に先立ってはや
はりフラックスを用いた半田付け前処理によって電極層
7の外表面7a上に形成されたガラス析出層8及び酸化
膜を除去しておく必要があることになる。
【0006】ところが、フラックスを用いることによっ
てPTCにおける不要なガラス析出層8などを除去した
場合には、PTC自身が還元作用を受けることになる結
果、抵抗−温度特性の劣化が起こったり、耐電圧特性が
低下したりというような不都合が生じることになってし
まう。また、付着したフラックスを除去するための洗浄
作業や洗浄後の乾燥作業をわざわざ行わなければなら
ず、その分だけ煩わしい手間がかかることにもなってい
た。
てPTCにおける不要なガラス析出層8などを除去した
場合には、PTC自身が還元作用を受けることになる結
果、抵抗−温度特性の劣化が起こったり、耐電圧特性が
低下したりというような不都合が生じることになってし
まう。また、付着したフラックスを除去するための洗浄
作業や洗浄後の乾燥作業をわざわざ行わなければなら
ず、その分だけ煩わしい手間がかかることにもなってい
た。
【0007】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、フラックスを用いての半田付け前
処理を行う必要がなく、抵抗−温度特性の劣化や耐電圧
特性の低下を招く恐れのないPTCなどの電子部品を提
供することを目的としている。
されたものであって、フラックスを用いての半田付け前
処理を行う必要がなく、抵抗−温度特性の劣化や耐電圧
特性の低下を招く恐れのないPTCなどの電子部品を提
供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、ガラス成分を含む導電性ペースト
からなる半田付け接続用の電極層が部品本体の外面上に
焼き付け形成された電子部品であって、前記電極層の外
表面は、焼き付け形成後に所定厚み分だけ削り取り除去
されていることを特徴としている。
的を達成するために、ガラス成分を含む導電性ペースト
からなる半田付け接続用の電極層が部品本体の外面上に
焼き付け形成された電子部品であって、前記電極層の外
表面は、焼き付け形成後に所定厚み分だけ削り取り除去
されていることを特徴としている。
【0009】
【作用】上記構成によれば、焼き付け形成された電極層
の外表面を所定厚み分だけ削り取り除去しているのであ
るから、この削り取り除去作業によって電極層の外表面
上に形成されていた不要なガラス析出層や酸化膜も除去
されてしまう。
の外表面を所定厚み分だけ削り取り除去しているのであ
るから、この削り取り除去作業によって電極層の外表面
上に形成されていた不要なガラス析出層や酸化膜も除去
されてしまう。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【0011】図1は本実施例にかかる電子部品としての
PTCにおける要部構成を拡大して示す断面図であり、
図2及び図3のそれぞれはPTCの全体構成を簡略化し
て示す断面図である。なお、本実施例にかかるPTCの
全体構成は従来例と基本的に異ならないので、その全体
構成についての説明は従来例で示したと同一の図2及び
図3に基づいて行うこととする。
PTCにおける要部構成を拡大して示す断面図であり、
図2及び図3のそれぞれはPTCの全体構成を簡略化し
て示す断面図である。なお、本実施例にかかるPTCの
全体構成は従来例と基本的に異ならないので、その全体
構成についての説明は従来例で示したと同一の図2及び
図3に基づいて行うこととする。
【0012】第1実施例 図2で全体構成を示す第1実施例としてのPTCは、部
品本体である円形平板形状とされたチタン酸バリウム系
セラミックスからなるサーミスタ素体1を備えており、
その外面であるところの互いに対向する主表面それぞれ
上には、Niの無電解メッキによって形成されたオーミ
ック層2と、ガラス成分(ガラスフリット)を含む導電
性ペーストであるAgペーストを塗布したうえで焼き付
け形成してなる半田付け接続用の電極層3とが互いに積
層した状態で設けられている。そして、これら電極層3
の外表面3aそれぞれに対してはスチールウールを用い
た研磨やバレル処理などが施されており、各外表面3a
は、図1で拡大して示すように、電極層3の焼き付け形
成後において所定厚み分、例えば、1μm程度分だけ削
り取り除去されている。なお、バレル処理とは、容器
(バレル)内に投入したPTCをメディアといわれるメ
ノウなどの玉石とともに回転させながら混合する処理で
ある。
品本体である円形平板形状とされたチタン酸バリウム系
セラミックスからなるサーミスタ素体1を備えており、
その外面であるところの互いに対向する主表面それぞれ
上には、Niの無電解メッキによって形成されたオーミ
ック層2と、ガラス成分(ガラスフリット)を含む導電
性ペーストであるAgペーストを塗布したうえで焼き付
け形成してなる半田付け接続用の電極層3とが互いに積
層した状態で設けられている。そして、これら電極層3
の外表面3aそれぞれに対してはスチールウールを用い
た研磨やバレル処理などが施されており、各外表面3a
は、図1で拡大して示すように、電極層3の焼き付け形
成後において所定厚み分、例えば、1μm程度分だけ削
り取り除去されている。なお、バレル処理とは、容器
(バレル)内に投入したPTCをメディアといわれるメ
ノウなどの玉石とともに回転させながら混合する処理で
ある。
【0013】その結果、このPTCにおける電極層3の
周囲全面にわたっては、図4で示したようなガラス析出
層8が電極層3の焼き付けに伴って一旦形成されていた
にも拘わらず、図1で示すように、削り取り除去作業の
実施によって電極層3の外表面3a上に形成されていた
不要なガラス析出層8や酸化膜は除去されてしまう。そ
して、このとき、サーミスタ素体1上に形成されたオー
ミック層2と電極層3との間にはガラス析出層8が形成
されたまま残っているのであるから、これら両層2,3
相互間の接着強度は高まったままで維持されていること
になる。さらにまた、削り取り除去作業が実施された各
電極層3の外表面3a上には、リード線4の各々が半田
付け接続によって取り付けられている。
周囲全面にわたっては、図4で示したようなガラス析出
層8が電極層3の焼き付けに伴って一旦形成されていた
にも拘わらず、図1で示すように、削り取り除去作業の
実施によって電極層3の外表面3a上に形成されていた
不要なガラス析出層8や酸化膜は除去されてしまう。そ
して、このとき、サーミスタ素体1上に形成されたオー
ミック層2と電極層3との間にはガラス析出層8が形成
されたまま残っているのであるから、これら両層2,3
相互間の接着強度は高まったままで維持されていること
になる。さらにまた、削り取り除去作業が実施された各
電極層3の外表面3a上には、リード線4の各々が半田
付け接続によって取り付けられている。
【0014】つぎに、本発明の発明者は、上記構成とさ
れた本実施例にかかるPTC及び従来例構成とされたP
TCそれぞれの特性を対比するための半田付着試験及び
耐電圧測定試験などを行ってみたので、以下、これらの
試験手順及び結果について説明する。
れた本実施例にかかるPTC及び従来例構成とされたP
TCそれぞれの特性を対比するための半田付着試験及び
耐電圧測定試験などを行ってみたので、以下、これらの
試験手順及び結果について説明する。
【0015】まず、外径14.5mm,厚み2.0mm
のサーミスタ素体1を用意し、その周囲全面にわたるN
iの無電解メッキを施した後、サーミスタ素体1の側面
に付着したメッキ層のみを研磨して除去する。すると、
このサーミスタ素体1の互いに対向する主表面それぞれ
上には、Niからなるオーミック層2が形成されている
ことになる。そして、ガラスフリットやビヒクルなどを
含むAgペーストをオーミック層2それぞれ上に塗布し
たうえ、約600℃の温度下で焼き付けると、各オーミ
ック層2上には半田付け接続用のAgからなる電極層3
が形成されることになり、従来例構成とされたPTCの
試料(従来例品)が得られる。その後、焼き付け形成さ
れた電極層3の外表面3aそれぞれをスチールウールで
研磨することによって所定厚み分だけを除去し、本実施
例構成とされたPTCの試料(実施例品)を作成する。
のサーミスタ素体1を用意し、その周囲全面にわたるN
iの無電解メッキを施した後、サーミスタ素体1の側面
に付着したメッキ層のみを研磨して除去する。すると、
このサーミスタ素体1の互いに対向する主表面それぞれ
上には、Niからなるオーミック層2が形成されている
ことになる。そして、ガラスフリットやビヒクルなどを
含むAgペーストをオーミック層2それぞれ上に塗布し
たうえ、約600℃の温度下で焼き付けると、各オーミ
ック層2上には半田付け接続用のAgからなる電極層3
が形成されることになり、従来例構成とされたPTCの
試料(従来例品)が得られる。その後、焼き付け形成さ
れた電極層3の外表面3aそれぞれをスチールウールで
研磨することによって所定厚み分だけを除去し、本実施
例構成とされたPTCの試料(実施例品)を作成する。
【0016】さらに、このようにして作成された従来例
品及び実施例品のそれぞれを銅・ニッケル(Cu−N
i)合金製のリード線4によって挟みこみ、かつ、15
0℃の温度下で予熱した後、255℃と設定された錫
(Sn)半田に浸漬する。すると、従来例品においては
リード線4にのみ半田が付着し、電極層3には全く半田
が付着しないのに対し、実施例品では外表面3aが除去
された電極層3の全面にわたって半田が付着しており、
電極層3とリード線4との半田付け接続が完全に行われ
ていることが確認できた。また、25%ロジンメタノー
ル溶液フラックスを用いたうえでのリード線4の半田付
け接続を行った後、有機溶剤によって3回洗浄して乾燥
させた従来例品と、上記手順に従って作成されたリード
線4接続済みの実施例品との有する耐電圧をそれぞれ測
定してみたところ、表1で示すような測定結果が得られ
た。
品及び実施例品のそれぞれを銅・ニッケル(Cu−N
i)合金製のリード線4によって挟みこみ、かつ、15
0℃の温度下で予熱した後、255℃と設定された錫
(Sn)半田に浸漬する。すると、従来例品においては
リード線4にのみ半田が付着し、電極層3には全く半田
が付着しないのに対し、実施例品では外表面3aが除去
された電極層3の全面にわたって半田が付着しており、
電極層3とリード線4との半田付け接続が完全に行われ
ていることが確認できた。また、25%ロジンメタノー
ル溶液フラックスを用いたうえでのリード線4の半田付
け接続を行った後、有機溶剤によって3回洗浄して乾燥
させた従来例品と、上記手順に従って作成されたリード
線4接続済みの実施例品との有する耐電圧をそれぞれ測
定してみたところ、表1で示すような測定結果が得られ
た。
【0017】
【表1】
【0018】そして、この表1によれば、従来例品にお
ける耐電圧が平均390Vであるのに対して実施例品の
耐電圧は平均430Vとなっており、10%程度もの耐
電圧の向上がみられることが分かる。また、これら従来
例品及び実施例品の有する抵抗−温度特性を調べたとこ
ろ、実施例品における抵抗−温度特性の劣化の方が従来
例品の劣化よりも少ないことも確認されている。なお、
表1中におけるR25は、25℃における試料の有する抵
抗値を示すものである。
ける耐電圧が平均390Vであるのに対して実施例品の
耐電圧は平均430Vとなっており、10%程度もの耐
電圧の向上がみられることが分かる。また、これら従来
例品及び実施例品の有する抵抗−温度特性を調べたとこ
ろ、実施例品における抵抗−温度特性の劣化の方が従来
例品の劣化よりも少ないことも確認されている。なお、
表1中におけるR25は、25℃における試料の有する抵
抗値を示すものである。
【0019】ところで、サーミスタ素体1の外面上に焼
き付け形成された電極層3のそれぞれに対してはリード
線4が半田付け接続されるのであるが、この半田付け時
における熱ストレスの影響を受けることによってサーミ
スタ素体1にクラックが入ったり割れたりするのを避け
るために予熱することが行われる。そして、このような
予熱作業は、リード線4を介してPTCの電極層3それ
ぞれの外表面3aに対して加熱器であるホットプレート
(図示していない)を当てつけたうえで行われるのであ
るが、本実施例構成とされたPTCにおいては、電極層
3の外表面3aにおけるガラス析出層8が除去された分
だけ熱伝達が良くなり、その分だけ予熱必要時間の短縮
を図ることができる。
き付け形成された電極層3のそれぞれに対してはリード
線4が半田付け接続されるのであるが、この半田付け時
における熱ストレスの影響を受けることによってサーミ
スタ素体1にクラックが入ったり割れたりするのを避け
るために予熱することが行われる。そして、このような
予熱作業は、リード線4を介してPTCの電極層3それ
ぞれの外表面3aに対して加熱器であるホットプレート
(図示していない)を当てつけたうえで行われるのであ
るが、本実施例構成とされたPTCにおいては、電極層
3の外表面3aにおけるガラス析出層8が除去された分
だけ熱伝達が良くなり、その分だけ予熱必要時間の短縮
を図ることができる。
【0020】第2実施例 つぎに、図3で示す第2実施例としてのチップ型PTC
は、略直方体形状とされたチタン酸バリウム系セラミッ
クスからなるサーミスタ素体5を備えており、その長手
方向に沿って互いに対向する端部それぞれ上には、Ni
の無電解メッキによって形成されたオーミック層6と、
ガラスフリットを含むAgペーストを塗布したうえで焼
き付け形成してなる半田付け接続用の電極層7とが設け
られている。そして、これら電極層7の外表面7aそれ
ぞれに対しても第1実施例と同様のバレル処理などが施
されており、各外表面7aは、図1で拡大して示すのと
同じく、電極層7の焼き付け形成後において所定厚み分
だけ削り取り除去されている。その結果、このPTCに
おいても、削り取り除去作業の実施によって電極層7の
外表面7a上に形成されていた不要なガラス析出層8や
酸化膜は除去されていることになる。
は、略直方体形状とされたチタン酸バリウム系セラミッ
クスからなるサーミスタ素体5を備えており、その長手
方向に沿って互いに対向する端部それぞれ上には、Ni
の無電解メッキによって形成されたオーミック層6と、
ガラスフリットを含むAgペーストを塗布したうえで焼
き付け形成してなる半田付け接続用の電極層7とが設け
られている。そして、これら電極層7の外表面7aそれ
ぞれに対しても第1実施例と同様のバレル処理などが施
されており、各外表面7aは、図1で拡大して示すのと
同じく、電極層7の焼き付け形成後において所定厚み分
だけ削り取り除去されている。その結果、このPTCに
おいても、削り取り除去作業の実施によって電極層7の
外表面7a上に形成されていた不要なガラス析出層8や
酸化膜は除去されていることになる。
【0021】さらに、本発明の発明者が、電極層7が焼
き付け形成されたままの従来例構成とされたPTCの試
料(従来例品)と、電極層7の外表面7aが所定厚み分
だけ削り取り除去された本実施例にかかるPTCの試料
(実施例品)とを用意して半田付着試験を行ってみたと
ころ、つぎのような結果が確認された。すなわち、従来
例品及び実施例品のそれぞれを150℃の温度下で予熱
した後、230℃とされた鉛(Pb:40%)・Sn
(60%)半田中に浸漬した。すると、従来例品の電極
層7に対する半田の付着は見られなかったにも拘わら
ず、実施例品では電極層7の全面にわたって半田が付着
していた。
き付け形成されたままの従来例構成とされたPTCの試
料(従来例品)と、電極層7の外表面7aが所定厚み分
だけ削り取り除去された本実施例にかかるPTCの試料
(実施例品)とを用意して半田付着試験を行ってみたと
ころ、つぎのような結果が確認された。すなわち、従来
例品及び実施例品のそれぞれを150℃の温度下で予熱
した後、230℃とされた鉛(Pb:40%)・Sn
(60%)半田中に浸漬した。すると、従来例品の電極
層7に対する半田の付着は見られなかったにも拘わら
ず、実施例品では電極層7の全面にわたって半田が付着
していた。
【0022】ところで、以上説明したPTC、すなわ
ち、電極層3(7)の外表面3a(7a)が削り取り除
去されたPTCを高温中などに放置しておくことによっ
て外表面3a(7a)上に酸化膜が形成されてしまうこ
とも考えられるが、このような場合であってもガラス析
出層8は既に除去されているのであるから、従来例のよ
うに強力な作用力を有するフラックスを用いての半田付
け前処理を行う必要はなく、極めて弱い作用力のフラッ
クスを用いることによって酸化膜のみを除去すればよい
ことになる。また、以上説明した第1及び第2実施例で
は、オーミック層2がNiの無電解メッキによって形成
されたものであり、電極層3がAgペーストの焼き付け
によって形成されたものであるとしているが、例えば、
電極層3を白金(Pt)・Agペーストによって形成し
てもよく、また、オーミック層2をオーミックAgペー
スト、電極層3をノンオーミックAgペーストによって
形成してもよいことは勿論である。
ち、電極層3(7)の外表面3a(7a)が削り取り除
去されたPTCを高温中などに放置しておくことによっ
て外表面3a(7a)上に酸化膜が形成されてしまうこ
とも考えられるが、このような場合であってもガラス析
出層8は既に除去されているのであるから、従来例のよ
うに強力な作用力を有するフラックスを用いての半田付
け前処理を行う必要はなく、極めて弱い作用力のフラッ
クスを用いることによって酸化膜のみを除去すればよい
ことになる。また、以上説明した第1及び第2実施例で
は、オーミック層2がNiの無電解メッキによって形成
されたものであり、電極層3がAgペーストの焼き付け
によって形成されたものであるとしているが、例えば、
電極層3を白金(Pt)・Agペーストによって形成し
てもよく、また、オーミック層2をオーミックAgペー
スト、電極層3をノンオーミックAgペーストによって
形成してもよいことは勿論である。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる電
子部品においては、ガラス成分を含む導電性ペーストを
用いて部品本体の外面上に焼き付け形成された電極層の
外表面を焼き付け形成後に所定厚み分だけ削り取り除去
するのであるから、この削り取り除去作業によって電極
層の外表面上に形成されていた不要なガラス析出層や酸
化膜も除去されてしまう。したがって、本発明によれ
ば、強力な作用力を有するフラックスを用いての半田付
け前処理を行う必要がなくなる結果、抵抗−温度特性の
劣化や耐電圧特性の低下を招く恐れがないという効果が
得られる。
子部品においては、ガラス成分を含む導電性ペーストを
用いて部品本体の外面上に焼き付け形成された電極層の
外表面を焼き付け形成後に所定厚み分だけ削り取り除去
するのであるから、この削り取り除去作業によって電極
層の外表面上に形成されていた不要なガラス析出層や酸
化膜も除去されてしまう。したがって、本発明によれ
ば、強力な作用力を有するフラックスを用いての半田付
け前処理を行う必要がなくなる結果、抵抗−温度特性の
劣化や耐電圧特性の低下を招く恐れがないという効果が
得られる。
【図1】本実施例にかかるPTCの要部構成を拡大して
示す断面図である。
示す断面図である。
【図2】本実施例及び従来例にかかるPTCの全体構成
を簡略化して示す断面図である。
を簡略化して示す断面図である。
【図3】本実施例及び従来例にかかるチップ型PTCの
全体構成を簡略化して示す断面図である。
全体構成を簡略化して示す断面図である。
【図4】従来例にかかるPTCの要部構成を拡大して示
す断面図である。
す断面図である。
1 サーミスタ素体(部品本体) 3 電極層 3a 外表面 5 サーミスタ素体(部品本体) 7 電極層 7a 外表面
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラス成分を含む導電性ペーストからな
る半田付け接続用の電極層(3,7)が部品本体(1,
5)の外面上に焼き付け形成された電子部品であって、 前記電極層(3,7)の外表面(3a,7a)は、焼き
付け形成後に所定厚み分だけ削り取り除去されているこ
とを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33603092A JPH06188101A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33603092A JPH06188101A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06188101A true JPH06188101A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18294979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33603092A Pending JPH06188101A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06188101A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP33603092A patent/JPH06188101A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
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