JPH01287902A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JPH01287902A JPH01287902A JP11756588A JP11756588A JPH01287902A JP H01287902 A JPH01287902 A JP H01287902A JP 11756588 A JP11756588 A JP 11756588A JP 11756588 A JP11756588 A JP 11756588A JP H01287902 A JPH01287902 A JP H01287902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- solder
- coefficient thermistor
- thermal expansion
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical group [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタン酸バリウム系酸化吻を主成分とする半
導体セラミックスからなる正特性サーミスタに関し、特
に品質に対する信親性を向上できるようにした新規な電
極構造に関する。
導体セラミックスからなる正特性サーミスタに関し、特
に品質に対する信親性を向上できるようにした新規な電
極構造に関する。
一般に、正特性サーミスタは、ある所定の温度以上にな
ると、その抵抗値が急激に上昇する正の温度特性を有し
ている。そしてこの正特性サーミスタは、半導体セラミ
ックス素子の表面に少なくとも一対の電極膜を形成して
構成されている。
ると、その抵抗値が急激に上昇する正の温度特性を有し
ている。そしてこの正特性サーミスタは、半導体セラミ
ックス素子の表面に少なくとも一対の電極膜を形成して
構成されている。
ところで、上記正特性サーミスタの電極膜は、整流性の
ない低抵抗のオーム接触を必要としており、従来から、
Ａｇ、Ｇａを主成分とした合金。
ない低抵抗のオーム接触を必要としており、従来から、
Ａｇ、Ｇａを主成分とした合金。
Ｎｉ、／１等が採用されている。また、上記電極膜を成
形する方法としては、Ａｇペーストの焼き付け、無電解
Ｎｉメツキ、あるいはＡ１の溶射等が採用されている。
形する方法としては、Ａｇペーストの焼き付け、無電解
Ｎｉメツキ、あるいはＡ１の溶射等が採用されている。
しかしながら、上記従来の各電極膜の形成方法では、一
般的に以下のような問題点がある。
般的に以下のような問題点がある。
■ 上記Ａｇペーストの場合は、寿命試験での抵抗値の
変化が大きくライフ試験に弱い、またＡｇの焼き付けは
低温で行うことから密着強度が弱い、さらに、上記Ａｇ
は半田付は時の拡散現象によって半田に溶は込み易く、
しかも高価である。
変化が大きくライフ試験に弱い、またＡｇの焼き付けは
低温で行うことから密着強度が弱い、さらに、上記Ａｇ
は半田付は時の拡散現象によって半田に溶は込み易く、
しかも高価である。
■ Ｎｉメツキの場合は、上記Ａｇと同様にうイフ試駁
で抵抗値が変化し易く、また３００℃以上の空気中で熱
処理を行うことから、表面酸化により半田が付かなくな
る。ざらに、メツキ液中に漫清することから、セラミッ
クス素子の吸水又はメツキイオンの残渣により素子が劣
化するおそれがある。
で抵抗値が変化し易く、また３００℃以上の空気中で熱
処理を行うことから、表面酸化により半田が付かなくな
る。ざらに、メツキ液中に漫清することから、セラミッ
クス素子の吸水又はメツキイオンの残渣により素子が劣
化するおそれがある。
■ Ａａの溶射の場合は、電極膜の形成初期においては
、安定したオーム性接触が得られるが、Ａｅ自体の耐環
境性が悪いことから、製品後の寿命が短く、酸化によっ
て半田が付きにくくなる。
、安定したオーム性接触が得られるが、Ａｅ自体の耐環
境性が悪いことから、製品後の寿命が短く、酸化によっ
て半田が付きにくくなる。
本発明の目的は、安定したオーム性接触及び弦い密着強
度が得られるとともに、半田付は性を向上できる全く新
規な構造の正特性サーミスタを提供することにある。
度が得られるとともに、半田付は性を向上できる全く新
規な構造の正特性サーミスタを提供することにある。
ｃ問題点を解決するだめの手段）
本件発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重
ね、良好なオーム性接触及び高い密着強度が要求される
電極〃９用金属とＬ７て、Ｃｒに着目した。即ち、オー
ム性接触は原子の仕事関数の小さい方が得易いと３われ
ており、Ｃｒはこの仕事関数が小さく、ｐ、好なメ・−
・ム性接触が期待できろ６また、−ｍ的（、、：、Ｃｒ
はセラミックスとの強い密着強度が得易いことから、Ｊ
：配電極膜にＣｒを採用するこ＾が望ましいいしかし、
」二重Ｃｖは半田が付きにくく、す・−ド線の取りイ１
りやプリント基板への半田付けが困難になるという問題
がある。
ね、良好なオーム性接触及び高い密着強度が要求される
電極〃９用金属とＬ７て、Ｃｒに着目した。即ち、オー
ム性接触は原子の仕事関数の小さい方が得易いと３われ
ており、Ｃｒはこの仕事関数が小さく、ｐ、好なメ・−
・ム性接触が期待できろ６また、−ｍ的（、、：、Ｃｒ
はセラミックスとの強い密着強度が得易いことから、Ｊ
：配電極膜にＣｒを採用するこ＾が望ましいいしかし、
」二重Ｃｖは半田が付きにくく、す・−ド線の取りイ１
りやプリント基板への半田付けが困難になるという問題
がある。
特殊な条件を用いれば半田伺けを容易化できるが、。
これを行うとサーミスタの特性が劣化する問題がある８
一方、仮りにＣｒに半田付けした場合は、該Ｃｒは半田
に比べて熱膨張係数が小さいことかｌ）、両者の熱膨張
係数の差によるス（レスが生じ、セラミックス素子とＣ
ｒ電極膜との間の密着強度が低下するという問題が生じ
る。また正特性′ナーミスタは発熱素子であるため、熱
膨張係数の差は、単に半田（１３時の一時的な問題では
なく、永続的な問題となる。つまり、何らかの方法で半
田付けによる密着強度低下を防止できた々しても、通常
使用における発熱で密着強度が低下し信頼性を太き（引
き下げる事になる。そこで、上記Ｃｒからなる電極膜に
、半田付は性が良好で、がっｃｒと半田との熱膨張係数
の差を絣和で恋る金属イー被瑣して二重構造にしてやれ
ば上述した目的を達成できることを見出し、本発明を成
したものである。
一方、仮りにＣｒに半田付けした場合は、該Ｃｒは半田
に比べて熱膨張係数が小さいことかｌ）、両者の熱膨張
係数の差によるス（レスが生じ、セラミックス素子とＣ
ｒ電極膜との間の密着強度が低下するという問題が生じ
る。また正特性′ナーミスタは発熱素子であるため、熱
膨張係数の差は、単に半田（１３時の一時的な問題では
なく、永続的な問題となる。つまり、何らかの方法で半
田付けによる密着強度低下を防止できた々しても、通常
使用における発熱で密着強度が低下し信頼性を太き（引
き下げる事になる。そこで、上記Ｃｒからなる電極膜に
、半田付は性が良好で、がっｃｒと半田との熱膨張係数
の差を絣和で恋る金属イー被瑣して二重構造にしてやれ
ば上述した目的を達成できることを見出し、本発明を成
したものである。
そこで本発明は、正の抵抗へに特性を有する正特性サー
ミスタにおいて、半導体−１！−ラミックス素子の表面
に、Ｃｒからなる少なくとも一対の第１電極膜を形成し
、該第ｉｔ極膜の表面に、半田付は性がρ、好で、かつ
熱膨張係数が上記Ｃｒより大きく半田より小ざい金属か
らなる第２電極膜を形成したことを特徴としている。
ミスタにおいて、半導体−１！−ラミックス素子の表面
に、Ｃｒからなる少なくとも一対の第１電極膜を形成し
、該第ｉｔ極膜の表面に、半田付は性がρ、好で、かつ
熱膨張係数が上記Ｃｒより大きく半田より小ざい金属か
らなる第２電極膜を形成したことを特徴としている。
ここで」二重第１電極膜は、スパッタリング、蒸着、溶
射等の乾式メツキにより形成することが望ましい。また
、上記第２電極■ζネは湿式あるいは乾式メツキのいず
れにより形成しても構わない、さらに、上記第２電極膜
としては、例えばＮｉ、ＣＵ等の金属が採用でき５．こ
れらの金属の熱膨張係数はＣｒと半田との略中間に値す
るからである。
射等の乾式メツキにより形成することが望ましい。また
、上記第２電極■ζネは湿式あるいは乾式メツキのいず
れにより形成しても構わない、さらに、上記第２電極膜
としては、例えばＮｉ、ＣＵ等の金属が採用でき５．こ
れらの金属の熱膨張係数はＣｒと半田との略中間に値す
るからである。
本発明に係る正特性サーミスタによれば、セラミックス
素子にＣｒからなる第１電極膜を形成し、該第１電極膜
の表面／、、’Ｔ：ｆ田イづり性が良く、かりＣｒと半
田との熱膨張係数の差４：吸収できる金属からなる第２
電極膜を形成したので、−上記Ｃｒにより安定１．また
オーム外接８１（及び高い密着強度が得られ、上記第２
電極膜によって半田４ｆ１’ ＬＪ性を向トでき、その
結果品質、耐久性等に対する信頼性を向」二できる。
素子にＣｒからなる第１電極膜を形成し、該第１電極膜
の表面／、、’Ｔ：ｆ田イづり性が良く、かりＣｒと半
田との熱膨張係数の差４：吸収できる金属からなる第２
電極膜を形成したので、−上記Ｃｒにより安定１．また
オーム外接８１（及び高い密着強度が得られ、上記第２
電極膜によって半田４ｆ１’ ＬＪ性を向トでき、その
結果品質、耐久性等に対する信頼性を向」二できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による正特性サーミスタを説
明するための図である。
明するための図である。
図において、１は未実施例の正特性サーミスタである。
これは、円板状のＢａＴｉ０．系半導体セラミックス素
子２０対向する両主面に、スパッタリングによりＣｒか
らなる第１電極膜３を形成し、該第１電極膜３の表面す
こスパッタリングによりＮｉからなる第２電極膜４を形
成すると２−もに、この第２電極膜４の表面に、／Ｊか
らなる保護電極膜５を形成１，２て構成されている。ま
た、図示していないが、上記保護電極膜５には適宜リー
ド綿が半田付は接続されている。なお、上記保１！電極
膜５は、上記第２電極膜４の時間の経過による酸化によ
って生じる半田付は性の低下を防止するためのものであ
り、上記第２電極膜４の形成後、直、ちにリード線を接
続する場合は、必ずしもこの保護電極膜５を形成しなく
てもよい。
子２０対向する両主面に、スパッタリングによりＣｒか
らなる第１電極膜３を形成し、該第１電極膜３の表面す
こスパッタリングによりＮｉからなる第２電極膜４を形
成すると２−もに、この第２電極膜４の表面に、／Ｊか
らなる保護電極膜５を形成１，２て構成されている。ま
た、図示していないが、上記保護電極膜５には適宜リー
ド綿が半田付は接続されている。なお、上記保１！電極
膜５は、上記第２電極膜４の時間の経過による酸化によ
って生じる半田付は性の低下を防止するためのものであ
り、上記第２電極膜４の形成後、直、ちにリード線を接
続する場合は、必ずしもこの保護電極膜５を形成しなく
てもよい。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の正特性サーミスタ１は、所定の温度で抵抗値
が急増する抵抗温度特性を有しており、ヒータ素子又は
電流制御素子あるいは温度センサ等として利用されてい
る。
が急増する抵抗温度特性を有しており、ヒータ素子又は
電流制御素子あるいは温度センサ等として利用されてい
る。
そして、本実施例の正特性サーミスタ１によれば、セラ
ミックス素子２にＣｒからなる第１電極膜３を形成し、
該第１電極膜３の表面にＮｉからなる第２電極膜４を形
成して二重構造としたので、上記第１電極膜３によって
安定したオーム性接触及び高い密着強度が得られる。ま
た、上記第２電極膜４によって半田付は性を向上できる
とともに、上記第１電極膜３とリード線初半田との熱膨
張係数の差を吸収できるから、第１電極膜３と半田との
熱膨張係数の差によるストレスを防止でき、密着強度の
低下を防止できる。
ミックス素子２にＣｒからなる第１電極膜３を形成し、
該第１電極膜３の表面にＮｉからなる第２電極膜４を形
成して二重構造としたので、上記第１電極膜３によって
安定したオーム性接触及び高い密着強度が得られる。ま
た、上記第２電極膜４によって半田付は性を向上できる
とともに、上記第１電極膜３とリード線初半田との熱膨
張係数の差を吸収できるから、第１電極膜３と半田との
熱膨張係数の差によるストレスを防止でき、密着強度の
低下を防止できる。
なお、上記実施例では、各電極膜３〜５の形成をスパッ
タリングにより形成した場合を例にとって説明したが、
本発明では、上記第１を極１１に３は乾式メツキによる
ものであれば、いずれの方法でもよく、例えば溶射、蒸
着でもよい。
タリングにより形成した場合を例にとって説明したが、
本発明では、上記第１を極１１に３は乾式メツキによる
ものであれば、いずれの方法でもよく、例えば溶射、蒸
着でもよい。
また、上記第２電極膜４の形成方法は特に限定するもの
ではなく、湿式メツキ、蒸着、溶射でもよい、さらにこ
の第２ｔｌｉ膜としてＣｕを採用してもよく、要は半田
付は性が良好で、かつ熱膨張係数が第１電極膜３より大
きく半田より小さいもであればいずれの金属でも採用で
きる。
ではなく、湿式メツキ、蒸着、溶射でもよい、さらにこ
の第２ｔｌｉ膜としてＣｕを採用してもよく、要は半田
付は性が良好で、かつ熱膨張係数が第１電極膜３より大
きく半田より小さいもであればいずれの金属でも採用で
きる。
さらにまた、上記実施例ではリード線を半田付けした場
合を例にとって説明したが、本発明は、リード線を取付
けない、いわゆるチップ型にも採用できる。
合を例にとって説明したが、本発明は、リード線を取付
けない、いわゆるチップ型にも採用できる。
第１表及び第２図は、本実施例による正特性サーミスタ
１の特性改善効果を説明するための実験結果を示すもの
である。第１表は正特性サーミスタの主要な特性を示し
、第２図は抵抗値と温度との関係を示す特性図である。
１の特性改善効果を説明するための実験結果を示すもの
である。第１表は正特性サーミスタの主要な特性を示し
、第２図は抵抗値と温度との関係を示す特性図である。
なお、Ａは正特性サーミスタの理想特性値を示し、Ｂは
本実施例の電極膜による特性値を示す、また、Ｃ，、Ｄ
、Ｅはそれぞれ従来のＡｇペーストの焼き付け、電解Ｎ
ｉメツキ、Ａｌの溶射により電極膜を形成した場合の特
性値を示す。
本実施例の電極膜による特性値を示す、また、Ｃ，、Ｄ
、Ｅはそれぞれ従来のＡｇペーストの焼き付け、電解Ｎ
ｉメツキ、Ａｌの溶射により電極膜を形成した場合の特
性値を示す。
第１表及び第２図からも明らかなように、抵抗値、耐電
圧（第１表）、及び温度−抵抗値特性（第２図）のいず
れにおいても、従来の特性値Ｃ〜已に比べ本実施例の特
性値Ｂは向上しており、′理想の特性値Ａに近い値が得
られていることがわかる。また、耐環境試験、加速通電
ライフ試験においても、本実施例の特性値Ｂは従来の特
性値Ｃ〜Ｅに比べ大幅に変化率を低減できており、さら
にリード線の引っ張り試験においても大幅に強度を向上
できている。
圧（第１表）、及び温度−抵抗値特性（第２図）のいず
れにおいても、従来の特性値Ｃ〜已に比べ本実施例の特
性値Ｂは向上しており、′理想の特性値Ａに近い値が得
られていることがわかる。また、耐環境試験、加速通電
ライフ試験においても、本実施例の特性値Ｂは従来の特
性値Ｃ〜Ｅに比べ大幅に変化率を低減できており、さら
にリード線の引っ張り試験においても大幅に強度を向上
できている。
以上のように本発明に係る正特性サーミスタによれば、
セラミックス素子にＣｒからなる第１電極膜を形成し、
該第１１電極膜の表面に半田付は性が良く、かつＣｒと
半田との熱膨張係数の差を吸収できる第２電極膜を形成
するようにしたので、上記Ｃｒにより安定したオーム性
接触及び高い密着強度が得られ、上記第２１１極膜によ
って半田付けを向上できる効果がある。
セラミックス素子にＣｒからなる第１電極膜を形成し、
該第１１電極膜の表面に半田付は性が良く、かつＣｒと
半田との熱膨張係数の差を吸収できる第２電極膜を形成
するようにしたので、上記Ｃｒにより安定したオーム性
接触及び高い密着強度が得られ、上記第２１１極膜によ
って半田付けを向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による正特性サーミスタを説
明するための断面図、第２図は本実施例による効果を説
明するための抵抗値と温度との関係を示す特性図である
。 図において、１は正特性サーミスタ、２は半導体セラミ
ックス素子、３は第１電極膜、４は第２電極膜である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 下 市 努 第１図 第２図 二４；ν１． 浅 （Ｃ″］→
明するための断面図、第２図は本実施例による効果を説
明するための抵抗値と温度との関係を示す特性図である
。 図において、１は正特性サーミスタ、２は半導体セラミ
ックス素子、３は第１電極膜、４は第２電極膜である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 下 市 努 第１図 第２図 二４；ν１． 浅 （Ｃ″］→
Claims (1)
- （１）所定の温度で抵抗値が急増する抵抗温度特性を有
する正特性サーミスタにおいて、半導体セラミックス素
子の表面に、オーミック性のＣｒからなる少なくとも一
対の第１電極膜を形成し、該第１電極膜の表面に、半田
付け性が良好で、かつ熱膨張係数が上記Ｃｒより大きく
半田より小さい金属からなる第２電極膜を形成したこと
を特徴とする正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11756588A JPH01287902A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11756588A JPH01287902A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287902A true JPH01287902A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14714960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11756588A Pending JPH01287902A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03239302A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 磁器半導体素子及び磁器半導体素子の製造方法 |
| EP0500955A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Positive characteristic thermistor and manufacturing method therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848402A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
| JPS60701A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | ティーディーケイ株式会社 | オ−ム性電極 |
| JPS6465825A (en) * | 1987-07-31 | 1989-03-13 | Siemens Ag | Multilayer electric device with monolithic ceramic body and manufacture of the same |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11756588A patent/JPH01287902A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848402A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
| JPS60701A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | ティーディーケイ株式会社 | オ−ム性電極 |
| JPS6465825A (en) * | 1987-07-31 | 1989-03-13 | Siemens Ag | Multilayer electric device with monolithic ceramic body and manufacture of the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03239302A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 磁器半導体素子及び磁器半導体素子の製造方法 |
| EP0500955A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Positive characteristic thermistor and manufacturing method therefor |
| US5289155A (en) * | 1990-09-10 | 1994-02-22 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Positive temperature characteristic thermistor and manufacturing method therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100258676B1 (ko) | 세라믹 커패시터 | |
| JPH01287902A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP2022078352A (ja) | 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 | |
| JP4560874B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| KR100358302B1 (ko) | 부온도 계수 써미스터 | |
| JPH01295403A (ja) | チップバリスタ | |
| JPH0316255Y2 (ja) | ||
| JP3169181B2 (ja) | チップ型正特性サーミスタ | |
| JP3785961B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| JPS6322444B2 (ja) | ||
| JPH06349316A (ja) | 導電ペースト | |
| JPH0316254Y2 (ja) | ||
| JPH0415563B2 (ja) | ||
| JP2001291604A (ja) | チップ形積層サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH0370361B2 (ja) | ||
| JP2000138105A (ja) | 負特性サーミスタ装置 | |
| JPS5854481B2 (ja) | チタン系酸化物用電極の製造法 | |
| JPH04211101A (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
| JPH02265202A (ja) | チップ部品 | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
| JPS602178Y2 (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH06151105A (ja) | Ｐｔｃ抵抗体の製造方法 | |
| JP2650721B2 (ja) | 高周波用高電力形薄膜抵抗器 | |
| JPH0598493A (ja) | はんだめつき層処理方法 | |
| JPH05175015A (ja) | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |