JPH0598493A - はんだめつき層処理方法 - Google Patents

はんだめつき層処理方法

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Publication number
JPH0598493A
JPH0598493A JP26192991A JP26192991A JPH0598493A JP H0598493 A JPH0598493 A JP H0598493A JP 26192991 A JP26192991 A JP 26192991A JP 26192991 A JP26192991 A JP 26192991A JP H0598493 A JPH0598493 A JP H0598493A
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JP
Japan
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solder
soldered
solder plating
plating layer
plated
Prior art date
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Pending
Application number
JP26192991A
Other languages
English (en)
Inventor
Keigo Hiyama
啓吾 檜山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tamachi Denki KK
Original Assignee
Tamachi Denki KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 めっき製品の製造コストの低減が得られ、か
つ長時間安定した状態で使用できるはんだめっき層の処
理方法を提供する。 【構成】 はんだめっきを施した被鍍金材である接続端
子1をはんだめっきを施す際陽極となるはんだの固相線
温度以上でかつ液相線温度以下の無酸素雰囲気中で加熱
処理を施す。無酸素雰囲気中で加熱されたはんだめっき
層4は、はんだめっきによって素地2上の下地めっきに
共析した錫及び鉛とが溶融してピンホールが閉鎖された
緻密でしかも酸化物を含まないはんだ層が下地めっき3
上に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだめっき層処理方
法に関する
【0002】
【従来の技術】例えば、金や銀は電気的性質がよいこと
から、電気回路の電気接点等には金めっきや銀めっきが
施されている。しかしめっき層にピンホールがあると、
ピンホールを通って外部から硫化水素(H2 S)や二酸
化イオウ(SO2 )等の腐食ガスが侵入し、素地または
下地めっきとなる金属と化学反応を起こし、反応生成物
を作り、この反応生成物がめっき層の表面に露出乃至滲
出して電気接点の接触部の電気的特性を悪化させる要因
となっている。
【0003】この対策としてめっき層を厚くしてピンホ
ールの発生を防いでいる。このためめっきを施すための
時間を長くしたり、電流密度を大きくするなどの方策が
採られているが、均一な平均した厚さのめっき層が得ら
れず、また金や銀は高価なことから製造コストの高騰を
招く等の不具合がある。
【0004】また製造コストの低減を図るため軟らか
く、展延性に富み、他の金属となじみ易い性質を利用し
て金めっきや銀めっきに代えてはんだめっきが施される
ことがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記はんだめっきによ
ると大幅な製造コストの低減が得られる。しかしはんだ
めっきは、ピンホールが多く発生し、このピンホールか
ら侵入する腐食ガスによって素地または下地めっきを侵
かし、この反応生成物がめっき層表面に露出乃至滲出し
て電気特性を悪化させることから製品の使用耐久期間を
短命なものにしてしまう等の不具合がある。
【0006】従って本発明の目的は、めっき製品の製造
コストの低減が得られ、長期間安定した状態で使用でき
るはんだめっき層処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のはんだめっき層処理方法は、はんだめっきを施した被
鍍金材を、はんだめっきを施す際陽極となるはんだの固
相線温度以上でかつ液相線温度以下の無酸素雰囲気中で
加熱処理を施したものである。
【0008】
【実施例】以下本発明のはんだめっき層処理方法の一実
施例を図1に示す通信回路用切り分け端子板の接続端子
に施した例について説明する。
【0009】接続端子1は本体部1a,差込み部1b,
プリント回路と接続する接片1c及び切り分け部1dを
有しており、切り分け部1dには接触部1eが形成して
ある。このように形成された接続端子1を切り分け部1
dが互いに接するように相対向して設け、これら切り分
け部1d,1d間に試験用端子板(図示せず)を挿入す
ることによりそれぞれの接触部1eが対応する試験用端
子板の回路に接触するようになされている。
【0010】接続端子1は図2にその要部断面を示すよ
うに被鍍金材であるばね用燐青銅製の素地2に密着した
めっき層を得るため銅の下地めっき3を施した後、光沢
はんだめっきを施したはんだめっき層4が形成されてい
る。本実施例でははんだめっきを施す際、陽極となるは
んだの成分は、錫約90重量%、鉛約10重量%であ
る。
【0011】このようにはんだめっきを施した接続端子
1のはんだめっき層4は、錫及び鉛が下地めっき3上に
共析したものであって、多数のピンホールが散在した状
態である。
【0012】続いてはんだめっきを施した接続端子1を
無酸素雰囲気中で加熱処理を施す。加熱処理温度は、は
んだめっきを施す際陽極となる前記はんだの固相線温度
以上でかつ液相線温度以下の範囲、即ち液体と固体が共
存する領域であり、具体的には約183〜220℃の範
囲で約1〜2秒間加熱処理を施す。
【0013】無酸素雰囲気は、気相はんだ付けの際用い
られるパーフルオロポリエーテルなどの不活性液、例え
ばガルデンLS/210(登録商標)を加熱して得た不
活性ガスの飽和蒸気によって容易に得られ、この不活性
ガスの温度は不活性液の沸点以上に上がらないことから
一定の温度が得られ、温度管理が容易に行える。
【0014】無酸素雰囲気中で加熱された接続端子1の
はんだめっき層4は、はんだめっきによって下地めっき
3上に共析した錫と鉛が溶融し、ピンホールが閉鎖され
た緻密でしかも酸化物を含まないはんだ層を下地めっき
3上に形成することができる。更に加熱温度がはんだの
液相線温度と固相線温度との間の領域で行われることか
ら、液体と固体とが共存した状態であり、素地2上の下
地めっき3の表面からはんだめっき層4が流動して偏
移、あるいは下地めっき3上から落下することはない。
【0015】図3は以上のようにはんだめっきを施し、
かつ207〜209℃で約1〜2秒間熱処理をおこなっ
た本発明による処理方法によって得た接続端子1と従来
のはんだめっきを施したままの接続端子を腐食ガス雰囲
気中に暴露した各時経過に伴う常時閉成状態における接
触部1eの電気抵抗値の変移を示すものである。
【0016】腐食ガス雰囲気はH2 S3ppm、SO2
10ppmの混合ガスであり、温度40℃、湿度80%
の条件下で腐食ガス中に暴露し、初期、120時間、2
40時間、360時間、500時間経過後の電気抵抗値
を各々60個の接続端子について測定し、上記加熱処理
を施した接続端子の測定値を実線、従来のはんだめっき
を施したままの接続端子の測定値を鎖線で示し、それぞ
れの上端が最大値、下端が最小値、丸印が平均値を示し
ている。
【0017】図3から明らかなように実線で示す本発明
による加熱処理を施した接続端子の初期、120時間、
240時間、360時間、500時間腐食ガス中に暴露
した後の電気抵抗値の平均値が各々約7mΩ前後で大幅
な変化がなく、また最大値及び最小値の差が時経過に従
って僅かに増加するものの、500時間暴露経過後であ
っても約3mΩと僅かである。
【0018】これに対し、はんだめっきを施したままの
従来の接続端子における電気抵抗値の平均値は、初期に
おいて約7.5mΩであるが腐食ガスへの暴露時間の経
過に従って次第に増加し、500時間経過後には約11
mΩに達してしまう。また初期において最大値と最小値
の差が11mΩあり、この差も時経過に従って増大し、
500時間経過後では約47mΩの差が生じ接続端子間
で大きなばらつきがあることが示されている。
【0019】従って本発明のはんだめっき層処理方法に
よって得られる接続端子は従来の素地に施した下地めっ
き上にはんだめっきを施したままのものに比較し、ピン
ホールのない緻密で高品質のはんだめっき層が得られ、
長期間に亙って使用し得るものである。
【0020】以上説明では本発明のはんだめっき層処理
方法を錫約90重量%、鉛約10重量%の成分のはんだ
を用いてめっきを施した接続端子に適用した例について
記載したが、他の成分比のはんだを用いてもよく、また
この分野に限定されることなく、めっきを施す他の分野
にも適用し得るものである。
【0021】
【発明の効果】素地上にはんだめっきを施した被鍍金材
を無酸素雰囲気中ではんだの固相線温度以上でかつ液相
線温度以下の範囲で加熱処理を施すことから、素地また
は下地めっき上に共析した錫と鉛が溶融し、ピンホール
が閉鎖された緻密でしかも酸化物を含まないはんだ層が
素地または下地めっき上に形成され、はんだを用い、か
つ加熱温度が比較的低温であることから大幅な製造コス
トの低減が図れ、しかも腐食ガスがピンホールから侵入
して素地が腐食することがなく長時間安定した状態で被
鍍金材が使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるはんだめっき層処理方法の一実施
例を説明する被鍍金材である接続端子の斜視図である。
【図2】図1のA−A線に沿う要部拡大断面図である。
【図3】本発明によるはんだめっき層処理方法を施した
接続端子と従来のはんだめっきを施した接続端子の電気
的性質を示す説明である。
【符号の説明】
1 接続端子(被鍍金材) 2 素地 3 下地めっき 4 はんだめっき層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 はんだめっきを施した被鍍金材を、はん
    だめっきを施す際陽極となるはんだの固相線温度以上で
    かつ液相線温度以下の無酸素雰囲気中で加熱処理を施し
    たことを特徴とするはんだめっき層処理方法。
  2. 【請求項2】 はんだめっきを施す際陽極となるはんだ
    の成分が錫約90重量%及び鉛約10重量%であって、
    熱処理温度が183℃以上でかつ220℃以下である請
    求項1のはんだめっき層処理方法。
  3. 【請求項3】 無酸素雰囲気が不活性ガス雰囲気である
    請求項1または2のはんだめっき層処理方法。
JP26192991A 1991-10-09 1991-10-09 はんだめつき層処理方法 Pending JPH0598493A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009197280A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Jst Mfg Co Ltd めっき層の熱処理方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009197280A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Jst Mfg Co Ltd めっき層の熱処理方法

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