JPH01146301A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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- JPH01146301A JPH01146301A JP30626987A JP30626987A JPH01146301A JP H01146301 A JPH01146301 A JP H01146301A JP 30626987 A JP30626987 A JP 30626987A JP 30626987 A JP30626987 A JP 30626987A JP H01146301 A JPH01146301 A JP H01146301A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り策上五■月金１
本発明は、正特性サーミスタの製造方法に関する。
従来技術とその問題点
従来、チップ型の正特性サーミスタとしては第４ａ図、
第４ｂ図、第５ａ図、第５ｂ図に示すものが種々提供さ
れている。これらは、正特性サーミスタ素体１０の両端
に電極１１．１１としてＮｉ上にＡｇを設けている。Ｎ
ｉは無電解メッキにて設けられるが、安定化のために空
気中で約３００°Ｃ以上の熱処理を行なうと酸化して半
田付は性が悪化する。そこで、ＮｉをさらにＡｇで被覆
することとしている。
第４ｂ図、第５ａ図、第５ｂ図に示すものが種々提供さ
れている。これらは、正特性サーミスタ素体１０の両端
に電極１１．１１としてＮｉ上にＡｇを設けている。Ｎ
ｉは無電解メッキにて設けられるが、安定化のために空
気中で約３００°Ｃ以上の熱処理を行なうと酸化して半
田付は性が悪化する。そこで、ＮｉをさらにＡｇで被覆
することとしている。
しかしながら、Ａｇを使用することにより以下の問題点
を有している。
を有している。
（１）Ａｇは周囲環境の影響を受は易く、酸化物。
硫化物、塩化物を形成することにより半田付は性が劣化
する。
する。
（２） Ａｇは基板への半田付は時に半田くわれを生じ
て半田付は強度が弱化し、取り扱い中にチップが脱落す
ることがある。
て半田付は強度が弱化し、取り扱い中にチップが脱落す
ることがある。
（３）第４ａ図、第４ｂ図の如＜ＮｉをＡｇで完全に被
覆すると、通電時に酸化銀として析出しくマイグレーシ
ョン）、電極１１．１１が短絡するおそれを有する。
覆すると、通電時に酸化銀として析出しくマイグレーシ
ョン）、電極１１．１１が短絡するおそれを有する。
（４） Ａｇは高価であり、コスト高となる。
なお、第６ａ図、第６ｂ図に示す様に、下地電極として
Ａｇ−Ｇａを使用したものも提供きれているが、前記（
１）〜（４）の問題点を有することは同様である。
Ａｇ−Ｇａを使用したものも提供きれているが、前記（
１）〜（４）の問題点を有することは同様である。
発明の構成と作用
以上の問題点を解決するため、本発明に係る正特性サー
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体に電極とし
てのＮｉをメッキにて設けた後、酸素濃度約０．１〜５
％の雰囲気中で約３００〜６００℃の温度で熱処理を行
なうことを特徴とする。
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体に電極とし
てのＮｉをメッキにて設けた後、酸素濃度約０．１〜５
％の雰囲気中で約３００〜６００℃の温度で熱処理を行
なうことを特徴とする。
即ち、弱い酸化雰囲気中でＮｉを熱処理することにより
、Ｎｉ面の酸化を抑え、Ａｇでさらに被覆することなく
Ｎｉ単独での半田付けが可能となる。Ａｇを使用しない
ことにより、環境の悪影響で半田付は性が劣化したり、
半田くわれ、マイグレーシヨンを生じることが防止され
る。
、Ｎｉ面の酸化を抑え、Ａｇでさらに被覆することなく
Ｎｉ単独での半田付けが可能となる。Ａｇを使用しない
ことにより、環境の悪影響で半田付は性が劣化したり、
半田くわれ、マイグレーシヨンを生じることが防止され
る。
ところで、酸素濃度約０．１〜５％の弱酸化雰囲気は、
例えば、空気二Ｎ、ガスを１：３〜２００の体積比とす
ることで得ることができる。この場合、酸素濃度が約０
．１％以下であると、Ｏ３が少なくなり過ぎて熱処理中
に正特性サーミスタ素体中の酸素が飛散し、特性の劣化
を生ずる。また、酸素濃度が約５％以上であると、Ｎｉ
面が酸化して半田付は性が劣化する。一方、熱処理温度
が約３００°Ｃ以下ではＮｉの正特性サーミスタ素体に
対するオーミック性接触が不安定となり、安定した特性
を得ることができない。また、熱処理温度が約６００″
Ｃ以上では、雰囲気の影響を受は易く、酸素濃度が低い
と素体が還元されて特性が劣化し、酸素濃度が高いとＮ
ｉの酸化が顕著となって半田付は性が劣化することとな
る。
例えば、空気二Ｎ、ガスを１：３〜２００の体積比とす
ることで得ることができる。この場合、酸素濃度が約０
．１％以下であると、Ｏ３が少なくなり過ぎて熱処理中
に正特性サーミスタ素体中の酸素が飛散し、特性の劣化
を生ずる。また、酸素濃度が約５％以上であると、Ｎｉ
面が酸化して半田付は性が劣化する。一方、熱処理温度
が約３００°Ｃ以下ではＮｉの正特性サーミスタ素体に
対するオーミック性接触が不安定となり、安定した特性
を得ることができない。また、熱処理温度が約６００″
Ｃ以上では、雰囲気の影響を受は易く、酸素濃度が低い
と素体が還元されて特性が劣化し、酸素濃度が高いとＮ
ｉの酸化が顕著となって半田付は性が劣化することとな
る。
火蓋忽
第１図は、本発明に係る製造方法の一実施例を示し、ま
ず、図中（ａ）に示す正特性サーミスタ素体１の表裏面
の幅方向中央部に、図中（ｂ）で斜線を付して示す様に
メッキレジストインキ２を塗布し、乾燥させる。
ず、図中（ａ）に示す正特性サーミスタ素体１の表裏面
の幅方向中央部に、図中（ｂ）で斜線を付して示す様に
メッキレジストインキ２を塗布し、乾燥させる。
その後、素体１にＮｉの無寛解メッキを施す。これにて
メッキレジストインキ２が塗布されていない表裏面両側
部及び両端面に電極としてのＮｉ膜が形成される。
メッキレジストインキ２が塗布されていない表裏面両側
部及び両端面に電極としてのＮｉ膜が形成される。
次に、メッキレジストインキ２を除去する。これは、ト
リクロルエタン液中で超音波を与えることにより行なわ
れる。
リクロルエタン液中で超音波を与えることにより行なわ
れる。
次に、酸素濃度０．５％（空気： Ｎｘ−１： ３９）
の雰囲気とした電気炉内で４００℃に加熱する。これに
て、Ｎｉが素体１にオーミックに接触し、安定化する。
の雰囲気とした電気炉内で４００℃に加熱する。これに
て、Ｎｉが素体１にオーミックに接触し、安定化する。
次に、第１図中（ｃ）に示す様に、Ｎｉ電極３が形成き
れた素体１を一点鎖線で示す位置でカットし、チップと
する。
れた素体１を一点鎖線で示す位置でカットし、チップと
する。
さらに、フラックスを塗布して２５０℃の溶融錫半田中
に浸漬し、第１図中（ｄ）に示す様に、Ｎｉ電極３上を
半田４で被覆する。
に浸漬し、第１図中（ｄ）に示す様に、Ｎｉ電極３上を
半田４で被覆する。
以上の工程で製造された本発明品であるチップ型正特性
サーミスタと第４ａ図、第４ｂ図に示した従来品である
チップ型正特性サーミスタの緒特性について以下の様に
して比較実験を行なった。
サーミスタと第４ａ図、第４ｂ図に示した従来品である
チップ型正特性サーミスタの緒特性について以下の様に
して比較実験を行なった。
なお、両チップ共長さ２．０ｍｍ、幅１．２５ｍｍ、高
さ０．８ｍｍとした。
さ０．８ｍｍとした。
（１）半田付は性テスト
従来品９本発明品共に試料を８０°Ｃの恒温槽内に２４
０時間放置した後、２３０℃の溶融半田（Ｓｎ ：Ｐｂ
＝ ６０ ： ４０）中に２秒間浸漬した。フラックス
はロジン系フラックス（メタノール溶液）を用いた。
０時間放置した後、２３０℃の溶融半田（Ｓｎ ：Ｐｂ
＝ ６０ ： ４０）中に２秒間浸漬した。フラックス
はロジン系フラックス（メタノール溶液）を用いた。
半田で覆われている面積を比較すると、従来品が７０〜
８０％であったのに対し、本発明品では８５〜９５％で
あった。
８０％であったのに対し、本発明品では８５〜９５％で
あった。
（２）半田くわれ性テスト
従来品１本発明品共に試料を２５０℃の噴流半田（Ｓｎ
： Ｐｂ＝６０ ： ４０）中に１０秒間浸漬した。
： Ｐｂ＝６０ ： ４０）中に１０秒間浸漬した。
フラックスは前記同様ロジン系フラックス（メタノール
溶液）である、従来品はＡｇが消失し半田くわれが顕著
であったのに対し、本発明品では半田くわれは認められ
なかった。
溶液）である、従来品はＡｇが消失し半田くわれが顕著
であったのに対し、本発明品では半田くわれは認められ
なかった。
（３）マイグレーションテスト
従来品１本発明品共に試料に対して４０°Ｃ１９０〜９
５％ＲＨの環境下で３ｖの直流電圧を５ｏｏｏ時間連続
的に印加した。それぞれ５０個の試料に対して従来品で
は５個にマイグレーションの跡が確認され、本発明品で
はマイグレーションの跡は認められなかった。
５％ＲＨの環境下で３ｖの直流電圧を５ｏｏｏ時間連続
的に印加した。それぞれ５０個の試料に対して従来品で
は５個にマイグレーションの跡が確認され、本発明品で
はマイグレーションの跡は認められなかった。
ところで、以上の如き本発明品に特有の効果は、Ｎｉ電
極の熱処理において炉内雰囲気の酸素濃度が約０．１〜
５％、温度が約３００〜６００℃の範囲内で広く確認き
れている。
極の熱処理において炉内雰囲気の酸素濃度が約０．１〜
５％、温度が約３００〜６００℃の範囲内で広く確認き
れている。
なお、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法は前記
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更可能である。
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更可能である。
例えば、第２図に示す様に、正特性サーミスタ素体１を
まずチップ型にカットし、電極形成部以外の中央部分に
メッキレジストインキ２を塗布してＮｉメッキを施し、
メンキレジストインキ２を除去した後、本発明の特徴と
する熱処理を加えてもよい。また、この工程によれば第
３図に示す様に、断面円形のチップ型正特性サーミスタ
を得ることも可能である。さらに、チップ型のみならず
、Ｎｉ電極にリード線を接続したタイプの正特性サーミ
スタとしてもよい。
まずチップ型にカットし、電極形成部以外の中央部分に
メッキレジストインキ２を塗布してＮｉメッキを施し、
メンキレジストインキ２を除去した後、本発明の特徴と
する熱処理を加えてもよい。また、この工程によれば第
３図に示す様に、断面円形のチップ型正特性サーミスタ
を得ることも可能である。さらに、チップ型のみならず
、Ｎｉ電極にリード線を接続したタイプの正特性サーミ
スタとしてもよい。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、正特性サ
ーミスタ素体にＮｉをメッキした後に、醸素濃度約０．
１〜５％の雰囲気中で約３００〜６００℃の温度で熱処
理を行なう様にしたため、従来の如くＮｉ上にさらにＡ
ｇで被覆することな（、Ｎｉ面に直接半田付けすること
が可能となり、周囲環境に影響されることなく半田付は
性が良好であり、半田くわれやマイグレーションが発生
することはなく、製造コストも大幅に低下する。
ーミスタ素体にＮｉをメッキした後に、醸素濃度約０．
１〜５％の雰囲気中で約３００〜６００℃の温度で熱処
理を行なう様にしたため、従来の如くＮｉ上にさらにＡ
ｇで被覆することな（、Ｎｉ面に直接半田付けすること
が可能となり、周囲環境に影響されることなく半田付は
性が良好であり、半田くわれやマイグレーションが発生
することはなく、製造コストも大幅に低下する。
第１図は本発明の一実施例としての製造工程説明図であ
る。第２図、第３図はそれぞれ本発明の他の実施例での
中間製品を示す斜視図である。第 −４ａ図は従
来の製造方法による正特性サーミスタの平面図、第４ｂ
図はその正面図である。第５ａ図、第５ｂ図及び第６ａ
図、第６ｂ図はそれぞれ従来の製造方法による正特性サ
ーミスタの平面図。 正面図である。 １・・・正特性サーミスタ素体、２・・・メッキレジス
トインキ、３・・・Ｎｉ電極。 特許出願人 株式会社村田製作所
る。第２図、第３図はそれぞれ本発明の他の実施例での
中間製品を示す斜視図である。第 −４ａ図は従
来の製造方法による正特性サーミスタの平面図、第４ｂ
図はその正面図である。第５ａ図、第５ｂ図及び第６ａ
図、第６ｂ図はそれぞれ従来の製造方法による正特性サ
ーミスタの平面図。 正面図である。 １・・・正特性サーミスタ素体、２・・・メッキレジス
トインキ、３・・・Ｎｉ電極。 特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- （１）正特性サーミスタ素体に電極としてのＮｉをメッ
キにて設けた後、酸素濃度約０．１〜５％の雰囲気中で
約３００〜６００℃の温度で熱処理を行なうことを特徴
とする正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30626987A JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30626987A JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146301A true JPH01146301A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17955049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30626987A Pending JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01146301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
| US7341679B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-11 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30626987A patent/JPH01146301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
| US7341679B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-11 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
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