JPH0518004U - チツプサーミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装時における初期抵抗値の安定化及び量産
性向上をはかることのできるチップサーミスタを提供す
る。 【構成】 端部電極１２，１３の形成されたチップサー
ミスタを中性雰囲気中で加熱処理した後、端部電極表面
に半田による金属被膜１４，１５を形成する。そのため
実装時の半田付け性が大幅に改善され、さらに基板実装
後におけるチップサーミスタの初期抵抗値の変化率を抑
えることができ、抵抗値のバラツキが減るため、初期抵
抗値の安定化及び量産性の向上を図ることができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、平板状セラミック素体を有するチップサーミスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】

チップサーミスタは、セラミック材料の焼結体である平板状セラミック素体の 両端部に、銀，パラジウム合金（Ａｇ−Ｐｄ），銅（Ｃｕ）等の端部電極が互い に絶縁されて形成されたものである。このチップサーミスタは図３に示すように 、平板状セラミック素体２の両端部に形成された第１の端部電極３と第２の端部 電極４が半田６により半田付けされることによって所望のプリント基板５に実装 される。

【０００３】 ところが、この半田付けの際、端部電極３，４が溶融した半田６によって加熱 され、端部電極材が、一部半田中に冶金的性質の拡散により移行し、一般に半田 食われと呼ばれる電極の移行現象が起きる。この半田食われにより、チップサー ミスタ素子１としての初期抵抗値の変化をもたらす。この半田食われによる影響 に対し、電極材料を選択することで、これを抑制することが可能となり、例えば 電極材料としてＡｇ−Ｐｄ合金を用いた場合、Ｐｄの含有量を増やすことで半田 食われを減少できるが、Ｐｄは高価なため、コスト増となる。

【０００４】 また半田溶融加熱により、上記半田食われ以外に、平板状セラミック素体自体 の初期抵抗値が変化する。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

上述したように、チップサーミスタを半田付けによりプリント基板に実装する 際、半田の溶融加熱のため、半田食われ及び平板状セラミック素体の特性変化に 伴うチップサーミスタ自体の初期抵抗値が変化するという問題があった。さらに そのため、基板実装時における初期抵抗値のバラツキが大きくなり、これを考慮 にいれ、基板実装時における初期抵抗値をサーミスタ特性規格内に納めようとす ると必然的にチップサーミスタ生産時における歩留りが低下する。

【０００６】 また加熱条件によっては半田付け性不良を生じることもある。

【０００７】 そこで本考案は上記事情に鑑みてなされたものであり、実装時における初期抵 抗値の変化及びバラツキが少なく、量産性の向上を図ることのできるチップサー ミスタを提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために本考案は、平板状セラミック素体と、この素体の両 端に互いに絶縁され形成された端部電極を有するチップサーミスタにおいて、前 記端部電極表面に、鉛，錫から成る半田ペーストを印刷塗布し、その後、熱処理 することにより金属被膜を形成したことを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】

上記構成のチップサーミスタによれば、実装前に鉛，錫から成る合金による金 属被膜の形成、すなわち半田引き処理が行われるため、平板状セラミック素体に 初期エージングを生じ、実装時における半田付け性が向上し、さらにチップサー ミスタとしての初期抵抗値の変化及びバラツキを小さくすることが可能となる。

【００１０】

【実施例】

以下に本考案の実施例を図面を参照して詳述する。

【００１１】 図１は本考案の一実施例のチップサーミスタ１０の断面図を示すものである。 酸化マンガンＭｎＯ，酸化コバルトＣｏＯ，酸化ニッケルＮｉＯ等を主成分と する焼結体から成る平板状セラミック素体１１の長手方向の両端部に、互いに絶 縁された第１の端部電極１２と第２の端部電極１３が設けられる。この端部電極 １２，１３は、例えば、パラジウムＰｄを５０％以上含む、銀，パラジウム合金 （Ａｇ−Ｐｄ）で形成される。また第１及び第２の端部電極１２，１３の表面に は半田による金属被膜１４，１５が形成されている。この金属被膜は鉛，錫から なる合金からなる。さらに本チップサーミスタ１０は所望のプリント基板に第１ 及び第２の端部電極１２，１３を半田による金属被膜１４，１５と共に、半田付 けすることによって実装する。

【００１２】 次に上記実施例チップサーミスタ１０の一製造方法について説明する。

【００１３】 まず、平板状セラミック素体１１の端部電極１２，１３を酸素雰囲気中で焼き 付け処理するか、あるいは、その焼き付け電極を還元または中性雰囲気中で熱処 理を行う。そしてチップサーミスタ素子を例えばＮ₂ 等の中性雰囲気中で基板装 着温度と同じ温度、すなわち、２００乃至３５０℃で５分間、加熱処理する。そ の後、上述したように、チップサーミスタ素子の端部電極１２，１３の表面に半 田のコーティング処理をし、半田による金属被膜１４，１５を形成する。この半 田のコーティング処理は、例えば、半田ペーストを電極表面に印刷塗布後、その 融点以上の温度で熱処理することで行える。あるいは電極部を鉛，錫でなる半田 浴中に浸漬することによっても可能である。

【００１４】 その後、洗浄等を経て、チップサーミスタ１０が完成する。

【００１５】 このように中性雰囲気中で加熱処理された平板状セラミック素体１１は、初期 エージングされることになるので、半田コーティング及び基板装着時の半田付け の伝熱による平板状セラミック素体１１の初期抵抗値の変化はほとんど起こらな い。また電極の半田食われによる初期抵抗値も半田コーティング処理により減少 する。

【００１６】 したがって、プリント基板実装によるチップサーミスタの初期抵抗値の変化率 は大幅に減少され、そのため抵抗値のバラツキも少なくなる。

【００１７】 このように製造されたチップサーミスタ１０について、本考案者らが行った実 験により得られた結果を図２に示す。この図は半田の溶融温度に対する基板実装 後の初期抵抗値の変化率を示す図であり、従来例と本実施例におけるチップサー ミスタについて比較したものである。尚、使用半田はフラックスとしてロジン１ ０％を含むＨ６３Ａ、方式は予熱なしのディップ方式、浸せき時間は１０秒とい う条件で実験したものである。図２で分るように、基板実装後の初期抵抗値の変 化率は、半田付け温度２４０℃では従来３．５％であったものが０．９％に、半 田付け温度２８０℃では従来６．１％であったものが１．６％に抑えることがで きた。また半田コーティング処理により、半田付け性も大幅に改善できた。

【００１８】 このように、初期抵抗値の変化率が大幅に改善されたため、抵抗値のバラツキ が減少し、そのため、歩留りが向上し、量産性の向上が図れる。

【００１９】 なお、本考案は上記実施例に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々 に変形実施可能である。

【００２０】

【考案の効果】

以上詳述した本考案によれば、端部電極の形成されたチップサーミスタを中性 雰囲気中で加熱処理した後、端部電極表面に半田層が形成されているので、実装 時の半田付け性が大幅に改善され、さらに基板実装後におけるチップサーミスタ の初期抵抗値の変化率を抑えることができ、抵抗値のバラツキが減るため、初期 抵抗値の安定化及び量産性の向上を図ることのできるチップサーミスタを提供す ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例のチップサーミスタの断面図

【図２】本考案の一実施例の効果を示す図

【図３】従来のチップサーミスタの実装工程図

【符号の説明】

１０ チップサーミスタ １２，１３ 端部電極 １４，１５ 金属被膜

Claims (7)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状セラミック素体と、この素体の両
   端に互いに絶縁され形成された端部電極を有するチップ
   サーミスタにおいて、前記端部電極表面に鉛，錫から成
   る合金により金属被膜を形成したことを特徴とするチッ
   プサーミスタ。
2. 【請求項２】 前記金属被膜は、その融点以上の熱処理
   温度によって形成された請求項１記載のチップサーミス
   タ。
3. 【請求項３】 前記金属被膜は、鉛，錫で成る半田ペー
   ストを電極表面に印刷塗布後、熱処理形成する請求項１
   記載のチップサーミスタ。
4. 【請求項４】 前記金属被膜は、鉛，錫で成る半田浴中
   に浸漬することにより形成されている請求項１記載のチ
   ップサーミスタ。
5. 【請求項５】 前記端部電極は、パラジウム５０％以上
   を含む金属で電極層が形成されている請求項１記載のチ
   ップサーミスタ。
6. 【請求項６】 前記端部電極は、酸素雰囲気中で焼き付
   け処理した焼き付け電極とされている請求項１記載のチ
   ップサーミスタ。
7. 【請求項７】 前記端部電極は、焼き付け電極を還元ま
   たは中性雰囲気中で熱処理形成されている請求項１記載
   のチップサーミスタ。