JP2022078352A - 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 - Google Patents
電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022078352A JP2022078352A JP2022044123A JP2022044123A JP2022078352A JP 2022078352 A JP2022078352 A JP 2022078352A JP 2022044123 A JP2022044123 A JP 2022044123A JP 2022044123 A JP2022044123 A JP 2022044123A JP 2022078352 A JP2022078352 A JP 2022078352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- mass
- current detection
- less
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 27
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 24
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- UTICYDQJEHVLJZ-UHFFFAOYSA-N copper manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni].[Cu] UTICYDQJEHVLJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum nickel Chemical compound [Cr].[Ni].[Mo] OGSYQYXYGXIQFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C3/00—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/20—Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
- G01R1/203—Resistors used for electric measuring, e.g. decade resistors standards, resistors for comparators, series resistors, shunts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/08—Cooling, heating or ventilating arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/08—Cooling, heating or ventilating arrangements
- H01C1/084—Cooling, heating or ventilating arrangements using self-cooling, e.g. fins, heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06526—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
Abstract
Description
前記モリブデンを8質量%以上25質量%以下、含有し、200℃にて1000時間経過後の抵抗値の変化率が±0.50%である。
本発明の実施形態に係る電流検出用抵抗器について、図1~図4を用いて詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る電流検出用抵抗器の一例を説明する平面図である。また、図2は、図1に示す電流検出用抵抗器の側面図である。
本実施形態において、電流検出用抵抗器1を形成する抵抗体材料は、ニッケルとクロムとモリブデンとの合金を含み、この合金の全質量比で、ニッケルを63質量%以上70質量%以下、クロムを8質量%以上22質量%以下、モリブデンを8質量%以上25質量%以下、含有するものである。
図3は、本実施形態に係る電流検出用抵抗器の製造方法を説明する図である。電流検出用抵抗器の製造方法は、ニッケルとクロムとモリブデンとの合金を含み、当該合金の全質量比でニッケルを63質量%以上70質量%以下、クロムを8質量%以上22質量%以下、モリブデンを8質量%以上25質量%以下含有する抵抗体材料を、所定形状になるようにプレス加工を行うというものである。
図4は、本発明の実施形態に係る電流検出用抵抗器が実装された回路基板を説明する図である。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。例えば、本実施形態に係る電流検出用抵抗器1の形状は、図1に説明されたものに限定されない。
<実施例1>
ニッケル-クロム-モリブデン合金(以下、Ni-Cr-Mo合金と記す)として、クロムを22質量%、モリブデンを8質量%、ニッケルを70質量%含有するDSALOY625(大同特殊鋼株式会社製、22Cr-8Mo-70Niと記す)を用い、これを板状に加工した後、図1及び図2に示す抵抗器を作製した。各部の寸法は、以下のとおりである。
Lc=3,2mm
d=0.2mm
Ni-Cr-Mo合金として、クロムを21質量%、モリブデンを15質量%、タングステンを3質量%、ニッケルを63質量%含有するDSALOY22(大同特殊鋼株式会社製、21Cr-13Mo-3W-63Niと記す)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして供試体を作製した。
Ni-Cr-Mo合金として、クロムを8質量%、モリブデンを25質量%、ニッケルを67質量%含有するDSALOY242(大同特殊鋼株式会社製、8Cr-25Mo-67Niと記す)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして供試体を作製した。
Ni-Cr-Mo合金の代わりに、銅マンガンニッケル系抵抗体材料を用いたこと以外は、実施例1と同様にして供試体を作製した。
<体積抵抗率>
試料の本体部11の幅と厚みは一定であるため、本体部11の断面積は、本体部11の長手方向に沿って一様に断面積S(cm2)となっている。このため、抵抗体材料の体積抵抗率ρは、第一接続部12と第二接続部13の間の電圧Vと、電流Iと、断面積S(cm2)と、第一接続部12と第二接続部13の間の長さLd(cm)とから、以下の式により算出される。
ρ=(V/I)×(S/Ld) [10-6Ω・cm]
本測定では、体積抵抗率ρの許容範囲は、120~150[10-6Ω・cm]とされる。
抵抗温度係数(TCR)とは、抵抗体の温度変化による内部抵抗値の変化の割合を表すものであり、以下の式により算出される。
抵抗温度係数(ppm/℃)=(R-Ra)/Ra÷(T-Ta)×1000000
ここで、Ra:基準温度における抵抗値、Ta:基準温度、R:定常状態における抵抗値、T:定常状態になる温度である。
本実施例では、Ta=25℃、T=100℃である。なお、製品スペックに基づいて、TCRの許容範囲を±100ppm/℃に設定した。測定結果は、第1表に示される。
実施例1~3及び比較例の供試体について、200℃に加熱し、200℃を所定時間保持する熱放置試験を行って、放置時間の違いによる抵抗値の変化を測定した。
抵抗値の変化率は、以下の式により算出される。
ここで、Raは、熱放置試験前における抵抗値であり、Rhは、熱放置試験において所定時間経過後の抵抗値である。結果は、第1表に示される。
本測定では、1000時間に至っても抵抗値の変化率が±0.50%の範囲に納まるものを許容する。
ビッカース硬さは日本工業規格JIS Z2244:2009(ビッカース硬さ試験‐試験方法)に従って測定することができる。ビッカース硬さの測定には、硬度計(例えばマイクロビッカース硬度計HMV-G21:島津製作所)が使用される。ビッカース硬さは、例えば試験温度25℃、試験力100gf、ダイヤモンド圧子の接近速度20μm/s、および試験力の保持時間10秒の条件で測定することができる。試験片の表面は、研磨機(例えば自動研磨機Rana-3:IMT)等により表面を平滑にし、汚れ等を取り除くことが望ましい。
耐熱性試験、体積抵抗率、抵抗温度係数(TCR)、耐熱性試験、ビッカース硬さを第1表に示す。
11 本体部
12 第一接続部
13 第二接続部
14 第一起立部
15 第二起立部
16 実装面用めっき層
17 ボンディング用めっき層
100 回路基板
110 絶縁基板
120 回路パターン
130 ワイヤーボンディング
Claims (8)
- 電流検出用抵抗器であって、
抵抗体材料の板体から形成され、
前記抵抗体材料は、ニッケルとクロムとモリブデンとの合金を含み、
前記合金の全質量比で前記ニッケルを63質量%以上70質量%以下、
前記クロムを8質量%以上22質量%以下、
前記モリブデンを8質量%以上25質量%以下、含有し、
200℃にて1000時間経過後の抵抗値の変化率が±0.50%である、
電流検出用抵抗器。 - 請求項1に記載の電流検出用抵抗器であって、
前記抵抗体材料のビッカース硬さが200HV以上240HV以下である、
電流検出用抵抗器。 - 請求項2に記載の電流検出用抵抗器であって、
矩形状であり、実装面に対向し、前記実装面から所定間隔離間して配置される本体部と、
前記実装面に接続される第一接続部と、
前記実装面に接続される第二接続部と、を有し、
前記第一接続部及び前記第二接続部がめっき層を備える、
電流検出用抵抗器。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の電流検出用抵抗器であって、
前記抵抗体材料は、200℃以上の耐熱性を有する、
電流検出用抵抗器。 - 電流検出用抵抗器の製造方法であって、
ニッケルとクロムとモリブデンとの合金を含み、前記合金の全質量比で前記ニッケルを63質量%以上70質量%以下、前記クロムを8質量%以上22質量%以下、前記モリブデンを8質量%以上25質量%以下、含有し、200℃にて1000時間経過後の抵抗値の変化率が±0.50%である抵抗体材料の板体を所定形状にプレス加工する、
電流検出用抵抗器の製造方法。 - 請求項5に記載の電流検出用抵抗器の製造方法であって、
前記プレス加工後に、前記抵抗体材料のビッカース硬さが200HV以上240HV以下になるような処理を行う、
電流検出用抵抗器の製造方法。 - 請求項5又は6に記載の電流検出用抵抗器の製造方法であって、
前記プレス加工の前に、前記抵抗体材料のビッカース硬さが220HV以上290HV以下になるような処理を行う、
電流検出用抵抗器の製造方法。 - 請求項5から7のいずれか1項に記載の電流検出抵抗器の製造方法であって、
前記プレス加工の前に行う第1の加熱処理と、
前記プレス加工の後に行う第2の加熱処理と、を含む
電流検出用抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022044123A JP7404426B2 (ja) | 2020-07-03 | 2022-03-18 | 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020115420A JP7089555B2 (ja) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
JP2022044123A JP7404426B2 (ja) | 2020-07-03 | 2022-03-18 | 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020115420A Division JP7089555B2 (ja) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022078352A true JP2022078352A (ja) | 2022-05-24 |
JP7404426B2 JP7404426B2 (ja) | 2023-12-25 |
Family
ID=79010232
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020115420A Active JP7089555B2 (ja) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
JP2022044123A Active JP7404426B2 (ja) | 2020-07-03 | 2022-03-18 | 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020115420A Active JP7089555B2 (ja) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7089555B2 (ja) |
KR (1) | KR102441314B1 (ja) |
CN (1) | CN113884718A (ja) |
DE (1) | DE102021115112A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7089555B2 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-06-22 | 大同特殊鋼株式会社 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454495A (en) * | 1982-08-31 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Layered ultra-thin coherent structures used as electrical resistors having low temperature coefficient of resistivity |
JP2001110602A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Toshiba Tec Corp | 薄膜抵抗体形成方法及びセンサ |
JP2007103976A (ja) * | 2007-01-19 | 2007-04-19 | Koa Corp | チップ抵抗器 |
JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
WO2015060108A1 (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | コーア株式会社 | 抵抗素子及びその製造方法 |
JP2016069724A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日立金属株式会社 | Cu合金材およびその製造方法 |
JP2020065038A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 鼎展電子股▲分▼有限公司 | 銅箔電気抵抗とその銅箔電気抵抗を備える電気回路基板構造 |
JP2022022731A (ja) * | 2020-07-03 | 2022-02-07 | 大同特殊鋼株式会社 | 抵抗体及びその製造方法 |
JP7089555B2 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-06-22 | 大同特殊鋼株式会社 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5243320A (en) * | 1988-02-26 | 1993-09-07 | Gould Inc. | Resistive metal layers and method for making same |
JP2963671B2 (ja) * | 1997-02-26 | 1999-10-18 | 進工業株式会社 | チップ抵抗器 |
DE19723491C1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-03 | Krupp Vdm Gmbh | Verwendung einer Nickel-Chrom-Molybdän-Legierung |
EP1261241A1 (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Shipley Co. L.L.C. | Resistor and printed wiring board embedding those resistor |
JP2009206290A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Taiyosha Electric Co Ltd | 抵抗器 |
JP2016004886A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | Koa株式会社 | 電流検出用抵抗器 |
CN104046849B (zh) * | 2014-07-01 | 2016-05-18 | 沙洲职业工学院 | 一种精密电阻镍基合金 |
JP6384211B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-09-05 | 株式会社デンソー | シャント抵抗器 |
CN105506434A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-20 | 苏州莱测检测科技有限公司 | 一种磨削机用加热电阻合金 |
CN105420545A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-03-23 | 苏州龙腾万里化工科技有限公司 | 一种磨削机仪器表用灵敏电阻合金 |
-
2020
- 2020-07-03 JP JP2020115420A patent/JP7089555B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-11 DE DE102021115112.0A patent/DE102021115112A1/de active Pending
- 2021-06-16 CN CN202110668718.8A patent/CN113884718A/zh active Pending
- 2021-07-01 KR KR1020210086366A patent/KR102441314B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-03-18 JP JP2022044123A patent/JP7404426B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454495A (en) * | 1982-08-31 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Layered ultra-thin coherent structures used as electrical resistors having low temperature coefficient of resistivity |
JP2001110602A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Toshiba Tec Corp | 薄膜抵抗体形成方法及びセンサ |
JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
JP2007103976A (ja) * | 2007-01-19 | 2007-04-19 | Koa Corp | チップ抵抗器 |
WO2015060108A1 (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-30 | コーア株式会社 | 抵抗素子及びその製造方法 |
JP2016069724A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日立金属株式会社 | Cu合金材およびその製造方法 |
JP2020065038A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 鼎展電子股▲分▼有限公司 | 銅箔電気抵抗とその銅箔電気抵抗を備える電気回路基板構造 |
JP2022022731A (ja) * | 2020-07-03 | 2022-02-07 | 大同特殊鋼株式会社 | 抵抗体及びその製造方法 |
JP7089555B2 (ja) * | 2020-07-03 | 2022-06-22 | 大同特殊鋼株式会社 | 電流検出用抵抗器、回路基板及び電流検出用抵抗器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7404426B2 (ja) | 2023-12-25 |
KR20220004568A (ko) | 2022-01-11 |
CN113884718A (zh) | 2022-01-04 |
JP7089555B2 (ja) | 2022-06-22 |
JP2022022737A (ja) | 2022-02-07 |
KR102441314B1 (ko) | 2022-09-08 |
DE102021115112A1 (de) | 2022-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6400788B2 (ja) | パワーモジュールの製造方法 | |
JP6799479B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP6319643B2 (ja) | セラミックス−銅接合体およびその製造方法 | |
JPH03250603A (ja) | サーミスタ | |
JP2022078352A (ja) | 電流検出用抵抗器及び電流検出用抵抗器の製造方法 | |
JP2016051778A (ja) | 金属−セラミックス接合基板 | |
JP3834351B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP3238051B2 (ja) | ろう材 | |
JP4910113B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 | |
JP5047315B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP3887645B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP4557398B2 (ja) | 電子素子 | |
JP2668569B2 (ja) | ロウ付け用材料 | |
JPH10167804A (ja) | セラミックス基板及びそれを用いた回路基板とその製造方法 | |
JP2005171341A (ja) | Ni合金ターゲットおよびNi合金薄膜 | |
JP4557354B2 (ja) | セラミックス銅回路基板の製造方法 | |
JP6372952B2 (ja) | Pt基合金で構成されるプローブピン用材料、プローブピンの製造方法 | |
JP5050070B2 (ja) | セラミックス銅回路基板および半導体装置 | |
JP2759296B2 (ja) | ロウ付け用材料 | |
JP2005317233A (ja) | セラミックヒータおよびその製造方法 | |
JP4408889B2 (ja) | セラミックス−金属複合回路基板の製造方法 | |
JP2022137967A (ja) | チップ型電子部品及びその製造方法 | |
JPH01287902A (ja) | 正特性サーミスタ | |
JP2005044832A (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP2005163129A (ja) | Ni−Cr−Si合金系およびNi−Cr−Si−Cu合金系の電極膜およびスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7404426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |