JPH05101905A - 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ - Google Patents
厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタInfo
- Publication number
- JPH05101905A JPH05101905A JP3257550A JP25755091A JPH05101905A JP H05101905 A JPH05101905 A JP H05101905A JP 3257550 A JP3257550 A JP 3257550A JP 25755091 A JP25755091 A JP 25755091A JP H05101905 A JPH05101905 A JP H05101905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- thermistor
- powder
- film thermistor
- transition metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜サーミスタにおいて、厚膜型構造で作成
できかつＢ定数を低下させることなく低抵抗の厚膜サー
ミスタ材料を得ることを目的とする。 【構成】 金属酸化物粉末、有機ビイクル、ガラス粉末
に、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎなどの遷移金属導体
粉末の内から少なくとも１種を加えることにより、Ｂ定
数を低下させることなく低抵抗の厚膜サーミスタ材料を
得られる。また、上記厚膜サーミスタペーストを用いる
ことにより、厚膜型構造で厚膜サーミスタを作成するこ
とができる。
できかつＢ定数を低下させることなく低抵抗の厚膜サー
ミスタ材料を得ることを目的とする。 【構成】 金属酸化物粉末、有機ビイクル、ガラス粉末
に、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎなどの遷移金属導体
粉末の内から少なくとも１種を加えることにより、Ｂ定
数を低下させることなく低抵抗の厚膜サーミスタ材料を
得られる。また、上記厚膜サーミスタペーストを用いる
ことにより、厚膜型構造で厚膜サーミスタを作成するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜サーミスタペース
ト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタに関するも
のである。
ト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜サーミスタは、金属酸化物粉
末に有機ビイクルを加えて混練しペースト状物とし、こ
のペースト状物を印刷，焼成して作成していた。ところ
が、厚膜サーミスタはディスクリート型，ビート型に比
べて膜厚がうすくなり抵抗値が高いものしか得られない
という欠点があった。
末に有機ビイクルを加えて混練しペースト状物とし、こ
のペースト状物を印刷，焼成して作成していた。ところ
が、厚膜サーミスタはディスクリート型，ビート型に比
べて膜厚がうすくなり抵抗値が高いものしか得られない
という欠点があった。
【０００３】そこで、低抵抗のサーミスタを得るため
に、図３に示すように銀パラジウムからなる下部電極４
を印刷焼成した絶縁性基板１に、金属酸化物粉末，有機
ビイクル，ガラス粉末からなるペースト状物を印刷，焼
成してサーミスタ層３を形成し、その後銀パラジウムか
らなる上部電極５を印刷，焼成して形成して構成した、
サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタが作成されてい
た。
に、図３に示すように銀パラジウムからなる下部電極４
を印刷焼成した絶縁性基板１に、金属酸化物粉末，有機
ビイクル，ガラス粉末からなるペースト状物を印刷，焼
成してサーミスタ層３を形成し、その後銀パラジウムか
らなる上部電極５を印刷，焼成して形成して構成した、
サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタが作成されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の構成の
サーミスタでは、下部電極５と上部電極４との間の距離
が短いため電極材料のマイグレーションをおこしやす
く、通電試験でショートするなど信頼性の問題を生ず
る。また、上部電極５形成後に、抵抗値のバラツキを小
さくするためサーミスタ層３にトリミングを施すことが
難しく抵抗値修正が困難であるなどの問題があった。
サーミスタでは、下部電極５と上部電極４との間の距離
が短いため電極材料のマイグレーションをおこしやす
く、通電試験でショートするなど信頼性の問題を生ず
る。また、上部電極５形成後に、抵抗値のバラツキを小
さくするためサーミスタ層３にトリミングを施すことが
難しく抵抗値修正が困難であるなどの問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を鑑みてなされたも
ので、サンドウィッチ型構造ではなく厚膜型構造のサー
ミスタにおいて低抵抗のものを得ることを目的とする。
ので、サンドウィッチ型構造ではなく厚膜型構造のサー
ミスタにおいて低抵抗のものを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの
うちから選ばれた少なくとも１種以上の金属酸化物粉末
と、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎのうちから選ばれた
少なくとも１種以上の遷移金属粉末と、ガラス粉末と、
有機ビイクルとからなり、前記遷移金属粉末が５〜２０
wt％であることを特徴とする。
に、本発明は、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの
うちから選ばれた少なくとも１種以上の金属酸化物粉末
と、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎのうちから選ばれた
少なくとも１種以上の遷移金属粉末と、ガラス粉末と、
有機ビイクルとからなり、前記遷移金属粉末が５〜２０
wt％であることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によれば、金属酸化物粉末，ガラス粉末
に遷移金属導体粉末を加えるので、焼成後ガラス母相に
サーミスタ粉末と導体粉末が分散した微構造となるが、
焼成過程で添加金属導体粉末が酸化し、低抵抗なフィラ
ーとして働くため、低抵抗の厚膜サーミスタ材料を得ら
れる。
に遷移金属導体粉末を加えるので、焼成後ガラス母相に
サーミスタ粉末と導体粉末が分散した微構造となるが、
焼成過程で添加金属導体粉末が酸化し、低抵抗なフィラ
ーとして働くため、低抵抗の厚膜サーミスタ材料を得ら
れる。
【０００８】また、上記厚膜サーミスタペーストを用い
ることにより、厚膜型構造の厚膜サーミスタを作成する
ことができ、サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタに
おいて生じていた問題点は解消される。
ることにより、厚膜型構造の厚膜サーミスタを作成する
ことができ、サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタに
おいて生じていた問題点は解消される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例の厚膜サーミスタペ
ースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタについ
て説明する。
ースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタについ
て説明する。
【００１０】（実施例１）図１は、本実施例による厚膜
サーミスタを得るための製造工程をフローチャートで示
したものである。工程Ａはサーミスタ粉末作成工程で、
ＭｎＯ，ＮｉＯ，Ｃｒ2Ｏ3をＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒのモル比
が２：１：３になるように混合する。工程Ｂは、遷移金
属粉末調合工程で、工程ＡでＭｎＯ，ＮｉＯ，Ｃｒ2Ｏ3
粉末に、Ｃｕなどの遷移金属を加え、さらにガラス粉末
を加えて調合する。工程Ｃはビイクル調合工程で、工程
Ｂで得られた粉末に対し、エチルセルトーズのαテルピ
ネオール６wt％液を加える。工程Ｄは混練工程で、前記
ビイクルを約２時間混練し、厚膜サーミスタペーストを
得る。一方、工程Ｅは絶縁性基板の上にＡｇ，Ｐｄ，Ａ
ｕ，Ｐｔなどからなる一対の電極を印刷，焼成する工程
である。工程Ｆは、上記電極形成基板上に工程Ｄで得ら
れたサーミスタペーストを印刷する工程、工程Ｇは前記
サーミスタペーストを８５０℃で焼成する工程である。
このようにして得られた厚膜サーミスタの断面図を図２
に示す。同図において１は絶縁性基板、２は電極、３は
厚膜サーミスタ層である。上記のようにして得られた厚
膜サーミスタにおける遷移金属粉末添加量と２５℃にお
けるシート抵抗との関係を図４に示す。これは、例とし
てガラス粉末の量を５wt％とした場合である。
サーミスタを得るための製造工程をフローチャートで示
したものである。工程Ａはサーミスタ粉末作成工程で、
ＭｎＯ，ＮｉＯ，Ｃｒ2Ｏ3をＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒのモル比
が２：１：３になるように混合する。工程Ｂは、遷移金
属粉末調合工程で、工程ＡでＭｎＯ，ＮｉＯ，Ｃｒ2Ｏ3
粉末に、Ｃｕなどの遷移金属を加え、さらにガラス粉末
を加えて調合する。工程Ｃはビイクル調合工程で、工程
Ｂで得られた粉末に対し、エチルセルトーズのαテルピ
ネオール６wt％液を加える。工程Ｄは混練工程で、前記
ビイクルを約２時間混練し、厚膜サーミスタペーストを
得る。一方、工程Ｅは絶縁性基板の上にＡｇ，Ｐｄ，Ａ
ｕ，Ｐｔなどからなる一対の電極を印刷，焼成する工程
である。工程Ｆは、上記電極形成基板上に工程Ｄで得ら
れたサーミスタペーストを印刷する工程、工程Ｇは前記
サーミスタペーストを８５０℃で焼成する工程である。
このようにして得られた厚膜サーミスタの断面図を図２
に示す。同図において１は絶縁性基板、２は電極、３は
厚膜サーミスタ層である。上記のようにして得られた厚
膜サーミスタにおける遷移金属粉末添加量と２５℃にお
けるシート抵抗との関係を図４に示す。これは、例とし
てガラス粉末の量を５wt％とした場合である。
【００１１】（表１）に、試料No.１〜４としてＣｕの
添加量を５，１０，１５，２０wt％とした本実施例のペ
ーストの特性を示す。
添加量を５，１０，１５，２０wt％とした本実施例のペ
ーストの特性を示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】（実施例２）次に他の実施例として実施例
１と同様にＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒのモル比が２：１：３にな
るように混合したサーミスタ粉末に、Ｎｉなどの遷移金
属粉末を加え、さらにガラス粉末を加えて調合する。エ
チルセルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、約
２時間混練してサーミスタペーストを得た。（表１）に
試料No.５，６としてＮｉの添加量を１０，２０wt％と
した本実施例のペーストの特性を示す。
１と同様にＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒのモル比が２：１：３にな
るように混合したサーミスタ粉末に、Ｎｉなどの遷移金
属粉末を加え、さらにガラス粉末を加えて調合する。エ
チルセルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、約
２時間混練してサーミスタペーストを得た。（表１）に
試料No.５，６としてＮｉの添加量を１０，２０wt％と
した本実施例のペーストの特性を示す。
【００１４】（実施例３）次に他の実施例として、実施
例１と同様にＭｎ−Ｃｏ−Ｎｉのモル比が２：１：３に
なるように混合したサーミスタ粉末に、Ｎｉなどの遷移
金属粉末を加え、さらにガラス粉末を加えて調合する。
エチルセルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、
約２時間混練してサーミスタペーストを得た。（表１）
に試料No．７，８としてＮｉの添加量を１０，２０wt％
とした本実施例のペーストの特性を示す。
例１と同様にＭｎ−Ｃｏ−Ｎｉのモル比が２：１：３に
なるように混合したサーミスタ粉末に、Ｎｉなどの遷移
金属粉末を加え、さらにガラス粉末を加えて調合する。
エチルセルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、
約２時間混練してサーミスタペーストを得た。（表１）
に試料No．７，８としてＮｉの添加量を１０，２０wt％
とした本実施例のペーストの特性を示す。
【００１５】（比較例１）次に、比較例としてＭｎ−Ｎ
ｉ−Ｃｒのモル比が２：１：３になるように混合したサ
ーミスタ粉末に、ガラス粉末を加えて調合する。エチル
セルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、約２時
間混練してサーミスタペーストを得た。このサーミスタ
ペーストの特性を試料No.９として（表１）に示す。
ｉ−Ｃｒのモル比が２：１：３になるように混合したサ
ーミスタ粉末に、ガラス粉末を加えて調合する。エチル
セルローズのαテルピネオール６wt％液を加え、約２時
間混練してサーミスタペーストを得た。このサーミスタ
ペーストの特性を試料No.９として（表１）に示す。
【００１６】（比較例２）Ｍｎ−Ｃｏ−Ｎｉのモル比が
２：１：３になるように混合したサーミスタ粉末に、ガ
ラス粉末を加えて調合する。エチルセルローズのαテル
ピネオール６wt％液を加え、約２時間混練してサーミス
タペーストを得た。このサーミスタペーストの特性を試
料No.１０として（表１）に示す。
２：１：３になるように混合したサーミスタ粉末に、ガ
ラス粉末を加えて調合する。エチルセルローズのαテル
ピネオール６wt％液を加え、約２時間混練してサーミス
タペーストを得た。このサーミスタペーストの特性を試
料No.１０として（表１）に示す。
【００１７】尚、本実施例においてサーミスタ層３の上
に保護膜を設けなかったが、保護膜を設けてもよいこと
は言うまでもない。
に保護膜を設けなかったが、保護膜を設けてもよいこと
は言うまでもない。
【００１８】以上のように、本実施例は、厚膜サーミス
タペーストの作成において遷移金属導体粉末を加えるの
で、Ｂ定数を低下させることなく低抵抗の厚膜サーミス
タ材料を得ることができる。また、上記厚膜サーミスタ
材料を用いることにより、厚膜型構造で厚膜サーミスタ
を作成することができ、抵抗値のバラツキを小さくする
抵抗値修正がしやすくなるという効果もある。
タペーストの作成において遷移金属導体粉末を加えるの
で、Ｂ定数を低下させることなく低抵抗の厚膜サーミス
タ材料を得ることができる。また、上記厚膜サーミスタ
材料を用いることにより、厚膜型構造で厚膜サーミスタ
を作成することができ、抵抗値のバラツキを小さくする
抵抗値修正がしやすくなるという効果もある。
【００１９】なお、本実施例以外に、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒ粉末のうちから選ばれた少なくと
も１種以上の金属酸化物粉末と、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎのうちから選ばれた少なくとも１種以上の遷移金属粉
末と、ガラス粉末と、有機ビイクルとからなり、遷移金
属粉末が５〜２０wt％であれば、ペースト焼成後にガラ
ス母相にサーミスタ粉末と導体粉末が分散した微構造に
おいて添加金属導体粉末が酸化して低抵抗のフィラーと
して働くため、本実施例と同様の効果が得られる。
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒ粉末のうちから選ばれた少なくと
も１種以上の金属酸化物粉末と、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎのうちから選ばれた少なくとも１種以上の遷移金属粉
末と、ガラス粉末と、有機ビイクルとからなり、遷移金
属粉末が５〜２０wt％であれば、ペースト焼成後にガラ
ス母相にサーミスタ粉末と導体粉末が分散した微構造に
おいて添加金属導体粉末が酸化して低抵抗のフィラーと
して働くため、本実施例と同様の効果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、厚膜サ
ーミスタペーストの作成において、遷移金属粉末を加え
るので、低抵抗の厚膜サーミスタ材料を得ることがで
き、厚膜型構造の厚膜サーミスタを作成することができ
る。従って、サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタに
おいて生じていた問題点は解消される。
ーミスタペーストの作成において、遷移金属粉末を加え
るので、低抵抗の厚膜サーミスタ材料を得ることがで
き、厚膜型構造の厚膜サーミスタを作成することができ
る。従って、サンドウィッチ型構造の厚膜サーミスタに
おいて生じていた問題点は解消される。
【図１】本発明の一実施例による厚膜サーミスタを得る
ための製造工程図
ための製造工程図
【図２】同実施例の厚膜サーミスタの断面図
【図３】従来の厚膜サーミスタの断面図
【図４】本発明の実施例による厚膜サーミスタにおける
遷移金属添加量とシート抵抗の関係を示す特性図
遷移金属添加量とシート抵抗の関係を示す特性図
１ 絶縁性基板 ２ 電極 ３ サーミスタ層 ４ 下部電極 ５ 上部電極
Claims (2)
- 【請求項１】Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒのう
ちから選ばれた少なくとも１種以上の金属酸化物粉末
と、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎのうちから選ばれた
少なくとも１種以上の遷移金属粉末と、ガラス粉末と、
有機ビイクルとからなり、前記遷移金属粉末が５〜２０
wt％であることを特徴とする厚膜サーミスタペースト組
成物。 - 【請求項２】絶縁性基板上に形成された一対の電極と、
この一対の電極に接続するようにこの絶縁性基板上に設
けられたサーミスタ層とを有し、このサーミスタ層は請
求項１記載の厚膜サーミスタペースト組成物を焼成して
得られる金属酸化物からなることを特徴とする厚膜サー
ミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257550A JPH05101905A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257550A JPH05101905A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101905A true JPH05101905A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17307842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257550A Pending JPH05101905A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05101905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10045658B4 (de) * | 1999-09-16 | 2006-06-29 | Ube Industries, Ltd., Ube | Thermistorzusammensetzung und deren Verwendung |
| JP2017092934A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 水晶素子パッケージ及びその製造方法 |
| CN113582668A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-02 | 中科传感(佛山)科技有限公司 | 一种锰镍钴基耐高温柔性热敏器件的全印刷制备方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257550A patent/JPH05101905A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10045658B4 (de) * | 1999-09-16 | 2006-06-29 | Ube Industries, Ltd., Ube | Thermistorzusammensetzung und deren Verwendung |
| JP2017092934A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 水晶素子パッケージ及びその製造方法 |
| CN113582668A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-02 | 中科传感(佛山)科技有限公司 | 一种锰镍钴基耐高温柔性热敏器件的全印刷制备方法 |
| CN113582668B (zh) * | 2021-08-24 | 2022-12-09 | 中科传感(佛山)科技有限公司 | 一种锰镍钴基耐高温柔性热敏器件的全印刷制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004104047A (ja) | 抵抗組成物および抵抗器 | |
| US4160227A (en) | Thermistor composition and thick film thermistor | |
| JPH05101905A (ja) | 厚膜サーミスタペースト組成物およびそれを用いた厚膜サーミスタ | |
| JPS581522B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPH11135303A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物 | |
| JPH0799101A (ja) | 厚膜サーミスタおよびその組成 | |
| JP2937073B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JPH0950904A (ja) | 導電性ペースト、およびこれを用いたｎｔｃサーミスタ | |
| JP2937072B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JP3246245B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JP3016560B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS581521B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JP2503974B2 (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JP3939634B2 (ja) | オーミック電極形成用導体ペースト | |
| JP2001217102A (ja) | 負特性サーミスタペースト、負特性サーミスタ膜および負特性サーミスタ部品 | |
| JPH113802A (ja) | 低温焼成用抵抗ペースト | |
| JP2004119561A (ja) | 抵抗体ペーストおよび抵抗器 | |
| JPH0661016A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物及びその製造方法並びにこの組成 物を用いた厚膜サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH07105719A (ja) | 導電性ペーストと抵抗体素子 | |
| JP3538700B2 (ja) | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 | |
| JP3538699B2 (ja) | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 | |
| JPH0370361B2 (ja) | ||
| JPH07122404A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物及びその製造方法並びにこの組 成物を用いた厚膜サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP3360337B2 (ja) | 導電ペースト | |
| JP2001118706A (ja) | 負特性サーミスタペースト、負特性サーミスタ膜および負特性サーミスタ部品 |