JPS5853485B2 - 抵抗組成物 - Google Patents

抵抗組成物

Info

Publication number
JPS5853485B2
JPS5853485B2 JP51111424A JP11142476A JPS5853485B2 JP S5853485 B2 JPS5853485 B2 JP S5853485B2 JP 51111424 A JP51111424 A JP 51111424A JP 11142476 A JP11142476 A JP 11142476A JP S5853485 B2 JPS5853485 B2 JP S5853485B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fine powder
conductive fine
resistance
resistor
glass frit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51111424A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5335996A (en
Inventor
賢次 桑原
禎造 前田
幸男 中村
益三 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP51111424A priority Critical patent/JPS5853485B2/ja
Publication of JPS5335996A publication Critical patent/JPS5335996A/ja
Publication of JPS5853485B2 publication Critical patent/JPS5853485B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は抵抗組成物、特に固定抵抗器、可変抵抗器、混
成集成回路用抵抗体あるいは電熱器用発熱体などに用い
られる抵抗組成物に関するもので、詳細には、珪化タン
タルとアルミニウムを含む導電性微粉末、およびガラス
フリットを含有することを特徴とするものである。
従来、精密用固定抵抗器や混成集積回路用抵抗体などに
は、一般に銀(Ag)とパラジウム(Pd )あるいは
酸化ルテニウム(Ru02)などの貴金属系の導電性微
粉末と、ガラスフリットなどからなる抵抗組成物が用い
られている。
この組成物を用いた抵抗器は、貴金属もしくはその酸化
物とガラスフリットからなるため、耐熱性、耐電力に優
れ、かつ信頼性の高い抵抗器として、一般に知られてい
る。
しかしながら、この抵抗組成物は、Ag tPdあるい
はルテニウム(Ru )などの貴金属またはその酸化物
を用いているため、価格が非常に高くなり、一般用の安
価な抵抗器に使用しにくいのが、大きな欠点である。
−万、貴金属を用いない抵抗組成物には、窒化チタン(
TiN)や炭化夕/ゲステン(SiC)などの導電性微
粉末と、ガラスフリットとを用いたものが、知られてい
る。
これらは、いずれも抵抗組成物を焼成するとき、窒素な
どの不活性雰囲気中で焼成することが必要で、空気中焼
成にくらべ、焼成がめんどうであり、かつ焼成コストが
大巾に高くなシ、また抵抗諸特注が必ずしも満足できる
ものではなかった。
本発明の抵抗組成物は、このような欠点を除去したもの
で、タンタル(Ta )と珪素(Si)との化合物であ
る珪化タンタルとアルミニウム(Al)とを含む導電性
微粉末およびガラスフリットを使用することによって、
高性能で安価なグレーズ抵抗体を作ることのできる抵抗
組成物を提供しようとするものである。
以下、本発明にかかる抵抗組成物について、詳細に説明
する。
導電性微粉末は、TaとSiとの化合物である珪化タン
タル、およびAIで主として構成される。
珪化タンタルは、Ta2 Sl 、Ta5 St 3
t Ta5t 2 などの組成からなる化合物が有用
で、これらが混合されていても、あるいは単独であって
も、使用することができる。
その中でも、Siの多いTaSi2が、ガラスフリット
と混合して焼成した場合、もつとも安定である。
AIの粉末は、細かいほどよく、0.05μ程度の粒径
のものであればよい。
導電性微粉末は、次のようにして作ればよい。
すなわち、珪化タンタルとAIの粉末を所定の割合で配
合して混合し、粉末の11か、あるいは円板状に成形し
たのち、真空中もしくは不活性雰囲気中に訟いて、10
00〜1600℃の範囲内の温度で熱処理をしてから、
微粉砕する。
または、Ta。SiおよびAIを所定の割合で配合して
混合し、粉末の1−1か、あるいは円板状に成形したの
ち、真空中もしくは不活性雰囲気中にむいて、1000
〜1600°Cの範囲内の温度で熱処理をしてから、微
粉砕して作る。
この導電性微粉末の製造方法の違いが、抵抗体の特性に
及ぼす影響は、あ捷り大きくない。
ただ、電流雑音特性に関しては、後者の方法による導電
性微粉末を使用した方がよい。
いずれにせよ、その製造方法は、経済性や抵抗体の使用
目的などによって、選択すればよい。
導電性微粉末を製造する際に、Ta t Si t A
lの混合比率や、焼成温度によって、珪化タンタルの組
成、それとAIとの生成比率が異なって来るのは、言う
1でもないことである。
熱処理温度は結晶性に関係し、たとえば1400℃で処
理したものは、1000℃で処理したものに比べて、結
晶性が高い。
ガラスフリットについては、その組成や製造方法からの
制約はなく、公知の組成のガラスフリットを使用するこ
とができ、また公知の方法で製造したものを使用するこ
とができる。
導電性微粉末とガラスフリットとを混合したものに、印
刷適性を与えるためには、従来から行なわれているよう
に、有機質粘結剤を添加して、ペースト状にする。
有機質粘結剤の添加量は、一般には、導電性微粉末とガ
ラスフリットとの合計量10gに対して、4CC程度が
適当である。
しかし、周囲温度や作業性などによって、その比率を任
意に変え得るものである。
導電性微粉末において、AIの量が多くなると、抵抗体
の面積抵抗が増大する。
珪化タンタルとAIの合計量に対して、AI量がモル比
で065を超えると、抵抗体の面積抵抗が数10×10
6Ω/sq以上となることから、実用上は前記値を超え
ない量を使用することが望捷しい。
また、導電性微粉末とガラスフリットの配合比について
は、7:93〜60:40(重量比)の範囲が有用であ
る。
抵抗組成物をペースト状にしたものを、スクリーンメツ
シュを用いて、アルミナ磁器基板のような、耐熱性絶縁
支持基体に印刷し、乾桑させてから、焼成をして、グレ
ーズ抵抗体とする。
電極は、たとえば、耐熱性絶縁支持基体上に、抵抗組成
物のペーストを印刷する前に、形成しておく。
その形成には、たとえば、〜とPdとガラスフリットを
含むペーストを、スクリーン印刷し、乾燥してから焼成
する。
AgPd電極にかえ、Au電極やAg電極を使用しても
よい。
なむ、抵抗組成物を耐熱性支持基体上に印刷する必要の
ない場合、たとえば、体形の場合では、有機質粘結剤を
特に必要とはせず、導電性微粉末とガラスフリットとの
混合物のみで、この混合物に少量の水を添加して成形し
、高温に加熱することによって抵抗体を作製することが
できる。
以下、実施例について説明する。
実施例 I Ta t S 1 t Alの各微粉末を、モル比で、
Ta:Si:Al=0.95: 1.90:0.05の
割合で混合し、円板状に成形したのち、真空中において
、1400℃の温度で熱処理して、珪化タンタル、A1
を含む導電材料を作った。
これをスタンプミルで粗粉砕し、次に、らいかい機で粉
砕し、さらにポットにメタノールとともに入れ、24時
間ボールミル粉砕をして、導電性微粉末とした。
粉砕時間は、24〜240時間程度が良好である。
このときの粉末粒子の粒径は、平均値で3〜0.5μで
ある。
一方、ガラスフリットは、次のようにして作った。
硼酸(H3BO3)51.3重量%、炭酸バリウム(B
aC03)34.2重量%、二酸化珪素(S102)3
.4重量%、酸化アルミニウム(A1203)6重量%
、炭酸カルシウム(CaC03)2.55重量%、およ
び酸化マグネシウム(MgO)2.55重量%を混合し
、これをアルミナ磁器るつぼに入れて、1200℃の温
度に加熱して溶融させ、次に溶融体を水中に投入し、急
冷して、荒粉砕した。
それから、これをらいかい機で粉砕したのち、さらにポ
ットにメタノールとともに入れて、72時間、ボールミ
ル粉砕をして、ガラスフリットとした。
上記の導電性微粉末とガラスフリットとを、15:85
の重量比で混合した。
そして、これに印刷適性を与えるため、テレピン油とエ
チルセルローズを9:1(重量比)の割合で混合した有
機質粘結剤を、固形分10gに対して4ccの割合で添
加して、ペースト状にした。
このペースト状の抵抗組成物をアルミナ磁器基板上に、
200メツシユのスクリーンを用いて、スクリーン印刷
し、120℃で乾燥させたのち、最高温度が850℃に
保持されたトンネル炉を通して焼成した。
焼成後の膜厚は、約15μであった。
このようにして得られた抵抗体は、室温における面積抵
抗値が15.2にΩ/sq、抵抗温度係数が25°Cと
125℃の湿度間で測定して、135X10/℃、負荷
寿命特注が、25 mW/mltの直流負荷電力を、周
囲温度70℃で、1.5時間印加、0.5時間除去を繰
り返し、1000時間後の抵抗値変化率で表わすと±1
%以内である。
実施例 2 TatSi、AIの各微粉末を、モ/l/比で、Ta:
Si :A1 = 0.7 : 1.4 : 0.3の
割合で混合し、以下、実施例1と同じ条件で、抵抗体を
作った。
その面積抵抗は48.3にΩ/ sq、抵抗温度係数は
52X10/°C電流雑音は一19db、負荷寿命特性
は実施例1と同じ条件で試験したのちの抵抗値変化率に
して±1%以内であった。
実施例 3 Ta、Si、A1の各微粉末を、モル比で、Ta:Si
:Al = 0.5 : 1.0 : 0.5の割合
で混合し、以下、実施例1と同じ条件で、抵抗体を作っ
た。
その面積抵抗は632にΩ/sq、抵抗温度係数は一5
40X10/’C1負荷寿命特性は実施例1と同じ条件
で試験したのちの抵抗値変化率にして±1%以内であっ
た。
実施例 4 Ta、5itA1の各微粉末を、モ/lz比で、Ta:
Si :Al = 0.7 : 1.4 : 0.3の
割合で混合し、以下、実施例1と同じ条件で、導電性微
粉末を作った。
この導電性微粉末と、実施例1で使用したガラスフリッ
トと同じ組成のものとを、下表の割合で混合し、これを
用いて、実施例1と同じ手順で抵抗体とした。
それぞれの面積抵抗値と、25〜125℃の温度間での
抵抗温度係数を下表に示す。
なお、これらの負荷寿命特性は、実施例1と同じ条件で
試験したのちの抵抗値変化率で±1%以内であった。
以上の実施例では、導電性微粉末をTaSi2 とAl
からなるもののみについて述べたが、これに限るもので
はなく、Ta5Si3.Ta2SiのそれぞれとAlと
からなる導電性微粉末を用いても同等の効果が得られる
ものである。
また、いずれの抵抗体についても抵抗温度係数、負荷寿
命特性および電流雑音などの抵抗緒特性が非常に優れた
抵抗体を構成することができる。
しかも空気中で焼成して抵抗体とすることができ、また
、AgやPd。
RuO2などからなる貴金属系の抵抗組成物に比べて、
非常に安価であるなど、多くの特徴を有するものである
したがって、混成集積回路用抵抗体や抵抗ネットワーク
だけでなく、電力用、精密用、一般用の各種抵抗器や可
変抵抗器、さらには電熱器用発熱体などにも有用で、そ
の用途は広い。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 珪化タンタルとアルミニウムを含む導電性微粉末、
    およびガラスフリットを含有することを特徴とする抵抗
    組成物。 2、特許請求の範囲第1項記載の抵抗組成物において、
    導電性微粉末とガラスフリットとの重量比が7:93〜
    60:40の範囲内であることを特徴とするもの。 3 特許請求の範囲第1積重たは第2項記載の抵抗組成
    物において、導電性微粉末におけるアルミニウム量が、
    珪化タンタルおよびアルミニウムの合計量に対して、モ
    ル比で0.5を超えないことを特徴とするもの。 4 特許請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の
    抵抗組成物において、導電性微粉末の珪化タンタルがT
    a512 、Ta5S13 tおよびTa2Siのうち
    の少なくとも1種であることを特徴とするもの。
JP51111424A 1976-09-16 1976-09-16 抵抗組成物 Expired JPS5853485B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51111424A JPS5853485B2 (ja) 1976-09-16 1976-09-16 抵抗組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51111424A JPS5853485B2 (ja) 1976-09-16 1976-09-16 抵抗組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5335996A JPS5335996A (en) 1978-04-03
JPS5853485B2 true JPS5853485B2 (ja) 1983-11-29

Family

ID=14560817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51111424A Expired JPS5853485B2 (ja) 1976-09-16 1976-09-16 抵抗組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5853485B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198154U (ja) * 1987-06-11 1988-12-20

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01278702A (ja) * 1988-05-02 1989-11-09 Copal Co Ltd 摺動接点用回路板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198154U (ja) * 1987-06-11 1988-12-20

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5335996A (en) 1978-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104464991B (zh) 一种线性正温度系数热敏电阻浆料的制备方法
US4657699A (en) Resistor compositions
JP3619262B2 (ja) 厚膜抵抗体組成物
CN115461825A (zh) 厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件
US4323484A (en) Glaze resistor composition
CN114783649B (zh) 一种高可靠高阻值片式电阻器用电阻浆料
CN111028975A (zh) 一种低温度系数电阻膏体及其制备方法与应用
US3951672A (en) Glass frit containing lead ruthenate or lead iridate in relatively uniform dispersion and method to produce same
KR920001452B1 (ko) 저항조성물 및 그것을 이용한 저항체, 그리고 그 저항체의 제조방법
JPS5853485B2 (ja) 抵抗組成物
KR101138246B1 (ko) 낮은 온도저항계수를 갖는 저항체용 페이스트 조성물의 제조방법, 이를 이용한 후막 저항체 및 그 제조방법
TW299450B (ja)
KR101138238B1 (ko) 금속산화물 코팅을 이용한 저항체용 페이스트 조성물의 제조방법, 이를 이용한 후막 저항체 및 그 제조방법
JPS5836481B2 (ja) 抵抗組成物
JPS5853481B2 (ja) 抵抗組成物
KR101166709B1 (ko) 저항체용 페이스트 조성물 제조방법, 이를 이용한 후막 저항체 및 그 제조방법
JPS5845161B2 (ja) 抵抗組成物
JPS62256407A (ja) 抵抗組成物の製造方法
JPH0135481B2 (ja)
JPS6115522B2 (ja)
JPS6059701A (ja) 6硼化物抵抗体組成物
JP2002198203A (ja) 抵抗体ペースト、該ペーストを用いて形成した厚膜抵抗体及び該厚膜抵抗体を有する回路基板
JPH079841B2 (ja) 厚膜抵抗体の製造方法
JPH04125901A (ja) 厚膜抵抗体用組成物
JPH08186004A (ja) 抵抗材料、それを用いた抵抗ペースト及び抵抗体