JPH0135481B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0135481B2 JPH0135481B2 JP55057364A JP5736480A JPH0135481B2 JP H0135481 B2 JPH0135481 B2 JP H0135481B2 JP 55057364 A JP55057364 A JP 55057364A JP 5736480 A JP5736480 A JP 5736480A JP H0135481 B2 JPH0135481 B2 JP H0135481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- resistor
- copper
- glaze
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 32
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764064 Mycobacterium phage Glass Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
本発明は電極が銅で構成されたグレーズ抵抗器
に関するものである。 従来、グレーズ抵抗器は、一般に、アルミナ基
板上に銀−パラジウム電極と酸化ルテニウム系グ
レーズ抵抗体を形成して構成されている。ここで
用いられている電極、抵抗体は全て貴金属から構
成されており、抵抗器を非常に高価なものとして
いる。 そのため、電極に安価な卑金属を用いた抵抗器
がこれまでにも強く望まれている。しかし、銅等
の卑金属電極の形成は、空気中では、酸化の問題
から不可能である。したがつて、空気中で焼成さ
れる酸化ルテニウムと銅電極等の卑金属材料との
組合せは困難とされている。 このような理由から、銅等の卑金属電極を用い
た抵抗器を作るには、卑金属電極が形成可能な雰
囲気、すなわち窒素中あるいは水素を含む窒素ガ
ス中で形成可能なグレーズ抵抗材料が必要であ
る。 酸化ルテニウムグレーズ抵抗材料は、窒素中あ
るいはグリーンガス中で焼成した場合、酸化ルテ
ニウムの還元反応が起り、抵抗としての特性を示
さなくなる。 一方、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗材料は、
珪化物ならびにガラスの化学的性質から窒素中あ
るいはグリーンガス中で還元反応を起すことはな
い。また、硅化物系のグレーズ抵抗は従来銀−パ
ラジウム（Ag／Pd）系の厚膜電極と組み合わせ
使用していた。 しかし、この組み合わせのときは硅化物のグレ
ーズ膜とAg／Pd電極との間で反応が起り十分信
頼性の高い接触が得られず、その結果抵抗膜形状
によつてシート抵抗値に換算したときの値がバラ
ツクという問題があつた。 そのため、抵抗膜のパターン設計にあたつても
抵抗膜形状毎にパターンルールが異なるという難
点があつた。 本発明は、上記した問題を解決するもので、銅
電極を有するグレーズ抵抗器を実現するとともに
従来Ag／Pd電極との組み合わせで生じていた電
極部の接触の改善をし、すぐれた特性のグレーズ
抵抗器とするものである。 以下、その詳細について述べる。 銅電極は、一般に純粋な窒素中で焼成される
か、あるいは、銅ペースト中に含まれる有機バイ
ンダーを除去する目的で少量の酸素を含む窒素中
において、500℃程度の温度で熱処理し、そのの
ち高温度で少量の水素を含む窒素ガス中において
850〜900℃の範囲内の温度で焼成して形成され
る。基板にはアルミナ磁器基板が用いられる。こ
のような条件で形成された銅電極上に珪化物−ガ
ラス系の抵抗ペーストをスクリーン印刷する。印
刷された抵抗ペーストを450〜550℃の範囲内の温
度で空気中において熱処理する。この熱処理は抵
抗ペースト中に含まれる有機バインダを除去する
目的で行なう。有機バインダが完全に除去されな
い場合、グレーズ抵抗膜中に炭素粒子が残り、抵
抗特性に悪い影響を与える。このように有機バイ
ンダを除去した試料を850〜900℃の範囲内の温度
で10分間、約５％の水素を含む窒素ガス中におい
て焼成する。この焼成工程により、脱バインダ工
程で一部酸化された銅が再び還元され、銅電極表
面が清浄な表面となる。 このように、還元雰囲気焼成可能な珪化物系グ
レーズ抵抗材料を使用することにより、銅を電極
として用いたグレーズ抵抗器が得られる。 珪化物系グレーズ抵抗材料としては、真空中に
おいて1200〜1400℃の範囲内の温度で反応させて
得た珪化物を粉砕して粉末化し、これと、BaO、
B2O3、SiO2、CaO、MgOからなるガラス原料を
溶融し、さらに粉末化したガスフリツトとテレピ
ン油等からなるビークルとを混練して抵抗ペース
トとしたものを使用する。導電材料として使用可
能な珪化物は多くある。この中でもMoSi2を
TaSi2の混合粉末系グレーズ抵抗材料は低抵抗領
域でよい特性が得られる。また、中、高抵抗領域
にはMoSi2、TaSi2にさらにMg2Siを添加した材
料系が適している。さらに、NiSi2とCoSiの粉末
とガラスからなる抵抗材料は、可変抵抗器用とし
てすぐれた特性を示す。これら珪化物とガラスか
らなるグレーズ抵抗材料は、窒素雰囲気あるいは
還元雰囲気で焼成されても、抵抗材料を構成する
成分が化学的に充分に安定であり、窒素雰囲気中
あるいは還元雰囲気で焼成することによつて抵抗
特性を得ることができるものである。 このように、珪化物とガラスからなる抵抗材料
を用いることにより、銅を電極にした低抵抗領域
から高抵抗領域までの抵抗値を窒素雰囲気あるい
は還元雰囲気中において焼成することにより得る
ことが可能となつた。抵抗は上記のような雰囲気
で焼成されるため、銅は酸化されることはない。 以上述べてきたように、本発明は、銅電極を用
いたグレーズ抵抗器を提供するものであり、銀あ
るいは銀−パラジウム等の高価な材料を電極とし
て用いる必要のないものである。また、硅化物グ
レーズ抵抗と銅電極を組み合わせる事により、従
来Ag／Pd電極との組み合わせで問題となつてい
た接触部の問題が解決され、すぐれた特性の抵抗
器を実現するものである。 以下、本発明の実施例について詳述する。 実施例 １ MoSi2：TaSi2＝75：25（モル比）の組成を有
する珪化物を、真空中において1400℃で合成し、
これをメタノール中で平均2μｍの粒径まで粉砕
して乾燥させた。このように得た粉末に、BaO、
B2O3、MgO、CaO、SiO2からなるガラスフリツ
トと、エチルセルロース10％溶解のテレピン油か
らなるビークルとを加え、混練して、グレーズ抵
抗ペーストを作製した。 一方、アルミナ基板上に銅ペーストを印刷し、
乾燥させてから、純窒素中において900℃で焼成
し、銅電極を形成した。なお、この銅ペースト中
には焼成雰囲気が還元雰囲気となるため、電極の
接着強度に確保する目的で少量のガラスフリツト
が添加されている。 銅電極の形成された基板に前述のようにして得
たグレーズ抵抗ペーストをスクリーン印刷し、
125℃で10分間乾燥させた。そして、これを500℃
まで空気雰囲気中において熱し、500℃から850
℃、そして850℃から室温まで５％H2−95％N2
雰囲気に調節可能な二元雰囲気厚膜炉に通して焼
成した。このようにして得られたグレーズ抵抗器
について、アスペクト比を変えて調べた結果、電
極とのマツチングがきわめてよく、また、抵抗器
の耐湿特性は温度70℃、相対湿度95％の雰囲気中
に1000時間放置した後の抵抗変化率で評価したと
ころ、±２％であつた。 第１表にはこれらのグレーズ抵抗器の抵抗値、
抵抗温度係数TCR、ノイズ、短時間過負荷特性
ΔR／Ｒを示す。
に関するものである。 従来、グレーズ抵抗器は、一般に、アルミナ基
板上に銀−パラジウム電極と酸化ルテニウム系グ
レーズ抵抗体を形成して構成されている。ここで
用いられている電極、抵抗体は全て貴金属から構
成されており、抵抗器を非常に高価なものとして
いる。 そのため、電極に安価な卑金属を用いた抵抗器
がこれまでにも強く望まれている。しかし、銅等
の卑金属電極の形成は、空気中では、酸化の問題
から不可能である。したがつて、空気中で焼成さ
れる酸化ルテニウムと銅電極等の卑金属材料との
組合せは困難とされている。 このような理由から、銅等の卑金属電極を用い
た抵抗器を作るには、卑金属電極が形成可能な雰
囲気、すなわち窒素中あるいは水素を含む窒素ガ
ス中で形成可能なグレーズ抵抗材料が必要であ
る。 酸化ルテニウムグレーズ抵抗材料は、窒素中あ
るいはグリーンガス中で焼成した場合、酸化ルテ
ニウムの還元反応が起り、抵抗としての特性を示
さなくなる。 一方、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗材料は、
珪化物ならびにガラスの化学的性質から窒素中あ
るいはグリーンガス中で還元反応を起すことはな
い。また、硅化物系のグレーズ抵抗は従来銀−パ
ラジウム（Ag／Pd）系の厚膜電極と組み合わせ
使用していた。 しかし、この組み合わせのときは硅化物のグレ
ーズ膜とAg／Pd電極との間で反応が起り十分信
頼性の高い接触が得られず、その結果抵抗膜形状
によつてシート抵抗値に換算したときの値がバラ
ツクという問題があつた。 そのため、抵抗膜のパターン設計にあたつても
抵抗膜形状毎にパターンルールが異なるという難
点があつた。 本発明は、上記した問題を解決するもので、銅
電極を有するグレーズ抵抗器を実現するとともに
従来Ag／Pd電極との組み合わせで生じていた電
極部の接触の改善をし、すぐれた特性のグレーズ
抵抗器とするものである。 以下、その詳細について述べる。 銅電極は、一般に純粋な窒素中で焼成される
か、あるいは、銅ペースト中に含まれる有機バイ
ンダーを除去する目的で少量の酸素を含む窒素中
において、500℃程度の温度で熱処理し、そのの
ち高温度で少量の水素を含む窒素ガス中において
850〜900℃の範囲内の温度で焼成して形成され
る。基板にはアルミナ磁器基板が用いられる。こ
のような条件で形成された銅電極上に珪化物−ガ
ラス系の抵抗ペーストをスクリーン印刷する。印
刷された抵抗ペーストを450〜550℃の範囲内の温
度で空気中において熱処理する。この熱処理は抵
抗ペースト中に含まれる有機バインダを除去する
目的で行なう。有機バインダが完全に除去されな
い場合、グレーズ抵抗膜中に炭素粒子が残り、抵
抗特性に悪い影響を与える。このように有機バイ
ンダを除去した試料を850〜900℃の範囲内の温度
で10分間、約５％の水素を含む窒素ガス中におい
て焼成する。この焼成工程により、脱バインダ工
程で一部酸化された銅が再び還元され、銅電極表
面が清浄な表面となる。 このように、還元雰囲気焼成可能な珪化物系グ
レーズ抵抗材料を使用することにより、銅を電極
として用いたグレーズ抵抗器が得られる。 珪化物系グレーズ抵抗材料としては、真空中に
おいて1200〜1400℃の範囲内の温度で反応させて
得た珪化物を粉砕して粉末化し、これと、BaO、
B2O3、SiO2、CaO、MgOからなるガラス原料を
溶融し、さらに粉末化したガスフリツトとテレピ
ン油等からなるビークルとを混練して抵抗ペース
トとしたものを使用する。導電材料として使用可
能な珪化物は多くある。この中でもMoSi2を
TaSi2の混合粉末系グレーズ抵抗材料は低抵抗領
域でよい特性が得られる。また、中、高抵抗領域
にはMoSi2、TaSi2にさらにMg2Siを添加した材
料系が適している。さらに、NiSi2とCoSiの粉末
とガラスからなる抵抗材料は、可変抵抗器用とし
てすぐれた特性を示す。これら珪化物とガラスか
らなるグレーズ抵抗材料は、窒素雰囲気あるいは
還元雰囲気で焼成されても、抵抗材料を構成する
成分が化学的に充分に安定であり、窒素雰囲気中
あるいは還元雰囲気で焼成することによつて抵抗
特性を得ることができるものである。 このように、珪化物とガラスからなる抵抗材料
を用いることにより、銅を電極にした低抵抗領域
から高抵抗領域までの抵抗値を窒素雰囲気あるい
は還元雰囲気中において焼成することにより得る
ことが可能となつた。抵抗は上記のような雰囲気
で焼成されるため、銅は酸化されることはない。 以上述べてきたように、本発明は、銅電極を用
いたグレーズ抵抗器を提供するものであり、銀あ
るいは銀−パラジウム等の高価な材料を電極とし
て用いる必要のないものである。また、硅化物グ
レーズ抵抗と銅電極を組み合わせる事により、従
来Ag／Pd電極との組み合わせで問題となつてい
た接触部の問題が解決され、すぐれた特性の抵抗
器を実現するものである。 以下、本発明の実施例について詳述する。 実施例 １ MoSi2：TaSi2＝75：25（モル比）の組成を有
する珪化物を、真空中において1400℃で合成し、
これをメタノール中で平均2μｍの粒径まで粉砕
して乾燥させた。このように得た粉末に、BaO、
B2O3、MgO、CaO、SiO2からなるガラスフリツ
トと、エチルセルロース10％溶解のテレピン油か
らなるビークルとを加え、混練して、グレーズ抵
抗ペーストを作製した。 一方、アルミナ基板上に銅ペーストを印刷し、
乾燥させてから、純窒素中において900℃で焼成
し、銅電極を形成した。なお、この銅ペースト中
には焼成雰囲気が還元雰囲気となるため、電極の
接着強度に確保する目的で少量のガラスフリツト
が添加されている。 銅電極の形成された基板に前述のようにして得
たグレーズ抵抗ペーストをスクリーン印刷し、
125℃で10分間乾燥させた。そして、これを500℃
まで空気雰囲気中において熱し、500℃から850
℃、そして850℃から室温まで５％H2−95％N2
雰囲気に調節可能な二元雰囲気厚膜炉に通して焼
成した。このようにして得られたグレーズ抵抗器
について、アスペクト比を変えて調べた結果、電
極とのマツチングがきわめてよく、また、抵抗器
の耐湿特性は温度70℃、相対湿度95％の雰囲気中
に1000時間放置した後の抵抗変化率で評価したと
ころ、±２％であつた。 第１表にはこれらのグレーズ抵抗器の抵抗値、
抵抗温度係数TCR、ノイズ、短時間過負荷特性
ΔR／Ｒを示す。
【表】
なお、TCRの値は20℃と125℃での抵抗値を測
定して得た。短時間過負荷特性については、定格
100ｍＷ／cm2の負荷を印加し、初期値Ｒに対する
変化分ΔRの割合で評価した。 以上示したようにMoSi2−TaSi2系珪化物グレ
ーズ抵抗体と銅電極との組合せにより、上記に示
すような抵抗特性が得られ、60Ω／口〜2.5K
Ω／口の範囲で従来のグレーズ抵抗器と同程度の
特性を有する。 実施例 ２ MoSi2：TaSi2：Mg2Si＝60：20：20（モル比）
の組成を有する珪化物を、真空中において1200℃
で合成し、これをメタノール中、ボールミルで
0.2μｍの粒径まで粉砕した。このようにして得ら
れた粉末に、BaO、B2O3、SiO2、MgO、CaOか
らなるガラスフリツトとビークルとを加え、混練
しグレーズ抵抗ペーストを作つた。このペースト
を、実施例１と同じようにして得た銅電極を有す
るアルミナ基板上にスクリーン印刷し、120℃、
10分間乾燥させた。これを実施例１と同じプロフ
アイルを有する二元雰囲気炉中で焼成した。この
ようにして得られた抵抗体は銅電極とよくマツチ
ングしていた。耐湿特性は、約100KΩ／口まで
の抵抗範囲で、温度70℃、相対湿度95％の雰囲気
中に1000時間放置した後の、初期値に対する抵抗
値変化率で±２％以内であつた。 第２表には、これらのグレーズ抵抗器の抵抗
値、TCR、ノイズ、短時間過負荷試験の各特性
を示す。
定して得た。短時間過負荷特性については、定格
100ｍＷ／cm2の負荷を印加し、初期値Ｒに対する
変化分ΔRの割合で評価した。 以上示したようにMoSi2−TaSi2系珪化物グレ
ーズ抵抗体と銅電極との組合せにより、上記に示
すような抵抗特性が得られ、60Ω／口〜2.5K
Ω／口の範囲で従来のグレーズ抵抗器と同程度の
特性を有する。 実施例 ２ MoSi2：TaSi2：Mg2Si＝60：20：20（モル比）
の組成を有する珪化物を、真空中において1200℃
で合成し、これをメタノール中、ボールミルで
0.2μｍの粒径まで粉砕した。このようにして得ら
れた粉末に、BaO、B2O3、SiO2、MgO、CaOか
らなるガラスフリツトとビークルとを加え、混練
しグレーズ抵抗ペーストを作つた。このペースト
を、実施例１と同じようにして得た銅電極を有す
るアルミナ基板上にスクリーン印刷し、120℃、
10分間乾燥させた。これを実施例１と同じプロフ
アイルを有する二元雰囲気炉中で焼成した。この
ようにして得られた抵抗体は銅電極とよくマツチ
ングしていた。耐湿特性は、約100KΩ／口まで
の抵抗範囲で、温度70℃、相対湿度95％の雰囲気
中に1000時間放置した後の、初期値に対する抵抗
値変化率で±２％以内であつた。 第２表には、これらのグレーズ抵抗器の抵抗
値、TCR、ノイズ、短時間過負荷試験の各特性
を示す。
【表】
上表から明らかなように、このグレーズ抵抗器
は、中、高抵抗領域で、好ましい抵抗特性を示し
ている。 実施例 ３ NiSi2：CoSi2＝80：20（モル比）の組成を有す
る珪化物を1000℃で２時間、真空中において合成
したのち、これをメタノール中、ボールミルで
1.0μｍの粒径まで粉砕し、乾燥させた。この粉末
に、BaO、B2O3、SiO2、MgO、CaOからなるガ
ラスフリツトとビークルとを加え、混練して、グ
レーズ抵抗ペーストを作製した。このペースト
を、実施例１と同様にして作製した銅電極を有す
るアルミナ基板上に、スクリーン印刷し、乾燥さ
せた。これを実施例１と同じ条件の二元雰囲気炉
で焼成した。このようにして形成した抵抗体の表
面の接触抵抗は低く、可変抵抗器として適してい
る。 第３表には、この可変抵抗器のTCR、負荷特
性、CRV（contact、resitance variation）の値
を示す。
は、中、高抵抗領域で、好ましい抵抗特性を示し
ている。 実施例 ３ NiSi2：CoSi2＝80：20（モル比）の組成を有す
る珪化物を1000℃で２時間、真空中において合成
したのち、これをメタノール中、ボールミルで
1.0μｍの粒径まで粉砕し、乾燥させた。この粉末
に、BaO、B2O3、SiO2、MgO、CaOからなるガ
ラスフリツトとビークルとを加え、混練して、グ
レーズ抵抗ペーストを作製した。このペースト
を、実施例１と同様にして作製した銅電極を有す
るアルミナ基板上に、スクリーン印刷し、乾燥さ
せた。これを実施例１と同じ条件の二元雰囲気炉
で焼成した。このようにして形成した抵抗体の表
面の接触抵抗は低く、可変抵抗器として適してい
る。 第３表には、この可変抵抗器のTCR、負荷特
性、CRV（contact、resitance variation）の値
を示す。
【表】
なお、短時間過負荷特性ΔR／Ｒは実施例１と
同じ条件で評価した。 実施例 ４ MoSi2：TaSi2：Mg2Si＝60：20：20（モル比）
の組成を有する硅化物を真空中において1200℃で
合成し、これをメタノール中、ボールミルで0.2μ
ｍの粒径まで粉砕した。このようにして得られた
粉末に、BaO、SiO2、MgO、CaOからなるガラ
スフリツトとビークルを加え、混練しグレーズ抵
抗ペーストとした。ここで、ペースト中の硅化物
導体とガラスフリツトの比は重量比で15：85であ
つた。 上記ペーストをすでに銅電極を形成したアルミ
ナ基板にスクリーン印刷、乾燥後、実施例１と同
じプロフアイルを有する二元雰囲気炉で焼成し
た。また、これとは別にすでにAg／Pd電極を形
成したアルミナ基板上に上記ペーストを印刷、乾
燥し、通常の空気中厚膜ベルト炉で温度850℃で
焼成した。上記、銅電極、Ag／Pd電極の双方と
も図に示すようなパターン上に抵抗膜巾（Ｗ）を
１mmとし長さ(L)を変えて測測定した。その結果を
図に示す。図に示すように、銅電極の場合は長さ
（Ｌ）が変つてもシート抵抗（抵抗膜を正方形パ
ターンに換算したときの値）はほとんど変化しな
い。一方、Ag／Pd電極の場合はＬの値が大きく
なるとともにシート抵抗値が減少する傾向を示
す。以上、本実施例で示す通り、銅電極を用いた
ときは抵抗膜の形状が変つてもシート抵抗値は一
定となり、抵抗膜パターン設計上極めて有利であ
ることが判る。上表から明らかなように、このグ
レーズ抵抗器は、可変抵抗器として好ましい特性
を示す。 以上示した実施例からも明らかなように、銅電
極を用いた珪化物系グレーズ抵抗器は、固定抵抗
器、可変抵抗器として十分な特性を有し、かつ電
極材料が銅であるという点で大巾の材料コストの
低減が可能であり、本発明は工業上極めて有用な
ものである。
同じ条件で評価した。 実施例 ４ MoSi2：TaSi2：Mg2Si＝60：20：20（モル比）
の組成を有する硅化物を真空中において1200℃で
合成し、これをメタノール中、ボールミルで0.2μ
ｍの粒径まで粉砕した。このようにして得られた
粉末に、BaO、SiO2、MgO、CaOからなるガラ
スフリツトとビークルを加え、混練しグレーズ抵
抗ペーストとした。ここで、ペースト中の硅化物
導体とガラスフリツトの比は重量比で15：85であ
つた。 上記ペーストをすでに銅電極を形成したアルミ
ナ基板にスクリーン印刷、乾燥後、実施例１と同
じプロフアイルを有する二元雰囲気炉で焼成し
た。また、これとは別にすでにAg／Pd電極を形
成したアルミナ基板上に上記ペーストを印刷、乾
燥し、通常の空気中厚膜ベルト炉で温度850℃で
焼成した。上記、銅電極、Ag／Pd電極の双方と
も図に示すようなパターン上に抵抗膜巾（Ｗ）を
１mmとし長さ(L)を変えて測測定した。その結果を
図に示す。図に示すように、銅電極の場合は長さ
（Ｌ）が変つてもシート抵抗（抵抗膜を正方形パ
ターンに換算したときの値）はほとんど変化しな
い。一方、Ag／Pd電極の場合はＬの値が大きく
なるとともにシート抵抗値が減少する傾向を示
す。以上、本実施例で示す通り、銅電極を用いた
ときは抵抗膜の形状が変つてもシート抵抗値は一
定となり、抵抗膜パターン設計上極めて有利であ
ることが判る。上表から明らかなように、このグ
レーズ抵抗器は、可変抵抗器として好ましい特性
を示す。 以上示した実施例からも明らかなように、銅電
極を用いた珪化物系グレーズ抵抗器は、固定抵抗
器、可変抵抗器として十分な特性を有し、かつ電
極材料が銅であるという点で大巾の材料コストの
低減が可能であり、本発明は工業上極めて有用な
ものである。
図は、銅電極とAg／Pd電極を用いたときの硅
化物グレーズ抵抗膜の形状とシート抵抗値の関係
を示す特性図である。 １……電極、２……抵抗膜のパターン、３……
銅電極の場合のシート抵抗曲線。４……Ag／Pd
電極の場合のシート抵抗曲線。
化物グレーズ抵抗膜の形状とシート抵抗値の関係
を示す特性図である。 １……電極、２……抵抗膜のパターン、３……
銅電極の場合のシート抵抗曲線。４……Ag／Pd
電極の場合のシート抵抗曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銅電極を有する耐熱性絶縁基板上に、珪化物
−ガラス系グレーズ抵抗体を形成してなることを
特徴とするグレーズ抵抗器。 ２ 珪化物が、MoSiとTaSi2、MoSi2とTaSi2と
Mg2Si、またはNiSi2とCoSiで構成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のグ
レーズ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736480A JPS56153702A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Glazed resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736480A JPS56153702A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Glazed resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56153702A JPS56153702A (en) | 1981-11-27 |
| JPH0135481B2 true JPH0135481B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=13053519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5736480A Granted JPS56153702A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Glazed resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56153702A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292402A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波集積回路 |
| JPS61294847A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 厚膜回路基板の製造方法 |
| JPS61294801A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | 松下電器産業株式会社 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
| JPH0624162B2 (ja) * | 1989-05-11 | 1994-03-30 | コパル電子株式会社 | 可変抵抗器の抵抗体 |
-
1980
- 1980-04-30 JP JP5736480A patent/JPS56153702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56153702A (en) | 1981-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0545545B2 (ja) | ||
| US4323484A (en) | Glaze resistor composition | |
| JPH0135481B2 (ja) | ||
| JPH02249203A (ja) | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト | |
| US3962143A (en) | Reactively-bonded thick-film ink | |
| JP4042003B2 (ja) | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ | |
| JPH0622161B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物および厚膜抵抗体素子 | |
| JPH0153907B2 (ja) | ||
| JP3117346B2 (ja) | 絶縁磁器およびその製造方法並びに多層配線基板 | |
| EP0722175B1 (en) | Resistance paste and resistor comprising the material | |
| JP2827902B2 (ja) | 抵抗ペースト | |
| JP2937073B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JP2937072B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JPS62250603A (ja) | 厚膜抵抗体の製造方法 | |
| JP3246245B2 (ja) | 抵抗体 | |
| JPS6134203B2 (ja) | ||
| JPS5933241B2 (ja) | グレ−ズ抵抗材料 | |
| JPS62250602A (ja) | 厚膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS5951758B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPS62209801A (ja) | グレ−ズ抵抗体ペ−スト | |
| JPH04192208A (ja) | 導体ペースト | |
| JPS5853481B2 (ja) | 抵抗組成物 | |
| JPS5832441B2 (ja) | グレ−ズテイコウソセイブツ | |
| JPS5873185A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPS61242001A (ja) | チツプ抵抗器 |