JPS62209801A - グレ−ズ抵抗体ペ−スト - Google Patents
グレ−ズ抵抗体ペ−ストInfo
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- JPS62209801A JPS62209801A JP61051705A JP5170586A JPS62209801A JP S62209801 A JPS62209801 A JP S62209801A JP 61051705 A JP61051705 A JP 61051705A JP 5170586 A JP5170586 A JP 5170586A JP S62209801 A JPS62209801 A JP S62209801A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はグレーズ抵抗材料にかかり、中性雰囲気中、あ
るいは還元雰囲気中の非還元性雰囲気中で焼成可能なグ
レーズ抵抗体ペーストを提供するものである。
るいは還元雰囲気中の非還元性雰囲気中で焼成可能なグ
レーズ抵抗体ペーストを提供するものである。
従来の技術
従来、電極を形成したアルミナ基板上に設ける抵抗材料
として、RuO□−ガラスから構成されるRuO□グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
として、RuO□−ガラスから構成されるRuO□グレ
ーズ抵抗体がひろく実用に供されている。
このグレーズ抵抗体は、焼結アルミナ基板上の銀あるい
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ru02−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中700〜900°
Cの温度で焼成して形成される。これら厚膜技術に関し
ては、たとえばプラナ−、フィリップス著、シックフィ
ルムサーキット、ロンドンバターワース社(Plane
r、、Ph1ll−ips、 rThick Film
C1rcuitsj (LONDON BUTTE
R−wORTHS社))に論じられてる。
は銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえ
で、Ru02−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビ
ヒクル中に分散させたペーストをアルミナ基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中700〜900°
Cの温度で焼成して形成される。これら厚膜技術に関し
ては、たとえばプラナ−、フィリップス著、シックフィ
ルムサーキット、ロンドンバターワース社(Plane
r、、Ph1ll−ips、 rThick Film
C1rcuitsj (LONDON BUTTE
R−wORTHS社))に論じられてる。
一方、銀−パラジウム電極等の貴金属以外の卑金属電極
上、例えばW、、 MO% Cu上にRuO□−ガラス
系グレーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合
、電極材料の酸化現象が生じ、電橋上へのグレーズ抵抗
体の形成は不可能である。
上、例えばW、、 MO% Cu上にRuO□−ガラス
系グレーズ抵抗体を空気中で形成することを考えた場合
、電極材料の酸化現象が生じ、電橋上へのグレーズ抵抗
体の形成は不可能である。
そのため、卑金属電極を用いてグレーズ抵抗体を形成す
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中
性雰囲気中で焼成する必要がある。
るためにはグレーズ抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中
性雰囲気中で焼成する必要がある。
しかし、Rung系グレーズ抵抗材料はその性質上還元
雰囲気中で処理された場合、 Ru0= + H2−”Ru + H2Oの反応が容易
に起こり、抵抗体としての特性が得られない。また、一
般にRuO□系グレーズ抵抗体ペーストは導体、ガラス
成分以外に結合剤としてエチルセルロースなどの有機ポ
リマーを含んでいる。
雰囲気中で処理された場合、 Ru0= + H2−”Ru + H2Oの反応が容易
に起こり、抵抗体としての特性が得られない。また、一
般にRuO□系グレーズ抵抗体ペーストは導体、ガラス
成分以外に結合剤としてエチルセルロースなどの有機ポ
リマーを含んでいる。
そのため、このような印刷膜を還元雰囲気中あるいは中
性雰囲気中で熱処理した場合、有機ポリマーは完全には
燃焼せずに炭化し、ガラスに吸着されて炭素残渣が生じ
る。
性雰囲気中で熱処理した場合、有機ポリマーは完全には
燃焼せずに炭化し、ガラスに吸着されて炭素残渣が生じ
る。
結果として焼成後の抵抗膜中に炭素成分が残り、抵抗特
性に悪影響を与えていた。
性に悪影響を与えていた。
一方、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗材料は空気中での
焼成が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還
元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることが
ない。したがって、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体は
還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼成が可能なもので
ある。
焼成が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還
元雰囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることが
ない。したがって、珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体は
還元雰囲気中や、中性雰囲気中でも焼成が可能なもので
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前述のようなエチルセルロースなどの燃焼型有
機ポリマーを珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体ペースト
のバインダとして用いる限り、卑金属電極上に珪化物−
ガラス系グレーズ抵抗膜を形成するためには、前工程と
してバインダを燃焼飛散させる脱パインダニ程と、後で
還元処理を必ず施さねばならなかった(特公昭59−1
5481号公報)。
機ポリマーを珪化物−ガラス系グレーズ抵抗体ペースト
のバインダとして用いる限り、卑金属電極上に珪化物−
ガラス系グレーズ抵抗膜を形成するためには、前工程と
してバインダを燃焼飛散させる脱パインダニ程と、後で
還元処理を必ず施さねばならなかった(特公昭59−1
5481号公報)。
つまり、脱パインダニ程はバインダを燃焼させるという
意味から酸素を多量に含む雰囲気、即ち空気中で行うの
が最も適当である。しかし、電極材料が卑金属の場合、
たとえ脱パインダニ程の温度が低いとしても空気中では
電極表面が酸化されてしまう。そのため後工程で還元処
理を施さねばならないと言う問題点を有していた。
意味から酸素を多量に含む雰囲気、即ち空気中で行うの
が最も適当である。しかし、電極材料が卑金属の場合、
たとえ脱パインダニ程の温度が低いとしても空気中では
電極表面が酸化されてしまう。そのため後工程で還元処
理を施さねばならないと言う問題点を有していた。
また、−車酔化した金属酸化物はその性質上還元処理中
に基板内部へ拡散したり、昇華飛散するなどの問題点も
有していた。
に基板内部へ拡散したり、昇華飛散するなどの問題点も
有していた。
さらに種度に細かいガラス粉末を用いたペーストの場合
、ガラス粉末が活性なため脱パインダニ程が完了する前
にガラスが融けて炭素残渣を発生させていた。
、ガラス粉末が活性なため脱パインダニ程が完了する前
にガラスが融けて炭素残渣を発生させていた。
本発明は上記問題点に鑑み、中性雰囲気、あるは還元雰
囲気等の非還元性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗体
ペーストを提供するものである。
囲気等の非還元性雰囲気中で焼成可能なグレーズ抵抗体
ペーストを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のグレーズ抵抗体ペ
ーストは、平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉
末と、平均粒径2.0〜10.0μmの非還元性ガラス
粉末、及び低温で解重合を起こす有機バインダを含むビ
ヒクルから構成されたものである。
ーストは、平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉
末と、平均粒径2.0〜10.0μmの非還元性ガラス
粉末、及び低温で解重合を起こす有機バインダを含むビ
ヒクルから構成されたものである。
作用
本発明は上記したように、グレーズ抵抗体ペーストのビ
ヒクルが低温で解重合をおこすポリマーと溶剤より構成
されるため、脱パインダニ程も焼成も非還元性雰囲気中
で行うことができ、中性雰囲気中や、還元雰囲気中で焼
成される卑金属電極と同時に用いることができることと
なる。
ヒクルが低温で解重合をおこすポリマーと溶剤より構成
されるため、脱パインダニ程も焼成も非還元性雰囲気中
で行うことができ、中性雰囲気中や、還元雰囲気中で焼
成される卑金属電極と同時に用いることができることと
なる。
また、平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と
、平均粒径2.0〜10.0μmの非還元性ガラス粉末
を用いることにより、炭素残渣を生じ難く、抵抗温度係
数がゼロに近い、耐湿特性の安定な抵抗体を得ることが
できる。
、平均粒径2.0〜10.0μmの非還元性ガラス粉末
を用いることにより、炭素残渣を生じ難く、抵抗温度係
数がゼロに近い、耐湿特性の安定な抵抗体を得ることが
できる。
実施例
以下本発明の一実施例のグレーズ抵抗体ペーストについ
て説明する。
て説明する。
[実施例]
まず、珪素と各金属をArガス中の1200〜1400
℃の温度で反応させ、珪化モリブデン(MoSiz)、
珪化タングステン(WSiz) 、珪化タンタル(Ta
Siz)、珪化ニオブ(NbSi z)、珪化マンガン
(MnSiz)、珪化チタン(TiSiz)、珪化ジル
コン(ZrSit)、珪化アルミニウム(AISiz)
、珪化鉄(FeSiz)、珪化クロム(CrSi、)、
珪化コバルト(CoSiz)、珪化ニッケル(NiSi
z)、珪化マグネシウム(MgzSi)の各珪化物を得
、有機溶媒中で湿式粉砕を行い、平均粒径0.2〜5.
0μmの珪化物導体粉末を得た。一方、非還元性ガラス
粉体は原料粉体として、BaC0,、H3BO3、Mg
o、 CaC0+、Sing、A1t03を主に用い、
1200〜1300℃の温度で溶融後、純水中で急冷し
、粗粉砕、湿式粉砕をおこなって2.0〜10.0μm
のガラス粉体を得た。
℃の温度で反応させ、珪化モリブデン(MoSiz)、
珪化タングステン(WSiz) 、珪化タンタル(Ta
Siz)、珪化ニオブ(NbSi z)、珪化マンガン
(MnSiz)、珪化チタン(TiSiz)、珪化ジル
コン(ZrSit)、珪化アルミニウム(AISiz)
、珪化鉄(FeSiz)、珪化クロム(CrSi、)、
珪化コバルト(CoSiz)、珪化ニッケル(NiSi
z)、珪化マグネシウム(MgzSi)の各珪化物を得
、有機溶媒中で湿式粉砕を行い、平均粒径0.2〜5.
0μmの珪化物導体粉末を得た。一方、非還元性ガラス
粉体は原料粉体として、BaC0,、H3BO3、Mg
o、 CaC0+、Sing、A1t03を主に用い、
1200〜1300℃の温度で溶融後、純水中で急冷し
、粗粉砕、湿式粉砕をおこなって2.0〜10.0μm
のガラス粉体を得た。
これら珪化物導体粉末と非還元性ガラス粉末を珪化物導
体粉末/(珪化物導体粉末+非還元性ガラス)比が重量
比で0.1〜0.4となるように混合し、グレーズ抵抗
粉末とした。
体粉末/(珪化物導体粉末+非還元性ガラス)比が重量
比で0.1〜0.4となるように混合し、グレーズ抵抗
粉末とした。
このグレーズ抵抗粉末と混練するビヒクルはテルピネオ
ール中にポリメチルメタアクリレートが10%重量比に
なるよう秤量し、溶解して得た。
ール中にポリメチルメタアクリレートが10%重量比に
なるよう秤量し、溶解して得た。
そして、グレーズ抵抗粉末を1gあたり0.6〜0 、
7 ccのビヒクルで混練してグレーズ抵抗体ペースト
を得た。
7 ccのビヒクルで混練してグレーズ抵抗体ペースト
を得た。
このグレーズ抵抗体ペーストを325メツシエのステン
レススクリーンを用いてCu電電極持持アルミナ基板上
にスクリーン印刷した。この後120℃で10分間乾燥
してから、雰囲気制御可能な厚膜炉で焼成した。厚膜炉
の条件は釣鐘状の温度プロファイルで900℃10分間
保持のトータル焼成時間45分であった。このときの雰
囲気は窒素雰囲気でおこなった。
レススクリーンを用いてCu電電極持持アルミナ基板上
にスクリーン印刷した。この後120℃で10分間乾燥
してから、雰囲気制御可能な厚膜炉で焼成した。厚膜炉
の条件は釣鐘状の温度プロファイルで900℃10分間
保持のトータル焼成時間45分であった。このときの雰
囲気は窒素雰囲気でおこなった。
このようにしてえられたグレーズ抵抗体の代表的抵抗緒
特性を第1表に示す。
特性を第1表に示す。
(1人丁金 ら)
なお、面積抵抗Rsは、抵抗体の膜厚12μmに換算し
て評価した。また、短時間過負荷テスト(STOL :
5hort Time 0ver−1oad Te5
t)は250mW/mm2の電力を5秒間印加して初期
値に対する抵抗変化率で評価した。
て評価した。また、短時間過負荷テスト(STOL :
5hort Time 0ver−1oad Te5
t)は250mW/mm2の電力を5秒間印加して初期
値に対する抵抗変化率で評価した。
また、抵抗温度係数T CR(ppm/ ’C)は、2
5℃時の抵抗値に対する125℃時の抵抗値を1℃あた
りの変化率で評価した。
5℃時の抵抗値に対する125℃時の抵抗値を1℃あた
りの変化率で評価した。
以上のように本[実施例]によれば、導体材料とガラス
、およびビヒクルで構成されるグレーズ抵抗体ペースト
が、平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と、
平均粒径2.Q〜10.0μmの非還元性ガラス粉末、
及び低温で解重合を起こす有機バインダを含むビヒクル
から構成されることにより、中性雰囲気中で容易に焼成
でき、卑金属材料と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を
形成できる。
、およびビヒクルで構成されるグレーズ抵抗体ペースト
が、平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と、
平均粒径2.Q〜10.0μmの非還元性ガラス粉末、
及び低温で解重合を起こす有機バインダを含むビヒクル
から構成されることにより、中性雰囲気中で容易に焼成
でき、卑金属材料と共存可能な高性能グレーズ抵抗体を
形成できる。
[比較例]
本発明の効果を明らかにするために[実施例コの珪化物
導体粉末が平均粒径0.2μm未満、あるいは5μm超
えるものを作成し、また、非還元性ガラス粉末が平均粒
径2μm未満、あるいは10μmを超えるものを作成し
、実施例と同じ手順でグレーズ抵抗体を形成し評価した
。
導体粉末が平均粒径0.2μm未満、あるいは5μm超
えるものを作成し、また、非還元性ガラス粉末が平均粒
径2μm未満、あるいは10μmを超えるものを作成し
、実施例と同じ手順でグレーズ抵抗体を形成し評価した
。
このときの抵抗体の代表的緒特性を第2表に示1°
(以下心b〉 なお、電流ノイズN (dB)はQuan−tech社
製抵抗体ノイズメーター315Bで測定した。
(以下心b〉 なお、電流ノイズN (dB)はQuan−tech社
製抵抗体ノイズメーター315Bで測定した。
また、耐湿テストは温度60℃、相対湿度95%雰囲気
中に100時間放置した後の初期値に対する抵抗変化率
ΔR(%)で評価した。
中に100時間放置した後の初期値に対する抵抗変化率
ΔR(%)で評価した。
珪化物導体粉末の平均粒径と非還元性ガラスの平均粒径
と耐湿テスト(60℃、99%RH1)00Hrs)の
抵抗変化率の[実施例コ、し比較例コを図に示す。
と耐湿テスト(60℃、99%RH1)00Hrs)の
抵抗変化率の[実施例コ、し比較例コを図に示す。
lは、本発明の[実施例コを示す珪化物導体と非還元性
ガラスの平均粒径の領域を、2は[比較例]を示す各々
の平均粒径の領域を示す。
ガラスの平均粒径の領域を、2は[比較例]を示す各々
の平均粒径の領域を示す。
以上[比較例〕に示すように、非還元性ガラス粉末が平
均粒径2μm未満、あるいは10μmを超えるものを用
い、実施例と同じ手順で焼成したグレーズ抵抗体では、
ガラスの流動性が適度でなく、ガラスが微粉末のときは
脱バインダが不完全なままガラスが融は炭素残渣が生じ
る。このため抵抗体としての諸特性を満足しない。また
、ガラス粉末が10μmを超えるものではガラスの流動
性が悪く、耐湿性が向上しない。一方、珪化物導体粉末
が平均粒径0.2μm未満、あるいは、5μmを超える
ものを用いて同様に形成したグレーズ抵抗体では、やは
りガラスの流動性に影響を与え、諸特性を満たさない。
均粒径2μm未満、あるいは10μmを超えるものを用
い、実施例と同じ手順で焼成したグレーズ抵抗体では、
ガラスの流動性が適度でなく、ガラスが微粉末のときは
脱バインダが不完全なままガラスが融は炭素残渣が生じ
る。このため抵抗体としての諸特性を満足しない。また
、ガラス粉末が10μmを超えるものではガラスの流動
性が悪く、耐湿性が向上しない。一方、珪化物導体粉末
が平均粒径0.2μm未満、あるいは、5μmを超える
ものを用いて同様に形成したグレーズ抵抗体では、やは
りガラスの流動性に影響を与え、諸特性を満たさない。
なお、実施例において、有機ポリマーとしてポリメチル
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよく例えば、ポリブチルメ
タアクリレート、ポリテトラフルオロエチレンや、ポリ
−α−メチルスチレンを単体、あるいは混合して用いて
もよい。
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよく例えば、ポリブチルメ
タアクリレート、ポリテトラフルオロエチレンや、ポリ
−α−メチルスチレンを単体、あるいは混合して用いて
もよい。
また、実施例では窒素雰囲気中で焼成したが、非酸化性
雰囲気であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
雰囲気であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
また、実施例では硼珪酸ガラスをもちいたが、ガラスの
性質としては非還元性であればよい。
性質としては非還元性であればよい。
発明の効果
以上のように本発明のグレーズ抵抗体ペーストは、平均
粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と、平均粒径
2.0〜10.0μmの非還元性ガラス粉末、及び低温
で解重合を起こす有機バインダを含むビヒクルから構成
されることにより、非還元性雰囲気中で高性能グレーズ
抵抗体を容易に形成でき、また、卑金属材料との共存に
よるコストの低減や、単一雰囲気中での焼成による工程
管理工数の低減等、多くの波及効果が得られる。
粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と、平均粒径
2.0〜10.0μmの非還元性ガラス粉末、及び低温
で解重合を起こす有機バインダを含むビヒクルから構成
されることにより、非還元性雰囲気中で高性能グレーズ
抵抗体を容易に形成でき、また、卑金属材料との共存に
よるコストの低減や、単一雰囲気中での焼成による工程
管理工数の低減等、多くの波及効果が得られる。
図は、グレーズ抵抗体ペーストを窒素雰囲気中で形成し
、耐湿テスト100時間後における抵抗変化率ΔRにお
いて各抵抗変化率を満足する珪化物導体材料、非還元性
ガラスの平均粒径の領域を示すグラフである。 1・・・・・・本発明の実施例を示す領域、2・・・・
・・比較例を示す領域。
、耐湿テスト100時間後における抵抗変化率ΔRにお
いて各抵抗変化率を満足する珪化物導体材料、非還元性
ガラスの平均粒径の領域を示すグラフである。 1・・・・・・本発明の実施例を示す領域、2・・・・
・・比較例を示す領域。
Claims (4)
- (1)平均粒径0.2〜5.0μmの珪化物導体粉末と
、平均粒径2.0〜10.0μmの非還元性ガラス粉末
、及び低温で解重合を起こす有機バインダを含むビヒク
ルから構成されるグレーズ抵抗体ペースト。 - (2)有機バインダは非還元性ガラス粉末の軟化点より
も低い温度で解重合をおこし、ポリメチルメタアクリー
ト、ポリブチルメタアクリレート、ポリテトラフルオロ
エチレン、又はポリ−α−メチルスチレンのうち1種以
上から構成されることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載のグレーズ抵抗体ペースト。 - (3)珪化物導体粉末が、珪化モリブデン、珪化タング
ステン、珪化タンタル、珪化ニオブ、珪化マンガン、珪
化チタン、珪化ジルコン、珪化アルミニウム、珪化鉄、
珪化クロム、珪化コバルト、珪化ニッケル、珪化マグネ
シウムの内一種以上であることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項記載のグレーズ抵抗体ペースト。 - (4)非還元性ガラスは、硼珪酸ガラスから構成される
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のグレ
ーズ抵抗体ペースト。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61051705A JPS62209801A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
US06/875,872 US4695504A (en) | 1985-06-21 | 1986-06-18 | Thick film resistor composition |
KR1019860004955A KR900008866B1 (ko) | 1985-06-21 | 1986-06-20 | 후막저항조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61051705A JPS62209801A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62209801A true JPS62209801A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12894308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61051705A Pending JPS62209801A (ja) | 1985-06-21 | 1986-03-10 | グレ−ズ抵抗体ペ−スト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62209801A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6480001A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composition for resistor |
WO2023022092A1 (ja) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗体ペースト、チップ抵抗器及びガラス粒子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441493A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Hitachi Ltd | Paste for thick film resistance body |
JPS55148307A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Glazing heater |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP61051705A patent/JPS62209801A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441493A (en) * | 1977-09-07 | 1979-04-02 | Hitachi Ltd | Paste for thick film resistance body |
JPS55148307A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Glazing heater |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6480001A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composition for resistor |
WO2023022092A1 (ja) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗体ペースト、チップ抵抗器及びガラス粒子 |
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