JPS62250602A - 厚膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の製造方法Info
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- JPS62250602A JPS62250602A JP61093786A JP9378686A JPS62250602A JP S62250602 A JPS62250602 A JP S62250602A JP 61093786 A JP61093786 A JP 61093786A JP 9378686 A JP9378686 A JP 9378686A JP S62250602 A JPS62250602 A JP S62250602A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、厚膜抵抗体の製造方法に係り、特に非還元性
ガラスと珪化物導体とアルミナとから構成される厚膜抵
抗体の製造方法に関するものである。
ガラスと珪化物導体とアルミナとから構成される厚膜抵
抗体の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、電極を備えた絶縁性磁器基板上に設ける抵抗材料
として、酸化ルテニウム(RuO7)−ガラスから構成
されるRung系厚膜抵抗体がひろく実用に供されてい
る。
として、酸化ルテニウム(RuO7)−ガラスから構成
されるRung系厚膜抵抗体がひろく実用に供されてい
る。
この厚膜抵抗体は、焼結絶縁性磁器基板上に銀あるいは
銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえで
、Ru02−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビヒ
クル中に分散させたペーストを絶縁性磁器基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中700〜900°
Cの温度で焼成して、形成される。これら厚膜技術に関
しては、プラナ−、フィリ・ンブス著ニジツク フィル
ム サーキ・ン・ン、ロンドン、プツチ ロワース(P
laner Ph1llips:Th1ck Film
C1rcuits、 LONDON BIITTE−
RWORTIIS )に論じられてる。
銀とパラジウムからなる電極を空気中で焼付けたうえで
、Ru02−ガラスを樹脂バインダと溶剤からなるビヒ
クル中に分散させたペーストを絶縁性磁器基板上の前記
電極に接続するように印刷し、空気中700〜900°
Cの温度で焼成して、形成される。これら厚膜技術に関
しては、プラナ−、フィリ・ンブス著ニジツク フィル
ム サーキ・ン・ン、ロンドン、プツチ ロワース(P
laner Ph1llips:Th1ck Film
C1rcuits、 LONDON BIITTE−
RWORTIIS )に論じられてる。
しかしながら、上記のような構成では電極および抵抗に
、ともに貴金属を用いるため、高価になるばかりか、銀
(Ag)の半田くわれや移動を防止するため電極部にニ
ッケル(Ni)などのメッキを施すなど手間がかかると
いう問題があった。
、ともに貴金属を用いるため、高価になるばかりか、銀
(Ag)の半田くわれや移動を防止するため電極部にニ
ッケル(Ni)などのメッキを施すなど手間がかかると
いう問題があった。
さらに銀−パラジウム電極等の貴金属以外の卑金属電極
上、例えばw、11o、Cu上にRung−ガラス系厚
膜抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、電極材
料の酸化現象が生じ、電極上への厚膜抵抗体の形成は不
可能である。
上、例えばw、11o、Cu上にRung−ガラス系厚
膜抵抗体を空気中で形成することを考えた場合、電極材
料の酸化現象が生じ、電極上への厚膜抵抗体の形成は不
可能である。
そのため、卑金属電極を用いて厚膜抵抗体を形成するた
めには厚膜抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中性雰囲気
中などの非酸化性雰囲気中で焼成する必要がある。しか
し、RuO□uO□抵抗材料はその性質上非酸化性雰囲
気中で処理された場合、Rung + llz→Ru
+ 1120等の反応が容易に起こり、抵抗体としての
特性が得られない。
めには厚膜抵抗体を還元雰囲気中、あるいは中性雰囲気
中などの非酸化性雰囲気中で焼成する必要がある。しか
し、RuO□uO□抵抗材料はその性質上非酸化性雰囲
気中で処理された場合、Rung + llz→Ru
+ 1120等の反応が容易に起こり、抵抗体としての
特性が得られない。
一方、珪化物−ガラス系厚膜抵抗材料は空気中での焼成
が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還元雰
囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることがない
。従って、珪化物−ガラス系厚膜抵抗体は還元雰囲気中
や、中性雰囲気中でも焼成が可能なものである(特公昭
59−15481号公報)。
が可能であると同時に、珪化物の性質上雰囲気が還元雰
囲気、中性雰囲気を問わず化学変化を受けることがない
。従って、珪化物−ガラス系厚膜抵抗体は還元雰囲気中
や、中性雰囲気中でも焼成が可能なものである(特公昭
59−15481号公報)。
確かにこの構成では、■電極、抵抗材料ともに卑金属を
用いるため安価であり、■銅(Cu)などの卑金属は半
田づけが容易で、しかも■耐マイグレーション性も優れ
ている。また、抵抗温度係数(TCR)や、ノイズ(N
)、短時間過負荷特性(STOL)などの初期的な抵抗
特性はRuO□系厚膜紙厚膜抵抗体に優れている。
用いるため安価であり、■銅(Cu)などの卑金属は半
田づけが容易で、しかも■耐マイグレーション性も優れ
ている。また、抵抗温度係数(TCR)や、ノイズ(N
)、短時間過負荷特性(STOL)などの初期的な抵抗
特性はRuO□系厚膜紙厚膜抵抗体に優れている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前述のような珪化物抵抗体は初期的には満足で
きるものの、抵抗の経時変化が大きいため実用上大きな
不安を残している。とくに高抵抗化を図るため珪化物導
体量を極度(<2Qwt%)に少なくした場合、高抵抗
化用のフィラーとしてアルミナを添加した場合、さらに
は高温・高湿の環境下に長時間おかれた場合、抵抗体の
面積抵抗Rsが増大し実用に耐えない抵抗変化が生じる
。これは、明らかにされたわけではないが、形成された
抵抗体表面の珪化物粒子の水分と熱による化学的反応に
よって生じるものと考えられる。
きるものの、抵抗の経時変化が大きいため実用上大きな
不安を残している。とくに高抵抗化を図るため珪化物導
体量を極度(<2Qwt%)に少なくした場合、高抵抗
化用のフィラーとしてアルミナを添加した場合、さらに
は高温・高湿の環境下に長時間おかれた場合、抵抗体の
面積抵抗Rsが増大し実用に耐えない抵抗変化が生じる
。これは、明らかにされたわけではないが、形成された
抵抗体表面の珪化物粒子の水分と熱による化学的反応に
よって生じるものと考えられる。
また、元来ガラスを構成する酸化物の珪化物粉体に対す
る濡れ性は悪く、このため珪化物粒子のごく表面だけに
酸化膜を形成する必要があるが、非酸化性雰囲気中で焼
成される抵抗体内でガラス−珪化物間の相互反応は期待
できない。
る濡れ性は悪く、このため珪化物粒子のごく表面だけに
酸化膜を形成する必要があるが、非酸化性雰囲気中で焼
成される抵抗体内でガラス−珪化物間の相互反応は期待
できない。
このように、従来の珪化物−ガラス系厚膜抵抗体は高抵
抗化を図ることが困難であり、また、信頼性の不安定さ
からなかなか実用に供されないのが実情であった。
抗化を図ることが困難であり、また、信頼性の不安定さ
からなかなか実用に供されないのが実情であった。
本発明は、前記問題点を解決するもので、卑金属導体を
電極とし、非酸化性雰囲気中で形成できる安価で高信頼
性な厚膜抵抗体の製造方法を提供しようとするものであ
る。
電極とし、非酸化性雰囲気中で形成できる安価で高信頼
性な厚膜抵抗体の製造方法を提供しようとするものであ
る。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の厚膜抵抗体の製造
方法は非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末
とを混練し、前記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中10
00〜1200℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の
固形混合物を粉砕微粉化した後ペースト化する工程と、
電極として卑金属電極がメタライズされた絶縁性磁器基
板上に前記ペーストをスクリーン印刷して、800〜1
100℃の非酸化性雰囲気中で焼成する工程を備えたも
のである。
方法は非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末
とを混練し、前記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中10
00〜1200℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の
固形混合物を粉砕微粉化した後ペースト化する工程と、
電極として卑金属電極がメタライズされた絶縁性磁器基
板上に前記ペーストをスクリーン印刷して、800〜1
100℃の非酸化性雰囲気中で焼成する工程を備えたも
のである。
作用
本発明は上記したように、非還元性ガラスと珪化物導体
粉末とアルミナ粉末との混合物を非酸化性雰囲気中10
00〜1200℃で熱処理することにより、熱処理粉は
ガラスが溶融して珪化物粒子、アルミナ粒子を被い、三
成分が一体化している。
粉末とアルミナ粉末との混合物を非酸化性雰囲気中10
00〜1200℃で熱処理することにより、熱処理粉は
ガラスが溶融して珪化物粒子、アルミナ粒子を被い、三
成分が一体化している。
即ち、前記熱処理粉を粉砕微粉化した後ペース′ト化し
、絶縁性磁器基板上にスクリーン印刷して、800〜1
too℃の非還元性雰囲気中で焼成しても、珪化物−ガ
ラス間の濡れ性が改善されているため充分にグレーズ化
し、同時に珪化物粒子が抵抗膜表面に露出しなくなり、
このため抵抗体は外界の湿度の影響を受けにくくなり、
さらにはアルミナ粒子が高抵抗化用のフィラーとして充
分作用し、高抵抗で耐湿特性の良好な抵抗が得られる。
、絶縁性磁器基板上にスクリーン印刷して、800〜1
too℃の非還元性雰囲気中で焼成しても、珪化物−ガ
ラス間の濡れ性が改善されているため充分にグレーズ化
し、同時に珪化物粒子が抵抗膜表面に露出しなくなり、
このため抵抗体は外界の湿度の影響を受けにくくなり、
さらにはアルミナ粒子が高抵抗化用のフィラーとして充
分作用し、高抵抗で耐湿特性の良好な抵抗が得られる。
即ち、卑金属を電極とし、非酸化性雰囲気中で形成でき
る安価で高信頼性の厚膜抵抗体が得られる。
る安価で高信頼性の厚膜抵抗体が得られる。
実施例
以下本発明の厚膜抵抗体の製造方法の一実施例について
、図面を参照しながら説明する。
、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における厚膜抵抗体の断面図
を示すものであり、1は絶縁性磁器基板、2は卑金属電
極膜、3は抵抗体膜を示す。また、第2図は本発明の製
造方法によって得られた抵抗体のモデル図、第3図は従
来の抵抗体のモデル図をそれぞれ示し、4aと5aは珪
化物粒子、4bはガラス、4Cと50はアルミナ粒子、
4dは熱処理粉粒子、5bはガラス粒子をそれぞれ示す
。
を示すものであり、1は絶縁性磁器基板、2は卑金属電
極膜、3は抵抗体膜を示す。また、第2図は本発明の製
造方法によって得られた抵抗体のモデル図、第3図は従
来の抵抗体のモデル図をそれぞれ示し、4aと5aは珪
化物粒子、4bはガラス、4Cと50はアルミナ粒子、
4dは熱処理粉粒子、5bはガラス粒子をそれぞれ示す
。
まず、珪化物導体粉末は、珪素と各金属を^rガス中の
1200−1400℃の温度で反応させ、珪化モリブデ
ン(MoSiz ) 、珪化タンタル(TaSi2)
、珪化マグネシウム(MgzSi ) 、珪化コバルト
(CoSiz)、珪化ニッケル(NiSiz )の各珪
化物を得、有機)8媒中で湿式粉砕を行なって得た。一
方、非還元性ガラス粉体は原料粉体とし、て、l1aC
O,、、ll3BOJ%MgO、CaC01,5iOz
、AIZO:lを主に用い、1200〜1300℃の温
度で溶融後練水中で急冷し、粗粉砕、湿式粉砕をおこな
って微粉化した。
1200−1400℃の温度で反応させ、珪化モリブデ
ン(MoSiz ) 、珪化タンタル(TaSi2)
、珪化マグネシウム(MgzSi ) 、珪化コバルト
(CoSiz)、珪化ニッケル(NiSiz )の各珪
化物を得、有機)8媒中で湿式粉砕を行なって得た。一
方、非還元性ガラス粉体は原料粉体とし、て、l1aC
O,、、ll3BOJ%MgO、CaC01,5iOz
、AIZO:lを主に用い、1200〜1300℃の温
度で溶融後練水中で急冷し、粗粉砕、湿式粉砕をおこな
って微粉化した。
この非還元性ガラス粉末に珪化物導体粉体を40〜80
重量%、アルミナ粉末を10〜30重量%加え、混合し
て混合粉を得た。つぎに前記混合粉を金型を用いて乾式
成形し、この成形物をArガス中1000〜1200″
C1保持時間10〜60分で熱処理した。最適な熱処理
条件はガラスの軟化点や珪化物の種類、珪化物の濃度や
アルミナ濃度によってことなる。
重量%、アルミナ粉末を10〜30重量%加え、混合し
て混合粉を得た。つぎに前記混合粉を金型を用いて乾式
成形し、この成形物をArガス中1000〜1200″
C1保持時間10〜60分で熱処理した。最適な熱処理
条件はガラスの軟化点や珪化物の種類、珪化物の濃度や
アルミナ濃度によってことなる。
この熱処理物を粗粉砕の後、キシレンとメノウ玉石を用
い、ボールミナ中で湿式粉砕して微粉化を行ない熱処理
粉末とした。この熱処理粉末をSEMで観察したところ
、第2図に示すように珪化物粒子5aとアルミナ粉末5
cがガラス5b中に閉じ込められている構造となってい
た。
い、ボールミナ中で湿式粉砕して微粉化を行ない熱処理
粉末とした。この熱処理粉末をSEMで観察したところ
、第2図に示すように珪化物粒子5aとアルミナ粉末5
cがガラス5b中に閉じ込められている構造となってい
た。
これら熱処理粉末と非還元性ガラス粉末を珪化物導体粉
末/(熱処理粉末+非還元性ガラス)比が重量比で0.
1−0.4となるように混合し、厚膜抵抗体粉末とした
。
末/(熱処理粉末+非還元性ガラス)比が重量比で0.
1−0.4となるように混合し、厚膜抵抗体粉末とした
。
この厚膜抵抗体粉末と混練するビヒクルはテルピネオー
ル中にポリメチルメタアクリレートが10%重量比にな
るよう秤量し、溶解して得た。
ル中にポリメチルメタアクリレートが10%重量比にな
るよう秤量し、溶解して得た。
そして、厚膜抵抗粉末をIgあたり0.6〜0.7cc
のビヒクルで混練して厚膜抵抗体ペーストを得た。
のビヒクルで混練して厚膜抵抗体ペーストを得た。
この厚膜抵抗体ペーストを325メツシユのステンレス
スクリーンを用いて卑金属電極(Cu、 Ni、軸、W
)を備えたアルミナ基板上にスクリーン印刷した。この
後120℃で10分間乾燥してから、雰囲気制御可能な
1ゾ膜炉で焼成した。厚膜炉の条件は釣鐘状の温度プロ
ファイルで最高温度900〜1100℃10分間保持の
トータル焼成時間45分であった。このときの雰囲気は
窒素雰囲気でおこなった。
スクリーンを用いて卑金属電極(Cu、 Ni、軸、W
)を備えたアルミナ基板上にスクリーン印刷した。この
後120℃で10分間乾燥してから、雰囲気制御可能な
1ゾ膜炉で焼成した。厚膜炉の条件は釣鐘状の温度プロ
ファイルで最高温度900〜1100℃10分間保持の
トータル焼成時間45分であった。このときの雰囲気は
窒素雰囲気でおこなった。
このようにしてえられた厚膜抵抗体の代表的抵抗諸特性
を第1表に示す。
を第1表に示す。
第1表(1)
第1表(2)
なお、面積抵抗Rsは、抵抗体の膜厚12μmに換算し
て評価した。また、短時間過負荷テスト(STOL :
5hort Time 0ver−1oad Te5
t )は250 mW / +u ”の電力を5秒間印
加して初期値に対する抵抗変化率で評価した。また、抵
抗温度係数TCRCppm/ ’C)は、25℃時の抵
抗値に対する125°C時の抵抗値を1℃あたりの変化
率で評価した。なお、電流ノイズN (dB)はQua
n−tech社製抵抗ノイズメーター315Bで測定し
た。また、耐湿テストは温度60℃、相対湿度95%雰
囲気中に1000時間放置した後の初期値に対する抵抗
変化率ΔR(%)で評価した。
て評価した。また、短時間過負荷テスト(STOL :
5hort Time 0ver−1oad Te5
t )は250 mW / +u ”の電力を5秒間印
加して初期値に対する抵抗変化率で評価した。また、抵
抗温度係数TCRCppm/ ’C)は、25℃時の抵
抗値に対する125°C時の抵抗値を1℃あたりの変化
率で評価した。なお、電流ノイズN (dB)はQua
n−tech社製抵抗ノイズメーター315Bで測定し
た。また、耐湿テストは温度60℃、相対湿度95%雰
囲気中に1000時間放置した後の初期値に対する抵抗
変化率ΔR(%)で評価した。
以上のように本実施例によれば、非還元性ガラスと珪化
物導体粉末とアルミナ粉末と混練し、前記混練後の粉末
を非酸化性雰囲気中1000〜1200℃で熱処理する
工程を備えているため、前記熱処理後の固形混合物を粉
砕微粉化する工程を経たのちペースト化し、電極として
卑金属導体がメタラ・イズされた絶縁性磁器基板上にス
クリーン印刷後、800〜1100℃の温度の非酸化性
雰囲気中で焼成する工程において、実用に耐えうる高信
顛性の厚膜抵抗体を容易に形成することができる。
物導体粉末とアルミナ粉末と混練し、前記混練後の粉末
を非酸化性雰囲気中1000〜1200℃で熱処理する
工程を備えているため、前記熱処理後の固形混合物を粉
砕微粉化する工程を経たのちペースト化し、電極として
卑金属導体がメタラ・イズされた絶縁性磁器基板上にス
クリーン印刷後、800〜1100℃の温度の非酸化性
雰囲気中で焼成する工程において、実用に耐えうる高信
顛性の厚膜抵抗体を容易に形成することができる。
次に本発明の効果を明らかにするため、従来例として珪
化物導体粉末とAhOz粉末と非還元性ガラス粉末との
比率を本実施例の比率にほぼ等しくなるように混合し、
実施例と同様の工程を用いて形成した抵抗体の代表的緒
特性を第2表に示す。
化物導体粉末とAhOz粉末と非還元性ガラス粉末との
比率を本実施例の比率にほぼ等しくなるように混合し、
実施例と同様の工程を用いて形成した抵抗体の代表的緒
特性を第2表に示す。
第2表(1)
第2表(2)
以上の従来例に示すようにこれらの抵抗体は初期的には
満足できるものもあるが、経時変化が大きい等の欠点が
ある。また、アルミナが高抵抗化のためのフィラーとし
てうまく作用していない。
満足できるものもあるが、経時変化が大きい等の欠点が
ある。また、アルミナが高抵抗化のためのフィラーとし
てうまく作用していない。
なお、実施例において、有機ポリマーとしてポリメチル
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよい。
メタアクリートを用いたが、低温で解重合をおこし昇華
飛散するものであれば何でもよい。
また、実施例ではAr中で熱処理したが非酸化性雰囲気
であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲気、あ
るいは窒素雰囲気中でも熱処理可能である。
であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲気、あ
るいは窒素雰囲気中でも熱処理可能である。
さらに、実施例では硼珪酸ガラスをもらいたが、ガラス
の性質としては非還元性であればよい。
の性質としては非還元性であればよい。
また、実施例では窒素雰囲気中で焼成したが、非酸化性
雰囲気であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
雰囲気であれば良く、7%未満の水素を含む還元性雰囲
気中でも焼成可能である。
発明の効果
以上のように本発明の厚膜抵抗体の製造方法は非還元性
ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末とを混練し、前
記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中1000−1200
℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の固形混合物を粉
砕微粉化した後ペースト化する工程と、電極として卑金
属導体がメタライズされた絶縁性磁器基板上に前記ペー
ストをスクリーン印刷して、800〜1100℃の非酸
化性雰囲気中で焼成する工程を備えているため、卑金属
導体を電極として、非酸化性雰囲気中で形成できる安価
で高信頼性な厚膜抵抗体を提供でき、工業上極めて有用
なものである。
ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末とを混練し、前
記混練後の粉末を非酸化性雰囲気中1000−1200
℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の固形混合物を粉
砕微粉化した後ペースト化する工程と、電極として卑金
属導体がメタライズされた絶縁性磁器基板上に前記ペー
ストをスクリーン印刷して、800〜1100℃の非酸
化性雰囲気中で焼成する工程を備えているため、卑金属
導体を電極として、非酸化性雰囲気中で形成できる安価
で高信頼性な厚膜抵抗体を提供でき、工業上極めて有用
なものである。
第1図は本発明の一実施例における厚膜抵抗体の断面図
、第2図は本発明の製造方法によって得られた熱処理粉
末のSEM観察のモデル図、第3図は従来の抵抗体粉末
のSEM観察のモデル図である。 1・・・・・・絶縁性磁器基板、2・・・・・・卑金属
電極膜、3・・・・・・抵抗体膜、4a、5a・・・・
・・珪化物粒子、4b・・・・・・ガラス、5b・・・
・・・ガラス粒子、4c、5c・・・・・・アルミナ粒
子。
、第2図は本発明の製造方法によって得られた熱処理粉
末のSEM観察のモデル図、第3図は従来の抵抗体粉末
のSEM観察のモデル図である。 1・・・・・・絶縁性磁器基板、2・・・・・・卑金属
電極膜、3・・・・・・抵抗体膜、4a、5a・・・・
・・珪化物粒子、4b・・・・・・ガラス、5b・・・
・・・ガラス粒子、4c、5c・・・・・・アルミナ粒
子。
Claims (2)
- (1)非還元性ガラスと珪化物導体粉末とアルミナ粉末
とを混合し、前記混合後の粉末を非酸化性雰囲気中10
00〜1200℃で熱処理する工程と、前記熱処理後の
固形混合物を粉砕微粉化した後ペースト化する工程と、
電極として卑金属導体がメタライズされた絶縁性磁器基
板上に前記ペーストをスクリーン印刷して800〜11
00℃の非酸化性雰囲気中で焼成する工程を備えたこと
を特徴とする厚膜抵抗体の製造方法。 - (2)珪化物導体粉末が、珪化モリブデン、珪化タンタ
ル、珪化マグネシウム、珪化コバルト、珪化ニッケルの
うち一種以上から形成されることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の厚膜抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61093786A JPH079841B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61093786A JPH079841B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62250602A true JPS62250602A (ja) | 1987-10-31 |
JPH079841B2 JPH079841B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=14092094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61093786A Expired - Lifetime JPH079841B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH079841B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62250603A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62250603A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP61093786A patent/JPH079841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62250603A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62250603A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH079841B2 (ja) | 1995-02-01 |
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