JPH02304909A - 半導体磁器電子部品 - Google Patents
半導体磁器電子部品Info
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- JPH02304909A JPH02304909A JP1125796A JP12579689A JPH02304909A JP H02304909 A JPH02304909 A JP H02304909A JP 1125796 A JP1125796 A JP 1125796A JP 12579689 A JP12579689 A JP 12579689A JP H02304909 A JPH02304909 A JP H02304909A
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- powder
- paste
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバリスフ，半導体コンデンサ、サーミスタ等の
半導体電子部品、詳しくは、該電子部品における電極の
改良に関するものである。
半導体電子部品、詳しくは、該電子部品における電極の
改良に関するものである。
従来、オーム性電極を有する半導体磁器電子部品におい
ては、オーム性電極としてＡｇ−Ｉｎ−Ｇａ電極が使用
されていたが、Ｉｎ−Ｇａは高価なものであるため電極
費が高価になる欠点があった．この点を改良する目的で
、オーム性電極としてＡｇ − Ｚｎ電極やＺｎ電極が
実用化されている．ところが、一般゛に＾ｇ−Ｚｎ．Ｚ
ｎ電極は、大気中焼成により電極形成されることが多く
、そのためにＺｎ電極表面が酸化し、はんだ付け性が悪
くなる．そのため従来、Ｚｎ電極形成後その上にはんだ
付け性の良い金属の電気メッキもしくは無電解メッキを
施すか、またはＺｎや／Ｉｇ−Ｚｎペーストを塗布乾燥
後、さらにＡｇペーストを塗布乾燥後した大気中で焼き
付けて形成し、はんだ付け性を確保していた。
ては、オーム性電極としてＡｇ−Ｉｎ−Ｇａ電極が使用
されていたが、Ｉｎ−Ｇａは高価なものであるため電極
費が高価になる欠点があった．この点を改良する目的で
、オーム性電極としてＡｇ − Ｚｎ電極やＺｎ電極が
実用化されている．ところが、一般゛に＾ｇ−Ｚｎ．Ｚ
ｎ電極は、大気中焼成により電極形成されることが多く
、そのためにＺｎ電極表面が酸化し、はんだ付け性が悪
くなる．そのため従来、Ｚｎ電極形成後その上にはんだ
付け性の良い金属の電気メッキもしくは無電解メッキを
施すか、またはＺｎや／Ｉｇ−Ｚｎペーストを塗布乾燥
後、さらにＡｇペーストを塗布乾燥後した大気中で焼き
付けて形成し、はんだ付け性を確保していた。
このように従来、下地にＡＨ−Ｚｎ電極あるいはＺｎ電
極を持つ半導体磁器電子部品では、はんだ付け性を確保
するために、はんだ付け層を電気メッキや焼き付けによ
り形成していた。
極を持つ半導体磁器電子部品では、はんだ付け性を確保
するために、はんだ付け層を電気メッキや焼き付けによ
り形成していた。
〔発明が解決しようとする！ＩＩ！１〕しかしながら、
電気メッキや無電界メッキではメッキ液が下地電極中に
残留したり、メッキ工程で磁器表面や下地電極が浸食さ
れたりするｒ！！Ｉ題点があった。
電気メッキや無電界メッキではメッキ液が下地電極中に
残留したり、メッキ工程で磁器表面や下地電極が浸食さ
れたりするｒ！！Ｉ題点があった。
また、大気中でＡｇ電極を焼き付け形成する場合は、Ｚ
ｎ表面が酸化膜を形成し、Ｚｎ層あるいはＡｇ−Ｚｎ層
とＡｇ層との結合が不十分であり、電極強度の小さなも
のが生じるなどの問題点があった。
ｎ表面が酸化膜を形成し、Ｚｎ層あるいはＡｇ−Ｚｎ層
とＡｇ層との結合が不十分であり、電極強度の小さなも
のが生じるなどの問題点があった。
本発明はＡｇ −Ｚｎ電極、 Ｚｎ電極等の上に焼きつ
ける導電性組成物を改良することによってこれらの問題
点を解決したものである。
ける導電性組成物を改良することによってこれらの問題
点を解決したものである。
本発明は、磁器表面にＡｇ及びＺｎ、又はＺｎを主成分
とする第一導電層を有し、この第一導電層の上部にＡｇ
を主成分としＳｔ＋ Ｂ＋−などのＺｎより酸化されや
すい物質を副成分として含有する第二導電層を焼き付け
形成したことを特徴とする半導体磁器電子部品である。
とする第一導電層を有し、この第一導電層の上部にＡｇ
を主成分としＳｔ＋ Ｂ＋−などのＺｎより酸化されや
すい物質を副成分として含有する第二導電層を焼き付け
形成したことを特徴とする半導体磁器電子部品である。
本発明の半導体磁器電子部品において電極を形成するに
は、半導体磁器表面にＡｇ及びＺｎの粉末、又はＺ１粉
末を主成分としガラスフリフトを含有するペーストを塗
布乾燥し、Ａｇ粉末を主成分とじＳｌ。
は、半導体磁器表面にＡｇ及びＺｎの粉末、又はＺ１粉
末を主成分としガラスフリフトを含有するペーストを塗
布乾燥し、Ａｇ粉末を主成分とじＳｌ。
Ｂ、 ＷなどのＺｎより酸化されやすい物質の粉末を副
成分として含有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に
分散させてペーストを調整し、これを前記ガラスフリッ
トペースト上部に塗布する。その後、大気中で焼き付け
る。これにより八ｇ−ＺｎやＺｎ上部にＳｉ、 Ｂ、
ＨなどのＺｎより酸化されやすい物質を含有する焼き付
け電極を形成した半導体磁器電子部品が得られる。
成分として含有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に
分散させてペーストを調整し、これを前記ガラスフリッ
トペースト上部に塗布する。その後、大気中で焼き付け
る。これにより八ｇ−ＺｎやＺｎ上部にＳｉ、 Ｂ、
ＨなどのＺｎより酸化されやすい物質を含有する焼き付
け電極を形成した半導体磁器電子部品が得られる。
前記第二導電層については、前記Ｓｉ、 Ｂ，Ｗなどの
粉末の添加量をＡｇ粉末１００重量部に対し０．１〜３
．０重量部の範囲、好ましくは０．１〜０．５重量部の
範囲とする。その理由は、前記粉末の含有量が０．１重
量部未満であると電極強度が小さくなり、３．０重量部
を超えるとはんだ付け性が低下し、０．１〜３．０重量
部の範囲内であれば電気特性、はんだ付け性及び電極強
度のいずれも良好であるからである。そして０．１〜０
．５重量部の範囲においては、はんだ付け性、電極強度
が特に優れたものとなる（第１表参照）。
粉末の添加量をＡｇ粉末１００重量部に対し０．１〜３
．０重量部の範囲、好ましくは０．１〜０．５重量部の
範囲とする。その理由は、前記粉末の含有量が０．１重
量部未満であると電極強度が小さくなり、３．０重量部
を超えるとはんだ付け性が低下し、０．１〜３．０重量
部の範囲内であれば電気特性、はんだ付け性及び電極強
度のいずれも良好であるからである。そして０．１〜０
．５重量部の範囲においては、はんだ付け性、電極強度
が特に優れたものとなる（第１表参照）。
次に、実施例を上げて本発明をさらに具体的に説明する
。
。
−５ｒＴｋＯｓ系のバリスタ用半導体磁器にＡｇ３０ｓ
ｔ％。
ｔ％。
Ｚｎ６０ｗｔ％及びガラスｌＱｗｔ％からなる電極ペー
ストを塗布乾燥し、これに従来のＡｇペーストを塗布し
たものと、本発明に係わるＢ含有のＡｇペーストを塗布
したものとを用意し、これらについて６００℃、１０ｓ
ｉｎ、大気中で焼き付けてバリスタを得た。
ストを塗布乾燥し、これに従来のＡｇペーストを塗布し
たものと、本発明に係わるＢ含有のＡｇペーストを塗布
したものとを用意し、これらについて６００℃、１０ｓ
ｉｎ、大気中で焼き付けてバリスタを得た。
但し、本発明に係わるバリスタについてはＢ量と電極特
性との関係をみるために、その含有量を変えて評価した
。その結果を第１表に示す。
性との関係をみるために、その含有量を変えて評価した
。その結果を第１表に示す。
なお、第１表において、ＥＩＯはバリスタ素子に１０ｍ
Ａの電流が流れたときに該素子の両端に現れる電圧であ
る。αは電圧非直線係数であり次式から算出される。
Ａの電流が流れたときに該素子の両端に現れる電圧であ
る。αは電圧非直線係数であり次式から算出される。
ｌｏｇ（Ｅ ｅ／ Ｅ ＋）
ここでＥｌは、前記素子に１ｍＡの電流を流したときの
電圧である。
電圧である。
また電極強度は、直径０．５ ｍｓのリード線を２４０
℃の共晶はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き
剥がすように引っ張ったときの最大荷重である。
℃の共晶はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き
剥がすように引っ張ったときの最大荷重である。
以下余白
電気特性についてはいずれも同じであるが、電極強度に
おいて試料嵐１の従来のＡｇペーストあるいは、Ｂ粉末
が０．０５重量部の試料寛２は電極強度がやや小さくな
っている。また、試料Ｎ１１Ｌ７のＢ粉末を５．０重量
部添加したものは、はんだ付け性が悪くなっており、試
料１ＩｋＬ３〜６のものは電極強度も大きく、はんだ付
け性も特に良好である。
おいて試料嵐１の従来のＡｇペーストあるいは、Ｂ粉末
が０．０５重量部の試料寛２は電極強度がやや小さくな
っている。また、試料Ｎ１１Ｌ７のＢ粉末を５．０重量
部添加したものは、はんだ付け性が悪くなっており、試
料１ＩｋＬ３〜６のものは電極強度も大きく、はんだ付
け性も特に良好である。
また、Ｂ粉末の代わりに４００メツシユのフィルターを
通過したＷ、 Ｓｉ粉末をＡ、粉１００重量部に対し１
゜５重量部添加して電気特性、電極強度及びはんだ付け
性を評価した。その結果、電極強度は、それぞれ２゜ｌ
ｋｇ、 ２．３ ｋｇと大きくはんだ付け性５電気
特性ともに良好であった。
通過したＷ、 Ｓｉ粉末をＡ、粉１００重量部に対し１
゜５重量部添加して電気特性、電極強度及びはんだ付け
性を評価した。その結果、電極強度は、それぞれ２゜ｌ
ｋｇ、 ２．３ ｋｇと大きくはんだ付け性５電気
特性ともに良好であった。
これらＢ、 Ｗ、 Ｓｔの粉末同様Ｚｎよりも酸化され
やすい物質、例えばＴｉｎ ＡＩなどから一種類あるい
は複数種類選んで使用してもＢ、 Ｊ Ｓｉ粉末と同様
の効果があるものである。
やすい物質、例えばＴｉｎ ＡＩなどから一種類あるい
は複数種類選んで使用してもＢ、 Ｊ Ｓｉ粉末と同様
の効果があるものである。
以上述べたように本発明ではＡｇ −ＺｎまたはＺｎを
主成分とする第一導電層の上にＡｇを主成分とし、Ｓｉ
、 Ｂ，ＷなどのＺｎより酸化されやすい物質からなる
第二導電層を塗布して大気中で焼き付けたから、従来の
Ａｇ電極に比較して大きい電極強度と良好なはんだ付け
性を持つ半導体磁器電子部品を容易に得ることができ、
また電気メッキや無電解メ・ンキに伴う前記問題点が生
じることはないなどの効果がある。
主成分とする第一導電層の上にＡｇを主成分とし、Ｓｉ
、 Ｂ，ＷなどのＺｎより酸化されやすい物質からなる
第二導電層を塗布して大気中で焼き付けたから、従来の
Ａｇ電極に比較して大きい電極強度と良好なはんだ付け
性を持つ半導体磁器電子部品を容易に得ることができ、
また電気メッキや無電解メ・ンキに伴う前記問題点が生
じることはないなどの効果がある。
Claims (2)
- （１）磁器表面にＡｇ及びＺｎ、又はＺｎを主成分とす
る第一導電層を有し、この第一導電層の上部にＡｇを主
成分としＳｉ，Ｂ，ＷなどのＺｎより酸化されやすい物
質を副成分として含有する第二導電層を焼き付け形成し
たことを特徴とする半導体磁器電子部品。 - （２）前記第二導電層は、Ａｇ粉末１００重量部に対し
前記Ｚｎより酸化されやすい物質の粉末を０．１〜３．
０重量部の割合で含有する請求項１記載の半導体磁器電
子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579689A JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579689A JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304909A true JPH02304909A (ja) | 1990-12-18 |
| JP3178532B2 JP3178532B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=14919099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12579689A Expired - Lifetime JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3178532B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012169515A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Hitachi Metals Ltd | Ｐｔｃ素子および発熱モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143203A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Taiyo Yuden Kk | Conductive paste for forming conductive layer by baking on porcelain |
| JPS63236785A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12579689A patent/JP3178532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143203A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Taiyo Yuden Kk | Conductive paste for forming conductive layer by baking on porcelain |
| JPS63236785A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012169515A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Hitachi Metals Ltd | Ｐｔｃ素子および発熱モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3178532B2 (ja) | 2001-06-18 |
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