JPH11340074A - 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH11340074A JPH11340074A JP14709298A JP14709298A JPH11340074A JP H11340074 A JPH11340074 A JP H11340074A JP 14709298 A JP14709298 A JP 14709298A JP 14709298 A JP14709298 A JP 14709298A JP H11340074 A JPH11340074 A JP H11340074A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- semiconductor capacitor
- exposed
- external electrode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気特性バラツキの小さい粒界絶縁型積層半
導体コンデンサを提供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸ストロンチウムを主成分とする
誘電体セラミック層１と、ニッケルを主成分とする内部
電極層２を交互に、しかも前記内部電極層２の一方の端
部を一層おきに対向する異なる端面に交互に露出するよ
うに積層したグリーン積層体を焼結後、焼結体を粒径が
３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末で面取り研磨を行
った後、内部電極層２が露出した端面全体を覆うように
主成分が銀−パラジウムからなる外部電極３用のペース
トを塗布、焼付、外部電極３の形成と焼結体の粒界の再
酸化を行う。
導体コンデンサを提供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸ストロンチウムを主成分とする
誘電体セラミック層１と、ニッケルを主成分とする内部
電極層２を交互に、しかも前記内部電極層２の一方の端
部を一層おきに対向する異なる端面に交互に露出するよ
うに積層したグリーン積層体を焼結後、焼結体を粒径が
３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末で面取り研磨を行
った後、内部電極層２が露出した端面全体を覆うように
主成分が銀−パラジウムからなる外部電極３用のペース
トを塗布、焼付、外部電極３の形成と焼結体の粒界の再
酸化を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチタン酸ストロンチ
ウムを主成分とする、粒界絶縁型積層半導体コンデンサ
（以降、半導体コンデンサと称する）の製造方法に関す
るものである。
ウムを主成分とする、粒界絶縁型積層半導体コンデンサ
（以降、半導体コンデンサと称する）の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチタン酸ストロンチウムを主成分
とする半導体コンデンサは、グリーン積層体を脱バイ仮
焼した後、仮焼体をシリコンカーバイト等の粉末を用い
バレル研磨を行い、次に、仮焼体の内部電極が露出した
端面全体を覆うように、内部電極と同材質のニッケルを
主成分とする外部電極ペーストを塗布した後、セラミッ
ク素体と外部電極との一体焼結を行う。
とする半導体コンデンサは、グリーン積層体を脱バイ仮
焼した後、仮焼体をシリコンカーバイト等の粉末を用い
バレル研磨を行い、次に、仮焼体の内部電極が露出した
端面全体を覆うように、内部電極と同材質のニッケルを
主成分とする外部電極ペーストを塗布した後、セラミッ
ク素体と外部電極との一体焼結を行う。
【０００３】次いで、形成した外部電極表面に、更に銀
を主成分とする外層外部電極ペーストを塗布、焼付、外
部電極の形成と同時に焼結体の粒界の再酸化を行って半
導体コンデンサを作成していた。
を主成分とする外層外部電極ペーストを塗布、焼付、外
部電極の形成と同時に焼結体の粒界の再酸化を行って半
導体コンデンサを作成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の製造方法で
は、グリーン積層体を仮焼後面取りを行い内部電極を仮
焼体の両端面に完全に露出させ、次に内部電極と接続す
るように仮焼体の端面全体を覆うように内部電極と同材
質の外部電極ペーストを塗布し、セラミック素体と外部
電極とを一体焼結を行っている。しかしながら、仮焼体
は未焼結でポーラスな状態であるため、研磨材のシリコ
ンカーバイト等が表面のポアーに侵入しこれを除去する
ことが非常に困難である。これらの異物がポアーに取り
込まれた状態で焼成を行うと、セラミック素体と異物が
反応し、得られた半導体コンデンサは電気特性のバラツ
キが大きくなるという問題点があった。
は、グリーン積層体を仮焼後面取りを行い内部電極を仮
焼体の両端面に完全に露出させ、次に内部電極と接続す
るように仮焼体の端面全体を覆うように内部電極と同材
質の外部電極ペーストを塗布し、セラミック素体と外部
電極とを一体焼結を行っている。しかしながら、仮焼体
は未焼結でポーラスな状態であるため、研磨材のシリコ
ンカーバイト等が表面のポアーに侵入しこれを除去する
ことが非常に困難である。これらの異物がポアーに取り
込まれた状態で焼成を行うと、セラミック素体と異物が
反応し、得られた半導体コンデンサは電気特性のバラツ
キが大きくなるという問題点があった。
【０００５】本発明は、電気特性のバラツキの小さい半
導体コンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
導体コンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセ
ラミック層と、ニッケルを主成分とする内部電極層を交
互に複数層積層したグリーン積層体を焼結後、焼結体を
粒径が３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末で面取り研
磨を行い、次に内部電極が露出した端面全体を覆うよう
に主成分が銀−パラジウムからなる外部電極ペーストを
塗布、焼付して外部電極を形成することで、所期の目的
を達成するものである。
に本発明は、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセ
ラミック層と、ニッケルを主成分とする内部電極層を交
互に複数層積層したグリーン積層体を焼結後、焼結体を
粒径が３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末で面取り研
磨を行い、次に内部電極が露出した端面全体を覆うよう
に主成分が銀−パラジウムからなる外部電極ペーストを
塗布、焼付して外部電極を形成することで、所期の目的
を達成するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック
層と、ニッケルを主成分とする内部電極を交互に、しか
も前記内部電極の一方の端部を一層おきに対向する異な
る端面に交互に露出するように積層したグリーン積層体
を焼結後、焼結体を粒径が３〜４μｍのシリコンカーバ
イト粉末で面取り研磨を行い、次に内部電極が露出した
焼結体端面に、露出した内部電極と電気的に接続するよ
うに主成分が銀−パラジウムからなる外部電極ペースト
を塗布、焼付して外部電極を形成することを特徴とする
粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法であり、焼
結後の緻密な半導体コンデンサを面取り研磨を行うた
め、研磨材等の不純物が焼結体内部に取り込まれること
がない。従って、外部電極焼付工程での加熱において焼
結体の電気特性に変化を与えることがなくなる。併せて
粒径が３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末を用いるこ
とで、焼結体を効果的に研磨することができ面取り作業
時間を短縮することが可能となるという作用を有するも
のである。
は、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック
層と、ニッケルを主成分とする内部電極を交互に、しか
も前記内部電極の一方の端部を一層おきに対向する異な
る端面に交互に露出するように積層したグリーン積層体
を焼結後、焼結体を粒径が３〜４μｍのシリコンカーバ
イト粉末で面取り研磨を行い、次に内部電極が露出した
焼結体端面に、露出した内部電極と電気的に接続するよ
うに主成分が銀−パラジウムからなる外部電極ペースト
を塗布、焼付して外部電極を形成することを特徴とする
粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法であり、焼
結後の緻密な半導体コンデンサを面取り研磨を行うた
め、研磨材等の不純物が焼結体内部に取り込まれること
がない。従って、外部電極焼付工程での加熱において焼
結体の電気特性に変化を与えることがなくなる。併せて
粒径が３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末を用いるこ
とで、焼結体を効果的に研磨することができ面取り作業
時間を短縮することが可能となるという作用を有するも
のである。
【０００８】以下、本発明の一実施形態について説明す
る。 （実施の形態１）図１に半導体コンデンサを示す。図に
おいて１は誘電体セラミック層、２は内部電極層、３は
外部電極である。
る。 （実施の形態１）図１に半導体コンデンサを示す。図に
おいて１は誘電体セラミック層、２は内部電極層、３は
外部電極である。
【０００９】最初に、チタン酸ストロンチウムを主成分
とする誘電体セラミック粉末を用い、公知の積層コンデ
ンサ製造方法に従って、誘電体セラミック層１とニッケ
ルを主成分とする内部電極層２を交互に複数層積層した
半導体コンデンサグリーンチップを作成する。
とする誘電体セラミック粉末を用い、公知の積層コンデ
ンサ製造方法に従って、誘電体セラミック層１とニッケ
ルを主成分とする内部電極層２を交互に複数層積層した
半導体コンデンサグリーンチップを作成する。
【００１０】次に、グリーンチップを大気雰囲気中で１
１５０℃の温度でバインダー除去、引き続いて窒素：水
素の比率が１０：１のグリーンガス雰囲気中で１２７０
℃の温度で３時間焼成を行い半導体コンデンサの焼結体
を作成する。
１５０℃の温度でバインダー除去、引き続いて窒素：水
素の比率が１０：１のグリーンガス雰囲気中で１２７０
℃の温度で３時間焼成を行い半導体コンデンサの焼結体
を作成する。
【００１１】次いで、得られた焼結体１００ｇに対し、
粒径３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末４０ｇの割合
でボールミルに純水ともに投入し５０分間面取り研磨を
行い、焼結体とシリコンカーバイト粉末を分離洗浄した
後乾燥を行う。
粒径３〜４μｍのシリコンカーバイト粉末４０ｇの割合
でボールミルに純水ともに投入し５０分間面取り研磨を
行い、焼結体とシリコンカーバイト粉末を分離洗浄した
後乾燥を行う。
【００１２】面取り研磨を行うことにより、焼結体両端
面に露出させた内部電極層２と電気的に接続するよう
に、焼結体両端面に銀−パラジウムを主成分とする外部
電極３ペーストを塗布した後、大気雰囲気中で８５０℃
の温度で２時間、外部電極３の焼付と誘電体セラミック
層１焼結粒界の再酸化を行って半導体コンデンサを完成
させた。
面に露出させた内部電極層２と電気的に接続するよう
に、焼結体両端面に銀−パラジウムを主成分とする外部
電極３ペーストを塗布した後、大気雰囲気中で８５０℃
の温度で２時間、外部電極３の焼付と誘電体セラミック
層１焼結粒界の再酸化を行って半導体コンデンサを完成
させた。
【００１３】得られた本発明の半導体コンデンサと、従
来方法のグリーンチップを１１５０℃の温度で仮焼後、
面取りを行い仮焼体の端面に内部電極層２と同組成のニ
ッケルの外部電極３ペーストを塗布し、グリーンガス雰
囲気中で１２７０℃の温度で誘電体セラミック層１と一
体焼結した後、更に形成した外部電極３面に銀を主成分
とする外部電極３用のペーストを塗布、大気雰囲気中で
８５０℃の温度で外部電極３焼付と焼結体の再酸化を行
った半導体コンデンサについて電気特性の測定を行い、
その結果を（表１）に示した。
来方法のグリーンチップを１１５０℃の温度で仮焼後、
面取りを行い仮焼体の端面に内部電極層２と同組成のニ
ッケルの外部電極３ペーストを塗布し、グリーンガス雰
囲気中で１２７０℃の温度で誘電体セラミック層１と一
体焼結した後、更に形成した外部電極３面に銀を主成分
とする外部電極３用のペーストを塗布、大気雰囲気中で
８５０℃の温度で外部電極３焼付と焼結体の再酸化を行
った半導体コンデンサについて電気特性の測定を行い、
その結果を（表１）に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】（表１）に示すように、本発明の半導体コ
ンデンサと従来の半導体コンデンサは、バリスタ電圧、
静電容量、ＥＳＲとも電気特性の平均値には大きな差異
は認められない。しかしながら特性値それぞれのバラツ
キは本発明品が極めて小さくなっていることが分かる。
ンデンサと従来の半導体コンデンサは、バリスタ電圧、
静電容量、ＥＳＲとも電気特性の平均値には大きな差異
は認められない。しかしながら特性値それぞれのバラツ
キは本発明品が極めて小さくなっていることが分かる。
【００１６】これは、本発明品が緻密な焼結体の状態で
面取り研磨を施したのに対し、従来品は未焼結のポアー
の多い状態で面取り研磨を行ったため、ポアーに研磨材
の不純物が取り込まれ、続いての焼成で取り込まれた研
磨材等が誘電体セラミック層１と反応した結果、それぞ
れの電気特性をバラつかせる原因となっているのであ
る。
面取り研磨を施したのに対し、従来品は未焼結のポアー
の多い状態で面取り研磨を行ったため、ポアーに研磨材
の不純物が取り込まれ、続いての焼成で取り込まれた研
磨材等が誘電体セラミック層１と反応した結果、それぞ
れの電気特性をバラつかせる原因となっているのであ
る。
【００１７】尚、研磨材の粒径を３〜４μｍの大きさに
定めたのは、半導体コンデンサのグリーンチップをグリ
ーンガス雰囲気（還元雰囲気）で焼成した場合、一般に
誘電体セラミック層１の焼結粒径が６μｍより大きくな
る傾向があり、この焼結体を効率的に研磨するためであ
る。また研磨材の粒径が３μｍより小さくなると、面取
り研磨中に焼結体の端面に露出した内部電極層２に喰い
込み、その後に焼結体端面に形成する外部電極３との電
気的接続を阻害するので、それを避けるためである。ま
た４μｍより大きくなると面取り研磨中に焼結体表面を
必要以上に粗くするため好ましくない。また更に従来の
半導体コンデンサは形成した外部電極３の表面に、更に
銀を主成分とする外部電極３を設ける二層の外部電極３
構成のため工程が複雑になるという欠点があり、本発明
は一層の外部電極３で特性が得られるため、製造工程が
簡略化されるという優位性がある。
定めたのは、半導体コンデンサのグリーンチップをグリ
ーンガス雰囲気（還元雰囲気）で焼成した場合、一般に
誘電体セラミック層１の焼結粒径が６μｍより大きくな
る傾向があり、この焼結体を効率的に研磨するためであ
る。また研磨材の粒径が３μｍより小さくなると、面取
り研磨中に焼結体の端面に露出した内部電極層２に喰い
込み、その後に焼結体端面に形成する外部電極３との電
気的接続を阻害するので、それを避けるためである。ま
た４μｍより大きくなると面取り研磨中に焼結体表面を
必要以上に粗くするため好ましくない。また更に従来の
半導体コンデンサは形成した外部電極３の表面に、更に
銀を主成分とする外部電極３を設ける二層の外部電極３
構成のため工程が複雑になるという欠点があり、本発明
は一層の外部電極３で特性が得られるため、製造工程が
簡略化されるという優位性がある。
【００１８】
【発明の効果】以上本発明によれば、チタン酸ストロン
チウムを主成分とする誘電体セラミック層と、ニッケル
を主成分とする内部電極層を交互に複数層積層したグリ
ーン積層体を焼結後、粒径が３〜４μｍのシリコンカー
バイト粉末で面取り研磨を行い、内部電極層が露出した
焼結体端面全体を覆うように主成分が銀−パラジウムか
らなる外部電極ペーストを塗布、焼付して外部電極を形
成するものであり、電気特性バラツキの小さい優れた粒
界絶縁型積層半導体コンデンサが得られる。
チウムを主成分とする誘電体セラミック層と、ニッケル
を主成分とする内部電極層を交互に複数層積層したグリ
ーン積層体を焼結後、粒径が３〜４μｍのシリコンカー
バイト粉末で面取り研磨を行い、内部電極層が露出した
焼結体端面全体を覆うように主成分が銀−パラジウムか
らなる外部電極ペーストを塗布、焼付して外部電極を形
成するものであり、電気特性バラツキの小さい優れた粒
界絶縁型積層半導体コンデンサが得られる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体コンデンサの一部
切欠斜視図
切欠斜視図
１ 誘電体セラミック層 ２ 内部電極層 ３ 外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン酸ストロンチウムを主成分とする
セラミック層と、ニッケルを主成分とする内部電極を交
互に、しかも前記内部電極の一方の端部を一層おきに対
向する異なる端面に交互に露出するように積層したグリ
ーン積層体を焼結後、焼結体を粒径が３〜４μｍのシリ
コンカーバイト粉末で面取り研磨を行い、次に内部電極
が露出した焼結体端面に、露出した内部電極と電気的に
接続するように主成分が銀−パラジウムからなる外部電
極ペーストを塗布、焼付して外部電極を形成することを
特徴とする粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709298A JPH11340074A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14709298A JPH11340074A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340074A true JPH11340074A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15422303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14709298A Pending JPH11340074A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340074A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156498A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-21 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| CN100466120C (zh) * | 1999-07-21 | 2009-03-04 | 太阳诱电株式会社 | 堆积陶瓷电容器 |
| CN102157255A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-08-17 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种叠层片式电子元器件的端电极制造方法 |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP14709298A patent/JPH11340074A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100466120C (zh) * | 1999-07-21 | 2009-03-04 | 太阳诱电株式会社 | 堆积陶瓷电容器 |
| EP1156498A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-21 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| EP1156498A3 (en) * | 2000-04-25 | 2006-06-07 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| CN102157255A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-08-17 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种叠层片式电子元器件的端电极制造方法 |
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