JP3132300B2 - 粒界絶縁型積層セラミック部品 - Google Patents
粒界絶縁型積層セラミック部品Info
- Publication number
- JP3132300B2 JP3132300B2 JP06218650A JP21865094A JP3132300B2 JP 3132300 B2 JP3132300 B2 JP 3132300B2 JP 06218650 A JP06218650 A JP 06218650A JP 21865094 A JP21865094 A JP 21865094A JP 3132300 B2 JP3132300 B2 JP 3132300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- grain boundary
- multilayer ceramic
- thickness
- effective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粒界絶縁型積層セラミ
ック部品に関するものである。
ック部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図３に示すように、無効層１ａの
上に、ＬｉやＮａ等を含んだ内部電極３と有効層２とを
交互に積層し、またその上に無効層１ｂを設けた積層体
を、還元焼成した後、再酸化させ、次に、内部電極３の
露出した端面に外部電極５を形成して、図３に示すよう
な粒界絶縁型セラミック部品を得ていた。
上に、ＬｉやＮａ等を含んだ内部電極３と有効層２とを
交互に積層し、またその上に無効層１ｂを設けた積層体
を、還元焼成した後、再酸化させ、次に、内部電極３の
露出した端面に外部電極５を形成して、図３に示すよう
な粒界絶縁型セラミック部品を得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＬｉやＮａは、半導体
化を促進させる効果があるため、上記構成では、積層体
を還元焼成するとき、高積層品や大形状品は還元焼成時
に無効層の緻密性にむらを生じ、再酸化後の酸化状態が
異なるため、バリスタ電圧などの電気特性にばらつきを
生じるという問題点を有していた。
化を促進させる効果があるため、上記構成では、積層体
を還元焼成するとき、高積層品や大形状品は還元焼成時
に無効層の緻密性にむらを生じ、再酸化後の酸化状態が
異なるため、バリスタ電圧などの電気特性にばらつきを
生じるという問題点を有していた。
【０００４】本発明は、電気特性のばらつきの少ない、
優れた粒界絶縁型積層セラミック部品を提供することを
目的とするものである。
優れた粒界絶縁型積層セラミック部品を提供することを
目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、内部電極間に挟まれた誘電体層である有
効層と内部電極とを交互に積層し、上、下両面に内層が
有効層と同じ組織でかつ有効層一層の厚みより厚く、外
層がポーラス質組織である無効層を設けたものである。
に、本発明は、内部電極間に挟まれた誘電体層である有
効層と内部電極とを交互に積層し、上、下両面に内層が
有効層と同じ組織でかつ有効層一層の厚みより厚く、外
層がポーラス質組織である無効層を設けたものである。
【０００６】
【作用】この構成により、高積層品や大形状品を問わず
に無効層の緻密性のむらによる再酸化ばらつきを抑制す
ることができ、電気特性のばらつきの少ない、特性再現
性の高い粒界絶縁型積層セラミック部品を提供すること
ができる。
に無効層の緻密性のむらによる再酸化ばらつきを抑制す
ることができ、電気特性のばらつきの少ない、特性再現
性の高い粒界絶縁型積層セラミック部品を提供すること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
粒界絶縁型積層バリスタの断面図、図２はその製造工程
を示す図である。図１において、図３における符号のも
のと同一のものには、同一番号を付した。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
粒界絶縁型積層バリスタの断面図、図２はその製造工程
を示す図である。図１において、図３における符号のも
のと同一のものには、同一番号を付した。
【０００８】次に、以下に製造方法について説明する。
まず、主成分であるＳｒＴｉＯ3９７．１mol％に、半導
体化物質であるＮｄ2Ｏ5 ０．５mol％，Ｔａ2Ｏ5
０．５mol％を、焼結助剤であるＭｎＯ2 ０．４mol
％，ＳｉＯ2 １．０mol％を、酸化促進剤としてＮａ2
ＳｉＯ3 ０．５mol％をそれぞれ秤量（１１）、添加
し、これらを混合して粉砕（１２）する。その後、１１
００℃で仮焼（１３）して再び粉砕（１４）を行う。こ
のようにして得られた紛体に有機溶剤とバインダーを混
合し、スラリーを作製する。次に、ドクターブレード法
でシート成形（１５）を実施し、所定の大きさに切断す
る。
まず、主成分であるＳｒＴｉＯ3９７．１mol％に、半導
体化物質であるＮｄ2Ｏ5 ０．５mol％，Ｔａ2Ｏ5
０．５mol％を、焼結助剤であるＭｎＯ2 ０．４mol
％，ＳｉＯ2 １．０mol％を、酸化促進剤としてＮａ2
ＳｉＯ3 ０．５mol％をそれぞれ秤量（１１）、添加
し、これらを混合して粉砕（１２）する。その後、１１
００℃で仮焼（１３）して再び粉砕（１４）を行う。こ
のようにして得られた紛体に有機溶剤とバインダーを混
合し、スラリーを作製する。次に、ドクターブレード法
でシート成形（１５）を実施し、所定の大きさに切断す
る。
【０００９】この切断したグリーンシートに内部電極３
として、主成分がＮｉＯからなるペーストを所定の層数
を印刷（１６）、積層（１７）し、加圧圧着（１８）す
る。その後、切断し、脱脂（１９）を行う。脱脂後面取
りを行い、内部電極３と同じペーストで内側外部電極４
を形成し、還元焼成（２０）を行う。
として、主成分がＮｉＯからなるペーストを所定の層数
を印刷（１６）、積層（１７）し、加圧圧着（１８）す
る。その後、切断し、脱脂（１９）を行う。脱脂後面取
りを行い、内部電極３と同じペーストで内側外部電極４
を形成し、還元焼成（２０）を行う。
【００１０】還元焼成は、１２００℃でＮ2とＨ2との混
合ガス中で焼成を行うわけであるが、このとき無効層１
は、内層６つまり内部電極３との接触部から内部電極３
の間に挟まれた誘電体層つまり有効層２の一層分以上の
厚みが有効層２の組織と同一に、外層７がポーラス質組
織で構成されている状態で焼成されるように、還元ガス
のフロー条件をコントロールする。この場合、還元ガス
を直接グリーンチップの表面に当てることにより、焼成
体の表面部、即ち、無効層１への酸素供給が抑えられ、
これによって無効層１の表面層付近でのセラミックスの
緻密化が抑制され、外層７のみのポーラス質組織化を実
現した。
合ガス中で焼成を行うわけであるが、このとき無効層１
は、内層６つまり内部電極３との接触部から内部電極３
の間に挟まれた誘電体層つまり有効層２の一層分以上の
厚みが有効層２の組織と同一に、外層７がポーラス質組
織で構成されている状態で焼成されるように、還元ガス
のフロー条件をコントロールする。この場合、還元ガス
を直接グリーンチップの表面に当てることにより、焼成
体の表面部、即ち、無効層１への酸素供給が抑えられ、
これによって無効層１の表面層付近でのセラミックスの
緻密化が抑制され、外層７のみのポーラス質組織化を実
現した。
【００１１】その後、空気中、８５０℃で再酸化（２
１）を行い、Ａｇからなる外側外部電極５を形成した
後、焼き付け（２２）を行う。
１）を行い、Ａｇからなる外側外部電極５を形成した
後、焼き付け（２２）を行う。
【００１２】そして最後に、０．１mAにおけるバリスタ
電圧（Ｖ0.1mA）と１kHzにおける容量（Ｃ1kHz）を測定
する。
電圧（Ｖ0.1mA）と１kHzにおける容量（Ｃ1kHz）を測定
する。
【００１３】このようにして製造された粒界絶縁型積層
バリスタについて、無効層１の内部電極３との接触部か
らの緻密層つまり内層６の厚みを変化させたときのバリ
スタ電圧、電圧ばらつき、容量、容量ばらつきの各電気
特性を（表１）に示す。
バリスタについて、無効層１の内部電極３との接触部か
らの緻密層つまり内層６の厚みを変化させたときのバリ
スタ電圧、電圧ばらつき、容量、容量ばらつきの各電気
特性を（表１）に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】この（表１）から明らかなように、無効層
１の内部電極３との接触部からの緻密層厚みが、有効層
の一層分厚みに近づく程、各電気特性とも従来の場合よ
りも大幅に向上する。しかし、緻密層厚みが有効層の一
層分厚みに達しない場合には、内部電極３の金属化が促
進されて内部電極３が切れてしまい、容量を維持する程
の電極面積が得られないため容量が低下してしまう。ま
た、緻密層厚みが有効層の一層分厚み丁度の場合でも、
個々の焼成体の還元状態のばらつきにより、容量ばらつ
きが拡大していることから、実用領域としては緻密層厚
みは有効層の一層分から二層分の範囲であるのが望まし
い。さらに、この構成にすることにより、寿命特性が向
上する。
１の内部電極３との接触部からの緻密層厚みが、有効層
の一層分厚みに近づく程、各電気特性とも従来の場合よ
りも大幅に向上する。しかし、緻密層厚みが有効層の一
層分厚みに達しない場合には、内部電極３の金属化が促
進されて内部電極３が切れてしまい、容量を維持する程
の電極面積が得られないため容量が低下してしまう。ま
た、緻密層厚みが有効層の一層分厚み丁度の場合でも、
個々の焼成体の還元状態のばらつきにより、容量ばらつ
きが拡大していることから、実用領域としては緻密層厚
みは有効層の一層分から二層分の範囲であるのが望まし
い。さらに、この構成にすることにより、寿命特性が向
上する。
【００１６】また、本実施例においては、バリスタにつ
いて説明したがコンデンサについても適用できるもので
ある。
いて説明したがコンデンサについても適用できるもので
ある。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、無効層の内部電
極との接触部から有効層の一層分以上の厚みの内層を有
効層組織と同一の緻密層にし、外層をポーラス質組織で
構成することによって、高積層品や大形状品を問わず、
無効層の緻密性のむらによる再酸化ばらつきを抑制する
ことができ、電気特性のばらつきが少なく、特性再現性
の高い粒界絶縁型積層セラミック部品を提供することが
できるものである。
極との接触部から有効層の一層分以上の厚みの内層を有
効層組織と同一の緻密層にし、外層をポーラス質組織で
構成することによって、高積層品や大形状品を問わず、
無効層の緻密性のむらによる再酸化ばらつきを抑制する
ことができ、電気特性のばらつきが少なく、特性再現性
の高い粒界絶縁型積層セラミック部品を提供することが
できるものである。
【００１８】また、内層の厚みを有効層の厚みの１〜２
倍にすることにより、寿命特性も向上する。
倍にすることにより、寿命特性も向上する。
【図１】本発明の一実施例における粒界絶縁型積層バリ
スタの断面図
スタの断面図
【図２】本発明の一実施例における粒界絶縁型積層バリ
スタの製造工程図
スタの製造工程図
【図３】従来の粒界絶縁型積層セラミック部品の断面図
１ 無効層 ２ 有効層 ３ 内部電極 ４ 内側外部電極 ５ 外側外部電極 ６ 内層 ７ 外層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22 H01G 4/12
Claims (2)
- 【請求項１】 内部電極間に挟まれた誘電体層である有
効層と内部電極とを交互に積層し、上面と下面に無効層
を設けた積層体と、この積層体の前記内部電極の露出し
た端面に設けた外部電極とを備え、前記無効層は、外層
がポーラス質組織からなり、内層が前記有効層組織と同
じであるとともに前記誘電体層一層分の厚みよりも厚く
した粒界絶縁型積層セラミック部品。 - 【請求項２】 無効層の内層の厚みは、有効層の厚みの
１〜２倍である請求項１記載の粒界絶縁型積層セラミッ
ク部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06218650A JP3132300B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 粒界絶縁型積層セラミック部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06218650A JP3132300B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 粒界絶縁型積層セラミック部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883703A JPH0883703A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3132300B2 true JP3132300B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=16723278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06218650A Expired - Fee Related JP3132300B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 粒界絶縁型積層セラミック部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3132300B2 (ja) |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP06218650A patent/JP3132300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0883703A (ja) | 1996-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10622157B2 (en) | Multilayer ceramic structure | |
| JP7231340B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH1097942A (ja) | 積層磁器コンデンサ | |
| JP3681900B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2872838B2 (ja) | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3132300B2 (ja) | 粒界絶縁型積層セラミック部品 | |
| JP3241054B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3239666B2 (ja) | 粒界絶縁型積層セラミック部品の製造方法 | |
| JPH07263272A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JP3457882B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11186087A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH10199752A (ja) | 積層形セラミック電子部品 | |
| JP3273125B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH05243081A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH08181032A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH1012478A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11340074A (ja) | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法 | |
| JPH05226154A (ja) | 積層セラミックインダクタとその製造方法 | |
| JP2000150293A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2697113B2 (ja) | 粒界絶縁型積層半導体コンデンサ | |
| JP2001093706A (ja) | 積層セラミックバリスタ及びその製造方法 | |
| JP3246267B2 (ja) | 粒界絶縁型積層セラミック部品の製造方法 | |
| JP2001044058A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0582386A (ja) | 積層型粒界絶縁型半導体セラミツクコンデンサの製造方法 | |
| JP2003133165A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071124 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081124 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131124 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |