JP7276296B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Description
しかし、下地電極層にガラスが含まれていると、下地電極層の外側にメッキ層を形成する際に、ガラスが流出する場合がある。そうすると、下地電極層にクラックが発生し、耐湿性が悪化する。
なお、第1の主面A1と第2の主面A2とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Aとし、第1の側面B1と第2の側面B2とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Bとし、第1の端面C1と第2の端面C2とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Cとして説明する。
積層体2は、積層体チップ10と、積層体チップ10の幅方向Wの両側に設けられたサイドギャップ部20とを備える。積層体2は、主面Aと側面Bと端面Cとのうちの2つの面の稜線部R1は、面取りされて丸みがつけられている。
積層体チップ10は、内層部11と、内層部11の第1の主面A1側に配置される上部外層部12aと、内層部11の第2の主面A2側に配置される下部外層部12bとを備える。なお、上部外層部12aと下部外層部12bとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外層部12として説明する。
内層部11は、積層方向Tに沿って交互に積層された誘電体層14と内部電極層15とを複数組含む。
誘電体層14は、厚みが0.4μm以上1.0μm以下であることが好ましく。0.4μm以上0.6μm以下であることがより好ましい。
誘電体層14は、セラミック材料で製造されている。セラミック材料としては、例えば、BaTiO3を主成分とする誘電体セラミックが用いられる。積層体チップ10を構成する誘電体層14の枚数は、上部外層部12a及び下部外層部12bも含めて15枚以上700枚以下であることが好ましい。
誘電体層14は、実施形態ではNi(ニッケル)を含まないか、Ni含有量が外層部12に比べて少ない。これにより、誘電体層14内で形成される誘電体の粒子を大きくすることができるので、静電容量を大きくすることができる。
内部電極層15は、厚みが0.2μm以上0.8μm以下であることが好ましい。内部電極層15の枚数は、15枚以上700枚以下であることが好ましい。
複数の内部電極層15及び複数の誘電体層14の各々の平均厚さは、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体2の長さ方向Lに直交する断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。次に、積層体2の断面の中心を通る積層方向Tに沿った中心線、及びこの中心線から両側に等間隔に2本ずつ引いた線の合計5本の線上における厚さを測定する。この5つの測定値の平均値とする。より正確な平均厚さを求めるには、積層方向Tにおける上部、中央部、下部のそれぞれについて上記5つの測定値を求め、これら測定値の平均値を平均厚さとする。
第2の内部電極層15Bは、第1の内部電極層15Aと対向する第2の対向部152bと、第2の対向部152bから第2の端面C2に引き出された第2の引き出し部151bとを備える。第2の引き出し部151bの端部は、後述の第2の外部電極3Bに電気的に接続されている。
そして、第1の内部電極層15Aの第1の対向部152aと、第2の内部電極層15Bの第2の対向部152bとに電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。
そして、全ての内部電極層15のうちの幅方向Wにおいて最も外側である側面B側にある端部と、全ての内部電極層15のうちの幅方向Wにおいて最も内側にある端部との位置ずれd2は10μm以内である。
すなわち、積層された内部電極層15の幅方向Wの端部は、幅方向W上において略同位置にあり、端部の位置が積層方向Tで揃っている。
また、内部電極層15の両側面側のサイドギャップ部20側には、サイドギャップ部20に含まれるMg(マグネシウム)が偏析している。
図5は図2の丸で囲んだ部分Q2の拡大図である。
内部電極層15の表面には、焼結時に内部より表面に移動して形成されたSn層16が存在する。Sn層16は、内部電極層15の表面から、内部電極層15と積層方向Tに隣り合う誘電体層14と外部電極3との境界領域Z1まで延びている。また、Sn層16は内部電極層15の外部電極3との境界面も覆っている。なお、Sn層16は内部電極層15を全て覆っている必要はなく、一部であってもよい。
実施形態の積層セラミックコンデンサ1は、Sn層16が誘電体層14と外部電極3との境界領域Z1まで延びているので、例えば外部電極3と積層体2との境界面を伝った内層部11の内部への水分の流入を抑制することができ、耐湿性が高い。
なお、実施形態においては、一つの内部電極層15から延びるSn層16は、その内部電極層15と隣り合う内部電極層15から延びるSn層16と繋がっておらず、誘電体層14と外部電極3との境界領域Z1においてSn層16が設けられていない部分も存在するが、この場合においても積層セラミックコンデンサ1の耐湿性の向上に十分に効果がある。
外層部12は、上部外層部12a及び下部外層部12bともに厚さは9.5μm以上30μm以下であることが好ましく、9.5μm~20μmであることがより好ましい。
外層部12は、上部外層部12a及び下部外層部12bともに、内層部11の誘電体層14と同じ、例えば、BaTiO3を主成分とする誘電体セラミック材料で製造されているが、内層部11の誘電体層14と異なりNiが含まれているか、または誘電体層14よりNiの含有率が高い。
図4にイメージとして示すように、外層部12における、内部電極層15のごく近傍の領域Z3は、内部電極層15に吸収されてNiが存在しない。すなわち、Niは、外層部12全体ではなく偏在している。そして、Niの密度は外層部12における積層方向T中央部が一番高い。
実施形態の積層セラミックコンデンサ1は外層部12にNiが含まれているので、焼結後における誘電体セラミックの粒子が緻密化されている。
また、Niにより外層部12内の誘電体セラミックに形成される小孔が埋められているので、積層セラミックコンデンサ1としての耐湿性が高い。
さらに、外層部12のNiは、外部電極3のCu層内へと拡散することで外部電極3との固着力が強化される。
なお、実施形態で外層部12にはMgは含まれていないが、外層部12にMgを入れてもよい。
サイドギャップ部20は、積層体チップ10の第1の側面B1側に設けられた第1のサイドギャップ部20aと、積層体チップ10の第2の側面B2側に設けられた第2のサイドギャップ部20bと、を備える。なお、第1のサイドギャップ部20aと第2のサイドギャップ部20bとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてサイドギャップ部20として説明する。
サイドギャップ部20は、積層体チップ10の両側面に露出している内部電極層15の幅方向W側の端部を、その端部に沿って覆っている。積層体チップ10とサイドギャップ部20との間には、図3及び図4で示す界面Uが存在している。
誘電体層14にはNiが含まれないため、誘電体層14を構成する粒子の粒成長は阻害されない。そのため、誘電体層14を構成する粒子は大きくなり、積層セラミックコンデンサ1の高容量化が可能となる。
なお、上述したように内部電極層15の端部は、図4で示した長さ方向Lの中央部における、幅方向W及び積層方向Tを含むWT断面上での、隣り合う内部電極層15同士の位置ずれd1は5μm以内である。そして、内部電極層15の幅方向Wにおいて最も外側にある端部と、内部電極層15の幅方向Wにおいて最も内側にある端部と全ての内部電極層15における位置ずれd2は10μm以内である。
サイドギャップ部20と外層部12の境界領域Z2とは、内部電極層15の幅方向Wにおいて最も外側にある端部と、内部電極層15の幅方向Wにおいて最も内側にある端部との幅方向Wの中央を積層方向Tに延長した延長線eを中心とした幅方向Wの、約3μmの帯状の領域である。
なお、Ni-Mg酸化物の偏析、Niの偏析及びMgの偏析は、WDX(波長分散型X線分析)にて、観測可能である。
外部電極3は、積層体2の第1の端面C1に設けられている第1の外部電極3Aと、積層体2の第2の端面C2に設けられている第2の外部電極3Bとを備える。なお、第1の外部電極3Aと第2の外部電極3Bとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部電極3として説明する。外部電極3は、端面Cだけでなく、主面A及び側面Bの端面C側の一部も覆っている。
(内部電極層15と外部電極3との接続率)
図6は積層セラミックコンデンサ1の内部電極層15を通るLW断面図である。図6の幅方向Wの中央部を通る位置W1でのWT断面が図3である。図6の位置W2は、内部電極層15の幅方向Wの端部を通る位置である。
例えば、図6の幅方向Wの中央部を通る位置W1でのLT断面における、一方の外部電極3に絶属されている全ての内部電極層15の数がN0、そのうちの、その一方の側の外部電極3と接続されている内部電極層15の数がN1のとき、N1/N0が位置W1での接続率である。
そして、図6の幅方向Wの端部を通る位置W2でのWT断面において、同様に、一方の外部電極3に絶属されている全ての内部電極層15の数がN0、そのうちの、その一方の側の外部電極3と接続されている内部電極層15の数がN2のとき、N2/N0が位置W2での接続率である。
接続率が90%より小さく、また位置によって接続率の差が大きいと、内部電極層15と外部電極3との接続性が悪くなり、電気の流れが阻害され又は不安定になり、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗(ESR)が大きくなる可能性がある。
ゆえに、実施形態の積層セラミックコンデンサ1は、内部電極層15と外部電極3との接触面積が十分に確保され、接続率のばらつきもなく、良好な接続率が確保され、電気の流れが良好で、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗(ESR)も抑制できる。
外部電極3と内部電極層15との接続率は、以下のように検出する。
(位置W1での接続率)
積層セラミックコンデンサ1のLT側面から研磨しはじめて、内部電極層15が露出しはじめて、約5μm程度研磨したLT断面を露出させる。
そして、そのLT断面における一方の外部電極3とその外部電極3側に延びる内部電極層15との接続本数を数えてN1とする。
同じ側の外部電極3に接続されている内部電極層15の総本数N0とする。
このN1とN0より位置W1での接続率N1/N0を求める。
積層セラミックコンデンサ1のLT側面から研磨しはじめて、内部電極層15の幅方向の中央位置まで研磨したLT断面を露出させる。
そして、そのLW断面における一方の外部電極3とその外部電極3側に延びる内部電極層15との接続本数を数えてN2とする。
同じ側の外部電極3に接続されている内部電極層15の総本数N0とする。
このN2とN0より位置W1での接続率N2/N0を求める。
実施形態の積層セラミックコンデンサ1においては、実際に測定した結果、位置W1及び位置W2において接続率は90%以上であった。
このように高い接続率を得ることができる理由は後述する製造方法において説明する。
外部電極3は、積層体2側から下地電極層30とメッキ層31とを備える。
下地電極層30は、図2及び図6に示すように、積層体2側から、0.1~5μmの第1領域30aと、第2領域30b、及び0.1~5μmの第3領域30cとに分けられる。第2領域30bの厚みは、0.1~5μmに限定されず、外部電極3から第1領域30a及び第3領域30cを除いた残りの厚みである。メッキ層31は、下地電極層30側からNiメッキ層31aとSnメッキ層31bとを備える。これらの層を含む外部電極3は、端面Cだけでなく、主面A及び側面Bの端面C側の一部も覆っている。
また、第1領域30aと、第2領域30bと、第3領域30cとは、ガラスGの割合で分けてもよい。例えば、LT断面において、下地電極層30の全体のCuに対するガラスの面積比率(ガラスの面積/Cuの面積)をPとすると、0.1P以下を第1領域30aとし、1.2P以上を第2領域30bとし、1.0Pを下回る領域を第3領域30cとしてもよい。なお、必ずしも第2領域を必須で含んでいる必要はない。厚みもしくはPで規定され、どちらか一方を満たせば、それぞれの領域に属するとする。
下地電極層30の、第1領域30a、第2領域30b、及び第3領域30cは、Ba(バリウム)を含む緻密化のためのガラスGが混入されたCuペーストを焼結して形成されたもので、積層体2が焼結されたのちに別途焼結されるポストファイアの電極である。
第1領域30aの長さ方向Lの厚みは下地電極層30の厚みのり、例えば、0.1μm以上5μm以下の厚みである。
Niは、特に、第1領域30aの内層部11側において、それ以外の領域、すなわち第1領域30aの第2領域30b側及び第2領域30bや第3領域30c比べて高密度で含まれ、第1領域30aの内層部11側においてNiが多く含まれる層が形成されている。さらにNiは、第1領域30aの内層部11側における内部電極層15近傍の密度が誘電体層14近傍より高い。そして、Niは第1領域30aのCuと固溶して合金化している。
このように、第1領域30aにおいて、第2領域30b及び第3領域30cよりもNi成分を多く含むので、内部電極層15と下地電極層30との接続率がよい。
また、第1領域30aにおけるCuの粒子の大きさは、第2領域30b及び第3領域30cより大きい。そして、第2領域30b及び第3領域30cに行くにつれて厚みは小さくなる。Cuの粒子の大きさは、図5に示すLT断面における面積で特定される。
第2領域30bは、第1領域30a及び第3領域30c以外の領域である。第2領域30bは、第1領域及び第3領域30cの厚みの合計値より厚いことが好ましく、例えば、10μm以上40μm以下である。
第3領域30cは、Cuを第1領域30a及び第2領域30bより多く含み、ガラスの含有量は図5に示すLT断面において、1.0Pを下回り、すなわち、1.0Pより少ない。
第3領域30cはCuの含有量が第2、第3領域30cより多いので、積層セラミックコンデンサ1を基板に実装した時の接続率が良好である。
第3領域30cは、Cuを最も多く含むため、外側のNiメッキ層31aが付着しやすく、またメッキ層31全体として剥がれにくく、実施形態においては、メッキがついてない部分は存在しなかった。
本実施形態と異なり、第2領域30bのガラスGの比率が1.2Pより小さい比較としての積層セラミックコンデンサ1は、100個中11個が100MΩを下回った。
第2領域30bのガラスGの比率が1.2P以上の実施形態の積層セラミックコンデンサ1は、100個中、100MΩを下回った積層セラミックコンデンサ1はなかった。
このように、実施形態の積層セラミックコンデンサ1は第2領域30bのガラスGの比率が1.2P以上であるので、良好な耐湿性を有する。
実施形態の積層セラミックコンデンサ1は第3領域30cにおいてNiメッキ層31aに面しているガラスGの表面に、S(硫黄)とBaと(バリウム)を含む保護層33が形成されている。保護層33は、第3領域30cの表面、すなわち下地電極層30の表面の、ガラスGを含む部分の50%以上を被覆しており、70%以上被覆することが好ましい。保護層33の厚みは、10nm以上1μm以下である。
保護層33は、幅方向W中央部のLT断面にて、外部電極3内の領域で、ガラスGと、第3領域30cと、Niメッキ層31aとを含む領域を、TEM(Transmission Electron Microscope)-EDX(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)で撮像することにより確認可能である。
保護層33の厚みは、観察されたS及びBa画像より、ガラスGからNiメッキ層31a内に向かうS及びBa厚みを計測することで求められる。ガラスGの表面が曲面の場合は、法線方向の厚みとする。厚みが位置によって異なる場合、LT断面において、積層方向に3等分した領域の平均値でもよい。
保護層33の被覆率は、LT断面上で計測した、保護層33の長さを、ガラスGの表面を含む下地電極層30の表面の長さで割った値より求めることができる。
メッキ層31は、下地電極層30側からNiメッキ層31aとSnメッキ層31bとを備える。
図7は、積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明するフローチャートである。積層セラミックコンデンサ1の製造方法は、積層体2を準備する積層体準備工程S1と、バレル工程S2と、下地電極層形成工程S3と、メッキ層形成工程S4とを含む。
積層体準備工程S1は、素材シート準備工程S11と、素材シート積層工程S12と、マザーブロック形成工程S13と、マザーブロック切断工程S14と、サイドギャップ部形成工程S15と焼成工程S16とを含む。図8は積層体準備工程S1及びバレル工程S2を説明する図である。
BaTiO3を主成分とするセラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーが準備される。実施形態でセラミックスラリーはNiを含まないか、Ni含有量が外層部12に比べて少ない。
このセラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてシート状に成形されることで、内層用セラミックグリーンシート101が製作される。
また、上部外層部12aとなる上部外層部用セラミックグリーンシート112及び下部外層部12bとなる下部外層部用セラミックグリーンシート113も同様に作製される。
上部外層部用セラミックグリーンシート112及び下部外層部用セラミックグリーンシート113は、内層用セラミックグリーンシート101と同様にBaTiO3を主成分とするセラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーで製造されるが、内層用セラミックグリーンシート101と異なりNiが含まれているか、内層用セラミックグリーンシート101よりNiの含有量が多い。
次いで、素材シート積層工程S12において、素材シート103が複数枚積層される。具体的には、帯状の導電体ペースト102が同一の方向を向き且つその帯状の導電体ペースト102が隣り合う素材シート103間において幅方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シート103が積み重ねられる。
さらに、複数枚積層された素材シート103の一方の側に、上部外層部12aとなる上部外層部用セラミックグリーンシート112が積み重ねられ、他方の側に下部外層部12bとなるが積み重ねられる。
続いて、マザーブロック形成工程S13において、上部外層部用セラミックグリーンシート112と、積み重ねられた複数の素材シート103と、下部外層部用セラミックグリーンシート113とを熱圧着する。これによりマザーブロック110が形成される。
次いで、マザーブロック切断工程S14において、マザーブロック110を積層体チップ10の寸法に対応した切断線X及び切断線Xと交差する切断線Yに沿って切断する。これにより、積層体チップ10が製造される。なお、実施形態で切断線Yは切断線Xと直交している。
次に、内層用セラミックグリーンシート101と同様の誘電体粉末に、Mgが焼結助剤として加えられたセラミックスラリーが作製される。そして、樹脂フィルム上に、セラミックスラリーを塗布し、乾燥して、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートが作製される。なお、サイドギャップ部用のセラミックグリーンシートは複数層であってもよい。
そして、サイドギャップ部用セラミックグリーンシートを積層体チップ10の内部電極層15が露出している側部に張り付けることで、サイドギャップ部20となる層が形成される。
積層体チップ10にサイドギャップ部20となる層が形成されたものは、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理された後、窒素-水素-水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成され、焼結されて積層体2となる。
なお、サイドギャップ部20は、誘電体層14を含む積層体チップ10に張り付けたものであるので、焼結後においても、サイドギャップ部20と積層体チップ10との間には界面が存在する。
ここで、図4に示すように、外層部12にNiが含まれているので、焼結後における誘電体セラミックの粒子が緻密化される。また、外層部12内の誘電体セラミックに形成される小孔がNiにより埋められるので、積層セラミックコンデンサ1としての耐湿性が高くなる。
図5に示すように内部電極層15の表面には、内部より表面に移動したSn層16が形成される。
次に、積層体2に対してバレル研磨を施す。これにより、積層体2の稜線部R1に丸みが付けられる。
焼成工程S16において、内部電極層15は収縮するため、内部電極層15の一部は、端面C側に露出しないことがある。バレル工程S2が設けられていることにより、積層体2の端面Cも研磨され、端面C側に露出しない内部電極層15は減少する。
そして、全ての内部電極層15のうちの幅方向Wにおいて最も外側である側面B側にある端部と、全ての内部電極層15のうちの幅方向Wにおいて最も内側にある端部との位置ずれd2が10μm以内である。
すなわち、積層された内部電極層15の幅方向Wの端部は、幅方向W上において略同位置にあり、端部の位置が積層方向Tで揃う。
下地電極層形成工程S3は、第1領域形成工程S31と、第2領域形成工程S32と、第3領域形成工程S33と、焼成工程S34とを含む。図9は、下地電極層形成工程S3及びメッキ層形成工程S4を説明する図である。
第1領域形成工程S31において、積層体2の両端面Cをそれぞれガラス入りのCuペースト116に浸漬させて第1領域30aを形成する。第1領域30aを形成には、粒子径が小さいCu粒子が含まれるCuペースト116が使用される。Cu粒子の粒子径は、例えば、0.05μm以上3μm以下である。また、0.05μm以上1μm以下が好ましい。
ここで、内部電極層15の端面C側における位置ずれdはバレル工程において小さくなっている。しかし内部電極層15の端面C側において位置ずれdが多少残存している可能性がある。
実施形態では、細かい粒子のCuペースト116が用いられるので、Cuペースト116は、内部電極層15の端面C側において残存している位置ずれdの部分に入り込むことができる、内部電極層15と良好に接触する。
次いで、第2領域形成工程S32において、積層体2の両端面Cをそれぞれガラスの含有量が第1領域30a及び第3領域30cより多いCuペースト117に浸漬させて第2領域30bを形成する。
第2領域30bは、第1領域30a及び第3領域30cよりガラスGを多く含み、ガラスGは、LT断面において、下地電極層30の全体のガラスに対するCuの面積比率(ガラスの面積/Cuの面積)をPとすると、1.2P以上である。第2領域30bのガラスGの比率が、1.2P以上であるので、シール性及び耐湿性が高い。
ただし、第2領域30bの導電性の劣化を抑制するため、第2領域30bのガラスGの比率は、2.5P以下である。
なお、Cuペースト117に含まれるCu粒子の粒子径は、Cuペースト116に含まれるCu粒子の粒子径と同じか、又はCuペースト116に含まれるCu粒子の粒子径より大きくてよい。
次に、第3領域形成工程S33において、Cuの含有量が第2領域30b及び第3領域30cより多いCuペースト118に浸漬させて第3領域30cを形成する。Cuペースト118には、ガラスGが含まれる。ガラスGは、例えば、BaO-B2O3-SiO2系ガラス、又は、BaO-B2O3-SiO2-LiO-NaO系ガラス等のBaが含まれるガラスである。また、ガラスGには、硫黄(S)が含まれる。
そして、設定された焼成温度で、窒素雰囲気中で所定時間加熱する。これにより、下地電極層30が積層体2に焼き付けられる。
このとき、内部電極層15の表面に形成されたSn層16が、内部電極層15の表面から、内部電極層15と積層方向Tに隣り合う誘電体層14と外部電極3との境界領域Z1まで延びる。
また、図5にイメージ図で示したように、第1領域30aにおけるCuが結合し、Cuの塊は、第2領域30b及び第3領域30cより大きくなり、積層方向Tの厚みが、内部電極層15の厚みより大きくなる。
メッキ層形成工程S4は、Niメッキ層形成工程S41と、Snメッキ層形成工程S42とを含む。
Niメッキ層形成工程S41において、下地電極層30の第3領域30cを、メッキ層31を形成するためのメッキ液に浸け、外部電極3の外周にNiメッキ層31を形成する。
この際、第3領域30cは、Cuを、第1領域30a及び第2領域30bより多く含む。Cuの量は、WDXで検出されたCuの面積を算出することで測定できる。第3領域30cはCuの含有量が第2、第3領域30cより多いので、積層セラミックコンデンサ1を基板に実装した時の接続率が良好である。
しかし、実施形態によると、ガラスGがS及びBaを含むので、これらのS及びBaが、ガラスGのメッキ層31による浸蝕が進んでいる表面に保護層33を徐々に形成しはじめる。
保護層33が形成されていくと、メッキ液によるガラスGの浸蝕が徐々に抑制され、保護層33が一定の厚みまで形成されると、ガラスGがほとんど浸蝕されなくなる。
ゆえに、下地電極層30のメッキ液による浸蝕が少なく、耐熱、耐水性及び耐湿性が高い積層セラミックコンデンサ1を得ることができる。
次いで、Niメッキ層31aの外側にSnメッキ層31bが形成される。
また、実施形態で特定した積層セラミックコンデンサ1のサイズ、内部電極層15、誘電体層14、外層部12、外部電極3の厚みや層数は、記載された数値に限定されず、異なる厚みや枚数であってもよい。
さらに、各層に含まれる成分も、実施形態で説明したものに限定されない。
B 側面
C 端面
G ガラス
L 長さ方向
N 接続率
N1 接続率
N2 接続率
T 積層方向
W 幅方向
d 位置ずれ
d1 位置ずれ
d2 位置ずれ
1 積層セラミックコンデンサ
2 積層体
3 外部電極
10 積層体チップ
11 内層部
12 外層部
14 誘電体層
15 内部電極層
15a 小孔
16 Sn層
20 サイドギャップ部
30 下地電極層(下地金属層)
30a 第1領域
30b 第2領域
30c 第3領域
31 メッキ層
31a Niメッキ層
31b Snメッキ層
33 保護層
Claims (6)
- 誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、及び、
前記積層体における、積層方向と交差する長さ方向の両端面のそれぞれに配置されて前記内部電極層と接続され、前記積層体側から、第1領域、第2領域及び第3領域とに分割された下地電極層を有する外部電極とを備え、
前記第1領域は、前記内部電極層に含まれる金属を、前記第2領域及び前記第3領域より多く含み、
前記第2領域は、ガラスを、前記第1領域及び前記第3領域より多く含み、
前記第3領域は、銅を、前記第1領域及び前記第2領域より多く含む、
積層セラミックコンデンサ。 - 前記外部電極の前記内部電極層側において、前記内部電極層の金属が、前記外部電極の前記内部電極層側以外の部分に比べて高密度で含まれている、
請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記積層方向及び前記長さ方向を含む断面において、
前記下地電極層の全体の前記銅に対する前記ガラスの面積比率を1としたときに、
前記第2領域における前記銅に対する前記ガラスの面積比率は、1.2以上である、
請求項1又は請求項2に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記積層方向及び前記長さ方向を含む断面において、
前記下地電極層の全体の前記銅に対する前記ガラスの面積比率を1としたときに、
前記第3領域における前記銅に対する前記ガラスの面積比率は、1.0より少ない、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極層は、ニッケルに錫が含有され、
前記内部電極層の外周には錫膜が形成され、
前記錫膜は、前記内部電極層の外周から、前記内部電極層と隣り合う前記誘電体層と前記外部電極との境界領域まで延びている、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記誘電体層の厚みは、0.4μm以上0.6μm以下である、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。
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