JP6933326B2 - 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記積層部は、第1方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された内部電極と、を有する。
上記サイドマージン部は、上記第1方向に直交する第2方向から上記積層部を覆い、上記複数のセラミック層の上記第2方向の中央部よりも希土類元素濃度及びバナジウム濃度が高い。
上記複数のセラミック層の上記第2方向の端部では、上記希土類元素濃度及び上記バナジウム濃度が上記サイドマージン部に向けて高くなっていてもよい。
上記複数のセラミック層及び上記サイドマージン部が、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体で構成されていてもよい。
上記第1方向に直交する第2方向を向いた上記積層チップの側面に、上記複数のセラミック層よりも希土類元素濃度及びバナジウム濃度が高いサイドマージン部を設けることによりセラミック素体が作製される。
上記セラミック素体が焼成される。
図面には、適宜相互に直交するX軸、Y軸、及びZ軸が示されている。X軸、Y軸、及びZ軸は全図において共通である。
図1〜3は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10を示す図である。図1は、積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、積層セラミックコンデンサ10の図1のA−A'線に沿った断面図である。図3は、積層セラミックコンデンサ10の図1のB−B'線に沿った断面図である。
セラミック素体11の容量形成部19及びサイドマージン部17には、希土類元素が含まれている。希土類元素は、積層セラミックコンデンサ10の焼成時に、容量形成部19のセラミック層21の酸素欠陥を減少させる。これにより、容量形成部19における故障の発生が抑制される。
図5は、積層セラミックコンデンサ10の製造方法を示すフローチャートである。図6〜10は、積層セラミックコンデンサ10の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ10の製造方法について、図5に沿って、図6〜10を適宜参照しながら説明する。
ステップS01では、容量形成部19を形成するための第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102と、カバー部20を形成するための第3セラミックシート103と、を準備する。セラミックシート101,102,103は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。
ステップS02では、ステップS01で準備したセラミックシート101,102,103を、図7に示すように積層することにより積層シート104を作製する。積層シート104では、容量形成部19に対応する第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102がZ軸方向に交互に積層されている。
ステップS03では、ステップS02で得られた積層シート104を、図8に示すように切断線Lx,Lyに沿って切断することにより、未焼成の積層チップ116を作製する。積層チップ116は、焼成後の積層部16に対応する。積層シート104の切断には、例えば、回転刃や押し切り刃などを用いることができる。
ステップS04では、ステップS03で得られた積層チップ116に未焼成のサイドマージン部117を設けることにより、未焼成のセラミック素体111を作製する。ステップS04では、積層チップ116の両側面にサイドマージン部117を設けるために、テープなどの保持部材の貼り替えなどにより積層チップ116の向きが適宜変更される。
ステップS05では、ステップS04で得られた未焼成のセラミック素体111を焼結させることにより、図1〜3に示す積層セラミックコンデンサ10のセラミック素体11を作製する。つまり、ステップS05により、積層チップ116が積層部16になり、サイドマージン部117がサイドマージン部17になる。
ステップS06では、ステップS05で得られたセラミック素体11に外部電極14,15を形成することにより、図1〜3に示す積層セラミックコンデンサ10を作製する。ステップS06では、例えば、セラミック素体11のX軸方向端面に、外部電極14,15を構成する下地膜、中間膜、及び表面膜を形成する。
本実施形態の実施例として、上記の製造方法を用いて積層セラミックコンデンサ10のサンプルを作製した。このサンプルでは、X軸方向の寸法を1mmとし、Y軸方向及びZ軸方向の寸法を0.5mmとした。また、このサンプルでは、誘電体セラミックスとしてチタン酸バリウム系材料を用い、希土類元素としてホルミウムを用いた。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
11…セラミック素体
12,13…内部電極
14,15…外部電極
16…積層部
17…サイドマージン部
19…容量形成部
20…カバー部
21…セラミック層
Claims (5)
- 第1方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された内部電極と、を有する積層部と、
前記第1方向に直交する第2方向から前記積層部を覆い、前記複数のセラミック層の前記第2方向の中央部よりも希土類元素濃度及びバナジウム濃度が高く、表面側に向かってバナジウム濃度が増加するサイドマージン部と、
を具備する積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数のセラミック層の前記第2方向の端部では、前記希土類元素濃度及び前記バナジウム濃度が前記サイドマージン部に向けて高くなる
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記希土類元素濃度が、イットリウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムの少なくとも1つの濃度である
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数のセラミック層及び前記サイドマージン部が、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の多結晶体で構成されている
積層セラミックコンデンサ。 - 第1方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された内部電極と、を有する未焼成の積層チップを用意し、
前記第1方向に直交する第2方向を向いた前記積層チップの側面に、前記複数のセラミック層よりも希土類元素濃度及びバナジウム濃度が高いサイドマージン部を設けることによりセラミック素体を作製し、
前記セラミック素体を焼成することで、表面側に向かってバナジウム濃度が増加する前記サイドマージン部を有する前記セラミック素体の焼結体を得る
積層セラミックコンデンサの製造方法。
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