JP7238086B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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上記積層部は、第1方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置され、ニッケルを主成分とする複数の内部電極と、を有する。
上記サイドマージン部は、上記第1方向に直交する第2方向から上記積層部を覆う。
上記接合部は、上記積層部と上記サイドマージン部との間に配置され、上記複数のセラミック層及び上記サイドマージン部よりもマグネシウム濃度が高い。
上記複数の内部電極は、上記接合部に隣接し、ニッケル及びマグネシウムを含む酸化領域を有してもよい。
この積層セラミックコンデンサでは、焼成時に接合部から積層部にマグネシウムが拡散するため、接合部に隣接する領域に的確にマグネシウムが供給される。このため、複数の内部電極にニッケル及びマグネシウムを含む酸化領域が効率よく形成される。これにより、複数の内部電極間のショートが発生しにくくなるため、積層セラミックコンデンサの信頼性が向上する。
また、この積層セラミックコンデンサでは、焼成時に接合部からサイドマージン部にもマグネシウムが拡散するため、サイドマージン部におけるマグネシウム濃度が高くなる。更に、サイドマージン部と積層部との間にサイドマージン部よりもマグネシウム濃度が高い接合部が配置されているため、焼成時にサイドマージン部から積層部へのマグネシウムの移動が生じにくい。したがって、サイドマージン部における高いマグネシウム濃度と、積層部における低いマグネシウム濃度と、を両立することができる。
このように、この積層セラミックコンデンサでは、容量及び焼結性を損なわずに高い信頼性が得られる
この構成では、サイドマージン部のマグネシウム濃度が高いため、サイドマージン部における良好な焼結性が得られる。また、複数のセラミック層のマグネシウム濃度が低いため、大容量が得られる。
上記第1方向に直交する第2方向を向いた上記積層チップの側面に、サイドマージン部を、上記複数のセラミック層及び上記サイドマージン部よりもマグネシウム濃度が高い接合部を介して設けることによりセラミック素体が作製される。
上記セラミック素体が焼成される。
図面には、適宜相互に直交するX軸、Y軸、及びZ軸が示されている。X軸、Y軸、及びZ軸は全図において共通である。
図1~3は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ10を示す図である。図1は、積層セラミックコンデンサ10の斜視図である。図2は、積層セラミックコンデンサ10の図1のA-A'線に沿った断面図である。図3は、積層セラミックコンデンサ10の図1のB-B'線に沿った断面図である。
図4は、セラミック素体11のY-Z平面に平行な断面におけるY軸方向に沿ったマグネシウム(Mg)濃度の分布を示すグラフである。なお、図4では、積層部16におけるマグネシウム濃度として、セラミック層21のZ軸方向中央部におけるマグネシウム濃度を示している。
図6は、積層セラミックコンデンサ10の製造方法を示すフローチャートである。図7~12は、積層セラミックコンデンサ10の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ10の製造方法について、図6に沿って、図7~12を適宜参照しながら説明する。
ステップS01では、容量形成部19を形成するための第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102と、カバー部20を形成するための第3セラミックシート103と、を準備する。セラミックシート101,102,103は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。
ステップS02では、ステップS01で準備したセラミックシート101,102,103を、図8に示すように積層することにより積層シート104を作製する。積層シート104では、容量形成部19に対応する第1セラミックシート101及び第2セラミックシート102がZ軸方向に交互に積層されている。
ステップS03では、ステップS02で得られた積層シート104を、図9に示すように切断線Lx,Lyに沿って切断することにより、未焼成の積層チップ116を作製する。積層チップ116は、焼成後の積層部16に対応する。積層シート104の切断には、例えば、回転刃や押し切り刃などを用いることができる。
ステップS04では、ステップS03で得られた積層チップ116における内部電極112,113が露出した側面に、未焼成の接合部118を介して未焼成のサイドマージン部117を設けることにより、未焼成のセラミック素体111を作製する。サイドマージン部117は、セラミックシートから形成される。
ステップS05では、ステップS04で得られた未焼成のセラミック素体111を焼結させることにより、図1~3に示す積層セラミックコンデンサ10のセラミック素体11を作製する。つまり、ステップS05により、積層チップ116が積層部16になり、サイドマージン部117がサイドマージン部17になり、接合部118が接合部18になる。
ステップS06では、ステップS05で得られたセラミック素体11に外部電極14,15を形成することにより、図1~3に示す積層セラミックコンデンサ10を作製する。ステップS06では、例えば、セラミック素体11のX軸方向端面に、外部電極14,15を構成する下地膜、中間膜、及び表面膜を形成する。
(サンプルの作製)
本実施形態の実施例として、上記の製造方法を用いて積層セラミックコンデンサ10のサンプルを作製した。このサンプルでは、X軸方向の寸法を1mmとし、Y軸方向及びZ軸方向の寸法を0.5mmとした。また、このサンプルでは、誘電体セラミックスとしてチタン酸バリウム系材料を用いた。
焼成前の接合部118におけるマグネシウム濃度が異なる条件で作製したサンプル1~4についてショート率の評価を行った。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
11…セラミック素体
12,13…内部電極
14,15…外部電極
16…積層部
17…サイドマージン部
19…容量形成部
20…カバー部
21…セラミック層
Claims (6)
- 第1方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置され、ニッケルを主成分とする複数の内部電極と、を有する積層部と、
前記第1方向に直交する第2方向から前記積層部を覆うサイドマージン部と、
前記積層部と前記サイドマージン部との間に配置され、前記複数のセラミック層及び前記サイドマージン部よりもマグネシウム濃度が高い接合部と、
を具備し、
前記接合部は、前記サイドマージン部よりも緻密である
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数のセラミック層における前記接合部に隣接する領域では、前記複数のセラミック層の前記第2方向の中央部よりもマグネシウム濃度が高い
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項2に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数のセラミック層及び前記サイドマージン部では、前記接合部に向けてマグネシウム濃度が高くなる
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数のセラミック層の結晶粒径が、前記第2方向の中央部よりも前記接合部に隣接する領域において小さい
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記複数の内部電極は、前記接合部に隣接し、ニッケル及びマグネシウムを含む酸化領域を有する
積層セラミックコンデンサ。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
前記サイドマージン部の前記第2方向の中央部では、前記複数のセラミック層の前記第2方向の中央部よりもマグネシウム濃度が高い
積層セラミックコンデンサ。
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