JP2016001723A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る積層セラミックコンデンサ10は、セラミック素体12とセラミック素体12の両端面に形成された外部電極40,42とを含む。セラミック素体12は、複数の内層用セラミック層20及び該複数の内層用セラミック層20同士の界面に配設された第1及び第2の内部電極22,24により構成される内層部26と、内層部26の上下面に配設された外層部28,30とを含む。内層用セラミック層20はBa,Tiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、Mgの含有量はTi:100mol部に対して0〜0.4mol部であり、内層用セラミック層20の厚みは0.55μm以下であることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
上述したように、積層セラミックコンデンサの小型化、高容量化を実現するためには、内層用セラミック層(誘電体セラミック層)および内部電極をできるだけ薄層化と多積層化を行う必要がある。
しかしながら、誘電体セラミック層および内部電極を薄層、高積層化した積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層が薄層化されると、内部電極間の間における絶縁抵抗が劣化し信頼性が低下するため、薄層、高積層化との両立が困難という課題があった。
{BaO}mTiO2+αR2O3+βBaZrO3+γMgO+gMnO(ただし、R2O3はEu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3,およびYb2O3の中から選ばれる少なくとも1種類であり、α、β、γおよびgはmol比を表し、
0.001≦α≦0.06
0.005≦β≦0.06
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0.001<g≦0.12
γ+g≦0.13
1.000<m≦1.035
の範囲内にある。)
である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、セラミック素体を積層方向からみて第1の内部電極と第2の内部電極が存在しない領域をサイドマージン部とすると、サイドマージ部におけるMgの含有量が、Ti:100mol部に対して、0.5mol部以上5.0mol部以下であることが好ましい。
また、極端にMgの含有量が低い場合、特に0.55μm以下の薄層領域では内部電極端部間の距離が近くなるため、短絡が生じショート不良を引き起こしやすくなるが、サイドマージン部におけるMgの含有量が、Ti:100mol部に対して、0.5mol部以上5.0mol部以下であると、内部電極の端部に異層を形成することができるので、内部電極端部において生ずる短絡が引き起こすショート不良を効果的に抑制することができる。
積層セラミックコンデンサ10の長さ(L)方向および積層(T)方向からなる面(以下、LT面という)を幅(W)方向に、幅(W)が約1/2になるように、たとえば、研磨機により研磨し、さらに、内部電極22,24のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより、研磨表面を加工する。
なお、内部電極22,24の厚みも、内層用セラミック層20の厚みの計測方法と同様に、各領域の中央部付近で、内部電極22,24とほぼ直交する直線上の内部電極22,24の厚みをそれぞれ無作為に10個ずつ測定して、平均値を算出することにより求められる。
積層セラミックコンデンサ10の長さ(L)方向の約1/2の位置が破断され、積層セラミックコンデンサ10の幅(W)方向および積層(T)方向からなる面(以下、WT断面という)を露出する。その後、WT断面に露出した内層用セラミック層20のグレイン間の境界(粒界)を明確にするために、積層セラミックコンデンサ10が熱処理される。熱処理の温度は、グレインが成長しない温度で、かつ、粒界が明確になる温度とし、たとえば、1000℃である。
また、サイドマージン部32,34におけるMgの含有量は、Ti:100mol部に対して、0.5mol部以上5.0mol部以下であると、図4に示すように、内層用セラミック層20および内部電極22の端部に、Mgが多く含まれた異層が形成される。
また、内層用セラミック層20の組成は、積層セラミックコンデンサ10からサイドマージン部32,34を除去後、内部電極22,24のみエッチングにより除去するか、あるいは、内部電極22,24と内層用セラミック層20を分離後、内層用セラミック層20を削り取り、それをICP分析することで、確認することができる。
すなわち、上述したように、内層用セラミック層20中のMgと内部電極22,24の主成分であるNiとが反応してNi,Mgを含有する化合物が形成される。この化合物は内部電極22,24から内層用セラミック層20に向けて突起25として発生するため、発生した箇所の絶縁性を低下させる。特に、内層用セラミック層20における薄層領域、グレインサイズの大きな誘電体セラミック粒子では影響が大きくなる。
そこで、内層用セラミック層20におけるMgの含有量を従来よりも大きく削減することで、Ni,Mgを含有する化合物の発生を抑制することができ、その結果、内層用セラミック層20における絶縁性を保つことができると考えられる。
一方、突起25が、内部電極22,24から内層用セラミック層20に向けて発生することで、この突起25により、内部電極22,24近傍の内層用セラミック層20に対するはがれを抑制することができる。
また、Mgと同様にSiを内層用セラミック層より多く含有させても良い。外層と同様にめっき液の内層への侵入を防止することができる。
まず、主成分であるBaTiO3の出発原料として、高純度のBaCO3,TiO2の各粉末がBa:Ti=1:1で調合される。なお、本発明において、Ba:Tiは、1:1に限定するものではない。
続いて、得られたセラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーが作製される。このセラミックスラリーは、樹脂フィルム(図示せず)上にリップ方式によりシート成形され、矩形のセラミックグリーンシート50a(50b)として複数枚、成形される。セラミックグリーンシート50a(50b)の成形は、たとえば、ダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いて行われる。
また、積層体チップ60の両側面には、セラミックグリーンシート50aの導電膜52aおよびセラミックグリーンシート50bの導電膜52bのそれぞれが露出している面となる。
実験例では、以下に示す実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6の積層セラミックコンデンサの各試料が製造され、各試料の積層セラミックコンデンサに対して高温負荷試験による評価が行われた。
表1に示す実験例の各試料(実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6)が、前述の積層セラミックコンデンサの製造方法に従って作製された。
まず、主成分であるBaTiO3の出発原料として、高純度のBaCO3,TiO2の各粉末がBa:Ti=1:1で調合された。
続いて、上記セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤および有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーが作製された。次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートが得られた。
(1)研磨
まず、実施例、参考例および比較例の各試料である積層セラミックコンデンサを垂直になるように立てて、各試料の周りを樹脂で固めた。このとき、各試料の長さ(L)方向および積層(T)方向からなる面(以下、LT面という)が露出するようにした。そして、各試料のLT面を幅(W)方向に、幅(W)が約1/2になるように研磨機により研磨し、LT断面を露出した。そして、研磨による内部電極のダレをなくすために、研磨終了後、イオンミリングにより、研磨表面を加工した。
そして、図5に示すように、LT面の長さ(L)方向に1/2程度の位置において、内部電極とほぼ直交する直線を決めた。次に、試料の内部電極が積層されている領域を積層(T)方向に3等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域と3つの領域に分けた。そして、内部電極が欠落し、内層用セラミック層が2層間にまたがり、柱が形成されているなどにより、測定できない部分を除き、各領域の中央部付近で、前記直交する直線上の内層用セラミックス層の厚みをそれぞれ無作為に10層ずつ測定して平均値を求めた。測定に用いた試料は、実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6について、それぞれ3個に対して行った。したがって、内層用セラミック層の厚みは、実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6の各90点の平均値として算出した。また、内層用セラミック層の厚みは、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて測定した。実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6のそれぞれの厚みは、表1に示される。
(1)観察用試料の作製
まず、試料の長さ(L)方向の約1/2程度の深さにおける幅(W)方向および積層(T)方向からなる面(以下、WT断面という)が露出するように試料を破断した。その後、WT断面に露出した内層用セラミック層におけるグレイン間の境界(粒界)を明確にするために、上記試料が熱処理された。熱処理の温度は、グレインが成長しない温度で、かつ、粒界が明確になる温度とし、本実験例においては、1000℃で処理した。
そして、図6に示すように、WT断面の幅(W)の長さおよび積層(T)方向それぞれ1/2程度の位置で、内層用セラミック層における誘電体セラミック粒子のグレインを走査型電子顕微鏡(SEM)により、50000倍で観察した。得られたSEM画像から無作為に300個のグレインを抽出し、画像解析により各グレインの粒界の内側部分の面積を求めて円相当直径を算出し、そのD50値を求めた。この測定は、実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6のそれぞれについて5個の試料に対して行い、各試料のD50値の平均値をグレインサイズとした。測定した結果、グレインサイズは、0.18μm以下であった。
各試料の評価は、高温負荷試験により行い、絶縁抵抗の劣化測定により評価した。
実施例1〜実施例12、参考例1〜参考例23および比較例1〜比較例6のそれぞれの試料に対して行った高温負荷試験は、以下の方法により行った。
また、参考例8、参考例9および参考例10では、Mgの含有量はいずれも1mol部であり、内層用セラミック層の厚みはそれぞれ1μm、0.8μmおよび0.6μmの場合、MTTFは、それぞれ98時間、72時間および25時間であるため、「G」と判定された。
また、比較例3および比較例4では、Mgの含有量はいずれも1mol部であり、内層用セラミック層の厚みはそれぞれ0.55μmおよび0.5μmの場合、MTTFは、それぞれ5時間および2時間であるため、「NG」と判定された。
すなわち、内層用セラミック層中のMgと内部電極の主成分であるNiとが反応してNi,Mgを含有する化合物が形成される。この化合物は内部電極から内層用セラミック層に向けて突起が発生するため、発生した箇所の絶縁性を低下させる。特に内層用セラミック層における薄層領域、グレインサイズの大きな誘電体セラミック粒子では影響が大きくなる。
そこで、内層用セラミック層におけるMgの含有量を従来よりも大きく削減することでNi,Mgを含有する化合物の発生を抑制することができ、その結果、内層用セラミック層における絶縁性を保つことができると考えられる。
上述のように薄片加工した観察用試料は、走査透過型電子顕微鏡(scanning transmission electron microscopy;以下、「STEM」という。)とエネルギー分散型X線装置(energy dispersive x−ray spectroscopy;以下、「EDX」という。)とを使用したSTEM−EDXマッピングにより元素分析が行われ、NiおよびMgの分布を示すマッピング画像が得られた。ここで、STEM分析において、STEMは、JEM−2200FS(JEOL製)を用いた。加速電圧は200kVである。EDXは、JED−2300T(JEOL製)で60mm2口径のSDD検出器を、EDXシステムはNoran System 7を用いた。
12 セラミック素体
13 第1の端面
14 第2の端面
15 第1の側面
16 第2の側面
17 第1の主面
18 第2の主面
20 内層用セラミック層
21 異層
22 第1の内部電極
24 第2の内部電極
25 突起
26 内層部
28、30 外層部
32、34 サイドマージン部
40、42 外部電極
40a、42a 電極層
40b、42b 第1のめっき層
40c、42c 第2のめっき層
50a、50b セラミックグリーンシート
52a、52b 導電膜
60 積層体チップ
Claims (2)
- 第1の端面と前記第1の端面に対向する第2の端面と、
前記第1の端面および前記第2の端面に直交する第1の側面と第2の側面と、
前記第1の端面および前記第1の側面に直交する第1の主面と第2の主面とで直方体状に構成され、
複数の誘電体セラミック層と、
前記第1の主面から前記第2の主面とをつなぐ方向に、前記誘電体セラミック層を介して層状に重なって形成された内部電極と、
からなるセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記第1の端面および前記第2の端面に設けられた外部電極と、
を含む、積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は、第1の内部電極と第2の内部電極とを備え、
前記第1の内部電極と前記第2の内部電極は、それぞれ交互に前記第1の端面と前記第2の端面に引き出されて前記外部電極に接続し、
前記セラミック素体において、最も主面側に配置された前記内部電極間に挟まれた領域を内層部、内層部の主面側に配置された誘電体セラミック層を外層部とし、
前記内層部の前記誘電体セラミック層は、Ba,Tiを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、
Mgの含有量がTi:100mol部に対して0mol部以上0.4mol部以下であり、
前記内層部の前記誘電体セラミック層の厚みは、0.55μm以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記セラミック素体を積層方向からみて前記第1の内部電極と前記第2の内部電極が存在しない領域をサイドマージン部とすると、
前記サイドマージ部におけるMgの含有量が、Ti:100mol部に対して0.5mol部以上5.0mol部以下であることを特徴とする請求項1の積層セラミックコンデンサ。
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