JP7319022B2 - 積層セラミックキャパシタ - Google Patents

積層セラミックキャパシタ Download PDF

Info

Publication number
JP7319022B2
JP7319022B2 JP2022010472A JP2022010472A JP7319022B2 JP 7319022 B2 JP7319022 B2 JP 7319022B2 JP 2022010472 A JP2022010472 A JP 2022010472A JP 2022010472 A JP2022010472 A JP 2022010472A JP 7319022 B2 JP7319022 B2 JP 7319022B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
manganese
multilayer ceramic
content
satisfies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022010472A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022050693A (ja
Inventor
ソン パク、ジェ
ハン キム、ジョン
ソン キム、ジン
ユン パク、ジェオン
ヨル チョイ、ジェ
ハン ナ ドゥ、シー
Original Assignee
サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． filed Critical サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
Publication of JP2022050693A publication Critical patent/JP2022050693A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7319022B2 publication Critical patent/JP7319022B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/475—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on bismuth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/224—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps

Description

本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するもので、より詳細には、機械的強度を向上させるとともに、高温信頼性及び耐湿信頼性を改善させることができる積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するものである。
一般に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ又はサーミスタなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるように、セラミック本体の表面に設置された外部電極と、を備える。
最近では、電子製品の小型化及び多機能化に伴い、チップ部品も小型化及び高機能化する傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにも、サイズが小さく、容量が大きい高容量製品が求められている。
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには、高誘電特性及び優れた耐電圧特性を有する誘電体材料を確保することが必要である。
これとともに、誘電体の薄層化及び電極有効面積の最大化（容量実現に必要な有効体積分率の増加）が求められる。
但し、誘電体の薄層化及びマージン部の段差が原因で局部的な誘電体厚さの減少現象が発生することがある。かかる現象に伴う耐電圧低下現象を最小限に抑えることができる構造への設計変更が必須的である。
上記のように、小型及び高容量積層セラミックキャパシタを実現し、且つ耐電圧低下現象を防ぐために、積層セラミックキャパシタを製造するにあたり、内部電極が本体の幅方向に露出するようにすることで、マージンのない設計により、内部電極の幅方向の面積を最大化するとともに、かかるチップ製作後に、焼成前の段階でチップの幅方向の電極露出面にマージン部を別に付着して完成する方法が適用された。
しかし従来は、上記のように積層セラミックキャパシタを製作する場合、サイドマージン部を形成するための誘電体組成をセラミック本体の誘電体組成と差別化することなくセラミック本体の誘電体組成物をそのまま使用した。
その結果、サイドマージン部内において誘電体の物理的充填密度が低いためサイドマージン部の緻密化が低下するという現象が発生し、焼結過程中のサイドマージン部の誘電体と内部電極の焼結駆動がミスマッチング（ｍｉｓｍａｔｃｈｉｎｇ）するという現象によって不可避に生成される電極端部とマージン部の接合面との間の界面空隙を満たさないという問題が生じる。
また、上記従来技術では、マージン部なしに切断されたグリーンチップにマージン部の役割を果たすセラミック誘電体シートを物理的に圧着して付着した後、高温熱処理を経て堅固な本体を持つ焼結体を構成するようにしたため、焼結前の段階におけるマージン部形成用シートと電極露出面との間の接着力が足りない場合、マージン部分離による外観不良、及び界面クラックにつながる深刻な不良を引き起こす可能性があった。
尚、高温熱処理過程において内部電極の収縮によってチップ内部への体積変化を伴うとき、電極端部とマージン部の界面との間に空隙（ｖｏｉｄ）が生成されて、クラック発生の始点として作用するか、又は水分浸透経路となって耐湿信頼性低下の原因となり得る。
したがって、マージン部領域の誘電体は、優れた焼結駆動力を有するようにすることで、低い物理的充填密度を有してもセラミック本体と同一レベルの素体緻密度の確保を可能にして積層セラミックキャパシタの強度低下を最小限に抑える必要がある。
また、マージン部領域に用いられる誘電体は、高温でより活発な物質移動を可能にして、界面空隙（ｖｏｉｄ）を満たす必要がある。
尚、内部電極との反応により、端部接合面に酸化領域を形成することで、界面接合力を向上させる必要がある。
韓国公開特許第２０１０－０１３６９１７号公報
本発明は、機械的強度を向上させるとともに、高温信頼性及び耐湿信頼性を改善させることができる高容量積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態は、互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に配置され、上記第１面及び第２面に露出し、且つ上記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、上記第１面及び第２面に露出する上記内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成と上記セラミック本体に含まれる誘電体組成は互いに異なり、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす積層セラミックキャパシタを提供する。
本発明の他の実施形態は、互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に配置され、上記第１面及び第２面に露出し、且つ上記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、上記第１面及び第２面に露出する上記内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、上記セラミック本体の幅－厚さ方向の断面において、上記内部電極の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域が配置され、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす積層セラミックキャパシタを提供する。
本発明の一実施形態によると、内部電極が本体の幅方向に露出するようにチップを製作した後、焼成前の段階でチップの幅方向の電極露出面にマージン部を別に付着することにより、積層セラミックキャパシタの製造工程時に発生する内部電極とマージン部との間の界面密着力の低下を防ぐことができるようになる。
また、上記製造工程によって製作された積層セラミックキャパシタにおいて、内部電極とマージン部との間に発生する空隙の生成を防ぐことで、信頼性を向上させることができる。
尚、内部電極の先端に均一な酸化領域及び絶縁層を確保することができるため、ショート不良を改善させることができる。
さらに、マージン部の緻密度を向上させることができるため、積層セラミックキャパシタの機械的強度の向上及び高温／耐湿信頼性の改善という効果を奏する。
上記内部電極は、誘電体層の幅方向において全体的に形成され、且つ本体の幅方向の側面に露出した後、マージン部が別に付着されるため、内部電極間の重なり面積を最大化して高容量積層セラミックキャパシタを実現することができ、内部電極による段差の発生を低減させることができる。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。 図１のＩ－Ｉ'の線に沿った断面図である。 図２のＱ領域の拡大図である。 図１のＩＩ－ＩＩ'の線に沿った断面図である。 図１に示された積層セラミックキャパシタを構成する一誘電体層を示す上部平面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す斜視図である。 本発明の比較例による副成分Ｍｇが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の比較例による副成分Ｍｇが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の比較例による副成分Ｍｇが過量含まれる誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の比較例による副成分Ｍｇが過量含まれる誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の比較例による副成分Ｍｎが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の比較例による副成分Ｍｎが過量含まれる誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 本発明の実施形態による誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図であり、図２は図１のＩ－Ｉ'の線に沿った断面図であり、図３は図２のＱ領域の拡大図であり、図４は図１のＩＩ－ＩＩ'の線に沿った断面図であり、図５は図１に示された積層セラミックキャパシタを構成する一誘電体層を示す上部平面図である。
図１～図５を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック本体１１０と、上記セラミック本体１１０の内部に形成される複数の内部電極１２１、１２２と、上記セラミック本体１１０の外表面に形成される外部電極１３１、１３２と、を含む。
上記セラミック本体１１０は、互いに対向する第１面１及び第２面２と、上記第１面と第２面を連結する第３面３及び第４面４と、上面及び下面である第５面５及び第６面６と、を有することができる。
上記第１面１及び第２面２はセラミック本体１１０の幅方向において対向する面、上記第３面３及び第４面４は長さ方向において対向する面、及び上記第５面５及び第６面６は厚さ方向において対向する面と定義することができる。
上記セラミック本体１１０の形状に特に制限はないが、図面に示すように、直方体形状であることができる。
上記セラミック本体１１０の内部に形成された複数の内部電極１２１、１２２は、セラミック本体の第３面３又は第４面４に一端が露出する。
上記内部電極１２１、１２２は、互いに異なる極性を有する第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を一対にすることができる。
第１内部電極１２１の一端は第３面３に露出すればよく、第２内部電極１２２の一端は第４面４に露出すればよい。
上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の他端は、第３面３又は第４面４から一定の間隔を置いて形成される。これについてのより具体的な事項は後述する。
上記セラミック本体の第３面３には第１外部電極１３１が形成され、第４面４には第２外部電極１３２が形成されて、上記内部電極とそれぞれ電気的に接続されることができる。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記セラミック本体１１０の内部に配置され、上記第１面１及び第２面２に露出し、且つ上記第３面３又は第４面４に一端が露出する複数の内部電極１２１、１２２と、上記第１面１及び第２面２に露出する上記内部電極１２１、１２２の端部上に配置される第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４と、を含む。
上記セラミック本体１１０の内部には複数の内部電極１２１、１２２が形成される。上記複数の内部電極１２１、１２２の各末端は、上記セラミック本体１１０の幅方向面である第１面１及び第２面２に露出し、露出した端部上に第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４が配置される。
第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さｄ１は１８μｍ以下であればよい。
本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１２が積層された積層体１１１と、上記積層体の両側面に形成される第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４とで構成されることができる。
上記積層体１１１を構成する複数の誘電体層１１２は、焼結された状態であって、隣接する誘電体層同士の境界は確認できないほど一体化されることができる。
上記積層体１１１の長さは上記セラミック本体１１０の長さに該当する。また、上記セラミック本体１１０の長さはセラミック本体の第３面３から第４面４までの距離に該当する。すなわち、セラミック本体１１０の第３面及び第４面は積層体１１１の第３面及び第４面と理解されることができる。
上記積層体１１１は、複数の誘電体層１１２の積層によって形成されるものであって、上記誘電体層１１２の長さは、セラミック本体の第３面３と第４面４との間の距離を形成する。
これに制限されるものではないが、本発明の一実施形態によると、セラミック本体の長さは４００～１４００μｍであればよい。より具体的には、セラミック本体の長さは４００～８００μｍ、又は６００～１４００μｍであればよい。
上記誘電体層上に内部電極１２１、１２２が形成されることができ、上記内部電極１２１、１２２は、焼結によって一誘電体層を間に挟んで上記セラミック本体の内部に形成されることができる。
図５を参照すると、誘電体層１１２に第１内部電極１２１が形成される。上記第１内部電極１２１は、誘電体層の長さ方向において全体的に形成されない。すなわち、第１内部電極１２１の一端は、セラミック本体の第４面４から所定の間隔ｄ２を置いて形成されることができ、第１内部電極１２１の他端は、第３面３まで形成されて、第３面３に露出することができる。
積層体の第３面３に露出した第１内部電極の他端は、第１外部電極１３１と接続される。
第１内部電極とは逆に、第２内部電極１２２の一端は、第３面３から所定の間隔を置いて形成され、第２内部電極１２２の他端は、第４面４に露出して、第２外部電極１３２と接続される。
上記誘電体層１１２は、第１内部電極１２１の幅と同一の幅を有することができる。すなわち、上記第１内部電極１２１は、誘電体層１１２の幅方向において全体的に形成されることができる。
これに制限されるものではないが、本発明の一実施形態によると、誘電体層の幅及び内部電極の幅は１００～９００μｍであればよい。より具体的には、誘電体層の幅及び内部電極の幅は、１００～５００μｍであればよく、又は１００～９００μｍであればよい。
セラミック本体が小型化するにつれて、サイドマージン部の厚さが積層セラミックキャパシタの電気的特性に影響を与える可能性がある。本発明の一実施形態によると、サイドマージン部の厚さが１８μｍ以下に形成されて、小型化した積層セラミックキャパシタの特性を向上させることができる。
本発明の一実施形態において、内部電極及び誘電体層は、同時に切断されて形成されるものであって、内部電極の幅と誘電体層の幅は同一に形成されることができる。これについてのより具体的な事項は後述する。
本実施形態では、誘電体層の幅は内部電極の幅と同一に形成される。これにより、セラミック本体１１０の幅方向の第１面及び第２面に内部電極１２１、１２２の末端が露出することができる。
上記内部電極１２１、１２２の末端が露出するセラミック本体１１０の幅方向の両側面には、第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４が形成されることができる。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さは１８μｍ以下であればよい。上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さが小さいほど、セラミック本体内に形成される内部電極の重なり面積が相対的に広くなり得る。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さは、積層体１１１の側面に露出する内部電極のショートを防止することができれば、特に限定されないが、例えば、２μｍ以上であればよい。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さが２μｍ未満の場合には、外部衝撃に対する機械的強度が低下するおそれがあり、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さが１８μｍを超えると、内部電極の重なり面積が相対的に減少して積層セラミックキャパシタの高容量を確保することが困難となり得る。
積層セラミックキャパシタの容量を最大化するために、誘電体層を薄膜化する方法、薄膜化した誘電体層を高積層化する方法、及び内部電極のカバレージを向上させる方法などが考えられている。
また、容量を形成する内部電極の重なり面積を向上させる方法が考えられている。
内部電極の重なり面積を増やすためには、内部電極が形成されないマージン部領域を最小限に抑える必要がある。
特に、積層セラミックキャパシタが小型化するほど、内部電極の重なり領域を増やすためには、マージン部領域を最小限に抑える必要がある。
本実施形態によると、誘電体層の幅方向全体において内部電極が形成され、サイドマージン部の厚さが１８μｍ以下に設定されるため、内部電極の重なり面積が広い特徴を有する。
一般に、誘電体層が高積層化するほど誘電体層及び内部電極の厚さは薄くなる。その結果、内部電極のショート現象が頻繁に発生することがある。また、誘電体層の一部のみに内部電極が形成される場合、内部電極による段差が発生して絶縁抵抗の加速寿命や信頼性が低下する可能性がある。
これに対し、本実施形態によると、薄膜の内部電極及び誘電体層を形成しても、内部電極が誘電体層の幅方向において全体的に形成されるため、内部電極の重なり面積が大きくなって積層セラミックキャパシタの容量を高めることができるようになる。
また、内部電極による段差を減少させることにより、絶縁抵抗の加速寿命を向上させるとともに、容量特性及び信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供することができる。
一方、従来は、上記のように積層セラミックキャパシタを製作する場合、サイドマージン部を形成するための誘電体組成をセラミック本体の誘電体組成と差別化することなくセラミック本体の誘電体組成物をそのまま用いた。
その結果、サイドマージン部内における誘電体の物理的充填密度が低いためサイドマージン部の緻密化が低下するという現象が発生し、焼結過程中のサイドマージン部の誘電体と内部電極の焼結駆動がミスマッチング（ｍｉｓｍａｔｃｈｉｎｇ）するという現象によって不可避に生成される電極端部とマージン部の接合面との間の界面空隙を満たさないという問題が生じる。
また、マージン部なしに切断されたグリーンチップにマージン部の役割を果たすセラミック誘電体シートを物理的に圧着して付着した後、高温熱処理を経て堅固な本体を持つ焼結体を構成するようにしたため、焼結前の段階におけるマージン部形成用シートと電極露出面との間の接着力が足りない場合、マージン部分離による外観不良、及び界面クラックにつながる深刻な不良を引き起こす可能性があった。
尚、高温熱処理過程において内部電極の収縮によってチップ内部への体積変化を伴うとき、電極端部とマージン部の界面との間に空隙（ｖｏｉｄ）が生成されて、クラック発生の始点として作用するか、又は水分浸透経路となって耐湿信頼性低下の原因となり得る。
したがって、マージン部領域の誘電体は、優れた焼結駆動力を有するようにすることで、低い物理的充填密度を有してもセラミック本体と同一レベルの素体緻密度の確保を可能にして積層セラミックキャパシタの強度低下を最小限に抑える必要がある。
また、マージン部領域に用いられる誘電体は、高温でより活発な物質移動を可能にして、界面空隙（ｖｏｉｄ）を満たす必要がある。
尚、内部電極との反応により、端部接合面に酸化領域を形成することで界面接合力を向上させる必要がある。
本発明の一実施形態では、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４に含まれる誘電体組成とセラミック本体１１０に含まれる誘電体組成は互いに異なる。
また、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部１１３、１１４に含まれる誘電体組成とセラミック本体１１０に含まれる誘電体組成は互いに異なり、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たすように調節することにより、上記の問題点を解決することができる。
具体的には、本発明の一実施形態によると、内部電極とマージン部との間の界面密着力の低下を防ぐことができ、内部電極とマージン部との間に発生する空隙の生成を防ぐことで、信頼性を向上させることができるようになる。
また、内部電極の先端に均一な酸化領域及び絶縁層を確保することができるため、ショート不良を改善させることができるとともに、マージン部の緻密度を向上させることができる。これにより、積層セラミックキャパシタの機械的強度の向上及び高温／耐湿信頼性の改善という効果を奏する。
上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比であるＭｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）が０．３１６未満の場合には、マンガン（Ｍｎ）の含有量が少ないため、内部電極とマージン部との間に発生した空隙を効果的に満たすことができず、信頼性が低下する可能性がある。
また、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比であるＭｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）が０．５００を超えると、マンガン（Ｍｎ）の含有量が多すぎる場合として作用して、内部電極及びセラミックが過度に焼結されて、内部電極の玉化が発生するという問題がある。
上記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たすことができる。
上記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たすように調節することにより、内部電極の先端に均一な酸化領域及び絶縁層を確保することができ、内部電極とマージン部との間の界面密着力の低下を防ぐことができる。
上記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ未満の場合には、内部電極の端部に酸化領域及び絶縁層を効率的に生成できず、内部電極とマージン部との間の界面密着力が低下する可能性がある。
また、上記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して２．１０ｍｏｌを超えると、マージン部の緻密度が低下し、２次相が生成される頻度が増加するという問題がある。
上記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たすことができる。
上記マンガン（Ｍｎ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たすように調節することにより、内部電極の端部に均一な酸化領域及び絶縁層を確保するとともに、内部電極とマージン部との間の界面密着力の低下を防ぐことができる。これにより、内部電極とマージン部との間に発生する空隙の生成を防ぐとともに、信頼性を向上させることができる。
上記マンガン（Ｍｎ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ未満の場合には、内部電極とマージン部との間に発生する空隙を効果的に満たすことができず、信頼性が低下することがある。
上記マンガン（Ｍｎ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して２．０ｍｏｌを超えると、内部電極及びセラミックが過度に焼結されて、内部電極の玉化が発生するという問題がある。
本発明の一実施形態によると、上記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たすことができる。
上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たすように調節することにより、サイドマージン部の焼結緻密度を向上させることができる。
上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．５ｍｏｌ未満の場合には、Ｂａ－Ｓｉとの溶融温度の上昇が原因で液相が充分に生成されず焼結駆動力が足りなくなるため、サイドマージン部の焼結緻密度の低下を引き起こす可能性がある。
一方、上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して１．５ｍｏｌを超えると、ＢａＴｉＯ３のＢａ－ｓｉｔｅ置換による欠陥化学反応が原因で酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）が生成されて誘電特性が低下するという問題がある。
また、上記副成分はケイ素（Ｓｉ）を含み、上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）との含有量比がそれぞれ０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たすことができる。
上記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）は、主にケイ素（Ｓｉ）とともに反応して液相を生成させるため、ケイ素（Ｓｉ）の添加含有量との比が重要である。本発明の一実施形態によると、含有量比が０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たすように調節することにより、サイドマージン部の焼結緻密度を向上させることができる。
上記数値範囲を外れる場合、上述のように、副成分の一部成分の含有量が多すぎるか、又は足りなくなって、サイドマージン部の緻密度が低下したり、又は誘電特性が低下するという問題が生じかねない。
本発明の一実施形態によると、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４に含まれる誘電体組成とセラミック本体１１０に含まれる誘電体組成は互いに異なる。以下では、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４に含まれる誘電体組成について説明する。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）と、を含み、以下追加される副成分をさらに含む。
ａ）母材主成分
本発明の一実施形態による第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４に含まれる誘電体組成物は、Ｂａ及びＴｉを含む母材主成分を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、上記母材主成分は、ＢａＴｉＯ３又はＣａ、Ｚｒ、Ｓｎなどが一部固溶した（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｃａ）Ｏ３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３で表される主成分を含む。上記母材主成分は粉末の形で含まれることができる。
ｂ）第１副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ及びＮｄのうち一つ以上の元素の酸化物及び炭酸塩からなる群より選択される一つ以上を含む第１副成分を含むことができる。
上記第１副成分は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～４．０ｍｏｌの含有量で含まれることができる。
上記第１副成分の含有量は、酸化物や炭酸塩のような添加形態を区分することなく、第１副成分に含まれるＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ及びＮｄのうち少なくとも一つ以上の元素の含有量を基準とすることができる。
例えば、上記第１副成分に含まれるＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ及びＳｍのうち少なくとも一つ以上の元素の含有量の合計は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して４．０ｍｏｌ以下であることができる。
上記第１副成分は、本発明の一実施形態において、誘電体組成物が適用された積層セラミックキャパシタの信頼性低下を防ぐ役割を果たす。
上記第１副成分の含有量が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して４．０ｍｏｌを超えると、パイロクロール（Ｐｙｒｏｃｈｌｏｒｅ、ＲＥ２Ｔｉ２Ｏ７）（ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｌａ、Ｃｅ及びＮｄのうち少なくとも一つ以上の元素）２次相が生成されて高温耐電圧特性が低下する可能性がある。
ｃ）第２副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｂａ元素の酸化物及び炭酸塩からなる群より選択される一つ以上を含む第２副成分を含むことができる。
上記第２副成分は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれることができる。
上記第２副成分の含有量は、酸化物又は炭酸塩のような添加形態を区分することなく第２副成分に含まれるＢａ元素の含有量を基準とすることができる。
上記第２副成分が上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌ含まれる場合、高温耐電圧特性を向上させることができる。
ｄ）第３副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体組成物は、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含む第３副成分を含むことができる。
上記第３副成分は、上記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれることができる。
上記第３副成分の含有量は、ガラス、酸化物又は炭酸塩のような添加形態を区分することなく第３副成分に含まれるＳｉ又はＡｌ元素の含有量を基準とすることができる。
上記第３副成分の含有量が母材主成分１００ｍｏｌに対して５．０ｍｏｌを超えて含まれる場合、焼結性及び緻密度が低下し、２次相が生成されるなどという問題があるため好ましくない。
本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１と第２面２を連結する第３面３及び第４面４を含むセラミック本体１１０と、上記セラミック本体１１０の内部に配置され、上記第１面及び第２面１、２に露出し、且つ上記第３面３又は第４面４に一端が露出する複数の内部電極１２１、１２２と、上記第１面１及び第２面２に露出する上記内部電極１２１、１２２の端部上に配置される第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４と、を含み、上記セラミック本体１１０の幅－厚さ方向の断面において、上記内部電極１２１、１２２の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域１２３が配置され、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含むとともに、上記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす。
本発明の他の実施形態によると、上記セラミック本体１１０の幅－厚さ方向の断面において、上記内部電極１２１、１２２の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域１２３が配置される。
上記酸化領域１２３は、上記セラミック本体１１０の焼成過程又は熱処理工程時の誘電体層１１２のセラミックに含まれる金属酸化物と、上記内部電極１２１、１２２を構成する金属とが反応して形成されたものであればよい。
上記酸化領域１２３は金属酸化物を含み、上記金属酸化物は、特に制限されないが、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）及びバリウム（Ｂａ）からなる群より選択された複数の酸化物であることができる。
特に上記酸化領域１２３は、マグネシウム（Ｍｇ）を含むことができる。
上記酸化領域１２３は、電子顕微鏡によって観察されることができ、内部電極とは異なる色を帯びるため、上記内部電極と区別されることができる。
図２、図３、及び図５では、上記酸化領域１２３を内部電極１２１、１２２と区別するために、異なる線で表示した。
上述のように、内部電極が本体の幅方向に露出するようにすることで、マージンのない設計により、内部電極の幅方向の面積を最大化する。しかし、かかるチップ製作後に、焼成前の段階でチップの幅方向の電極露出面にマージン部を別に付着する方法により積層セラミックキャパシタを製作する場合、内部電極露出面の切断工程時に、内部電極露出面のスリップ（Ｓｌｉｐ）現象が原因で上下層の電極が連結されてショート不良及び耐電圧の低下の問題が発生することがある。
また、金属とセラミックとの異種接合時に、焼結過程中の界面における比表面積の減少が原因で表面エネルギーを下げようとする自発反応が起きて界面が開くという物理／化学現象が発生することがある。
したがって、上記二つの問題をともに解決すべく、内部電極に用いられるニッケル（Ｎｉ）と最も親和性が高く簡単に固溶し、２次相を生成することなく均一な酸化領域を形成することができる元素を選定する必要がある。
本発明の一実施形態によると、陽イオンと陰イオンの比が１：１であるＮａＣｌ構造で構成されるＮｉＯと同一の構造を有し、且つ酸素親和度の高いＭｇ酸化物の絶対量比を調節することにより、ニッケル（Ｎｉ）電極先端に絶縁層を均一に生成し、酸化領域の生成によるサイドマージン部のセラミックとの結合力を増加させることができる。
この際、Ｍｇの含有量比が最適組成比を超えると、過量のＭｇ添加による焼結性の低下、又は２次相の生成による耐電圧低下を招くことがあるため、その含有量比の選定が非常に重要である。
また、追加で要求される特性として耐湿信頼性を含む積層セラミックキャパシタの耐電圧を改善させ、クラック発生を抑制するために、サイドマージン部の緻密度を確保し、電極端部の空隙（ｖｏｉｄ）を効果的に充填する必要がある。このため、セラミックの焼結駆動力の向上及び高温における活発な物質輸送（ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）の誘導が何よりも必要である。
サイドマージン部からの活発な原子の移動は、電極端部の空隙（ｖｏｉｄ）を含んで周辺原子のドラッグ－イン（ｄｒａｇ－ｉｎ）効果を増加させ、効果的な気孔の消滅をもたらすことができる。
これについての技術的な方法としては、Ｍｎの添加とその適切な含有量比の選定が非常に重要となる。Ｍｎ－Ｍｇ－Ａｌのシステム（ｓｙｓｔｅｍ）における３元系相図（ｔｅｒｎａｒｙ ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ）を見ると、Ｍｎの添加は、全体の添加量比領域において液相の生成を均一に促進し、焼結による物質輸送（ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）を増加させることができる。
しかしこの際、Ｍｎの含有量比が高く、Ｍｇの含有量比が逆に減少した場合、上記電極先端に絶縁層が生成され、界面密着力の改善効果が減少する可能性がある。これに対し、Ｍｎの含有量比が低い場合には、Ｍｇの含有量比が増加するようになって焼結緻密度も低下し、２次相が生成される頻度が増加するという問題が発生することがある。したがって、上述のように、実際の実験により、最適なＭｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）の組成比を選定することになった。
以下、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。
図６ａ～図６ｃは本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図であり、図６ｄ～図６ｆは本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す斜視図である。
図６ａに示すように、セラミックグリーンシート２１２ａ上に所定の間隔ｄ３を置いて複数のストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａを形成する。上記複数のストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａは、互いに平行に形成されることができる。
上記所定の間隔ｄ３は、内部電極を、互いに異なる極性を有する外部電極と絶縁させるための距離であって、図２に示すｄ１×２の距離と理解されることができる。
上記セラミックグリーンシート２１２ａは、セラミック粉末、有機溶剤及び有機バインダーを含むセラミックペーストで形成されることができる。
上記セラミック粉末は、高誘電率を有する物質であって、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料などを用いることができ、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末を用いることが好ましい。上記セラミックグリーンシート２１２ａが焼成されると、セラミック本体を構成する誘電体層１１２となる。
ストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａは、導電性金属を含む内部電極ペーストによって形成されることができる。上記導電性金属は、これに制限されるものではないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はこれらの合金であることができる。
上記セラミックグリーンシート２２１ａ上にストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａを形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法のような印刷法を用いることができる。
また、図示していないが、別のセラミックグリーンシート２１２ａ上に所定の間隔を置いて複数のストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａを形成することができる。
以下、第１内部電極パターン２２１ａが形成されたセラミックグリーンシートは第１セラミックグリーンシートと称することができ、第２内部電極パターン２２２ａが形成されたセラミックグリーンシートは第２セラミックグリーンシートと称することができる。
次に、図６ｂに示すように、ストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａとストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａとが交差積層されるように、第１セラミックグリーンシート及び第２セラミックグリーンシートを交互に積層することができる。
その後、上記ストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａにより第１内部電極１２１を形成することができ、ストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａにより第２内部電極１２２を形成することができる。
図６ｃは、本発明の一実施形態に基づいて、第１及び第２セラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層体２１０を示す断面図であり、図６ｄは、第１及び第２セラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層体２１０を示す斜視図である。
図６ｃ及び図６ｄを参照すると、複数の平行なストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａが印刷された第１セラミックグリーンシートと、複数の平行なストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａが印刷された第２セラミックグリーンシートは互いに交互に積層される。
より具体的には、第１セラミックグリーンシートに印刷されたストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａの中央部と第２セラミックグリーンシートに印刷されたストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａとの間の間隔ｄ３が重なるように積層されることができる。
次に、図６ｄに示すように、上記セラミックグリーンシート積層体２１０は、複数のストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａとストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａを横切るように切断されることができる。すなわち、上記セラミックグリーンシート積層体２１０は、Ｃ１－Ｃ１の切断線に沿って棒状積層体２２０に切断されることができる。
より具体的には、ストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａとストライプ型の第２内部電極パターン２２２ａは、長さ方向に切断されて、一定の幅を有する複数の内部電極に分割されることができる。この際、積層されたセラミックグリーンシートも内部電極パターンとともに切断される。これにより、誘電体層は、内部電極の幅と同一の幅を有するように形成されることができる。
上記棒状積層体２２０の切断面に第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出することができる。上記棒状積層体の切断面はそれぞれ、棒状積層体の第１側面及び第２側面と称することができる。
上記セラミックグリーンシート積層体を焼成した後、棒状積層体となるように切断することができる。また、上記セラミックグリーンシート積層体を棒状積層体に切断した後、焼成を行うことができる。これに制限されるものではないが、上記焼成は１１００℃～１３００℃のＮ２－Ｈ２の雰囲気で行われることができる。
次に、図６ｅに示すように、上記棒状積層体２２０の第１側面及び第２側面のそれぞれに、第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａを形成することができる。第２サイドマージン部２１４ａは、明確に示さず、点線でその輪郭を示した。
上記第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａは、棒状積層体２２０にセラミック粉末を含むセラミックスラリーを塗布して形成されることができる。
上記セラミックスラリーは、セラミック粉末、有機バインダー及び有機溶剤を含むものであって、第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａが所望の厚さを有するようにするためにセラミックスラリー量を調節することができる。
上記棒状積層体２２０の第１側面及び第２側面にセラミックスラリーを塗布して、第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａを形成することができる。上記セラミックスラリーの塗布方法は、特に制限されず、例えば、スプレー方式で噴射するか、又はローラーを用いて塗布することができる。
また、上記棒状積層体をセラミックスラリーにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）することで、棒状積層体の第１側面及び第２側面に第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａを形成することができる。
上述のように、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部の厚さは１８μｍ以下に形成することができる。
次に、図６ｅ及び図６ｆに示すように、第１サイドマージン部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａが形成された上記棒状積層体２２０をＣ２－Ｃ２の切断線に沿って個々のチップサイズに合わせて切断することができる。図６ｃは上記Ｃ２－Ｃ２の切断線の位置を把握するのに参照されることができる。
棒状積層体２２０をチップサイズに切断することにより、積層体２１１と、積層体の両側面に形成された第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４と、を有するセラミック本体が形成されることができる。
上記棒状積層体２２０をＣ２－Ｃ２の切断線に沿って切断することにより、重なっている第１内部電極の中央部と第２内部電極との間に形成された所定の間隔ｄ３が同一の切断線によって切断されることができる。別の観点では、第２内部電極の中央部と第１内部電極との間に形成された所定の間隔が同一の切断線によって切断されることができる。
これにより、第１内部電極及び第２内部電極の一端は、Ｃ２－Ｃ２の切断線に沿った切断面に交互に露出することができる。上記第１内部電極が露出した面は図５に示す積層体の第３面３と理解されることができ、上記第２内部電極が露出した面は図５に示す積層体の第４面４と理解されることができる。
上記棒状積層体２２０をＣ２－Ｃ２の切断線に沿って切断することにより、ストライプ型の第１内部電極パターン２２１ａ間の所定の間隔ｄ３は、半分に切断されて、第１内部電極１２１の一端が第４面から所定の間隔ｄ２が形成されるようにする。また、第２内部電極１２２が第３面から所定の間隔が形成されるようにする。
その後、第１内部電極及び第２内部電極の一端と接続されるように上記第３面及び第４面のそれぞれに外部電極を形成することができる。
本実施形態のように、棒状積層体２２０に第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成し、チップサイズに切断した場合、一回の工程を介して複数の積層体２１１にサイドマージン部を形成することができる。
また、図示していないが、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する前に、棒状積層体をチップサイズに切断して複数の積層体を形成することができる。
すなわち、棒状積層体を、重なっている第１内部電極の中央部と第２内部電極との間に形成され、且つ所定の間隔が同一である切断線によって切断されるように切断することができる。これにより、第１内部電極及び第２内部電極の一端は、切断面において交互に露出することができる。
次に、上記積層体の第１面及び第２面に第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成することができる。第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部の形成方法は、上述のとおりである。
また、上記第１内部電極が露出する積層体の第３面、及び上記第２内部電極が露出する積層体の第４面にそれぞれ外部電極を形成することができる。
本発明の他の実施形態によると、積層体の第１面及び第２面に第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出する。積層された複数の第１内部電極及び第２内部電極は、同時に切断されて、上記内部電極の末端が一直線上に位置することができる。その後、上記積層体の第１面及び第２面に第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部が一括的に形成される。上記積層体ならびに上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部によってセラミック本体が形成される。すなわち、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部はセラミック本体の第１側面及び第２側面を形成するようになる。
これにより、本実施形態によると、上記複数の内部電極の末端からセラミック本体の第１面及び第２面までの距離は一定に形成されることができる。また、上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、セラミックペーストによって形成されるものであって、厚さが薄く形成されることができる。
以下、実験例を通じて本発明をさらに詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実験例によって限定されるものではない。
実験例
母材主成分としては５０ｎｍ級以下のＢａＴｉＯ３粉末を用いる。この際、副成分組成は下記の表１のとおりである。
スラリーの作製時に、母材主成分及び副成分粉末をジルコニアボールを混合／分散媒介として使用し、エタノール／トルエンと分散剤を混合した後、機械的ミル（ｍｉｌｌｉｎｇ）を行った。その後、誘電体シートの強度を実現するためのバインダー混合工程を追加した。
製造されたスラリーは、ヘッド吐出方式のオン－ロール（ｏｎ ｒｏｌｌ）成形コーター（ｃｏａｔｅｒ）を利用して、サイドマージン部を形成することができるように、厚さ１０～２０μｍの形成シートを製造した。
そして、幅方向に内部電極が露出して、マージンのないグリーンチップの電極露出部に上記成形シートを取り付けて、サイドマージン部を形成することができるように５ｃｍ×５ｃｍのサイズに切断した。
チップの変形を最小化した状態で一定の温度及び圧力を加えて、チップの両面に上記成形シートを取り付けて、０６０３サイズ（横×縦×高さ：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）の積層セラミックキャパシタグリーンチップを製作した。
このように製作が完了した積層セラミックキャパシタの試料を、４００℃以下、窒素雰囲気下で仮焼工程を経て焼成温度１２００℃以下、水素濃度０．５％Ｈ２以下の条件で焼成した後、電気的特性及び絶縁抵抗、チップ強度、サイドマージンと内部電極間との間の界面密着力、空隙充填の程度、電極先端の絶縁層の生成程度、及びサイドマージン部の緻密度差などを総合的に比較して確認した。
各組成物の積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）の常温静電容量及び誘電損失はＬＣＲメーター（ｍｅｔｅｒ）を用いて１ｋＨｚ、ＡＣ ０．５Ｖで測定し、サンプルを５０個ずつとり、絶縁破壊が発生するＢＤＶ（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）を測定した。
積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）のサイドマージン部の硬さはビッカース（Ｖｉｃｋｅｒｓ）硬さ試験機を利用して荷重５ｋｇｆ、保持時間５ｓｅｃの条件で測定し、チップの破断面及び研磨面に対してマージン部の緻密度や絶縁層の生成程度などの微細構造を比較した。
下記［表１］は、実験例（比較例及び実施例）による誘電体組成を表した表である。母材主成分としてはＢａＴｉＯ３を使用し、この際の副成分としては、積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）を構成する基本的なドナー（ｄｏｎｏｒ）、受容体（ａｃｃｅｐｔｏｒ）形態の添加元素とＢａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｎａ－Ｌｉを含む焼結助剤の役割を果たす元素を使用した。
この際、本発明の実施例及び比較例によるサイドマージン部の緻密度、電極端部における酸化領域の生成有無、空隙充填の程度、及び界面密着力を比較するために、各副成分の添加元素の含有量比を多様に変化させた。
下記［表２］は、上記［表１］に記載の組成に対応する０６０３サイズ、実際の積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）の電気的特性及び微細構造の結果をまとめたものである。
◎：優秀、○：良好、△：普通、×：不良
上記［表１］及び［表２］に示すように、電極端部における酸化領域の生成有無及び界面密着力を向上させるためのＭｇの含有量比は、０．７５ｍｏｌ以上である際に効果的であり、過量のＭｇ添加はサイドマージン部の緻密度を低下させ、２次相が生成される頻度が増加するという問題を伴うため、上記Ｍｇの適正な含有量比は、０．７５≦Ｍｇ≦２．１０の範囲であることが分かる。
図７ａ及び図７ｂは本発明の比較例による副成分Ｍｇが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
図８ａ及び図８ｂは本発明の比較例による副成分Ｍｇが過量含まれる誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
図７ａ及び図７ｂを参照すると、副成分Ｍｇが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの場合、内部電極１２１、１２２の端部に酸化領域１２３及び絶縁層が効果的に生成されず、内部電極１２１、１２２と第２サイドマージン部１１４との間の界面密着力が低下することがある。ここで、界面密着力が低下した現象を図７ｂに楕円で表示した。
図８ａ及び図８ｂを参照すると、副成分Ｍｇが過量含まれる誘電体組成物で製作された場合には、２次相２０１が生成される頻度が増加するという問題があり、第２サイドマージン部１１４の緻密度が低下する。ここで、第２サイドマージン部１１４の緻密度が低下した現象を図８ｂに円形で表示した。
図９ａ及び図９ｂは本発明の比較例による副成分Ｍｎが足りない誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
図９ａ及び図９ｂを参照すると、Ｍｇと同様に、Ｍｎも上記Ｍｎの含有量比が足りないか、又は過量の場合、焼結特性又は空隙充填率に影響を与えるようになる。しかし、臨界含有量比を基準に、上記Ｍｎが足りない場合には、空隙を効果的に満たすことができず、空隙２０２が発生するという信頼性低下の問題を伴うようになる。また、逆に過量添加された場合には、内部電極１２１、及び第２内部電極１２２ならびにセラミックが過度に焼結されて、内部電極の玉化が発生するという問題がある。ここで、電極が玉化する現象を図９ｂに楕円で表示した。
図１０は本発明の実施形態による誘電体組成物で製作された積層セラミックキャパシタの断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
図１０を参照すると、内部電極が本体の幅方向に露出するようにチップを製作した後、焼成前の段階でチップの幅方向の電極露出面にマージン部を別に付着することにより、積層セラミックキャパシタの製造工程時に発生する内部電極１２１、１２２と第１サイドマージン部１１３との間の界面密着力の低下を防ぐことができ、内部電極１２１、１２２と第１サイドマージン部１１３との間に発生する空隙の生成を防ぐことで、信頼性を向上させることができる。
また、内部電極１２１、１２２の先端に均一な酸化領域１２３及び絶縁層を確保することができるため、ショート不良を改善させることができ、サイドマージン部１１３の緻密度を向上させることができる。これにより、積層セラミックキャパシタの機械的強度の向上及び高温／耐湿信頼性の改善という効果を奏する。
尚、サイドマージン部の焼結駆動力を増加させてサイドマージン部の緻密度、及び電極収縮によって発生する端部における空隙（ｖｏｉｄ）を効果的に満たすようにするためには、Ｍｎ－Ｎａ－Ｌｉの添加に加えて、Ｍｇ－Ｓｉ－Ａｌなどの副成分元素の添加組合比が重要である。
そこで、本発明の一実施形態では、上記Ｍｎ－Ｍｇ－Ａｌのシステム（ｓｙｓｔｅｍ）における３元系相図(ｔｅｒｎａｒｙ ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ)に基づいて、実際のチップに適用した実験結果をもとに、Ｍｎの絶対量比及びＭｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）の含有量比を選定した。Ｍｎの絶対量は０．６≦Ｍｎ≦２．０の範囲で決定することが好ましく、他の副成分元素の添加量比は０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００で決定した場合、すべての電気的特性を満たすことが分かる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
ここで、本実施形態に係る発明の例を項目として記載する。
［項目１］
互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第１面及び第２面に露出し、且つ前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第１面及び第２面に露出する前記複数の内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成と前記セラミック本体に含まれる誘電体組成は互いに異なり、
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、
前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす、積層セラミックキャパシタ。
［項目２］
前記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たす、項目１に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目３］
前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、項目１または２に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目４］
前記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たす、項目１から３のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目５］
前記副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）との含有量比がそれぞれ、０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たす、項目４に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目６］
前記副成分は、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｙｂ、及びＰｒのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩が０．０～４．０ｍｏｌの含有量で含まれる第１副成分と、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｂａを含む酸化物又は炭酸塩が０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれる第２副成分と、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含み、且つ０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれる第３副成分と、
を含む、項目１から５のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目７］
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は平均厚さが１８μｍ以下である、項目１から６のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目８］
前記複数の内部電極は、一端が前記第３面に露出し、他端が前記第４面から所定の間隔を置いて配置される第１内部電極と、一端が第４面に露出し、他端が前記第３面から所定の間隔を置いて形成される第２内部電極とで構成される、項目１から７のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目９］
互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、第１面及び第２面に露出し、且つ前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第１面及び第２面に露出する前記複数の内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
前記セラミック本体の幅－厚さ方向の断面において、前記複数の内部電極の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域が配置され、
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）の合計含有量に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす、積層セラミックキャパシタ。
［項目１０］
前記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たす、項目９に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１１］
前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、項目９または１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１２］
前記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たす、項目９から１１のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１３］
前記副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）との含有量比がそれぞれ、０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たす、項目１２に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１４］
前記副成分は、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｙｂ、及びＰｒのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩が０．０～４．０ｍｏｌの含有量で含まれる第１副成分と、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｂａを含む酸化物又は炭酸塩が０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれる第２副成分と、
前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含み、且つ０．０～５．０ｍｏｌの含有量で含まれる第３副成分と、
を含む、項目９から１３のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１５］
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は平均厚さが１８μｍ以下である、項目９から１４のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１６］
前記複数の内部電極は、一端が前記第３面に露出し、他端が前記第４面から所定の間隔を置いて配置される第１内部電極と、一端が第４面に露出し、他端が前記第３面から所定の間隔を置いて形成される第２内部電極とで構成される、項目９から１５のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１７］
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成と前記セラミック本体に含まれる誘電体組成物は互いに異なる、項目９から１６のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目１８］
互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、第１面及び第２面に露出し、且つ前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第１面及び第２面に露出する前記複数の内部電極の端部上に配置され、且つ前記複数の内部電極の露出する端面を覆うように配置された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成と前記セラミック本体に含まれる誘電体組成は互いに異なり、
前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、
前記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たし、前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、積層セラミックキャパシタ。
［項目１９］
前記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たす、項目１８に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目２０］
前記副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）との含有量比がそれぞれ、０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たす、項目１９に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目２１］
前記副成分は、
Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｙｂ、及びＰｒのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩である第１副成分と、
Ｂａを含む酸化物又は炭酸塩である第２副成分と、
Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含む第３副成分と、
を含む、項目１８から２０のいずれか一項目に記載の積層セラミックキャパシタ。
［項目２２］
前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～４．０ｍｏｌであり、
前記第２副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌであり、
前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌである、項目２１に記載の積層セラミックキャパシタ。
１１０ セラミック本体
１１１ 積層体
１１２ 誘電体層
１１３ 第１サイドマージン部
１１４ 第２サイドマージン部
１２１ 第１内部電極
１２２ 第２内部電極
１３１ 第１外部電極
１３２ 第２外部電極
１１２ａ セラミックグリーンシート
１２１ａ ストライプ型の第１内部電極パターン
１２２ａ ストライプ型の第２内部電極パターン
２１０ セラミックグリーンシート積層体
２２０ 棒状積層体
１２３ 酸化領域
２０１ ２次相
２０２ 空隙

Claims (34)

  1. 互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
    前記セラミック本体の内部に配置され、前記第１面及び第２面に露出し、且つ前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
    前記第１面及び第２面に露出する前記内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
    前記セラミック本体の幅－厚さ方向の断面において、前記内部電極の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域が配置され、
    前記第１及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、
    前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比がＭｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５６５を満たす、積層セラミックキャパシタ。
  2. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．０９１＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．２５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  3. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．１６７≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．２３１を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  4. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．２６１＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．３を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  5. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．２７３≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．２８６を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  6. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．３３３を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  7. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３３３＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．４０７を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  8. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３５３≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．３７５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  9. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．４０７＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  10. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．４１２≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．４９を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  11. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．５＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．５４５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  12. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．５４５＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．５６５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  13. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．１６７＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．２５を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  14. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．３３３を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  15. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．４０７＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．４４４を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  16. 前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．４４４＜Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）＜０．４７４を満たす、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  17. 互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
    前記セラミック本体の内部に配置され、第１面及び第２面に露出し、且つ前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
    前記第１面及び第２面に露出する前記複数の内部電極の端部上に配置され、且つ前記複数の内部電極の露出する端面を覆うように配置された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
    前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成と前記セラミック本体に含まれる誘電体組成は互いに異なり、
    前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）及びマンガン（Ｍｎ）と、を含み、
    前記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たし、前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たし、
    前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｙｂ、及びＰｒのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩である０．０～４．０ｍｏｌ含有量の第１副成分と、
    前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｂａを含む酸化物又は炭酸塩である０．０～５．０ｍｏｌ含有量の第２副成分と、
    前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含む０．０～５．０ｍｏｌ含有量の第３副成分と、
    を含む、積層セラミックキャパシタ。
  18. 前記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対してそれぞれ、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ及び０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たす、請求項１７に記載の積層セラミックキャパシタ。
  19. 前記副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）との含有量比がそれぞれ、０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７及び０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たす、請求項１８に記載の積層セラミックキャパシタ。
  20. 互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面と第２面を連結する第３面及び第４面を含むセラミック本体と、
    前記セラミック本体の内部に配置され、前記第１面及び第２面に露出し、前記第３面又は第４面に一端が露出する複数の内部電極と、
    前記第１面及び第２面に露出する前記内部電極の端部上に配置される第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
    前記第１及び第２サイドマージン部は、チタン酸バリウム系の母材主成分と、副成分としてのマグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）と、を含み、
    前記マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）及びアルミニウム（Ａｌ）に対するマンガン（Ｍｎ）の含有量の比が０．３１６≦Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｍｇ＋Ａｌ）≦０．５００を満たす、積層セラミックキャパシタ。
  21. 前記マグネシウム（Ｍｇ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．７５ｍｏｌ≦Ｍｇ≦２．１０ｍｏｌを満たす、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  22. 前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  23. 前記副成分は、ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して、０．５ｍｏｌ≦Ｎａ≦１．５ｍｏｌ、０．５ｍｏｌ≦Ｌｉ≦１．５ｍｏｌを満たす、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  24. 前記副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含み、前記ナトリウム（Ｎａ）及びリチウム（Ｌｉ）に対するケイ素（Ｓｉ）の含有量の比率はそれぞれ、第１及び第２サイドマージン部のナトリウム（Ｎａ）及びケイ素（Ｓｉ）のモル含有量を基準として０．６８≦Ｓｉ／（Ｎａ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たし、第１及び第２サイドマージン部のリチウム（Ｌｉ）及びケイ素（Ｓｉ）のモル含有量を基準として０．６８≦Ｓｉ／（Ｌｉ＋Ｓｉ）≦０．８７を満たす、請求項２３に記載の積層セラミックキャパシタ。
  25. 前記副成分は、第１副成分、第２副成分、及び第３副成分のうち少なくとも一つを含み、
    前記第１副成分は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＰｒのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩であり、
    前記第２副成分はＢａを含む酸化物又は炭酸塩であり、
    前記第３副成分はＳｉ及びＡｌのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭酸塩、あるいはＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物のうち少なくとも一つを含む、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  26. 前記第１副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～４．０ｍｏｌ、前記第２副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌ、前記第３副成分の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌに対して０．０～５．０ｍｏｌである、請求項２５に記載の積層セラミックキャパシタ。
  27. 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は平均厚さが１８μｍ以下である、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  28. 前記内部電極は、一端が前記第３面に露出し、他端が前記第４面から所定の間隔を置いて配置される第１内部電極及び一端が第４面に露出し、他端が前記第３面から所定の間隔を置いて形成される第２内部電極を含む、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  29. 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成物は、前記セラミック本体に含まれる誘電体組成物と異なる、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  30. 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部に含まれる誘電体組成物は、前記セラミック本体に含まれる誘電体組成物と異なる、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
  31. 前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌを基準に０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。
  32. 前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌを基準に０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、請求項３に記載の積層セラミックキャパシタ。
  33. 前記セラミック本体の幅－厚さ方向の断面において、前記内部電極の両端部にはマグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化領域が配置される、請求項２０に記載の積層セラミックキャパシタ。
  34. 前記マンガン（Ｍｎ）の含有量は、前記母材主成分１００ｍｏｌを基準に０．６ｍｏｌ≦Ｍｎ≦２．０ｍｏｌを満たす、請求項２１に記載の積層セラミックキャパシタ。
JP2022010472A 2017-10-13 2022-01-26 積層セラミックキャパシタ Active JP7319022B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0133580 2017-10-13
KR1020170133580A KR101987214B1 (ko) 2017-10-13 2017-10-13 적층 세라믹 커패시터
JP2018073506A JP7114850B2 (ja) 2017-10-13 2018-04-05 積層セラミックキャパシタ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018073506A Division JP7114850B2 (ja) 2017-10-13 2018-04-05 積層セラミックキャパシタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022050693A JP2022050693A (ja) 2022-03-30
JP7319022B2 true JP7319022B2 (ja) 2023-08-01

Family

ID=66096499

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018073506A Active JP7114850B2 (ja) 2017-10-13 2018-04-05 積層セラミックキャパシタ
JP2022010472A Active JP7319022B2 (ja) 2017-10-13 2022-01-26 積層セラミックキャパシタ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018073506A Active JP7114850B2 (ja) 2017-10-13 2018-04-05 積層セラミックキャパシタ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10354798B2 (ja)
JP (2) JP7114850B2 (ja)
KR (1) KR101987214B1 (ja)
CN (2) CN109671565B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101987214B1 (ko) * 2017-10-13 2019-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
JP7241472B2 (ja) * 2018-06-01 2023-03-17 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
US10923279B2 (en) * 2018-10-22 2021-02-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component
KR20200075287A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 삼성전기주식회사 커패시터 부품
JP2020149996A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
KR20190116110A (ko) * 2019-06-14 2019-10-14 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR20190116144A (ko) 2019-07-29 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
KR20190116150A (ko) * 2019-08-16 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR20190116153A (ko) 2019-08-20 2019-10-14 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
JP2021034648A (ja) * 2019-08-28 2021-03-01 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR20210055987A (ko) * 2019-11-08 2021-05-18 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20210081668A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
JP2021150300A (ja) * 2020-03-16 2021-09-27 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR20220032339A (ko) * 2020-09-07 2022-03-15 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 그 제조방법
KR20230057161A (ko) * 2021-10-21 2023-04-28 삼성전기주식회사 세라믹 전자부품
KR20230057674A (ko) 2021-10-22 2023-05-02 삼성전기주식회사 적층형 커패시터

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040229746A1 (en) 2003-05-16 2004-11-18 Ferro Corporation X7r dielectric composition
JP2016001723A (ja) 2014-05-22 2016-01-07 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2016082183A (ja) 2014-10-22 2016-05-16 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ、これを含む積層セラミックコンデンサ連、および、積層セラミックコンデンサの実装体

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521265A (ja) * 1991-05-24 1993-01-29 Sumitomo Metal Ind Ltd コンデンサの製造方法
JP2000026161A (ja) 1998-07-10 2000-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体磁器組成物
JP3586148B2 (ja) 1998-09-30 2004-11-10 Ｔｄｋ株式会社 非還元性誘電体磁器材料およびその製造方法ならびに積層磁器コンデンサ
US6982864B1 (en) * 2004-06-09 2006-01-03 Ferro Corporation Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors
JP2006206362A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Kyocera Corp 誘電体磁器及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
TWI287811B (en) * 2005-02-04 2007-10-01 Murata Manufacturing Co Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same
FR2915796B1 (fr) 2007-05-03 2009-06-12 Siemens Vdo Automotive Sas Dispositif de suppression du phenomene d'interferences entre zones de detection capacitives d'un capteur
JP5061961B2 (ja) 2008-03-04 2012-10-31 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物
KR101120004B1 (ko) 2009-06-19 2012-02-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품
JP5275918B2 (ja) 2009-06-24 2013-08-28 Ｔｄｋ株式会社 積層型セラミック電子部品
KR101113441B1 (ko) * 2009-12-31 2012-02-29 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
JP5429067B2 (ja) * 2010-06-17 2014-02-26 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
WO2012114877A1 (ja) * 2011-02-23 2012-08-30 株式会社 村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP5852321B2 (ja) 2011-04-15 2016-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5271377B2 (ja) * 2011-04-18 2013-08-21 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
CN103073305B (zh) 2011-10-26 2016-03-02 东莞华科电子有限公司 烧结添加组合物、介电陶瓷组合物、及它们的应用
KR20130106569A (ko) 2012-03-20 2013-09-30 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자부품
JP5900449B2 (ja) * 2012-12-28 2016-04-06 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
KR101514512B1 (ko) * 2013-04-08 2015-04-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101565640B1 (ko) * 2013-04-08 2015-11-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101681358B1 (ko) * 2013-04-08 2016-11-30 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101973414B1 (ko) 2014-02-04 2019-04-29 삼성전기주식회사 저온 소성용 유전체 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
JP6439551B2 (ja) * 2014-05-21 2018-12-19 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR102089700B1 (ko) * 2014-05-28 2020-04-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터, 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판
JP6416744B2 (ja) * 2015-12-15 2018-10-31 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
US10020117B2 (en) * 2016-02-18 2018-07-10 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same
CN106699166A (zh) * 2016-12-07 2017-05-24 西安理工大学 锂‑钠共掺杂的巨介电陶瓷及其制备方法
KR101987214B1 (ko) * 2017-10-13 2019-06-10 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040229746A1 (en) 2003-05-16 2004-11-18 Ferro Corporation X7r dielectric composition
JP2016001723A (ja) 2014-05-22 2016-01-07 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2016082183A (ja) 2014-10-22 2016-05-16 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ、これを含む積層セラミックコンデンサ連、および、積層セラミックコンデンサの実装体

Also Published As

Publication number Publication date
KR101987214B1 (ko) 2019-06-10
US10354798B2 (en) 2019-07-16
CN112885603A (zh) 2021-06-01
CN112885603B (zh) 2022-06-17
CN109671565B (zh) 2021-03-30
KR20190041846A (ko) 2019-04-23
JP2019075530A (ja) 2019-05-16
US20190115153A1 (en) 2019-04-18
JP7114850B2 (ja) 2022-08-09
CN109671565A (zh) 2019-04-23
JP2022050693A (ja) 2022-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7319022B2 (ja) 積層セラミックキャパシタ
JP7444346B2 (ja) 積層セラミックキャパシタ
JP7348890B2 (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP4782598B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2022116273A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
US11845698B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
JP7283019B2 (ja) 誘電体磁器組成物、それを含む積層セラミックキャパシター、及び積層セラミックキャパシターの製造方法
KR102163417B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
JP2018022750A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2012169620A (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US11715596B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
KR20210111208A (ko) 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층형 전자 부품
JP7460043B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
KR20160005493A (ko) 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR102041755B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
KR102068812B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
WO2024038727A1 (ja) 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法
JP2008053278A (ja) 積層コンデンサ
KR20220080599A (ko) 유전체 조성물 및 적층형 커패시터
KR101771715B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230501

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230620

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230718

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7319022

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150