WO2014010376A1 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 Download PDF

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岡本貴史
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Definitions

  • the present invention relates to a multilayer ceramic capacitor and a method for manufacturing the same, and more specifically, a multilayer body including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers;
  • the present invention relates to a multilayer ceramic capacitor including an external electrode formed on an outer surface of a multilayer body and electrically connected to an internal electrode, and a manufacturing method thereof.
  • the multilayer ceramic capacitor includes a plurality of laminated dielectric layers (dielectric ceramic layers) 11 and a plurality of layers disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers 11.
  • a laminated body 10 having internal electrodes 12 and a pair of external electrodes 13a and 13b disposed on both end faces of the laminated body 10 so as to be electrically connected to the internal electrodes 12 exposed on the opposite end faces alternately.
  • a dielectric ceramic material having a high relative dielectric constant and containing a perovskite type compound containing Ba and Ti as a main component is widely used as a material constituting the dielectric layer.
  • a dielectric ceramic material 95.0 to 98.0 mol of BaTiO 3 having an unreacted BaO content of 0.7 wt% or less and a Ba / Ti ratio of 1.005 to 1.025. %, And 100 parts by weight of the main component containing 2.0 to 5.0 mol% of at least one rare earth oxide selected from La, Nd, Sm, Dy, and Er, 0% MnO as a subcomponent Proposed nonreducing dielectric ceramic composition containing 3 to 1.5 parts by weight and 0.5 to 2.5 parts by weight of oxide glass mainly composed of BaO—SrO—Li 2 O—SiO 2 (See Patent Document 1).
  • This non-reducing dielectric ceramic composition has good capacitance-temperature characteristics, and it is said that the dielectric layer can be made thin by using it as a dielectric layer (dielectric ceramic layer) of a multilayer ceramic capacitor. Yes.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a highly reliable multilayer ceramic capacitor having a small change in insulation resistance with time in a high-temperature load test and having excellent insulation deterioration resistance and a method for manufacturing the same. To do.
  • the multilayer ceramic capacitor of the present invention is A laminate having a dielectric ceramic comprising a plurality of crystal particles, and having a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers; An external electrode formed on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode;
  • a multilayer ceramic capacitor comprising:
  • the laminate is A perovskite-type compound containing Ba and Ti, La, Mg, and Mn, When the ratio of the content of La, Mg, and Mn to the content of Ti is 100 mol parts of Ti, La: 1.2 to 6.0 mol parts Mg: 0.5 to 5.0 mol parts Mn: 1.0 to 3.0 mol parts, and
  • the average number of the crystal grains included in the dielectric layer in the stacking direction per one dielectric layer is 1 or more and 3 or less.
  • the multilayer ceramic capacitor of the present invention is A laminate having a dielectric ceramic comprising a plurality of crystal particles, and having a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers; An external electrode formed on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode;
  • a multilayer ceramic capacitor comprising:
  • the laminate is A perovskite-type compound containing Ba and Ti, La, Mg, and Mn, When the laminate is dissolved to form a solution, the ratio of the content of La, Mg, and Mn with respect to the content of Ti in the solution is 100 mol parts of Ti.
  • La 1.2 to 6.0 mol parts
  • Mg 0.5 to 5.0 mol parts
  • Mn 1.0 to 3.0 mol parts
  • the average number of the crystal grains included in the dielectric layer in the stacking direction per one dielectric layer is 1 or more and 3 or less.
  • “when the laminate is dissolved to form a solution” refers to the case where the laminate is dissolved with an acid to form a solution, or after the laminate is alkali-melted and then dissolved in an acid or the like. It is a concept that means the case of the above, and there is no particular restriction on the method of dissolving the solution into a solution.
  • the multilayer ceramic capacitor of the present invention is A laminate having a dielectric ceramic comprising a plurality of crystal particles, and having a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers; An external electrode formed on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode;
  • a multilayer ceramic capacitor comprising:
  • the dielectric layer is A perovskite-type compound containing Ba and Ti, La, Mg, and Mn, When the ratio of the content of La, Mg, and Mn to the content of Ti is 100 mol parts of Ti, La: 1.2 to 6.0 mol parts Mg: 0.5 to 5.0 mol parts Mn: 1.0 to 3.0 mol parts, and
  • the average number of the crystal grains included in the dielectric layer in the stacking direction per one dielectric layer is 1 or more and 3 or less.
  • the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor of the present invention includes: A laminate having a dielectric ceramic comprising a plurality of crystal particles, and having a plurality of laminated dielectric layers, and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers; A method for producing a multilayer ceramic capacitor comprising: (A) A powder containing a perovskite-type compound containing Ba and Ti, a La compound powder, a Mg compound powder, and a Mn compound powder are mixed and slurried.
  • the multilayer ceramic capacitor of the present invention includes a plurality of dielectric layers (dielectric ceramic layers) having a dielectric ceramic including a plurality of crystal grains, and a plurality of internal electrodes disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers.
  • the “laminate” has a perovskite type compound containing Ba and Ti, and La, Mg, and Mn, and the ratio of the content of La, Mg, and Mn to the content of Ti is 100 mol parts of Ti.
  • a dielectric layer Is configured so as to satisfy the condition that the average number of crystal grains in the stacking direction per dielectric layer is 1 or more and 3 or less, the MTTF in the high temperature load test of the product is high, Reliable laminated ceramic It is possible to obtain a click capacitor.
  • the ratio of La, Mg, Mn to Ti in the perovskite type compound to which La, Mg, Mn is added is within the range as in the present invention, and the dielectric
  • the “solution” The ratio of La, Mg and Mn content to Ti content in La is 1.2 to 6.0 mole parts, Mg: 0.5 to 5. 0 mole part, Mn: 1.0 to 3.0 mole part, and the average number of crystal grains contained in the dielectric layer in the stacking direction per dielectric layer is 1 to 3 Even when configured so as to satisfy the following conditions, a multilayer ceramic capacitor having high MTTF in a high temperature load test of a product and high reliability can be obtained.
  • the “dielectric layer” constituting the laminate includes a perovskite type compound containing Ba and Ti, and La, Mg, and Mn, and the ratio of the content of La, Mg, and Mn to the content of Ti is as follows: When Ti is 100 mol parts, La: 1.2 to 6.0 mol parts, Mg: 0.5 to 5.0 mol parts, Mn: 1.0 to 3.0 mol parts, Even when it is configured to satisfy the condition that the average number of crystal grains contained in the dielectric layer in the stacking direction per dielectric layer is 1 or more and 3 or less, the product is subjected to a high temperature load test. A multilayer ceramic capacitor having a high MTTF and high reliability can be obtained.
  • the method for producing a multilayer ceramic capacitor according to the present invention comprises mixing a powder containing a perovskite type compound containing Ba and Ti with a La compound powder, a Mg compound powder, and a Mn compound powder to form a slurry.
  • the ratio of the content of La, Mg and Mn to the content is such that when the Ti content is 100 mol parts, La: 1.2 to 6.0 mol parts, Mg: 0.5 to 5.0 mols Part, Mn: A ceramic slurry in the range of 1.0 to 3.0 mole parts was prepared, and a ceramic green sheet obtained by molding this ceramic slurry and a conductor pattern to be an internal electrode after firing were stacked.
  • the unsintered laminate After forming the unsintered laminate, the unsintered laminate is fired to have a structure in which internal electrodes are disposed between the dielectric layers, and the dielectric layer 1 of crystal particles contained in the dielectric layer Layer
  • the average number of the stacking direction of is to obtain one or more 3 or less is stack, can be efficiently produced a multilayer ceramic capacitor having a requirement of the present invention described above.
  • 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a front sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention. It is a figure for demonstrating the method to measure the average number of crystal grains per dielectric layer of the multilayer ceramic capacitor concerning embodiment of this invention.
  • each powder was weighed so that the ratio of Ba content to Ti was 103 mol parts with respect to 100 mol parts of Ti.
  • each weighed powder was mixed by a ball mill using water as a medium, calcined at 1050 ° C., and then pulverized to obtain a perovskite type compound powder (ceramic powder) containing Ba and Ti.
  • the Ba site may contain Ca and Sr, and the Ti site may contain Zr and Hf.
  • calcination was performed at 1050 ° C., but the calcination temperature is not limited to this, and a temperature suitable for obtaining desired characteristics can be selected as appropriate.
  • the ratio of the content of each additive component to Ti in the powder is the ratio shown in Table 1 (mol parts) with respect to 100 mol parts of Ti.
  • MgCO 3 MnCO 3
  • SiO 2 SiO 2 at a ratio of 1.5 mole parts
  • a polyvinyl butyral binder and an organic solvent such as ethanol were added and wet mixed by a ball mill to prepare a ceramic slurry.
  • this ceramic slurry was sheet-formed by a doctor blade method so that the dielectric layer (dielectric ceramic layer) after firing had a thickness of 4.0 ⁇ m, and a rectangular ceramic green sheet was obtained.
  • a conductive paste containing Ni as a conductive component was screen-printed on the ceramic green sheet to form a conductor pattern (internal electrode pattern) that became an internal electrode after firing.
  • a plurality of ceramic green sheets on which conductor patterns (internal electrode patterns) were formed were laminated so that the conductor pattern drawn-out sides were alternately opposite to each other to obtain an unfired laminate. And the binder was removed by heating this unbaked laminated body at 260 degreeC in the air.
  • the laminated body from which the binder has been removed is sintered by holding it at 1160-1300 ° C. for 3 hours in a reducing atmosphere composed of H 2 —N 2 —H 2 O gas.
  • a laminate was obtained.
  • the temperature at the time of holding for 3 hours is appropriately adjusted within the above-mentioned range of 1160 to 1300 ° C., whereby the dielectric of the crystal particles contained in the dielectric layer (dielectric ceramic layer)
  • the average number (average particle number) in the stacking direction per layer was controlled.
  • a Cu electrode paste is applied to the end face of the obtained laminated body and baked to form an external electrode, whereby a multilayer ceramic capacitor (samples for characteristic measurement of sample numbers 1 to 23 in Table 1) is formed. )
  • a multilayer ceramic capacitor samples for characteristic measurement of sample numbers 1 to 23 in Table 1.
  • the multilayer ceramic capacitor includes a plurality of laminated dielectric layers (dielectric ceramic layers) 11 and a plurality of layers disposed at a plurality of interfaces between the dielectric layers 11.
  • a pair of external electrodes (Cu electrodes) 13a and 13b are formed on both end surfaces of a laminated body (multilayer ceramic element) 10 having a plurality of internal electrodes 12 so as to be electrically connected to internal electrodes 12 exposed on opposite end surfaces. It has an arranged structure.
  • the dimensions of the multilayer ceramic capacitor fabricated as described above are 1.0 mm in width (W), 2.0 mm in length (L), and 0.6 mm in thickness (T), and are interposed between internal electrodes.
  • the thickness of the dielectric layer 11 was 4.0 ⁇ m, and the thickness of the internal electrode 12 was 0.8 ⁇ m.
  • the total number of effective dielectric ceramic layers excluding the outer layer portion was 100, and the counter electrode area per layer was 1.7 mm 2 .
  • the laminated body after the external electrode was removed was dissolved with acid and subjected to ICP emission spectroscopic analysis. Thus, it was confirmed that the composition had almost the same composition as that shown in Table 1.
  • the average number of crystal grains contained in the dielectric layer per dielectric layer was determined by the intercept method.
  • a specific method for measuring the average number of crystal grains per dielectric layer is as follows.
  • the multilayer body (multilayer ceramic element) 10 was broken along the width (W) direction and the thickness (T) direction at approximately the center in the length (L) direction of the multilayer ceramic capacitor. Then, in order to clarify the boundary (grain boundary) between grains in the dielectric layer 11, the fractured laminate (sample) was heat-treated.
  • the temperature of the heat treatment was set to a temperature at which no grain growth occurred and a grain boundary became clear. In this embodiment, the temperature was set to 1000 ° C.
  • region F (FIG. 3).
  • 200 crystal grains are randomly extracted from the measurement region, and 200 grains are measured using a diameter method in which the maximum length of each crystal grain in a direction parallel to the main surface of the internal electrode is a grain size.
  • the crystal grain size was measured and the average value was obtained as the average grain size.
  • Table 1 also shows the measurement results of the average number of crystal particles (number of average particles) per layer of samples Nos. 1 to 23 (multilayer ceramic capacitors) produced in this embodiment.
  • the high temperature load test is performed on 100 samples of each sample number, a sample having an insulation resistance value of 100 k ⁇ or less is determined as a failure, and an average failure time (MTTF) of 50% is obtained from a Weibull analysis of the failure time. It was. MTTF of 700h or less was out of standard.
  • Table 1 also shows the results (average failure time (MTTF)) of the high-temperature load test of samples Nos. 1 to 23 (multilayer ceramic capacitors) produced in this embodiment.
  • MTTF average failure time
  • a sample number marked with * is a sample that does not satisfy the requirements of the present invention, and the other samples are samples that indicate the requirements of the present invention.
  • the amount of La or Mg added is less than the range of the present invention, such as the samples of sample numbers 1 and 2, the average number of crystal particles per one dielectric layer (average particle number) Regardless of this, it was confirmed that the deterioration of the insulation resistance in the high-temperature load test was significant.
  • the samples with the La and Mg addition amounts exceeding the range of the present invention are inferior in insulation deterioration resistance in the high temperature load test.
  • the insulation deterioration resistance in the high temperature load test was inferior even in the case where the amount of Mn added was outside the range of the present invention, such as the samples Nos. 18 and 19.
  • samples having a large average number of crystal particles (average number of particles) per layer such as samples of sample numbers 3, 6, 9, 13, and 16, have an average number (average number of particles) of the present invention. It was confirmed that the deterioration of the insulation resistance tended to be faster compared with the samples in the range of.
  • the ratio of La, Mg, and Mn content to the Ti content was La when the Ti content was 100 mol parts. : 1.2 to 6.0 mol parts, Mg: 0.5 to 5.0 mol parts, Mn: 1.0 to 3.0 mol parts, average of crystal grains per dielectric layer It was confirmed that a sample having a number in the range of 1 or more and 3 or less can provide a multilayer ceramic capacitor having high insulation deterioration resistance and high reliability.
  • the laminate is examined for the ratio of the contents of La, Mg, and Mn with respect to the Ti content.
  • La with respect to the Ti content, It is also possible to examine the content ratio of Mg and Mn.
  • this invention is not limited to the said embodiment,
  • the number of layers of the dielectric material layer and internal electrode which comprise a laminated body, La, Mg, and Mn content with respect to Ti content in a laminated body or a dielectric material Various applications and modifications can be made within the scope of the invention with respect to the ratio of the amount.

Abstract

　高温負荷試験における絶縁抵抗の経時変化が小さく、絶縁性劣化耐性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、複数の誘電体層１１と、誘電体層間の複数の界面に形成された複数の内部電極１２とを有する積層体１０と、外部電極１３ａ，１３ｂとを備える積層セラミックコンデンサにおいて、積層体が、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、Ｍｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０１モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあり、かつ、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下という要件を満たすようにする。

Description

積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
　本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関し、詳しくは、積層されている複数の誘電体層と、誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている外部電極とを備える積層セラミックコンデンサとその製造方法に関する。
　近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で、大容量を取得することが可能な積層セラミックコンデンサが広く用いられている。この積層セラミックコンデンサは、例えば、図２に示すように、積層されている複数の誘電体層（誘電体セラミック層）１１と、誘電体層１１間の複数の界面に配設されている複数の内部電極１２とを有する積層体１０と、積層体１０の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極１２と導通するように配設された一対の外部電極１３ａ，１３ｂとを備えた構造を有している。
　そして、このような積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体層を構成する材料として、高い比誘電率を有する、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を主たる成分とする誘電体セラミック材料が広く用いられている。
　そして、そのような誘電体セラミック材料として、未反応のＢａＯの含有量０．７重量％以下で、Ｂａ／Ｔｉ比が１．００５～１．０２５であるＢａＴｉＯ3を９５．０～９８．０ｍｏｌ％と、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒの中から選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物を２．０～５．０ｍｏｌ％含有する主成分１００重量部に対して、副成分としてＭｎＯを０．３～１．５重量部およびＢａＯ－ＳｒＯ－Ｌｉ2Ｏ－ＳｉＯ2を主要な成分とする酸化物ガラスを０．５～２．５重量部含有する非還元性誘電体磁器組成物が提案されている（特許文献１参照）。
　この非還元性誘電体磁器組成物は、容量温度特性が良好で、積層セラミックコンデンサの誘電体層（誘電体セラミック層）として用いることにより、誘電体層を薄層化することができるとされている。
　しかしながら、上記従来の非還元性誘電体磁器組成物の材料組成では、薄層化が進んだ積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、高温負荷試験における絶縁抵抗の経時変化が大きく、十分な信頼性を備えた積層セラミックコンデンサを得ることができないという問題点がある。
特開平４－１６９００３号公報
　本発明は、上記課題を解決するものであり、高温負荷試験における絶縁抵抗の経時変化が小さく、絶縁性劣化耐性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明の積層セラミックコンデンサは、
　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
　を備える積層セラミックコンデンサであって、
　前記積層体が、
　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
　Ｌａ：１．２～６．０モル部
　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
の範囲にあり、かつ、
　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
　を特徴としている。
　また、本発明の積層セラミックコンデンサは、
　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
　を備える積層セラミックコンデンサであって、
　前記積層体が、
　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
　前記積層体を溶解処理して溶液とした場合において、前記溶液中のＴｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
　Ｌａ：１．２～６．０モル部
　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
の範囲にあり、かつ、
　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
　を特徴としている。
　なお、本発明において、「積層体を溶解処理して溶液とした場合」とは、積層体を酸により溶解して溶液とした場合や、積層体をアルカリ融解した後、酸などに溶かして溶液とした場合などを意味する概念であり、溶解処理して溶液とする方法に特別の制約はない。
　また、本発明の積層セラミックコンデンサは、
　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
　を備える積層セラミックコンデンサであって、
　前記誘電体層が、
　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
　Ｌａ：１．２～６．０モル部
　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
の範囲にあり、かつ、
　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
　を特徴としている。
　また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、
　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
　を備えた積層セラミックコンデンサを製造するための方法であって、
　（ａ）Ｂａと、Ｔｉとを含むペロブスカイト型化合物を含有する粉末と、　Ｌａ化合物粉末と、Ｍｇ化合物粉末と、Ｍｎ化合物粉末と、　を混合してスラリー化することにより、
　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉの含有量を１００モル部としたときに、
　Ｌａ：１．２～６．０モル部
　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
　の範囲にあるセラミックスラリーを調製する工程と、
　（ｂ）前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
　（ｃ）前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
　（ｄ）前記未焼成の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が配設された構造を有し、前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下である積層体を得る工程と、
　を備えることを特徴としている。
　本発明の積層セラミックコンデンサは、複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有する複数の誘電体層（誘電体セラミック層）と、該誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する「積層体」が、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎを含み、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあり、かつ、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であるという条件を満たすように構成されているので、製品の高温負荷試験におけるＭＴＴＦが高く、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
　すなわち、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物であって、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎが添加されたペロブスカイト型化合物において、Ｔｉに対する、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎの割合を本発明のような範囲とし、かつ、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数を３個以下に低下させる（粒界数を低下させる）ことにより、一層高い絶縁性劣化耐性を実現することが可能になる。すなわち、積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体層に存在する粒界が絶縁性を劣化させ、故障の原因となるため、粒界数を低下させることにより、特性を向上させることが可能になる。
　また、複数の誘電体層と、該誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する上述の「積層体」を溶解処理して溶液とした場合に、該「溶液」中のＴｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、Ｍｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあり、かつ、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であるという条件を満たすように構成した場合にも、製品の高温負荷試験におけるＭＴＴＦが高く、信頼性が高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
　また、前記積層体を構成する「誘電体層」が、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａ、Ｍｇ、Ｍｎを含み、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、Ｍｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあり、かつ、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であるという条件を満たすように構成した場合にも、製品の高温負荷試験におけるＭＴＴＦが高く、信頼性が高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
　また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、Ｂａと、Ｔｉとを含むペロブスカイト型化合物を含有する粉末と、Ｌａ化合物粉末、Ｍｇ化合物粉末、Ｍｎ化合物粉末とを混合してスラリー化し、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、Ｍｎの含有量の割合が、Ｔｉの含有量を１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあるセラミックスラリーを調製し、このセラミックスラリーを成形して得られるセラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成した後、未焼成の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が配設された構造を有し、誘電体層に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下である積層体を得るようにしているので、上述の本発明の要件を備えた積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの斜視図である。 本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの正面断面図である。 本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの誘電体層１層あたりの結晶粒子の平均個数を測定する方法を説明するための図である。
　以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
［積層セラミックコンデンサの作製］
　積層セラミックコンデンサを作製するために、まず、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物（チタン酸バリウム系複合酸化物）の出発原料として、ＢａＣＯ3およびＴｉＯ2の各粉末を用意した。
　それから、各粉末をＴｉに対するＢａの含有量の割合が、Ｔｉ１００モル部に対して１０３モル部の割合となるように秤量した。
　そして、秤量した各粉末を、水を媒体としてボールミルにより混合し、１０５０℃で仮焼を行った後、粉砕することによりＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物粉末（セラミック粉末）を得た。
　このＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物粉末において、ＢａサイトにＣａ、Ｓｒが、ＴｉサイトにＺｒ、Ｈｆが含まれていてもよい。
　なお、この実施形態では１０５０℃にて仮焼を行ったが、仮焼温度は、これに限定されるものではなく、適宜、所望の特性を得るのに適した温度を選択することができる。
　次に、上述のようにして作製したペロブスカイト型化合物粉末に対して、該粉末中のＴｉに対する各添加成分の含有量の割合が、Ｔｉ１００モル部に対して、表１に示した割合（モル部）となるように、Ｒ2Ｏ3（Ｒ＝Ｌａ、Ｇｄ、Ｄｙ）、ＭｇＣＯ3、ＭｎＣＯ3を加え、さらにＳｉＯ2を１．５モル部の割合となるように加え、ボールミルにより水中にて混合し、誘電体原料を得た。
　得られた誘電体原料を酸により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析したところ、表１に示した組成と殆ど同一であることが確認された。
　この誘電体原料に、ポリビニルブチラール系バインダーと、エタノールなどの有機溶媒を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。
　それから、このセラミックスラリーをドクターブレード法により、焼成後の誘電体層（誘電体セラミック層）の厚さが４．０μｍになるようにシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを導電成分として含む導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成後に内部電極となる導体パターン（内部電極パターン）を形成した。
　導体パターン（内部電極パターン）が形成されたセラミックグリーンシートを導体パターンの引き出されている側が交互に逆側になるように複数枚積層し、未焼成の積層体を得た。そして、この未焼成の積層体を空気中で２６０℃に加熱することにより、バインダーを除去した。
　それから、バインダーが除去された後の積層体を、Ｈ2－Ｎ2－Ｈ2Ｏガスからなる還元性雰囲気中にて、１１６０～１３００℃で３時間保持して焼成することにより、焼結済みの積層体を得た。なお、この焼成の工程では、３時間保持する際の温度を、上述の１１６０～１３００℃の範囲で適宜調整することにより、誘電体層（誘電体セラミック層）に含まれる結晶粒子の、誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数（平均粒子数）を制御した。
　次に、得られた焼結済みの積層体の端面にＣｕ電極ペーストを塗布し、焼き付けて外部電極を形成することにより、積層セラミックコンデンサ（表１の試料番号１～２３の特性測定用の試料）を得た。この積層セラミックコンデンサの模式的な斜視図を図１に、模式的な正面断面図を図２に示す。
　図１、図２に示すように、この積層セラミックコンデンサは、積層されている複数の誘電体層（誘電体セラミック層）１１と、誘電体層１１間の複数の界面に配設されている複数の内部電極１２とを有する積層体（積層セラミック素子）１０の両端面に、交互に逆側の端面に露出した内部電極１２と導通するように一対の外部電極（Ｃｕ電極））１３ａ，１３ｂが配設された構造を有している。
　なお、上記のようにして作製した積層セラミックコンデンサの寸法は、幅（Ｗ）１．０ｍｍ、長さ（Ｌ）２．０ｍｍ、厚さ（Ｔ）０．６ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体層１１の厚さは４．０μｍ、内部電極１２の厚さは０．８μｍであった。また、外層部を除いた有効誘電体セラミック層の総数は１００であり、一層あたりの対向電極面積は１．７ｍｍ2であった。
　得られた積層セラミックコンデンサの外部電極（Ｃｕ電極）を除去した後、外部電極が除去された後の積層体を酸により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析を行ったところ、内部電極成分のＮｉを除いては、表１に示した組成と殆ど同一の組成を有していることが確認された。
［誘電体層に含まれる結晶粒子の誘電体層１層あたりの平均個数の測定］
　また、誘電体層に含まれる結晶粒子の誘電体１層あたりの平均個数（平均粒子数）を、インターセプト法により求めた。この結晶粒子の誘電体１層あたりの平均個数の具体的な測定方法は以下の通りである。
　まず、上記積層セラミックコンデンサの長さ（Ｌ）方向のほぼ中央で、幅（Ｗ）方向および厚さ（Ｔ）方向に沿って積層体（積層セラミック素子）１０を破断した。それから、誘電体層１１におけるグレイン間の境界（粒界）を明確にするために、破断した積層体（試料）を熱処理した。熱処理の温度は、グレイン成長しない温度で、かつ粒界が明確になる温度とし、この実施形態では、１０００℃とした。
　そして、上述のようにして破断した積層体１０の破断面（ＷＴ面）における、Ｗ、Ｔ方向それぞれ１／２程度の位置近傍領域（すなわち破断面の略中央領域）を測定領域Ｆ（図３）として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、１００００倍で観察した。
　まず、測定領域から、２００個の結晶粒子を無作為に抽出し、各結晶粒子の内部電極の主面に対して平行な方向における最大の長さを粒径とする直径法を用いて２００個の結晶粒子の粒径を測定し、その平均値を求めて平均粒径とした。
　さらに、測定領域のＳＥＭ画像から、５層の誘電体層を無作為に抽出し、各層において、各層と隣接する内部電極の主面と直交する線を前記平均粒径の間隔で２０本引き（５層で合計１００本）、各々の線が横切る結晶粒子の個数を計測した。これを合計し、前記線の合計数１００で除した値をＡとする。これを各試料番号の試料につき５個の試料について行い、得られたＡの平均値を１素子あたりの結晶粒子の平均個数（誘電体層１層あたりの積層方向の平均粒子数）とした。
　この実施形態において作製した試料番号１～２３の試料（積層セラミックコンデンサ）の１層あたりの結晶粒子の平均個数（平均粒子数）の測定結果を表１に併せて示す。
［高温負荷試験］
　また、上述のようにして得られた積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験を行った。この高温負荷試験においては、温度１５０℃にて、１５０Ｖの電圧を印加して、絶縁抵抗の経時変化を観察した。
　なお、高温負荷試験は、各試料番号の試料１００個について行い、絶縁抵抗値が１００ｋΩ以下になった試料を故障と判定し、故障時間のワイブル解析から５０％の平均故障時間（ＭＴＴＦ）を求めた。ＭＴＴＦは７００ｈ以下のものを規格外とした。
　この実施形態において作製した試料番号１～２３の試料（積層セラミックコンデンサ）の高温負荷試験の結果（平均故障時間（ＭＴＴＦ））を表１に併せて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、表１において試料番号に＊を付した試料は、本発明の要件を満たさない試料であり、他の試料は本発明の要件を示す試料である。
［特性の評価］
　表１より、本発明の要件を備えた試料（試料番号に＊を付していない試料）は、高温負荷試験におけるＭＴＴＦの値が７００ｈ以上で、絶縁性劣化耐性が大きく、高い信頼性を備えていることが確認された。
　これに対し、例えば、試料番号１，２の試料のように、ＬａやＭｇ添加量が本発明の範囲より少ない試料の場合、誘電体層１層あたりの結晶粒子の平均個数（平均粒子数）にかかわらず、高温負荷試験での絶縁抵抗の劣化が著しくなることが確認された。
　また、試料番号１２，１５の試料のように、ＬａやＭｇ添加量が本発明の範囲を超える試料も、高温負荷試験における絶縁性劣化耐性が劣ることが確認された。
　また、試料番号１８，１９の試料のようにＭｎ添加量が本発明の範囲外の試料の場合も、高温負荷試験における絶縁性劣化耐性が劣ることが確認された。
　さらに、試料番号２０～２３の試料のように希土類元素に、ＬａではなくＧｄ、Ｄｙを用いた、本発明の要件を備えていない試料の場合も、本発明の範囲内にある試料に比べて、高温負荷試験における耐性が劣ることが確認された。
　また、例えば、試料番号３，６，９，１３，１６の試料のように、１層あたりの結晶粒子の平均個数（平均粒子数）が多い試料は、平均個数（平均粒子数）が本発明の範囲内になる試料と比較して絶縁抵抗の劣化が早い傾向のあることが確認された。
　以上の結果から、積層体ついてＩＣＰ発光分光分析を行った場合における、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉの含有量を１００モル部としたときに、Ｌａ：１．２～６．０モル部、Ｍｇ：０．５～５．０モル部、Ｍｎ：１．０～３．０モル部の範囲にあり、結晶粒子の誘電体層１層あたりの平均個数が１個以上３個以下の範囲にある試料では、絶縁性劣化耐性が大きく、高い信頼性を備える積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
　上記実施形態では、積層体について、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合を調べるようにしているが、積層体を構成する誘電体層について、Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合を調べるようにすることも可能である。
　なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、積層体を構成する誘電体層や内部電極の層数、積層体あるいは誘電体におけるＴｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合などに関し、発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることが可能である。
　１０　　　　　　　積層体（積層セラミック素子）
　１１　　　　　　　誘電体層（誘電体セラミック層）
　１２　　　　　　　内部電極
　１３ａ，１３ｂ　　外部電極
　Ｆ　　　　　　　　測定領域
　Ｌ　　　　　　　　長さ
　Ｔ　　　　　　　　厚さ
　Ｗ　　　　　　　　幅

Claims (4)

  1. 　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
    　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
    　を備える積層セラミックコンデンサであって、
    　前記積層体が、
    　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
    　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
    　Ｌａ：１．２～６．０モル部
    　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
    　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
    の範囲にあり、かつ、
    　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
    　を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  2. 　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
    　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
    　を備える積層セラミックコンデンサであって、
    　前記積層体が、
    　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
    　前記積層体を溶解処理して溶液とした場合において、前記溶液中のＴｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
    　Ｌａ：１．２～６．０モル部
    　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
    　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
    の範囲にあり、かつ、
    　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
    　を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  3. 　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
    　前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている外部電極と、
    　を備える積層セラミックコンデンサであって、
    　前記誘電体層が、
    　ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物と、Ｌａと、Ｍｇと、Ｍｎとを含み、
    　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉを１００モル部としたときに、
    　Ｌａ：１．２～６．０モル部
    　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
    　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
    の範囲にあり、かつ、
    　前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下であること
    　を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  4. 　複数の結晶粒子を備える誘電体セラミックを有し、積層されている複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設されている複数の内部電極とを有する積層体と、
    　を備えた積層セラミックコンデンサを製造するための方法であって、
    　（ａ）Ｂａと、Ｔｉとを含むペロブスカイト型化合物を含有する粉末と、　Ｌａ化合物粉末と、Ｍｇ化合物粉末と、Ｍｎ化合物粉末と、　を混合してスラリー化することにより、
    　Ｔｉの含有量に対するＬａ、Ｍｇ、およびＭｎの含有量の割合が、Ｔｉの含有量を１００モル部としたときに、
    　Ｌａ：１．２～６．０モル部
    　Ｍｇ：０．５～５．０モル部
    　Ｍｎ：１．０～３．０モル部
    　の範囲にあるセラミックスラリーを調製する工程と、
    　（ｂ）前記セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを得る工程と、
    　（ｃ）前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導体パターンとが積み重ねられた未焼成の積層体を形成する工程と、
    　（ｄ）前記未焼成の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が配設された構造を有し、前記誘電体層に含まれる前記結晶粒子の、前記誘電体層１層あたりの積層方向の平均個数が１個以上３個以下である積層体を得る工程と、
    　を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097283A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
JP2017228590A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105359236B (zh) * 2013-07-09 2018-03-16 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
JP7040384B2 (ja) * 2018-09-27 2022-03-23 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US11450484B2 (en) * 2019-12-27 2022-09-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63103861A (ja) * 1986-10-21 1988-05-09 京セラ株式会社 非還元性誘電体磁器組成物
JPH11317322A (ja) * 1998-05-01 1999-11-16 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2007234677A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2869900B2 (ja) 1990-10-31 1999-03-10 株式会社村田製作所 非還元性誘電体磁器組成物
JP3908715B2 (ja) * 2003-10-24 2007-04-25 Ｔｄｋ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP3908723B2 (ja) * 2003-11-28 2007-04-25 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物の製造方法
JP4206062B2 (ja) * 2004-08-30 2009-01-07 Ｔｄｋ株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP4858248B2 (ja) * 2007-03-14 2012-01-18 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP5067401B2 (ja) * 2009-06-30 2012-11-07 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
WO2011027625A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 株式会社 村田製作所 誘電体磁器組成物、及び積層セラミックコンデンサ
JP2012041226A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Tdk Corp 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品
JP5224147B2 (ja) * 2010-09-28 2013-07-03 株式会社村田製作所 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP5321848B2 (ja) * 2010-09-30 2013-10-23 株式会社村田製作所 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63103861A (ja) * 1986-10-21 1988-05-09 京セラ株式会社 非還元性誘電体磁器組成物
JPH11317322A (ja) * 1998-05-01 1999-11-16 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2007234677A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097283A (zh) * 2014-05-22 2015-11-25 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
KR20150135092A (ko) * 2014-05-22 2015-12-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 세라믹 콘덴서
KR101687575B1 (ko) * 2014-05-22 2016-12-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 세라믹 콘덴서
US9552925B2 (en) 2014-05-22 2017-01-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
JP2017228590A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR20170142854A (ko) * 2016-06-20 2017-12-28 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서
CN107527739A (zh) * 2016-06-20 2017-12-29 太阳诱电株式会社 多层陶瓷电容器
CN107527739B (zh) * 2016-06-20 2021-01-12 太阳诱电株式会社 多层陶瓷电容器
KR102303565B1 (ko) * 2016-06-20 2021-09-17 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서

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