JP5217609B2 - 積層セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
なお、本発明の対象外ではあるが、前記めっき層の主成分となる特定の金属が前記内部電極を構成する金属と異なり、かつ、前記めっき層の全域にわたって前記内部電極を構成する金属と同種の金属粒子が存在しているのではなく、前記めっき層の主成分となる特定の金属と、前記内部電極を構成する金属と同種の金属の、両者を合金化させることも可能である。
図1および図2を参照して、この発明の第1の実施形態による積層セラミック電子部品1およびその製造方法について説明する。
<本発明の第2の実施形態>
次に、図4の断面図を参照して、この発明の第2の実施形態による積層セラミック電子部品51およびその製造方法について説明する。
<第1、第2の実施形態に共通する事項>
以下、第1、第2の実施形態に共通する事項について説明する。
ピロリン酸ニッケル: 5g/L
ピロリン酸: 120g/L
蓚酸カリウム: 10g/L
次いで、積層体をバレルから取り出し、酸素濃度5ppm.以下および820℃の雰囲気において熱処理を行った。このとき、IN-OUT時間は30分、820℃における保持時間は270秒であった。このようにして、積層セラミックコンデンサの試料を得た。
ピロリン酸: 120g/L
蓚酸カリウム: 10g/L
次いで、積層体をバレルから取り出し、実験例1と同様の条件にて熱処理を行った。このようにして、積層セラミックコンデンサの試料を得た。
ピロリン酸: 120g/L
蓚酸カリウム: 10g/L
次に、積層体の入った回転バレルを水洗した後、pHを4.0に調整した浴温55度に調整した、Niめっき用ワット浴に浸漬し、周速2.6m/minにて回転させながら、電流密度0.50A/dm2にて所定の時間通電し、厚み2μmのNiを主成分とする第2のめっき層を形成した。
ピロリン酸: 120g/L
蓚酸カリウム: 10g/L
次に、積層体の入った回転バレルを水洗した後、pHを4.0、浴温を55度に調整した、Niめっき用ワット浴に浸漬し、周速2.6m/minにて回転させながら、電流密度0.50A/dm2にて所定の時間通電し、厚み2μmのNiを主成分とする第2のめっき層を形成した。
ピロリン酸: 120g/L
蓚酸カリウム: 10g/L
そして、積層体をバレルから取り出し、実験例1と同様の条件にて熱処理を行った。このようにして、積層セラミックコンデンサの試料を得た。
2 積層体
3 セラミック層
4,5 内部電極
6,7 端面
8,9 第1のめっき層
10,11 第2のめっき層
20 内部電極と同種の金属成分
30 カーケンダルボイド
Claims (9)
- 積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上にめっき層を形成する工程とを含む、積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記めっき層を形成する工程は、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部に特定の金属を主成分とするめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するようにめっきするめっき工程を有し、
前記めっき層の主成分となる特定の金属が前記内部電極を構成する金属と異なり、かつ、前記めっき層の全域にわたって前記内部電極を構成する金属と同種の金属が存在し、
前記めっき工程は、前記特定の金属のイオンまたは錯体を含み、かつ前記内部電極を構成する金属と同種の金属粒子が分散しためっき浴を用いてめっきする方法であることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。 - 前記特定の金属がCuであり、前記内部電極を構成する金属がNiであることを特徴とする、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上にめっき層を形成する工程とを含む、積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記めっき層を形成する工程は、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部に特定の金属を主成分とするめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するようにめっきする第1のめっき工程と、
さらに、前記内部電極を構成する金属と同種の金属を主成分とするめっき層を形成する第2のめっき工程と、
第2のめっき工程の後に、800℃以上の温度にて熱処理する工程を有することを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。 - 前記特定の金属を主成分とするめっき層の平均厚みが10μm以下であることを特徴とする、請求項3に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記特定の金属がCuであり、前記内部電極を構成する金属がNiであることを特徴とする、請求項3または4に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、
前記積層体の前記所定の面上に直接形成される、めっき層とを備え、
前記めっき層の主成分となる特定の金属が前記内部電極を構成する金属と異なり、かつ、前記めっき層の全域にわたって前記内部電極を構成する金属と同種の金属粒子が存在していることを特徴とする、積層セラミック電子部品。 - 前記めっき層の上に、前記内部電極を構成する金属と同種の金属を主成分とするめっき層が形成されていることを特徴とする、請求項6に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記特定の金属を主成分とするめっき層の平均厚みが10μm以下であることを特徴とする、請求項7に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記特定の金属がCuであり、前記内部電極を構成する金属がNiであることを特徴とする、請求項7または8に記載の積層セラミック電子部品。
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