JP2001097772A - 誘電体磁器組成物、電子部品およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 非酸化性雰囲気で１２００℃以下の温度での
焼成が可能であるにもかかわらず、高い誘電率を有する
誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること
と、低温焼成が可能で、しかも絶縁抵抗の加速寿命が向
上されたチップコンデンサなどの電子部品を提供するこ
と。 【解決手段】 ｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝
_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）}Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ_２ で示される組
成の誘電体酸化物を含む主成分と、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍ
ｎ，ＳｉおよびＰの酸化物および／または焼成後にこれ
らの酸化物になる化合物から選ばれる１種類以上を含む
副成分とを有し、前記副成分が、組成物全体に対して、
酸化物換算で、０．００１〜５％含まれ、前記主成分を
示す式中の組成比を示す記号Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９
９０≦Ａ／Ｂ＜１．０００、０．０１≦ｘ≦０．２５、
０．１≦ｙ≦０．３の関係にあることを特徴とする誘電
体磁器組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば積層型セ
ラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘
電体磁器組成物の改良と、その誘電体磁器組成物を誘電
体層として用いる電子部品およびそれらの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層型セラミックコンデンサは、
所定の誘電体磁器組成物からなるグリーンシート上に導
電ペーストを印刷し、該導電ペーストを印刷した複数枚
のグリーンシートを積層し、グリーンシートと内部電極
とを一体的に焼成し、形成されている。そして、従来、
卑金属を内部電極として用いることができる非還元性誘
電体磁器組成物として、例えば、セラミックスコンデン
サで高容量材料の特許番号第２７８７７４６号で開示さ
れるようなものが知られている。

【０００３】この公報に開示される誘電体磁器組成物
は、｛（Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）Ｏ｝_Ａ
（Ｔｉ_{（１−ｚ）} Ｚｒ_ｚ ）_Ｂ Ｏ_２ にて示される
誘電体酸化物を主成分とする。ただし、１．０００≦Ａ
／Ｂ＜１．０２０、０．０１≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦
０．０５、０．０５≦ｚ≦０．２０である。

【０００４】しかしながら、この誘電体磁器組成物で
は、焼成時に発生する誘電体材料の還元反応を抑えるこ
とができるものの、焼成に１２２０℃以上の高い焼成温
度が必要である。

【０００５】また、近年、低温焼成が可能な誘電体磁器
組成物として、特開平１０−２７９３５３号公報、特公
平６−１４４９６号公報、および特開平４−３６７５５
９号公報に開示されるようなものが知られている。特公
平６−１４４９６号公報には、｛（Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃ
ａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ （Ｔｉ_{（１−ｙ−ｚ）} Ｚｒ_ｙ Ｒ
_ｚ ）Ｏ_{２−ｚ／２} にて表される主成分と、ＳｉＯ
_２ 、Ｌｉ_２ ＯおよびＭＯ（ＭＯはＢａＯ等）からな
る添加成分との混合物を焼成してなる誘電体磁器組成物
が開示されている。ただし、主成分中のＲはＹ等の希土
類元素であり、１．００≦ｍ≦１．０４である。

【０００６】この公報には、主成分を１２００℃で仮焼
きし、添加成分を１０００℃で仮焼し、主成分と添加成
分の仮焼粉末とを混合し、この混合粉末でスラリーを形
成し、所定形状に成形し、１１５０℃で焼成することに
より焼結体が得られることが開示してある。

【０００７】また、特開平４−３６７５５９号公報に
は、（Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ）_ｍ （Ｔｉ
_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ ）_ｎ Ｏ_３ ＋ａＭ１＋ｂＭ２＋
ｃＭ３にて表される磁器組成物が開示されている。ただ
し、Ｍ１はＭｎ等の化合物、Ｍ２はＳｉの化合物、Ｍ３
はＹの化合物である。

【０００８】この公報には、ＢａＣＯ_３ 、ＣａＣＯ
_３ 、ＴｉＯ_２ 、ＺｒＯ_２ 、ＳｉＯ_２ 、Ｙ_２ Ｏ
_３ 等の粉末を混合し、この粉末を１０５０〜１２４０
℃で仮焼し、この仮焼粉末を用いて成形体を作製し、１
３００〜１４００℃で焼成することにより焼結体が得ら
れることが開示されている。これらの誘電体磁器組成物
では、還元性雰囲気で焼成しても磁器が還元されず、長
寿命のチップコンデンサを得ることができる。

【０００９】また、特開平１０−２７９３５３号公報に
は、｛（Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ）Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ
_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ ）_Ｂ Ｏ_３ を主成分とし、Ｙ，
Ｌｉ，ＢまたはＳｉの酸化物を副成分として含む誘電体
磁器組成物が開示されている。ただし、０．９９０≦Ａ
／Ｂ＜１．０２、０．０１≦ｘ≦０．１０、０．１５≦
ｙ≦０．２５である。さらに、特開平１１−１３０５３
１号公報には、｛（Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_Ａ
（Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ ）_Ｂ Ｏ_３ を主成分と
し、Ｙ，Ｓｉ，ＢａおよびＣａの酸化物を副成分として
含む誘電体磁器組成物が開示されている。ただし、０．
９８≦Ａ／Ｂ＜１．０１、０．０１≦ｘ≦０．１０、
０．１５≦ｙ≦０．２５である。

【００１０】しかしながら、これらの公報に示す誘電体
磁器組成物では、薄層化の点で問題があると共に、焼成
温度が高いなどの課題があった。

【００１１】積層型セラミックチップコンデンサは、通
常、内部電極用のペーストと、誘電体層用のペーストと
をシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して
製造される。内部電極には、一般に、ＰｄやＰｄ合金が
用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価
なＮｉやＮｉ合金が使用されつつある。ところで、内部
電極をＮｉやＮｉ合金で形成する場合は、大気中で焼成
を行うと電極が酸化してしまう。

【００１２】このため、一般に、脱バインダ後は、Ｎｉ
とＮｉＯの平衡酸素分圧よりも低い酸素分圧で焼成を行
っている。この場合、誘電体材料の緻密化を図るため、
通常、焼結助剤としてＳｉＯ_２ が加えられる。また、
誘電体層の還元による絶縁抵抗の低下等を防止するた
め、Ｍｎの添加や、Ｃａ置換等も行われている。

【００１３】しかし、ＮｉやＮｉ合金製の内部電極を有
する積層型チップコンデンサは、大気中で焼成して製造
されるＰｄ製の内部電極を有する積層型チップコンデン
サに比べて、絶縁抵抗の寿命が圧倒的に短く、信頼性が
低いという問題があった。

【００１４】ところが、この問題は、本発明者等により
提案された、ある特定の組成を有する誘電体酸化物を主
成分として含有し、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｚｒ、Ｖ、
Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、ＳｎおよびＰの酸化物および
／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ば
れる１種類以上を特定量添加した誘電体材料と、Ｎｉま
たはＮｉ合金の内部電極材料とを積層して焼成した積層
型セラミックチップコンデンサにより、ほぼ解決するこ
とができた（特開平３−１３３１１６号公報）。すなわ
ち、この公報に示すように、Ｙ等を副成分として添加す
れば、従来の無添加の誘電体材料を持つチップコンデン
サに比べ、寿命が約２〜１０倍に増大し、ある程度優れ
た信頼性が得られることが判明した。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような組成の誘電体層を備える積層型セラミックチップ
コンデンサにおいては、１４００℃未満では緻密化しな
いという問題があり、そこで従来では、焼結助剤として
ＳｉＯ_２ を用いて、上記磁器組成物の低温化焼成を可
能としていた。

【００１６】しかしながら、従来のように、主成分（Ａ
／Ｂ＜１）に対して、焼結助剤としてＳｉＯ_２ の比率
を多くした場合には、半導体化を生じたり、絶縁抵抗も
低く加速寿命も短いという問題があった。

【００１７】本発明の目的は、非酸化性雰囲気で１２０
０℃以下の温度での焼成が可能であるにもかかわらず、
高い誘電率を有する誘電体磁器組成物およびその製造方
法を提供することである。また、本発明の目的は、低温
焼成が可能で、しかも絶縁抵抗の加速寿命が向上された
チップコンデンサなどの電子部品を提供することであ
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、積
層型セラミックチップコンデンサなどの電子部品の誘電
体層として用いられる誘電体磁器組成物において、Ｙ等
添加の誘電体磁器組成物に比べ、更に低温での焼成を可
能にし、より一層に信頼性を向上させ、しかも、この高
信頼性化により、誘電体層を１０μｍ以下の薄層化を可
能とする誘電体磁器組成物について鋭意検討した結果、
特定組成の誘電体磁器組成物において、組成比の範囲を
特定することで、本発明の目的を達成できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。

【００１９】すなわち、本発明に係る誘電体磁器組成物
は、｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ
_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ _２ で示される組成の誘電
体酸化物を含む主成分と、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，Ｓ
ｉおよびＰの酸化物および／または焼成後にこれらの酸
化物になる化合物から選ばれる１種類以上を含む副成分
とを有し、前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物
換算で、０．００１〜５モル％含まれ、前記主成分を示
す式中の組成比を示す記号Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９９
０≦Ａ／Ｂ＜１．０００、０．０１≦ｘ≦０．２５、
０．１≦ｙ≦０．３の関係にあることを特徴とする。

【００２０】本発明に係る誘電体磁器組成物において、
好ましくは、組成物全体に対して、Ｌｉの酸化化合物お
よび／または焼成後にＬｉの酸化化合物となる化合物
を、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１５モル％
含有する。

【００２１】本発明に係る誘電体磁器組成物において、
好ましくは、焼成後の誘電体磁器組成物が、Ｌｉの酸化
化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化合物となる
化合物を、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１０
０００ｐｐｍ含有する。焼成後の誘電体磁器組成物中の
Ｌｉの酸化化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化
合物となる化合物の含有量は、原子吸光分析などで測定
される。

【００２２】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法
は、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化物およ
び／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選
ばれる１種類以上を含む副成分を予め５００〜１０００
℃で仮焼きする工程と、この仮焼きで得られた粉体と、
｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ
_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ_２ で示される組成の誘電
体酸化物を含む主成分とを混合する工程とを有する。

【００２３】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法
において、好ましくは、前記仮焼き工程で得られた粉末
と、Ｌｉの酸化化合物および／または焼成後にＬｉの酸
化化合物となる化合物とを混合する工程をさらに有す
る。

【００２４】本発明に係る電子部品は、誘電体層を有す
る電子部品であって、前記誘電体層が、｛｛Ｂａ
_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚ
ｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ _２ で示される組成の誘電体酸化物を含む
主成分と、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚ
ｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化
物および／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物
から選ばれる１種類以上を含む副成分とを有し、前記副
成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、０．００
１〜５モル％含まれ、前記主成分を示す式中の組成比を
示す記号Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９９０≦Ａ／Ｂ＜１．
０００、０．０１≦ｘ≦０．２５、０．１≦ｙ≦０．３
の関係にあることを特徴とする。

【００２５】本発明に係る電子部品において、好ましく
は、前記誘電体層が、Ｌｉの酸化化合物および／または
焼成後にＬｉの酸化化合物となる化合物を、酸化物（Ｌ
ｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１００００ｐｐｍ含有する。

【００２６】本発明に係る電子部品の製造方法は、Ｓ
ｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化物および／ま
たは焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれる
１種類以上を含む副成分を予め５００〜１０００℃で仮
焼きする工程と、この仮焼きで得られた粉体と、｛｛Ｂ
ａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）}
Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ_２ で示される組成の誘電体酸化物を含
む主成分とを混合する工程と、混合された粉体を用いて
誘電体ペーストを作製する工程と、内部電極用ペースト
を作製する工程と、前記誘電体ペーストおよび内部電極
用ペーストを交互に積層する工程と、交互に積層された
前記誘電体ペーストおよび内部電極用ペーストを焼成す
る工程とを有する。

【００２７】本発明に係る電子部品の製造方法におい
て、好ましくは、前記仮焼き工程で得られた粉末と、Ｌ
ｉの酸化化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化合
物となる化合物とを混合する工程をさらに有する。

【００２８】

【作用】本発明に係る誘電体磁器組成物は、１０００〜
１２００℃の低温で焼成することができると共に、絶縁
抵抗の加速寿命も４０時間（２００℃，ＤＣ８Ｖ／μ
ｍ）以上に向上する。また、本発明に係る誘電体磁器組
成物を誘電体層とするチップコンデンサなどの電子部品
では、内部電極の途切れや太りが低減し、長寿命化する
効果が得られる。

【００２９】また、本発明に係る誘電体磁器組成物の製
造方法では、従来より低温での焼成が可能でありなが
ら、緻密性の高い焼結体が得られる。

【００３０】さらに、本発明に係る電子部品の製造方法
では、従来より低温での焼成が可能でありながら、緻密
性の高い焼結体から成る誘電体層が得られ、しかも、内
部電極の途切れや太りが低減し、長寿命化する効果が得
られる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
る積層セラミックコンデンサの要部断面図である。

【００３２】積層セラミックコンデンサ 図１に示すように、本発明の一実施形態に係る電子部品
としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と
内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素
子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両
端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部
電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してあ
る。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はない
が、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に
制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、
通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍ
ｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。

【００３３】内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子
本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するよう
に積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子
本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電
極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成
する。

【００３４】誘電体層２ 誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃ
ａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ
_２ で表される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Ｓ
ｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化物から選ばれ
る１種類以上を含む副成分とを有する。この際、酸素
（Ｏ）量は、上記式の科学量論組成から若干偏倚しても
よい。

【００３５】上記式中、ｘは、０．０１以上０．２５以
下、好ましくは０．０５以上０．１０以下である。ま
た、ｙは、０．１以上０．３以下、好ましくは０．１以
上０．２以下である。また、Ａ／Ｂは、０．９９０以上
１．０００未満、好ましくは０．９９５以上０．９９９
以下である。

【００３６】この組成において、ｘはＣａ原子数を表す
が、このＣａは、主に焼結安定性として作用するととも
に、絶縁抵抗値を向上させる元素として作用するもので
ある。ｘが０．０１未満になると、焼成温度が１２５０
℃以上となり絶縁抵抗値が１×１０^７ Ωを下回ること
になり、また、ｘが０．２５を超えると、比誘電率が８
０００を下回り、いずれの場合でも、積層セラミックコ
ンデンサとしての基本特性を満足することができない。
従って、ｘの値は、０．０１≦ｘ≦０．２５の範囲が望
ましい。

【００３７】前記組成式において、ｙはＺｒの原子数を
表すが、このＺｒは、主にキュリー点を低温側に移動さ
せるシフターとして作用するものである。ｙが０．１未
満となると誘電損失が８％を超えてしまい、また、ｙが
０．３を超えると比誘電率が８０００を下回り、いずれ
の場合でも積層セラミックコンデ≦ンサとしての基本特
性を満足することができない。従って、ｙの値は０．１
≦ｙ≦０．３の範囲が望ましい。

【００３８】前記組成式において、Ａ／Ｂが０．９９未
満になると、焼成時に誘電体層の異常粒成長が生じると
共に、絶縁抵抗値が１×１０^７ Ω未満となってしま
い、また、Ａ／Ｂが１．００を超えると焼結性が低下
し、緻密な焼結体が得られない。従って、Ａ／Ｂは０．
９９≦Ａ／Ｂ＜１．００の範囲が好ましい。そして、従
来の誘電体磁器組成物と異なる点は、Ａ／Ｂ＜１の範囲
で副成分を添加することと、Ｌｉ酸化化合物を添加する
点にある。

【００３９】このように、副成分を添加することによ
り、主成分のＡ／Ｂ＜１の範囲での誘電特性を劣化させ
ることなく低温焼成が可能となり、誘電体層を薄層化し
た場合の信頼性不良を低減することができ、長寿命化を
図ることができるのである。

【００４０】本発明では、副成分が組成物の全体に対し
て０．００１モル％未満となると、焼結性が低下し、緻
密な焼結体が得られない。また、５モル％を超えると、
絶縁抵抗値が１×１０^７ Ωを下回ることになり、積層
セラミックコンデンサとしての基本特性を満足すること
ができない。この副成分は、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，Ｓ
ｉおよびＰの酸化物および／または焼成後にこれらの酸
化物になる化合物から選ばれる１種類以上、好ましくは
３種類以上含む。この副成分は、組成物全体に対して、
酸化物換算で、０．００１〜５モル％含まれる。このよ
うな副成分を上記モル％範囲で含ませることにより、組
成物を焼成して得られる誘電体層を持つセラミックコン
デンサの高温負荷寿命が向上する。

【００４１】好ましくは、副成分として、マンガンの酸
化物および／または焼成により酸化物になる化合物を、
酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０３〜２モル％、好ましく
は０．２〜１．３モル％、より好ましくは０．２〜０．
４モル％、イットリウムの酸化物および／または焼成に
より酸化物になる化合物を、酸化物（Ｙ_２ Ｏ_３ ）換
算で、０．０５〜０．５モル％、好ましくは０．０８〜
０．４５モル％、より好ましくは０．２〜０．４モル
％、バナジウムの酸化物および／または焼成により酸化
物になる化合物を、酸化物（Ｖ_２ Ｏ_５ ）換算で、
０．００５〜０．５モル％、好ましくは０．０１〜０．
１モル％、タングステンの酸化物および／または焼成に
より酸化物になる化合物を、酸化物（ＷＯ_３ ）換算
で、０．００５〜０．３モル％、好ましくは０．０１〜
０．２モル％、より好ましくは０．０１〜０．１モル％
程度含有する。このような副成分を上記範囲で含有させ
ることにより、特に低温での焼結性が向上する。また、
上記の副成分以外に、Ｎｉ酸化物、Ｎｂ酸化物，Ｍｇ酸
化物、Ｃｏ酸化物、Ｈｆ酸化物等が、副成分の合計とし
て、０．５重量％程度以下含有されてもよい。

【００４２】また、本発明に係る誘電体磁器組成物で
は、組成物全体に対して、Ｌｉの酸化化合物および／ま
たは焼成後にＬｉの酸化物になる化合物（たとえばＬｉ
の珪酸化合物）を、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で、０．
０１〜１５モル％を、焼結助材として添加してあること
が好ましい。

【００４３】これらの量が、上記範囲を外れると、誘電
体磁器組成物の焼結性が低下すると共に、得られるセラ
ミックコンデンサの電気特性が低下してしまう傾向にあ
る。なお、Ｌｉ酸化物は、誘電体磁器組成物に対して直
接に添加してもよいが、誘電体磁器組成物を、Ｌｉを含
む雰囲気ガス中で焼成することでも、得られる焼結体中
に含有させることができる。ただし、雰囲気ガス中のＬ
ｉを、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で、０．０１〜１５００
００ｐｐｍで含ませることが好ましい。０．０１ｐｐｍ
未満となると焼結性が低下し、緻密な焼結体が得られな
い。また、１５００００ｐｐｍを超えると、絶縁抵抗値
が１×１０^７ Ωを下回ることになり、積層セラミック
コンデンサとしての基本特性を満足することができな
い。

【００４４】上記の副成分は、予め、５００〜１０００
℃で仮焼きした後、主成分中に後添加する方法が、低温
焼成には望ましく、この副成分とＬｉの酸化化合物と
を、主成分中に後添加する方法が、低温焼成にはさらに
望ましい。

【００４５】これらの方法により得られた焼成後の誘電
体層は、原子吸光分析等で測定した結果、Ｌｉを、その
酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で、好ましくは０．０１〜１
００００ｐｐｍ、さらに好ましくは１〜５０００、特に
好ましくは１〜５００ｐｐｍ含有することが好ましい。

【００４６】なお、図１に示す誘電体層２の積層数や厚
み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよ
い。また、誘電体層２は、グレインと１％以下の粒界相
とで構成され、誘電体層２のグレインの平均粒子径は、
１〜５μｍ程度あることが好ましい。

【００４７】この粒界相は、通常、誘電体材料あるいは
内部電極材料を構成する材質の酸化物や、別途添加され
た材質の酸化物、さらには工程中に不純物として混入す
る材質の酸化物を成分とし、通常ガラスないしガラス質
で構成されている。

【００４８】内部電極層３ 内部電極層３に含有される導電材は特に限定されない
が、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑
金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属
としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金と
しては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１
種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ
含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、
ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ，Ｆｅ，Ｍｇ等の各種微
量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。内
部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい
が、通常、０．５〜５μｍ、特に１〜２．５μｍ程度で
あることが好ましい。

【００４９】外部電極４ 外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、
通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ合金等を用い
る。なお、ＡｇやＡｇーＰｄ合金等も、もちろん使用可
能である。なお、本実施形態では、安価なＮｉ，Ｃｕ
や、これらの合金を用いる。外部電極の厚さは用途等に
応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ
程度であることが好ましい。

【００５０】積層セラミックコンデンサの製造方法 本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコン
デンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、
ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリー
ンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷
または転写して焼成することにより製造される。以下、
製造方法について具体的に説明する。

【００５１】誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機
ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水
系の塗料であってもよい。

【００５２】誘電体原料には、前述した本発明に係る誘
電体磁器組成物の組成に応じ、主成分を構成する原料
と、副成分を構成する原料と、必要に応じて焼結助剤を
構成する原料とが用いられる。主成分を構成する原料と
しては、Ｔｉ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｚｒの酸化物および
／または焼成により酸化物になる化合物が用いられる。
副成分を構成する原料としては、Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍ
ｎ，ＳｉおよびＰの酸化物および／または焼成により酸
化物になる化合物から選ばれる１種類以上、好ましくは
３種類以上の単一酸化物または複合酸化物が用いられ
る。焼結助剤を構成する原料としては、Ｌｉの酸化物お
よび／または焼成により酸化物になる化合物が用いられ
る。焼成により酸化物になる化合物としては、例えば炭
酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等が例示さ
れる。もちろん、酸化物と、焼成により酸化物になる化
合物とを併用してもよい。

【００５３】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．０００５〜５μｍ程度のものが用いられる。このよ
うな原料粉末から誘電体材料を得るには例えば下記のよ
うにすればよい。

【００５４】まず、出発原料を所定の量比に配合し、例
えば、ボールミル等により湿式混合する。次いで、スプ
レードライヤー等により乾燥させ、その後仮焼し、主成
分を構成する上記式の誘電体酸化物を得る。なお、仮焼
は、通常５００〜１３００℃、好ましくは５００〜１０
００℃、さらに好ましくは８００〜１０００℃にて、２
〜１０時間程度、空気中にて行う。次いで、ジェットミ
ルあるいはボールミル等にて所定粒径となるまで粉砕
し、誘電体材料を得る。副成分と、焼結助剤（ＳｉＯ
_２ またはＬｉ_２ Ｏなど）とは、それぞれ主成分とは
別に仮焼きし、得られた誘電体材料に混合される。この
主成分の仮焼き時に、副成分も含めて行うと所望の特性
が得られない。また、副成分とＬｉ_２ Ｏとを含めて行
う仮焼きも低温焼成の効果を半減させる。副成分とＬｉ
_２ Ｏとを同時に仮焼きすると、Ｌｉ化合物を生成し、
主成分との反応が著しく低下、あるいは焼成温度が高く
なる。

【００５５】誘電体層用ペーストを調整する際に用いら
れる結合剤、可塑剤、分散剤、溶剤等の添加剤は種々の
ものであってよい。また、誘電体層用のペーストにはガ
ラスフリットを添加してもよい。結合剤としては、例え
ばエチルセルロース、アビエチン酸レジン、ポリビニー
ル・ブチラールなど、可塑剤としては、例えばアビエチ
ン酸誘導体、ジエチル蓚酸、ポリエチレングリコール、
ポリアルキレングリコール、フタール酸エステル、フタ
ール酸ジブチルなど、分散剤としては、例えばグリセリ
ン、オクタデシルアミン、トリクロロ酢酸、オレイン
酸、オクタジエン、オレイン酸エチル、モノオレイン酸
グリセリン、トリオレイン酸グリセリン、トリステアリ
ン酸グリセリン、メンセーデン油など、溶剤としては、
例えばトルエン、テルピネオール、ブチルカルビトー
ル、メチルエチルケトンなどが挙げられる。このペース
トを焼成する際に、誘電体材料がペースト全体に対して
占める割合は５０〜８０重量％程度とし、その他、結合
剤は２〜５重量％、可塑剤は０．０１〜５重量％、分散
剤は０．０１〜５重量％、溶剤は２０〜５０重量％程度
とする。そして、前記誘電体材料とこれら溶剤などとを
混合し、例えば３本ロール等で混練してペースト（スラ
リー）とする。

【００５６】なお、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。

【００５７】内部電極層用ペーストは、各種導電性金属
や合金からなる導電体材料、あるいは焼成後に上記した
導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、有機ビヒクルとを混練して調製する。

【００５８】内部電極用のペーストを製造する際に用い
る導体材料としては、ＮｉやＮｉ合金さらにはこれらの
混合物を用いる。このような導体材料は、球状、リン片
状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状
のものが混合したものであってもよい。また、導体材料
の平均粒子径は、通常、０．１〜１０μｍ、好ましくは
０．１〜１μｍ程度のものを用いればよい。

【００５９】有機ビヒクルは、バインダーおよび溶剤を
含有するものである。バインダーとしては、例えばエチ
ルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等公知の
ものはいずれも使用可能である。バインダー含有量は１
〜５重量％程度とする。溶剤としては、例えばテルピネ
オール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものは
いずれも使用可能である。溶剤含有量は、ペースト全体
に対して、２０〜５５重量％程度とする。

【００６０】このようにして得られた内部電極層用ペー
ストと誘電体層用ペーストとは、印刷法、転写法、グリ
ーンシート法等により、それぞれ交互に積層される。印
刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極
層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定
形状に切断した後、基板から剥離して積層体とする。ま
た、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用い
てグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペー
ストを印刷した後、これらを積層して積層体とする。

【００６１】次に、このようにして得られた積層体を、
所定の積層体サイズに切断した後、脱バインダ処理およ
び焼成を行う。そして、誘電体層２を再酸化させるた
め、熱処理を行う。

【００６２】脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよ
いが、内部電極層の導電体材料にＮｉやＮｉ合金等の卑
金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好まし
い。 昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜５０℃／時
間、 保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３５０℃、 保持時間：０．５〜２０時間、特に１〜１０時間、 雰囲気 ：空気中。

【００６３】焼成条件は、下記の条件が好ましい。 昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間、 保持温度：１０００〜１２００℃、特に１１００〜１２
００℃、 保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間、 雰囲気ガス：加湿したＮ_２ とＨ_２ との混合ガス等。

【００６４】ただし、焼成時の空気雰囲気中の酸素分圧
は、１０^−７ａｔｍ以下、特に１０ ^−７〜１０^−１３
ａｔｍにて行うことが好ましい。前記範囲を超えると、
内部電極層が酸化する傾向にあり、また、酸素分圧があ
まり低すぎると、内部電極層の電極材料が異常焼結を起
こし、途切れてしまう傾向にある。

【００６５】焼成後の熱処理は、保持温度または最高温
度を９００〜１１００℃として行うことが好ましい。熱
処理時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では
誘電体材料の酸化が不十分なために寿命が短くなる傾向
にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し、
容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしま
い、寿命も短くなる傾向にある。熱処理の際の酸素分圧
は、１０^−８ａｔｍ以上、より好ましくは１０^−４〜１
０^−７ａｔｍ が好ましい。前記範囲未満では、誘電体
層２の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部電
極層３が酸化する傾向にある。そして、そのほかの熱処
理条件は下記の条件が好ましい。

【００６６】保持時間：０〜６時間、特に２〜５時間、 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間、 雰囲気用ガス：加湿したＮ_２ ガス等。

【００６７】なお、Ｎ_２ ガスや混合ガス等を加湿する
には、例えばウェッター等を使用すればよい。この場
合、水温は０〜７５℃程度が好ましい。また脱バインダ
処理、焼成および熱処理は、それぞれを連続して行って
も、独立に行ってもよい。これらを連続して行なう場
合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続
いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次
いで冷却し、熱処理の保持温度に達したときに雰囲気を
変更して熱処理を行なうことが好ましい。一方、これら
を独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処
理時の保持温度までＮ_２ ガスあるいは加湿したＮ_２
ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇
温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで
冷却した後は、再びＮ_２ ガスあるいは加湿したＮ_２
ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。ま
た、アニールに際しては、Ｎ_２ ガス雰囲気下で保持温
度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニール
の全過程を加湿したＮ_２ ガス雰囲気としてもよい。

【００６８】このようにして得られた焼結体には、例え
ばバレル研磨、サンドプラスト等にて端面研磨を施し、
外部電極用ペーストを焼きつけて外部電極４を形成す
る。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿し
たＮ_２ とＨ_２ との混合ガス中で６００〜８００℃に
て１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そし
て、必要に応じ、外部電極４上にめっき等を行うことに
よりパッド層を形成する。なお、外部電極用ペースト
は、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製す
ればよい。

【００６９】このようにして製造された本発明の積層セ
ラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板
上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

【００７０】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、上述した実施形態では、本発
明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例
示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミ
ックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組
成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何で
も良い。

【００７１】

【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。

【００７２】実施例１ 出発原料として、ゾルゲル合成により生成された｛｛Ｂ
ａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚ
ｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ_２ で示される組成の誘電体酸化物から成
る主成分を用いた。主成分を示す式中の組成比を示す記
号Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９９０≦Ａ／Ｂ＜１．００
０、０．０１≦ｘ≦０．２５、０．１≦ｙ≦０．３の関
係の関係にあった。なお、上記誘電体酸化物の平均粒径
は、０．４μｍ、最大粒径は１．５μｍであった。

【００７３】また、副成分であるＭｎＣＯ_３ 、Ｙ_２
Ｏ_３ 、Ｖ_２ Ｏ_５ およびＷＯ_３ とＳｉＯ_２ とを、
添加物（添加物全体の平均粒径０．５μｍ、最大粒径
３．３）として、表１に示すモル比にて、各々ボールミ
ルで１６時間湿式粉砕し、９００℃および３時間の条件
で、大気雰囲気中で仮焼きし、その後、解砕のためにボ
ールミルで２０時間湿式粉砕し、副成分の添加物とし
た。そして、主成分と副成分とＬｉ_２ ＣＯ_３ を、ボ
ールミルで１６時間、湿式粉砕し、表１に示す試料番号
１〜３４のチタン酸バリウム系の誘電体材料を得た。ま
た、副成分にＬｉ _２ ＣＯ_３ も加えて仮焼きした以外
は、前記と同様の方法で、表１に示す試料番号３５のチ
タン酸バリウム系の誘電体材料を得た。

【００７４】

【表１】

【００７５】これら試料番号１〜３５の誘電体材料の各
々を用いて、下記に示される配合比にて、ジルコニア製
ボールを用いてボールミル混合し、スラリー化して誘電
体層用ペーストとした。すなわち、誘電体材料：１００
重量部、アクリル系樹脂：５．０重量部、フタル酸ベン
ジルブチル：２．５重量部、ミネラルスピリット：６．
５重量部、アセトン：４．０重量部、トリクロロエタ
ン：２０．５重量部、塩化メチレン：４１．５重量部の
配合比である。

【００７６】次に、下記に示される配合比にて、３本ロ
ールにより混練し、スラリー化して内部電極用ペースト
とした。すなわち、Ｎｉ：４４．６重量部、テルピネオ
ール：５２重量部、エチルセルロース：３重量部、ベン
ゾトリアゾール：０．４重量部である。これらのペース
トを用い、以下のようにして、図１に示される積層型セ
ラミックチップコンデンサ１を製造した。

【００７７】まず、誘電体層用ペーストを用いてキャリ
アフィルム上に１６μｍ厚のシートを、ドクターブレー
ド法などで形成し、この上に内部電極用ペーストを用い
て、内部電極を印刷した。この後、キャリヤフィルムか
ら上記のシートを剥離し、内部電極が印されたシートを
複数枚積層し、加圧接着した。なお、誘電体層２の積層
数は１０層であった。次いで、積層体を所定サイズに切
断した後、脱バインダ処理、焼成および熱処理を連続し
て下記の条件にて行った。

【００７８】脱バインダ処理 昇温速度：２０℃／時間、 保持温度：２５０℃、 保持時間：２時間、 雰囲気用ガス：ａｉｒ。

【００７９】焼成 昇温速度：２００℃／時間、 保持温度：各々、表２に示す温度、 保持時間：２時間、 冷却温度：３００℃／時間、 雰囲気用ガス：加湿したＮ_２ とＨ_２ の混合ガス、 酸素分圧：１０^−８ａｔｍ。

【００８０】熱処理 保持温度：１０００℃、 保持時間：３時間、 冷却温度：３００℃／時間、 雰囲気用ガス：加湿したＮ_２ ガス、 酸素分圧：１０^−７ａｔｍ。

【００８１】なお、それぞれの雰囲気用ガスの加湿に
は、ウェッターを用い、水温０〜７５℃にて行った。

【００８２】得られた焼結体の端面をサンドブラストに
て研磨した後、Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布して、試験用電極
を形成した。このようにして製造した積層型コンデンサ
１のサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍで
あり、誘電体層２の厚みは１０μｍ、内部電極３の厚み
は２μｍであった。

【００８３】この積層型コンデンサの特性を、基準温度
２５℃でデジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ製４２７４Ａ）
にて、周波数１ＫＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓの信号
を入力し、静電容量および誘電損失ｔａｎδを測定し
た。誘電体磁器の比誘電率εｒは、積層型コンデンサの
誘電体磁器の試料寸法と静電容量を考慮して算出した。

【００８４】なお、絶縁抵抗値は、積層型コンデンサに
１０Ｖの直流電圧を１分間印加して測定した。また、破
壊電圧は、３Ｖ／Ｓで昇圧し、１００ｍＡ以上の電流が
流れた電圧を測定した。評価として、比誘電率εｒは、
小型で高誘電率のコンデンサを作成するために重要な特
性であり、８０００以上を良好とした。誘電損失ｔａｎ
δは、誘電体層２の薄膜化を実現し、小型で高誘電率の
コンデンサを作成するために重要な特性であり、８％以
下を良好とした。絶縁抵抗値は１×１０^７ Ω以上を良
好とした。破壊電圧は、１００Ｖ（７Ｖ／μｍ）以上を
良好とした。また、これらの特性値は、コンデンサの試
料数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値から求め
た。

【００８５】また、コンデンサの高温負荷寿命（絶縁抵
抗の加速寿命）を、２００℃で８Ｖ／μｍの直流電圧の
印加状態に保持することにより測定した。この高温負荷
寿命は、１０個の積層型コンデンサ試料について行い、
最初にショートしたコンデンサの、印加開始からショー
トに至るまでの時間を測定することにより評価した。高
温負荷寿命は、誘電体層を薄層化する際に特に重要とな
るものであり、印加開始からショートに至るまでの時間
が４０時間以上を良品とした。

【００８６】また、各コンデンサ試料における誘電体層
中のＬｉの含有量を、Ｌｉ_２ Ｏ換算で、原子吸光分析
にて測定した。さらに、コンデンサ試料を切断し、内部
電極の途切れがあるか否かを観察した。これらの結果を
表２に示した。

【００８７】

【表２】

【００８８】表１および表２において、本発明の特に好
ましい実施例に相当する試料番号には、＊印を付けた。
表１および表２から分かるように、本発明の積層型セラ
ミックチップコンデンサは、焼結助剤としてＬｉ_２ Ｏ
を用いたことにより、１１４０℃という低温で焼成して
も、比誘電率εｒが８０００以上となった。また、焼結
助剤としてのＬｉ_２ Ｏを添加していないもの（試料番
号２および３）は、緻密な焼結体が得られていないこと
から、本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、
低温での焼結性が向上していることが分かる。

【００８９】副成分の仮焼き温度について、別に実験し
たところ、１２００℃以上の高温で焼成すると副成分の
解砕が困難になり、不適正であることが判明した。

【００９０】また、試料番号３５のように、副成分とＬ
ｉとを同時に予め仮焼きすると、低温焼成の効果が激減
することが確認された。副成分とＬｉとを同時に予め仮
焼きすると、試料番号３５と試料番号２０とを比較して
分かるように、近い組成でも、焼成温度が１００℃以上
に上昇し、電極の途切れも観察されることが確認され
た。

【００９１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、非酸化性雰囲気で１２００℃以下の温度での焼成が
可能であるにもかかわらず、高い誘電率を有する誘電体
磁器組成物およびその製造方法を提供することができ
る。また、本発明によれば、低温焼成が可能で、しかも
絶縁抵抗の加速寿命が向上されたチップコンデンサなど
の電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。

【符号の説明】

１…積層セラミックコンデンサ １０…コンデンサ素子本体 ２…誘電体層 ３…内部電極層 ４…外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 陽 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA11 AA12 AA13 AA17 AA18 AA19 AA24 AA26 AA30 AA31 AA33 BA09 CA03 5E001 AB03 AC03 AC09 AD03 AE00 AE01 AE02 AE03 AE04 AF06 AH01 AH05 AH06 AH08 AH09 AJ01 AJ02 5G303 AA01 AB01 AB06 AB14 AB15 AB20 BA12 CA01 CB03 CB06 CB07 CB16 CB18 CB24 CB30 CB31 CB32 CB35 CB36 CB37 CB38 CB39 CB40 CB41 CB43 DA04 DA06

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝
   _Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ_２ で示される組
   成の誘電体酸化物を含む主成分と、 Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，
   Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化物および／
   または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれ
   る１種類以上を含む副成分とを有し、 前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、
   ０．００１〜５モル％含まれ、 前記主成分を示す式中の組成比を示す記号Ａ，Ｂ，ｘ，
   ｙが、 ０．９９０≦Ａ／Ｂ＜１．０００、 ０．０１≦ｘ≦０．２５、 ０．１≦ｙ≦０．３の関係にある誘電体磁器組成物。
2. 【請求項２】 組成物全体に対して、Ｌｉの酸化化合物
   および／または焼成後にＬｉの酸化化合物となる化合物
   を、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１５モル％
   含有することを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組
   成物。
3. 【請求項３】 焼成後の誘電体磁器組成物が、Ｌｉの酸
   化化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化合物とな
   る化合物を、酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１
   ００００ｐｐｍ含有する特徴とする請求項１または請求
   項２記載の誘電体磁器組成物。
4. 【請求項４】 Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍ
   ｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰ
   の酸化物および／または焼成後にこれらの酸化物になる
   化合物から選ばれる１種類以上を含む副成分を予め５０
   ０〜１０００℃で仮焼きする工程と、 この仮焼きで得られた粉体と、｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃ
   ａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ
   _２ で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分とを混
   合する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。
5. 【請求項５】 前記仮焼き工程で得られた粉末と、Ｌｉ
   の酸化化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化合物
   となる化合物とを混合する工程をさらに有する請求項４
   に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
6. 【請求項６】 誘電体層を有する電子部品であって、 前記誘電体層が、 ｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ
   _{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ _２ で示される組成の誘電
   体酸化物を含む主成分と、 Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，
   Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰの酸化物および／
   または焼成後にこれらの酸化物になる化合物から選ばれ
   る１種類以上を含む副成分とを有し、 前記副成分が、組成物全体に対して、酸化物換算で、
   ０．００１〜５モル％含まれ、 前記主成分を示す式中の組成比を示す記号Ａ，Ｂ，ｘ，
   ｙが、 ０．９９０≦Ａ／Ｂ＜１．０００、 ０．０１≦ｘ≦０．２５、 ０．１≦ｙ≦０．３の関係にある電子部品。
7. 【請求項７】 前記誘電体層が、Ｌｉの酸化化合物およ
   び／または焼成後にＬｉの酸化化合物となる化合物を、
   酸化物（Ｌｉ_２ Ｏ）換算で０．０１〜１００００ｐｐ
   ｍ含有する特徴とする請求項６に記載の電子部品。
8. 【請求項８】 Ｓｒ，Ｙ，Ｇｄ、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｖ，Ｍ
   ｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｗ，Ｍｎ，ＳｉおよびＰ
   の酸化物および／または焼成後にこれらの酸化物になる
   化合物から選ばれる１種類以上を含む副成分を予め５０
   ０〜１０００℃で仮焼きする工程と、 この仮焼きで得られた粉体と、｛｛Ｂａ_{（１−ｘ）} Ｃ
   ａ_ｘ ｝Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｙ）} Ｚｒ_ｙ）_Ｂ Ｏ
   _２ で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分とを混
   合する工程と、 混合された粉体を用いて誘電体ペーストを作製する工程
   と、 内部電極用ペーストを作製する工程と、 前記誘電体ペーストおよび内部電極用ペーストを交互に
   積層する工程と、 交互に積層された前記誘電体ペーストおよび内部電極用
   ペーストを焼成する工程とを有する電子部品の製造方
   法。
9. 【請求項９】 前記仮焼き工程で得られた粉末と、Ｌｉ
   の酸化化合物および／または焼成後にＬｉの酸化化合物
   となる化合物とを混合する工程をさらに有する請求項８
   に記載の電子部品の製造方法。